1.一种装置，其特征在于，所述装置包括：
互补金属氧化物半导体(CMOS)衬底层；
沉积在所述CMOS衬底层上的介电层，所述介电层包括温度传感器和耦合到传热层的加热元件，所述传热层与一组金属互连相关联；以及
沉积在所述介电层上的气体传感层。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述温度传感器包括第一类型的多晶硅，且所述加热元件包括第二类型的多晶硅。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，温度传感器在加热元件的第一加热元件和加热元件的第二加热元件之间实现。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一加热元件和所述第二加热元件被配置为微桥结构。
5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一加热元件和所述第二加热元件被配置为电阻结构，以产生一定量的热量。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，基于所述加热元件的几何形状来调节所述加热元件的电阻。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，基于所述加热元件的掺杂水平调节所述加热元件的电阻。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述温度传感器被配置为电阻结构，以感测与所述气体传感层相关联的温度。
9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，基于所述温度传感器的掺杂水平调节所述温度传感器的电阻。
10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，基于与所述温度传感器相关联的硅化工艺来调节所述温度传感器的电阻。
11.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述传热层包括多个金属层，这些金属层通过该组金属互连电耦合。
12.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气体传感层包括电耦合到气体传感材料的一组气体传感触点。
13.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述温度传感器、所述加热元件和所述传热层被所述介电层的介电材料包围。
14.一种装置，其特征在于，所述装置包括：
沉积在硅衬底层上的介电层，所述介电层包括温度传感器和耦合到传热层的加热元件，所述传热层与一组金属互连相关联；以及
沉积在所述介电层上的气体传感层，其中所述加热元件提供热量至所述气体传感层。
15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述加热元件为所述气体传感层的气体传感材料提供热量。
16.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述温度传感器的第一位置与第一电阻相关联，且所述温度传感器的第二位置与第二电阻相关联。
17.根据权利要求16所述的装置，其特征在于，基于第一掺杂水平确定第一电阻，且基于第二掺杂水平确定第二电阻。
18.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述加热元件的第一位置与第一电阻相关联，且所述加热元件的第二位置与第二电阻相关联。
19.根据权利要求18所述的装置，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻基于所述加热元件的几何形状确定。
20.一种装置，其特征在于，所述装置包括：
沉积在硅衬底层上的介电层，所述介电层包括温度传感器和耦合到传热层的加热元件，所述传热层与一组金属互连相关联，其中所述温度传感器与第一电阻相关联，且所述加热元件与第二电阻相关联；以及
沉积在所述介电层上的气体传感层。