从检查用的高度位置Hs上升的方向变化，过驱量在从设定量增大的方向变化。结果，不仅不能够以预先设定的过驱量进行晶片检查，还会导致晶片W的电极垫、接触探针37由于过大的接触加压力而受到损伤。
[0135]关于该点，在本实施方式中，如上所述通过检查用压力设定值实测处理，通过实测决定为了将浮起状态的卡盘头40保持在目标高度位置即检查用的高度位置Hs所必需的围绕空间82的压力的值(即检查用压力设定值)Ps。由此，即使将过驱量(OD)的设定值选择为任意的值(特别是比较大的值)，或者在探针卡36中存在设计上或制作上的误差或个体差(偏差)，在晶片检查时也能够在使卡盘头40为浮起状态时在探针卡36与晶片W之间稳定可靠地以设定的过驱量得到一定的加压接触状态。
[0136]如上所述，在本实施方式中，晶片检查用的压力设定值、即用于在探测器20的围绕空间82内在探针卡36与晶片W之间以预先设定的过驱量得到加压接触状态的真空压力的设定值(检查用压力设定值)Ps，通过组合基准压力实测处理(图7)、基准高度位置计算处理(图10或图13)和检查用压力设定值实测处理(图15)来决定。
[0137]而且，在实际的晶片检查中，移动工作台22上推卡盘头40，直至在探针卡36与晶片W实际上以零的过驱量接触时的基准高度位置Ha上加以设定过驱量OD而得的目标高度位置Hs(Hs = Ha+OD)，在探针卡36与晶片W之间确定以预先设定的过驱量OD接触的加压接触状态之后，用于保持过驱的第三真空机构92将围绕空间82内的压力减压至检查用压力设定值Ps。由此，S卩使用于在探针卡36与晶片W之间形成或保持一定的加压接触状态的加压机构从移动工作台22的卡盘头上推转换为真空吸引力，过驱量也能够不改变而保持为设定值0D，因此能够正常进行对该晶片W的晶片检查。此外，探针卡36的接触探针37或晶片W表面的电极垫不会受到超过所需的过驱量OD的过大的加压力而受到损伤。
[0138]根据该实施方式的检查用压力设定值决定处理，即使在探针卡36存在设计上或制作上的误差或个体差别(偏差)，也不会对晶片检查的可靠性、器具和工件的安全性造成妨碍。
[0139](其它实施方式或变形例)
[0140]在上述实施方式中，总是通过实测求取检查用压力设定值Ps。但是，在明确得知基准高度位置计算处理中得到的线性近似曲线F所符合的线性区域内存在目标高度位置Hs的情况下，能够通过运算或推定求取在线性近似曲线F上与目标高度位置Hs对应的检查用设定值Ps。
[0141]在上述实施方式中，将用于测定卡盘头40的高度位置H的高度传感器25安装在能够接近卡盘头40的底面的移动工作台22的Z轴移动部22b的上部。但是，高度传感器25的结构和配置位置并不受限定，能够有各种变形。
[0142]例如，如图17A所示，能够将高度传感器25安装于卡盘头40，利用高度传感器25测定卡盘头40与弹力架34的距离间隔，根据该距离测定值测定卡盘头40的高度位置。虽然图示省略了，但也能够将高度传感器25安装于弹力架34侧。此外，在高度传感器25的光学测距范围非常大的情况下，如图17B所示，也能够在移动工作台22的水平移动部22a的上表面配置高度传感器25。或者，也可以将具有测距功能的定位用的摄像机代用为高度传感器25。此夕卜，如图17C所示，也能够将高度传感器25由接触式的距离传感器构成。在图示的例子中，例如利用度盘式指示器，安装于卡盘头40的上表面的周缘部的按压部110从下方与接触式高度传感器25的可动部112接触，由此测定卡盘头40的高度位置。
【主权项】
1.一种用于晶片检查装置的检查用压力设定值决定方法，该晶片检查装置包括:具有用于与形成于作为检查对象的晶片的表面的多个电极分别接触的多个接触端子的固定的探针卡;配置在所述探针卡的周围，使所述晶片与所述探针卡相对地载置所述晶片的可升降移动的卡盘头;和为了在所述探针卡与所述晶片之间形成或维持规定加压力的加压接触状态，将由所述卡盘头和所述探针卡包围的能够密闭的围绕空间的压力控制为规定的负的检查用压力设定值的真空机构，所述检查用压力设定值决定方法用于在该晶片检查装置中决定所述检查用压力设定值，其特征在于，包括: 第一步骤，利用所述真空机构对所述围绕空间抽真空，测定使所述卡盘头成为浮起状态的所述围绕空间的最高的负压的值作为基准压力值； 第二步骤，求取与所述基准压力值对应的所述卡盘头的高度位置作为基准高度位置；和 第三步骤，对于所述探针卡与所述晶片之间的加压接触状态下的给定的过驱量，使所述围绕空间内的压力从所述基准压力值逐渐下降，测定在所述卡盘头到达在所述基准高度位置加上所述过驱量的目标高度位置时的所述围绕空间内的压力的值，将该压力测定值作为所述检查用压力设定值。2.如权利要求1所述的检查用压力设定值决定方法，其特征在于: 所述第一步骤包括: 第四步骤，将所述卡盘头配置在与所述探针卡隔开间隔的正下方的第一高度位置;和 第五步骤，利用所述真空机构对所述围绕空间抽真空，使所述围绕空间的压力逐渐下降，测定所述卡盘头从所述第一高度位置浮起时的所述围绕空间的压力的值，将该压力测定值作为所述基准压力值。3.如权利要求2所述的检查用压力设定值决定方法，其特征在于: 所述第五步骤中，使所述围绕空间的压力以一定的变化幅度阶段性地下降，在每次下降时测定所述围绕空间的压力，并且检查所述卡盘头是否从所述第一高度位置浮起，将首次确认了所述卡盘头浮起时的压力测定值作为所述基准压力值。4.如权利要求3所述的检查用压力设定值决定方法，其特征在于: 所述第五步骤中，所述卡盘头是否从所述第一高度位置浮起的检查是基于与所述卡盘头隔开间隔地配置在该卡盘头的正下方的非接触式或接触式的第一传感器的输出信号决定的。5.如权利要求4所述的检查用压力设定值决定方法，其特征在于: 所述第一传感器搭载于从下方支承所述卡盘头并使该卡盘头上升下降的升降机构。6.如权利要求3所述的检查用压力设定值决定方法，其特征在于: 所述第五步骤中，所述卡盘头是否从所述第一高度位置浮起的检查是基于安装在支承所述探针卡的支承部件的非接触式或接触式的第一传感器的输出信号决定的。7.如权利要求1?6中任一项所述的检查用压力设定值决定方法，其特征在于: 所述第一步骤在没有将晶片载置在所述卡盘头上的状态下进行。8.如权利要求1?7中任一项所述的检查用压力设定值决定方法，其特征在于: 所述第二步骤包括: 第六步骤，在比所述基准压力值低的负压的区域中取得多组所述围绕空间的压力的测定值和与其对应的所述卡盘头的高度位置的测定值;和 第七步骤，基于所述多组的压力测定值和高度位置测定值，通过运算求取与所述基准压力值对应的所述卡盘头的高度位置，将所求得的高度位置作为所述基准高度位置。9.如权利要求8所述的检查用压力设定值决定方法，其特征在于: 所述第六步骤包括: 第八步骤，在使所述围绕空间对大气开放的状态下，将所述卡盘头从与所述卡盘头隔开间隔的第二高度位置从下方上推至在所述探针卡与所述晶片之间得到适当的加压接触状态的第三高度位置； 第九步骤，开始由所述真空机构对所述围绕空间抽真空； 第十步骤，在所述围绕空间内的压力变得比所述基准压力值低后，解除对所述卡盘头的推压力;和 第十一步骤，在比所述基准压力值低的负压的区域中使所述围绕空间的压力任意变化，在多个测定点测定所述卡盘头的高度位置和所述围绕空间的压力。10.如权利要求11所述的检查用压力设定值决定方法，其特征在于: 在所述第八步骤中，所述第三高度位置比所述基准高度位置高。11.如权利要求9或10所述的检查用压力设定值决定方法，其特征在于: 在每次通过所述第七步骤新取得所述围绕空间的压力的测定值和所述卡盘头的高度位置的测定值时，通过所述第七步骤更新所述基准高度位置的运算值。12.如权利要求8所述的检查用压力设定值决定方法，其特征在于: 在所述第六步骤中，所述卡盘头的高度位置的测定是使用与所述卡盘头隔开间隔地配置在该卡盘头的正下方的非接触式或接触式的第二传感器进行的。13.如权利要求9所述的检查用压力设定值决定方法，其特征在于: 所述第二传感器搭载于从下方支承所述卡盘头并使该卡盘头上升下降的升降机构。14.如权利要求8所述的检查用压力设定值决定方法，其特征在于: 在所述第六步骤中，所述卡盘头的高度位置的测定是使用安装在支承所述探针卡的支承部件的非接触式或接触式的第二传感器进行的。
【专利摘要】本发明提供检查用压力设定值决定方法，在使探针卡与晶片加压接触而进行的晶片检查中决定利用真空吸引力保持所需的过驱量的最佳的负压的压力设定值。在该实施方式的探测器中，通过第三真空机构(92)的抽真空在围绕空间(82)内对探针卡(36)与晶片(W)之间施加的真空吸引力的压力，与之前通过移动工作台(22)的卡盘头上推在探针卡(36)与晶片(W)之间施加的推压力的压力大致精确地一致。这是因为，对于在探测器中使用的各个探针卡(36)，用于保持过驱的第三真空机构(92)在控制器的控制下使围绕空间(82)内的压力减压至由后述的检查用压力设定值决定处理(方法)决定的压力设定值(PS)。
【IPC分类】G01R31/28
【公开号】CN105606987
【申请号】CN201510569698
【发明人】山田浩史
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年9月9日
【公告号】US20160069951