一种磁屏蔽装置的制作方法

技术总结
本发明提供一种磁屏蔽装置，包括同轴的N(N为大于2的整数)层磁屏蔽筒，其中，最内层的所述磁屏蔽筒的半径为R1，第i(1≤i≤N)层所述磁屏蔽筒的半径为：本发明设计简单，易于实现，可以广泛应用于电磁领域来制造弱磁环境。

技术研发人员：伏吉庆;王如泉
受保护的技术使用者：中国科学院物理研究所
文档号码：201510295772
技术研发日：2015.06.02
技术公布日：2017.01.04