一种新型的生物传感器控制系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于控制器材领域，尤其涉及一种新型的生物传感器控制系统。
【背景技术】
[0002]目前，例如，在温度调节计、通信装置、显示装置、驱动装置、输入输出装置、电源装置等控制系统中，设置有用于输入来自电源、传感器等的信号、或向控制对象设备输出信号的端子板。近年来，为了应对保养维修操作时的可操作性和机器的小型化，采用的是可以将端子板从控制系统主体上拆卸下来的结构。如果是采用这样的结构的控制系统的话，无法检测一些生物特征，且智能化程度不高。
[0003]因此，发明一种新型的生物传感器控制系统显得非常必要。
【发明内容】
[0004]为了解决上述技术问题，本发明提供一种新型的生物传感器控制系统，旨在解决现有控制系统无法检测一些生物特征，且智能化程度不高的问题。
[0005]为实现上述目的，本发明采取的技术方案为:一种新型的生物传感器控制系统，包括壳体，反应物，晶体管，探针接触杆，探针，开合口、智能装置和传感器，所述的反应物设置在壳体的内部；所述的晶体管设置在壳体的右侧；所述的探针接触杆设置在壳体的前部；所述的探针设置在探针接触针的下部；所述的开合口设置在壳体的上部中间；所述的智能装置设置在壳体的右侧，所述传感器设置在反应物的下方；传感器包括形成在单晶硅衬底中的CMOS三极管、形成在CMOS三极管上并受其控制的MTJ磁敏器件、形成在CMOS三极管和MTJ磁敏器件上方的导线层，形成在导线层上的钝化层、形成在钝化层上的绝缘聚合物层；三极管的源极端子可接地，漏极端子和MTJ磁敏器件的下电极相连，栅极端子作为控制极来开通或者关闭从漏极到源极的电流通路；MTJ磁敏器件的下电极和CMOS三极管的漏极端子连接，上电极和金属引线连接；形成在CMOS开关器件和MT J磁敏器件上的钝化层，用于保护其下方的金属引线及CMOS-MTJ器件在后续的工艺中以及使用中不被损坏。
[0006]所述的传感器在钝化层上的绝缘聚合物层，通过旋涂的方式施加在钝化层上；聚合物绝缘层的厚度例如为I纳米到10微米，优选为I纳米-1微米。为了获得良好的绝缘性能和优异的传感器灵敏度，应分别选择钝化层的厚度和聚合物绝缘层的厚度和二者的总厚度，在保证器件绝缘性能的情况下，使厚度尽可能的小以获得良好的灵敏度。例如钝化层和聚合物绝缘层的总厚度可为2纳米到100微米，优选50到500纳米。
[0007]所述的CMOS三极管包括源极，栅极和漏极。
[0008]所述的智能装置包括保护板，芯片，存储器，转换器和指示灯，所述的保护板设置在智能装置的前部；所述的芯片设置在智能装置的左侧；所述的存储器设置在芯片的右侧；所述的转换器设置在存储器的右侧；所述的指示灯设置在转换器的右侧。
[0009]所说的保护板具体采用厚度为2mm的PE塑料板，有利于更好的防止智能装置免受外部物体损坏，以及减少制作成本。
[0010]所述的存储器更好的减少装置的体积，便于控制系统的安装。
[0011]所述的指示灯具体采用LED彩色照明装置，有利于更好的显示传感器控制效果，便于使用者的观察。
[0012]存储器，包括多个存储阵列，各存储阵列之间均设置有灵敏放大器阵列；两端部存储阵列的外侧设置有基准电位提供模块，基准电位提供模块与端部存储阵列之间设置有灵敏放大器阵列；基准电位提供模块是电容，电容的一个极板与位线材质相同且面积与存储单元的位线面积相同，另一个极板为衬底。
[0013]5、如权利要求3所述的新型的生物传感器控制系统，其特征在于，LED彩色照明装置，包括依次装配的灯头、散热模组、光源模组、透镜以及灯罩，光源模组包括基板和光扩散板，基板上设有多个发光件，多个发光件分成多个组，光扩散板固定于基板上设有发光件一侧，光源模组还包括光通道分隔模组，光通道分隔模组固定于发光件和光扩散板之间，并将发光件和光扩散板之间的空间分隔成多个光通道，每个光通道允许一组发光件发射的光穿过并投射到光扩散板上，光线穿过光扩散板投射至透镜上，透镜调整光线的出光角度，使不同组发光件发出的光线部分混光地或者彼此独立地投射到LED彩色照明装置外，光通道分隔模组为中空的柱体，内部设置有隔板，隔板将光通道分隔模组的内空间沿柱体轴向分隔成至少两个光通道；
[0014]光通道分隔模组由反射率不小于0.7的材料制成；
[0015]隔板为多个，且均为同心设置的中空柱体；
[0016]散热模组包括散热体和导热胶层，散热体面向基板的端面设有封堵板，导热胶层贴合在封堵板和基板之间；
[0017]LED彩色照明装置还包括定位环，光通道分隔模组面向光扩散板一端的周向外表面设有多个个凸柱，定位环开设有通孔，凸柱穿过通孔将光扩散板固定在光通道分隔模组上;
[0018]LED彩色照明装置还包括空心柱状的固定罩，固定罩的内表面设有凸起，凸起抵接定位环的周缘；
[0019]LED彩色照明装置还包括安装套，安装套设置于透镜和固定罩之间。
[0020]进一步，导热胶按照质量百分比为:导热粉体35%?55%、改性剂1.0%?4.5%，其余为粘胶剂，导热粉体为粒径小于等于50nm的纳米级导热粉体，粘胶剂为有机硅胶类，改性剂为硅烷偶联剂；导热粉体为MgO、Ag、S12中的一种或多种的混合。
[0021]进一步，导热胶的制备方法具体步骤包括:
[0022]步骤一，纳米导热粉体的表面改性:按比例称取纳米导热粉体和改性剂，将纳米导热粉体和改性剂加入第一溶剂中混合，所得的悬浮液用超声波分散50min后，进行加热、搅拌，于75°C回流1.5h直至粉体全部悬浮，然后将粉体用去离子水洗涤、抽滤，最后将改性粉体放入干燥箱中烘干，得到改性后的纳米导热粉体备用；第一溶剂为甲苯和去离子水按照体积比1:1.5混合的溶剂；所得到改性后的纳米导热粉体还需采用丙酮加热回流进行索式提取除去表面物理包覆的改性剂；
[0023]步骤二，纳米导热粉体填入粘胶剂:将上述步骤中得到的纳米导热粉体和粘胶剂按照比例称取，将纳米导热粉体和粘胶剂加入第二溶液中混合，于室温下强力搅拌Ih后超声波分散0.5h，充分混合完毕，真空脱出溶剂和气泡，最后固化形成导热胶成品；导热胶的固化采用分段固化的方式:130°C lh+160°C 4h+200°C 1.5h。
[0024]进一步，晶体管为PNP晶体管，衬底为单晶衬底；衬底为单晶硅衬底；PNP晶体管还包括形成在基极区域上的绝缘层；绝缘层为PGS膜；PNP晶体管还包括集电极、发射极和基极；集电极为IGBT的集电极。
[0025]进一步，集电极的制备方法包括以下步骤，
[0026]步骤一，首先根据设计目标选取合适的衬底材料，作为N-型基区的材料；将未减薄的N-型硅圆片作为衬底材料；
[0027]步骤二，将衬底材料减薄至需要的厚度，得到N-型基区；随后使用双扩散工艺，在N-型基区的两面各生长一层N+型层，得到正面N+型层和背面的N+型层；
[0028]步骤三，接着对正面N+型层进行保护，对背面的N+型层进行刻蚀，使得背面的N+型层呈现阵列式的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部，成为N+型缓冲层；
[0029]步骤四，然后，对