具有底端连接的感测引脚的互连类似物的电迁移测试的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种具有底端连接的感测引脚的互连类似物的电迁移测试，其揭示一种用于电迁移测试的系统。该系统包括传导构件、位在该传导构件的顶端表面的一部分上方的由绝缘材料构成的覆盖层、传导性连接至该传导构件的第一端的阴极；传导性连接至该传导构件的第二端的阳极、以及传导性连接至该阴极与该阳极的电流源。多个感测引脚沿着介于该传导构件的第一端与第二端之间的传导构件的长度布置。所述感测引脚传导性连接至该传导构件的底端表面。至少一个测量装置传导性连接至该多个感测引脚的至少一个感测引脚。该至少一个测量装置测定该传导构件的至少一个部分的电阻。
【专利说明】
具有底端连接的感测引脚的互连类似物的电迁移测试
技术领域
[0001]本发明基本上关于集成电路测试系统的领域，并且更具体地说，关于电迀移测试系统及使用电迀移测试系统的方法。
【背景技术】
[0002]电迀移(EM)是导体中金属原子因传导电子与金属原子之间动量转移而渐近移动所造成的材料输送。电迀移诱发的空洞在金属离子自导体的晶格去除时集结。空洞会生长、迀移、并且凝聚。电迀移也会在金属原子凝聚的区域中诱发挤压。空洞凝聚及挤压基本上出现在传导构件的对立端。空洞基本上在电子源附近凝聚，而挤压基本上在电子排曳处附近出现。电迀移会有负作用，例如:集成电路可靠度降低。当空洞生长或凝聚且破坏互连件时、及/或当电迀移诱发的挤压造成短路时，集成电路会因电迀移而故障。
[0003]典型的电迀移测试系统使电流通过互连件，并且以时间为函数测量电阻，以便侦检电迀移。空洞基本上在互连件晶格中的缺陷部位集结。空洞生长及凝聚随着时间缩减互连件的局部截面积，因而增加互连件的电阻。
【发明内容】
[0004]根据本发明的一项具体实施例，提供一种用于电迀移测试的系统。该系统包括:传导构件;位在该传导构件的顶端表面的至少一部分上方的由绝缘材料构成的覆盖层;传导性连接至该传导构件的第一端的阴极;传导性连接至该传导构件的第二端的阳极，其中该传导构件传导性连接该阳极与该阴极;传导性连接至该阴极与阳极的电流源;其中该电流源提供流经该传导构件的电流;沿着介于该传导构件的该第一端与该第二端之间的该传导构件的长度布置的多个感测引脚，所述感测引脚传导性连接至该传导构件的底端表面；以及传导性连接至该多个感测引脚的至少一个感测引脚的至少一个测量装置，其中该至少一个测量装置测定该传导构件的至少一个部分的电阻。
[0005]根据本发明的另一具体实施例，提供一种用于电迀移测试的方法。该方法包括:令电流流经传导构件；以及使用至少一个测量装置测定该传导构件的至少一个部分的电阻，并且其中:由绝缘材料构成的覆盖层布置在该传导构件的顶端表面的至少一部分上方，多个感测引脚沿着介于该传导构件的第一端与该传导构件的第二端之间的该传导构件的长度布置，该多个感测引脚的各感测引脚传导性连接至该传导构件的底端表面，该传导构件的各至少一个部分包括该多个感测引脚的至少一个感测引脚，以及该至少一个测量装置传导性连接至该多个感测引脚的至少一个感测引脚。
[0006]根据本发明的另一具体实施例，提供一种用于电迀移测试的设备。该设备包括多个嵌埋于基材中的传导构件，其中该多个传导构件的各传导构件包含:传导性连接至第一主动贯孔的第一端;传导性连接至第二主动贯孔的第二端；以及多个沿着介于该传导构件的该第一端与该第二端之间的该传导构件的长度布置的感测引脚，其中各感测引脚具有传导性连接至该传导构件的底端表面的第一端，并且其中各感测引脚具有至少部分曝露的第 _-上山
【附图说明】
[0007]图1A根据本发明的一具体实施例，电迀移测试系统的功能方块图；
[0008]图1B绘示晶圆的边缘图的功能方块图，该晶圆包括基材、及图1A所示电迀移测试系统的嵌埋元件；
[0009]图2根据本发明的一具体实施例，图1A所示电迀移测试系统的例示性电阻谱；
[0010]图3根据本发明的一具体实施例，图1A所示电迀移测试系统的例示性电阻谱；
[0011 ]图4根据本发明的一具体实施例，图1A所示电迀移测试系统的例示性电阻谱；
[0012]图5根据本发明的一具体实施例，图1A所示电迀移测试系统的例示性电阻谱；
[0013]图6根据本发明的一具体实施例，图1A所示电迀移测试系统的例示性电阻谱；
[0014]图7根据本发明的一具体实施例，图1A所示电迀移测试系统的例示性电阻谱；
[0015]图8A至8D根据本发明的一具体实施例，绘示以时间为函数，电迀移测试系统的选定测试段的电阻；
[0016]图9A根据本发明的一具体实施例，绘示电迀移测试系统中多个漏电监测器及一安培计的电连接的功能方块图；
[0017]图9B绘示晶圆截面俯视图的功能方块图，该晶圆包括基材及多个漏电监测器；以及
[0018]图9C绘示晶圆截面边缘图的功能方块图，该晶圆包括基材及多个漏电监测器；以及
【具体实施方式】
[0019]本发明的具体实施例认知有必要研究空洞在集结及生长阶段的演化。随着集成电路技术朝向愈来愈小的节点进步，对于电迀移的考量因素日益增加。更小的节点导致从铝互连件转变为铜互连件成为必要。虽然铜比铝具有更小的体电阻及更高的EM电阻，但铜互连件需要衬垫材料才能防止铜扩散到周围材料。然而，衬垫厚度及电路电压在比例缩放率方面，基本上与各节点互连件的横向截面积不相同。所以，电流密度及电迀移考量因素基本上随着节点尺寸变大而跟着增加。此外，铜互连件基本上需要后沉积处理，这会在铜互连件晶格中诱发缺陷。举例而言，后段制造方法(BEOL)处理可包括沉积及化学机械平坦化步骤，其中铜是在过量填充互连沟槽的厚层中的绝缘体上沉积，而研磨垫在绝缘体的覆盖层涂敷前先移除铜盖层。然而，研磨步骤会在铜互连件晶格中诱发缺陷。愈来愈有需要更加了解空洞集结的时间及部位，以便改进BEOL程序及EM可靠度动力模型化(例如:模型化电迀移及挤压)。
[0020]传统的EM测试系统对于改进BEOL程序及EM可靠度动力模型化功效有限。传统的EM测试系统随着时间测量互连件整体的平均相对电阻变化，但相比于互连件整体的基础、零时(T(O))电阻，空洞集结及早期阶段空洞生长所诱发的绝对电阻增加状况基本上较小。此夕卜，目前的节点尺寸(例如:22nm及14nm节点)比旧有节点尺寸具有显著更高的T(O)电阻。一般来说，传统的EM测试系统对于目前的节点尺寸缺乏足以可靠侦检空洞集结及空洞生成的灵敏度。此外，传统的EM测试系统无法测定空洞集结部位及生长空洞的位置。尽管空洞集结及生长可在原位电迀移测试期间经由扫描电子显微术(SEM)或穿透电子显微术(TEM)来观测，SEM及TEM样本制备仍然耗时，使得大型样本尺寸不切实际。
[0021]本发明的具体实施例提供空洞侦检灵敏度已改善的EM测试系统。EM测试系统的具体实施例对现成的空洞及空洞演化进行电气侦检及特性分析。空洞演化包括空洞集结、空洞生长、空洞迀移、及空洞凝聚。EM测试系统的具体实施例亦测定空洞的大约位置。EM测试系统的具体实施例可例如通过识别缺陷诱发程序来帮助改进BEOL程序。EM测试系统的具体实施例亦可例如通过识别相似的空洞集结部位来帮助改进EM可靠度动力模型。
[0022]本发明现将参照图示详述。图1A根据本发明的一具体实施例，绘示EM测试系统100的功能方块图。EM测试系统100包括传导构件102。传导构件102是互连件的类似物。EM测试系统100测定传导构件102的EM特性，以便至少部分产生在互连件中模型化电迀移时使用的数据。传导构件102可由适用于当作互连件的任何传导材料制成。传导构件102亦经塑形并调整尺寸以近似互连件。
[0023]图1B是从由传导构件102的一端绘示的晶圆截面的功能方块图，该晶圆包括基材103、及EM测试系统100的元件。在一些具体实施例中，基材103是一或多层形成晶圆的绝缘或介电材料(例如:单晶硅)，该晶圆包括一或多个传导构件。在一些具体实施例中，衬垫材料(为了澄清未展示;例如:有别于基材103的材料)插置于传导构件102及基材103的一或多个表面之间。基材103的一部分(或在一些具体实施例中，衬垫的一部分)形成覆盖层104。覆盖层104与传导构件102的顶端表面的至少一部分实体接触。传导构件102的顶端表面连接至覆盖层104的部分产生顶端表面/覆盖层介面。图1B亦绘示嵌埋于基材103中的主动贯孔112及感测引脚114中的一个感测引脚。主动贯孔110、主动贯孔112、及感测引脚114至少部分曝露至基材103的各别表面，并且可传导性连接至外部装置，如下文引用图1A所述。
[0024]在图1A所示的具体实施例中，EM测试系统100包括阴极106及阳极108。阴极106通过主动贯孔110(即“贯孔VI”)电连接至传导构件102的第一端，称为“VI”端。阳极108通过主动贯孔112(即“贯孔V2”)电连接至传导构件102的第二端，称为“V2”。阴极106及阳极108亦电连接至电流源124。电流源124提供流经传导构件102的电流。阴极106及阳极108可由铝、铜、钨、或任何其它合适的材料制成。
[0025]EM测试系统100包括感测引脚114。感测引脚114纵向分布成一列，该列介于传导构件102的Vl与传导构件102的V2之间(例如:介于阴极106与阳极108之间)。感测引脚114连接至传导构件102的底端表面。传导构件102的底端表面是对立于传导构件102的顶端表面。在一些具体实施例中，感测引脚114实际上是与传导构件102的底端表面整合、并且延展自该底端表面的贯孔。举例而言，在硅晶圆中形成沟槽及适当数量的贯孔、并且以铜填充该沟槽及贯孔可产生传导构件102及感测引脚114，作为双镶嵌((1皿1-0&111&806116)程序的部分。在其它具体实施例中，传导构件102及感测引脚114是实体接触中的独立特征。举例而言，沟槽及贯孔可在不同镶嵌程序中进行填充，其中该贯孔先填充，之后是填充沟槽。不同镶嵌程序可让传导构件102及感测引脚114由不同材料制成、或容许在传导构件102与感测引脚114之间包括材料。
[0026]感测引脚114操作地连接至传导构件102的底端表面，以至少部分提供近似典型互连件电迀移特性的测试系统。BEOL程序如本文所述，会在互连件的晶格中产生缺陷。化学机械平坦化程序尤其有可能用以在互连件的顶端表面上产生缺陷。实验结果指出，位于顶端表面/覆盖层介面的空洞演化基本上决定典型铜互连件的EM衰减特性。然而，感测引脚可改变空洞演化特性。举例而言，感测引脚提供可增加EM无故障工作时间(time-to-fai Iure)的附加铜原子源。另外，感测引脚会将大型阻隔颗粒引入其它的多晶系统，所述阻隔颗粒放慢铜原子扩散速度并且增加EM无故障工作时间。感测引脚114操作地连接至传导构件102的底端表面，用以至少部分将这些机制对顶端表面/覆盖层介面空洞演化特性造成的效应降到最小。然而，其它组态会显著改变EM衰减特性。举例而言，自晶圆平面中测试互连件侧边伸出的纵向分布感测引脚(即“面内(in-plane)”感测引脚)会如本文中所述改变空洞演化特性。由实验得知，包括面内感测引脚的组态的EM无故障工作时间约略是未连接至感测引脚的互连件的EM无故障工作时间的两倍长。相比之下，使用EM测试系统100测试的互连件与未连接至感测引脚的互连件有类似的EM无故障工作时间值。
[0027]在各项具体实施例中，感测引脚114包括任意数量的个别感测引脚。然而，实际上，约略20至45个感测引脚提供可接受空洞侦检灵敏度及空洞位置寻找解析度。介于感测引脚114之间的间距约略比传导构件102的总长度小20至45倍。介于感测引脚114之间的间距取决使用的感测引脚数量、及传导构件102的长度。感测引脚114、阴极106、及阳极108将传导构件102区分成多个测试段。测试段是通过相邻感测器引脚之间的空间、或介于连接至阴极106或阳极108的感测引线(例如:贯孔110、贯孔112)与各另U、相邻感测引脚之间的空间来界定。在一些具体实施例中，介于感测引脚114、阴极106、及阳极108之间的间距有变化。在其它具体实施例中，间距均匀。
[0028]感测分接头116将感测引脚114操作地连接至开关118。感测分接头116的数量等于或大于感测引脚的数量(感测分接头116亦可将开关118连接至引线，所述引线连接至阴极106或阳极108)。在一些具体实施例中，EM测试系统100包括多个传导构件，所述传导构件嵌埋于用以至少部分形成晶圆的基材103(其传导构件102是一实施例)中，其中各传导构件连接至若干感测引脚。在此类具体实施例中，感测分接头116是以可卸除方式连接至感测引脚114，并且可用可卸除方式连接至不同组的感测引脚。在传导构件102受应力而失效之后，举例而言，阴极106、阳极108、及感测分接头116可经由不同组的感测引脚及主动贯孔移动并连接至另一传导构件。
[0029]在图1A所示的具体实施例中，开关118操作地连接至伏特计120。开关118包括多个继电器，并且经组态以容许伏特计120测量介于感测引脚114中的两个感测引脚之间、阴极106与一感测引脚之间、及阳极108与一感测引脚之间的电压。在一些具体实施例中，开关118经组态以容许伏特计120测量介于任两个感测引脚之间的电压。在其它具体实施例中，开关118经组态以容许伏特计120测量介于任两个相邻感测引脚之间(及介于阴极106或阳极108与其各别、相邻感测引脚之间)的电压。换句话说，开关118经组态以容许伏特计120测量若干连续测试段的电压。在一些具体实施例中，伏特计120可测量包括多个测试段的传导构件102的一段的电压。又其它具体实施例省略开关118，为各测试段提供不同伏特计。所属技术领域中的技术人员将会了解的是，各测试段的电阻可经由测量跨布各别测试段的电压来测定。EM测试系统100可经组态以测量任意计量，该任意计量容许测定各测试段的电阻或阻抗。一般来说，EM测试系统100经组态以使用四端感测技术测定多个测试段各者的电阻或阻抗。
[0030]在图1A所示的具体实施例中，电脑122操作地连接至开关118、伏特计120、及电流源124。电脑122可用于控制电流源124对传导构件102施加的电流量。电脑122亦可记录、分析、并显示取自伏特计120的数据。电脑122亦提供使用者介面，此外，容许使用者选择取样间隔及/或电流源124提供至传导构件102的电流量。根据该取样间隔，电脑122可引导开关118将伏特计120连接至连续测试段(例如:成对的感测引脚或阴极106或阳极108及其各别、相邻的感测引脚)。电脑122可分析各测试段的测量结果并显示电阻谱，该电阻谱展示各测试段于一时间点的电阻。举例而言，图2至7绘示电阻谱在“Τ(0Γ及“Τ(η+χΓ时的实施例。
[0031]图2绘示T(O)电阻谱的实施例。T(O)电阻谱通过施加初始低电流至传导构件102并测定各测试段的电阻所获得。T(O)电阻谱未展示预存(pre-existing)空洞的明显号讯(例如:比其它测试段显著更高的电阻)，但测试段14具有恰好高过I欧姆的最大电阻。
[0032]图3绘示电阻谱在T(η)时的实施例。于T(η)，伏特计120已对传导构件102提供η个时间单位(例如:分、时、或日的计数)的应力电流。一般来说，经过传导构件102的应力电流在正常操作条件下，高于经过实质类似互连件的电流，以便加速电迀移。在图3中，测试段14的电阻相比于区段14在T(O)时的电阻已显著增大。在这项实施例中，测试段14在T(O)与T(η)之间电阻增大表示空洞正在测试段14内生长。随着空洞生长，测试段14的局部截面积缩减且电流密度增大。所以，测试段的电阻增大。
[0033]图4绘示电阻谱在Τ(η+1)时的实施例。在图4中，测试段14的电阻已下降，但测试段15的电阻已显著升高。测试段15在Τ(η+1)时的电阻与测试段14在T(W)时的电阻相当。图4指示该空洞在测试段14于T(O)至Τ(η)之间集结并生长以及于Τ(η)至Τ(η+1)之间迀移至测试段15。
[0034]图5绘示电阻谱在Τ(η+2)时的实施例。在图5中，测试段15的电阻已下降，但测试段17的电阻已显著升高。图5指示该空洞于Τ(η+1)至Τ(η+2)之间自测试段15迀移至测试段17。
[0035]图6绘示电阻谱在Τ(η+3)时的实施例。在图5中，测试段17的电阻已下降，但测试段19的电阻已显著升高。图6指示该空洞于Τ(η+2)至Τ(η+3)之间自测试段17至迀移测试段19。
[0036]图7绘示电阻谱在Τ(η+4)时的实施例。在图7中，测试段19的电阻已下降，但测试段21的电阻已升高到超过先前测定电阻的任一者。图7指示该空洞于Τ(η+3)至Τ(η+4)之间自测试段19迀移至测试段21。另外，图7指示空洞已在测试段21中持续生长及/或空洞已在测试段21中凝聚。测试段21绘示空洞生长及/或凝聚横断传导构件102之前的传导构件102，从而破坏传导构件102并且使传导构件102中的电迀移失效。
[0037]电阻谱在图2至7虽然为简单起见而省略，但仍可指示挤压的区域。空洞演化缩减传导构件102的区域的局部截面积，而EM诱发的挤压则增大传导构件102的区域的截面积。局部截面积增大会降低局部电流密度，因而降低局部电阻。实际上，电阻谱亦可展示与图2至7所示相反的趋势。举例而言，亦可侦检并绘示自约略测试段13至测试段I的低电阻区域的传播及电阻降低的区域。
[0038]图8Α至8D绘示EM测试系统的选定测试段以时间为函数的电阻的例示图，该EM测试系统具有20个测试段并且类似于EM测试系统100。举例而言，测试段I自阴极延展至感测引脚;测试段20自阳极延展至感测引脚；以及测试段2至19依序均匀分布于测试段I的感测引脚与测试段20的感测引脚之间。图8Α绘示测试段I在测试周期内以时间为函数的电阻。测试段I展示电阻随着时间稍微但连续降低。电阻降低表明出现杂质自铜分凝(segregat1n)、或测试段I出现电迀移诱发的挤压。图SB绘示测试段10在测试周期内以时间为函数的电阻。测试段10位在传导构件的中间部分，并且展示出在测试周期内不会实质增大或实质降低电阻。此结果结合，由测试段I得到的结果，表明测试周期内在测试段10中集结的任何空洞都是通过使金属离子迀移来填充。图SC绘示测试段19在测试周期内以时间为函数的电阻。测试段19的电阻在测试周期内稍微增大。图8D绘示测试段20在测试周期内以时间为函数的电阻。测试段20的电阻在测试周期内实质增大。图SC及8D展示空洞在传导构件的V2末端部分演化，但空洞演化的机制(例如:空洞生长及/或空洞凝聚)单独从这些观测来看并不清楚。
[0039]图9A、9B及9C绘示一或多个用以对EM诱发的挤压进行侦检及特性分析的装置的具体实施例。在本具体实施例中，EM诱发的挤压是通过测量漏电流来侦检并监测。量子穿隧使电荷载子能够穿隧通过绝缘区域。电荷载子穿隧会产生与绝缘区域厚度成反比的漏电流。EM诱发的挤压缩减测试互连件与漏电监测器之间的绝缘区域厚度。所以，漏电流增加表示出现EM诱发的挤压。
[0040]图9A根据本发明的一具体实施例，绘示EM测试系统900中的电连接。EM测试系统900包括电连接至安培计910的漏电监测器902、904、906及908，如图9A所示。在一些具体实施例中，诸如贯孔的附加结构有助于漏电监测器与安培计910之间的连接。安培计910可以是可侦检漏电监测器中一(多)个EM诱发的漏电流的任何装置或装置组合。一般而言，漏电监测器902、904、906及908各是一或多个传导构件。在图9A、9B及9C中所示的具体实施例中，漏电监测器902、904、906及908各是单一传导构件。在其它具体实施例中，漏电监测器902、904、906及908各可以是单一传导构件，或包括一或多个子元件，其中各子元件电连接至安培计910的传导构件。举例而言，漏电监测器902、904及908各可具有若干在阴极与阳极之间纵向分布成一列的子元件。EM测试系统900的漏电监测器可有效连接至安培计910，以容许安培计910在时间周期内获得各传导构件的漏电流数据。因此，EM测试系统900可使用与如参阅EM测试系统100所述空洞演化侦检及特性分析类似的方法，容许测定受挤压材料的近似位置。
[0041]在一些具体实施例中，EM测试系统900用于测试互连件类似物中EM诱发的挤压的单机型测试系统。在其它具体实施例中，EM测试系统900结合EM测试系统100用于对传导构件102中的空洞演化及EM诱发的挤压进行特性分析。EM测试系统900的元件从而可与EM测试系统100的元件有效整合。图9A、9B及9C中所示的具体实施例举例而言，包括EM测试系统100的元件。
[0042]图9B是晶圆的截面的俯视图，该晶圆包括基材103及EM测试系统100与900的元件。图9B绘示基材103中嵌埋的漏电监测器902、904及906。所属技术领域中具有通常知识者将了解的是，图9A、9B及9C中元件的相对尺寸及间距只是为了用于说明。漏电监测器902及漏电监测器904各是实质平行于传导构件102的传导构件。传导构件102、漏电监测器902、及漏电监测器904在水平平面中实质共面。漏电监测器902及漏电监测器904各操作地水平偏离传导构件102。图9B中所示的具体实施例亦包括漏电监测器906。漏电监测器906与传导构件102、漏电监测器902及漏电监测器904实质共面。漏电监测器906亦与传导构件102实质共线，但操作地偏离传导构件102的V2端。
[0043 ]图9C绘示晶圆截面边缘图旳功能方块图，该晶圆包括基材1 3及EM测试系统100与900的元件。图9C(还有图9A及9B)中所示的具体实施例包括例如图1A及IB所示的感测引脚114。为简单起见，感测引脚114未在图9C中展示。类似的是，EM测试系统900的具体实施例包括阴极106、阳极108、感测分接头116、开关118、伏特计120、及电脑122，举例如图1A及IB中所示。如图9C所示，漏电监测器908实质平行于传导构件102，并且与传导构件102及漏电监测器906在垂直平面中共面。漏电监测器908操作地偏离垂直平面中的传导构件102，用以侦检漏电流。漏电监测器908亦经调整尺寸及/或定位而容许主动贯孔112及阳极108操作地连接至传导构件102。图9C亦绘示与如本文中在图9B中所述传导构件102有关的漏电元件906。
[0044]除了用以侦检漏电流的硬件外，EM测试系统900还可包括能够使漏电监测器902、904、906及908的任一者或组合如电阻性加热器或温度计般作用的硬件及/或软件。漏电监测器902、904、906及908从而可修改成用以进行这些功能。举例而言，一或多个漏电监测器可连接至温度计并且经修改而作用为热电偶。一或多个热电偶可用于在EM应力期间，沿着传导构件102研究热分布。在另一实施例中，直接测量一或多个漏电监测器的温度，以便估测传导构件102周围环境的温度。所属技术领域中具有通常知识者将了解的是，因空洞演化而增加电性电阻会导致对围绕互连件的环境的散热效果提升。所以，传导构件102周围环境的周围温度升高是空洞演化的另一指示。在其它具体实施例中，一或多个漏电监测器在施加电流时作用为电阻性加热器。一或多个电阻性加热器可用于模拟具有已知热设计功率的集成电路的互连件的操作环境。此类具体实施例使在操作条件研究空洞演化及EM诱发的挤压成为可能。
【主权项】
1.一种用于电迀移测试的系统，该系统包含: 传导构件； 位在该传导构件的顶端表面的至少一部分上方的由绝缘材料构成的覆盖层； 传导性连接至该传导构件的第一端的阴极； 传导性连接至该传导构件的第二端的阳极，其中，该传导构件传导性连接该阳极与该阴极； 传导性连接至该阴极与阳极的电流源;其中，该电流源提供流经该传导构件的电流； 沿着介于该传导构件的该第一端与该第二端之间的该传导构件的长度布置的多个感测引脚，所述感测引脚传导性连接至该传导构件的底端表面;以及 传导性连接至该多个感测引脚的至少一个感测引脚的至少一个测量装置，其中，该至少一个测量装置测定该传导构件的至少一个部分的电阻。2.根据权利要求1所述的系统，其更包含: 传导性连接至该至少一个测量装置、及该多个感测引脚的各感测引脚的开关，其中，该开关选择性地在该至少一个测量装置的一测量装置、第一结构、与第二结构之间容许电连接，其中，该测量装置测定该传导构件介于该第一结构与该第二结构之间的一部分的电阻。3.根据权利要求2所述的系统，其中，该第一结构是该多个感测引脚的第一感测引脚，并且其中，该第二结构是该多个感测引脚的第二感测引脚。4.根据权利要求2所述的系统，其中，该第一结构是该多个感测引脚的第一感测引脚，并且其中，该第二结构是该阴极。5.根据权利要求2所述的系统，其中，该第一结构是该多个感测引脚的第一感测引脚，并且其中，该第二结构是该阳极。6.根据权利要求2所述的系统，其中，该至少一个测量装置测量该第一结构与该第二结构之间的电压，并且其中，该至少一个测量装置至少部分基于该电压的量值测定该电阻。7.根据权利要求1所述的系统，其更包含: 至少一个漏电监测器，该至少一个漏电监测器各定位成用以侦检漏电流，其中，该漏电流是在该漏电监测器中由流经该传导构件的电流所诱发的电性电流。8.根据权利要求7所述的系统，其中，该至少一个漏电监测器包括一漏电监测器，电流选择性地施加至该漏电监测器以便加热该传导构件。9.根据权利要求7所述的系统，其更包含: 温度计，其中，该至少一个漏电监测器包括传导性连接至该温度计的漏电监测器，使得该温度计测定包括该传导构件的环境中的一或多个点的周围温度。10.根据权利要求7所述的系统，其中，该至少一个漏电监测器包括具有侧面的漏电监测器，该侧面相邻于、并实质平行于该传导构件的侧面的至少一部分。11.根据权利要求7所述的系统，其中，该至少一个漏电监测器包括依实质平行于该传导构件的方向取向、并置于该覆盖层上面的漏电监测器。12.根据权利要求7所述的系统，其中，该至少一个漏电监测器包括具有长度的漏电监测器，该长度与该传导构件的长度实质共线。13.一种用于电迀移测试的方法，该方法包含: 令电流流经传导构件；以及 使用至少一个测量装置测定该传导构件的至少一个部分的电阻，并且其中: 由绝缘材料构成的覆盖层布置在该传导构件的顶端表面的至少一部分上方， 多个感测引脚沿着介于该传导构件的第一端与该传导构件的第二端之间的该传导构件的长度布置， 该多个感测引脚的各感测引脚传导性连接至该传导构件的底端表面， 该传导构件的各至少一个部分包括该多个感测引脚的至少一个感测引脚，以及 该至少一个测量装置传导性连接至该多个感测引脚的至少一个感测引脚。14.根据权利要求13所述的方法，其中，开关传导性连接至该至少一个测量装置、及该多个感测引脚的各感测引脚，其中，该开关选择性地在该至少一个测量装置的一测量装置、第一结构、与第二结构之间容许电连接，其中，该测量装置测定该传导构件介于该第一结构与该第二结构之间的一部分的电阻。15.根据权利要求14所述的方法，其中，该第一结构是该多个感测引脚的第一感测引脚，并且其中，该第二结构是该多个感测引脚的第二感测引脚。16.根据权利要求14所述的方法，其更包含: 测量电压，其中，该电压是在该第一结构与该第二结构之间测得，并且其中，该至少一个测量装置至少部分基于该电压的量值测定该电阻。17.根据权利要求13所述的方法，其更包含: 测定漏电流的量值，其中，该漏电流是在至少一个漏电监测器中由流经该传导构件的该电流所诱发的电性电流。18.根据权利要求17所述的方法，其更包含: 测定包括该传导构件的环境中一或多个点的周围温度，其中，该至少一个漏电监测器包括传导性连接至温度计的漏电监测器，该温度计测定该周围温度。19.根据权利要求17所述的方法，其更包含: 加热该传导构件，其中，该至少一个漏电监测器包括当一电流施加时提供电阻性加热的漏电监测器。20.一种用于电迀移测试的设备，该设备包含: 多个嵌埋于基材中的传导构件，其中，该多个传导构件的各传导构件包含: 传导性连接至第一主动贯孔的第一端； 传导性连接至第二主动贯孔的第二端；以及 多个沿着介于该传导构件的该第一端与该第二端之间的该传导构件的长度布置的感测引脚，其中，各感测引脚具有传导性连接至该传导构件的底端表面的第一端，并且其中，各感测引脚具有至少部分曝露的第二端。
【文档编号】G01R31/28GK105938179SQ201610118349
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年3月2日
【发明人】F·陈, C·J·克里斯蒂安森, D·M·马西, P·佩里阿萨米, M·A·希诺斯基
【申请人】格罗方德半导体公司