本实用新型涉及一种CCD的电源供给电路，属于电源设计技术领域。
背景技术：
目前，CCD作为将微弱光信号转换成电信号的电子元器件被广泛运用于需要对光信号进行处理的设备机台中（如晶圆蚀刻设备中的全波长终点控制器等）。随着科技的发展，生产工艺对设备的要求也不断提高，对CCD的控制要求也逐渐提高。而CCD在实际应用中性能主要由CCD产品本身的制造工艺、信号驱动电路以及电源供给电路决定。因此在选定CCD和信号驱动电路的情况下，如何提高CCD的电源供给电路的性能并更好的应用在设备中就成为了电源设计工作者需要面对的难题。
技术实现要素：
本实用新型提供一种的体积小、结构简单、响应速度快、输出稳定精度高的CCD电源供给电路，以解决上述背景技术提出的问题。
一种CCD电源供给电路，包括输入电压V1、基准电压V2 、电感L1、运算放大器U1、MOS管Q1、电阻R1、R2、R3、R4、电容C1、C2；其特征在于：所述的运算放大器U1为AD822；所述的MOS管Q1为MMBF4392；所述的电感L1一端与输入电压V1相连另一端分别与运算放大器U1的8脚、MOS管Q1的D极、和电容C1的一端相连；所述的运算放大器U1的3脚与基准电压V2相连；所述的运算放大器U1的2脚分别与电阻R2、R3、R4的一端相连；所述的运算放大器U1的4脚接地；所述的运算放大器U1的1脚分别与电阻R1的一端、电容C2的一端相连；所述的电容C2的另一端与电阻R3的另一端相连；所述的电阻R1的另一端与MOS管Q1的G极相连；所述的MOS管Q1的S极分别与电阻R4的另一端、电容C3的一端相连；所述的电阻R2的另一端、电容C1的另一端、电容C3的另一端分别与地相连。
还包括所述的基准电压V2的电压为2.5V。
还包括所述的电容C2的容值为0.01uf。
与现有技术相比，本实用新型有如下特点和进步：
本实用新型提供的一种CCD电源供给电路，1、采用了小功率的MOS管来驱动电压输出，从而使电路具有开关速度快，驱动功率小、防止尖峰电压等特点。2、采用了由运算放大器构成比例积分调节控制电路来控制mos管的G极输入电压，从而大大提高了电路的抗干扰能力。3、本电路通过测试和试验，该CCD电源供给电路能够稳定的适应CCD的工作任务，对提高CCD的工作性能切实可行。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作更进一步的说明。
所述CCD电源供给电路，包括输入电压V1、基准电压V2 、电感L1、运算放大器U1、MOS管Q1、电阻R1、R2、R3、R4、电容C1、C2；其特征在于：所述的运算放大器U1为AD822；所述的MOS管Q1为MMBF4392；所述的电感L1一端与输入电压V1相连另一端分别与运算放大器U1的8脚、MOS管Q1的D极、和电容C1的一端相连；所述的运算放大器U1的3脚与基准电压V2相连；所述的运算放大器U1的2脚分别与电阻R2、R3、R4的一端相连；所述的运算放大器U1的4脚接地；所述的运算放大器U1的1脚分别与电阻R1的一端、电容C2的一端相连；所述的电容C2的另一端与电阻R3的另一端相连；所述的电阻R1的另一端与MOS管Q1的G极相连；所述的MOS管Q1的S极分别与电阻R4的另一端、电容C3的一端相连；所述的电阻R2的另一端、电容C1的另一端、电容C3的另一端分别与地相连。
还包括所述的基准电压V2的电压为2.5V。
还包括所述的电容C2的容值为0.01uf。
本实用新型工作原理是：电路输入电压V1和基准电压V2输入相应的电压后，MOS管Q1的G极电压迅速达到导通电压，从而使MOS管Q1导通；输入电压V2加在MOS管的Q1的D极,再从MOS管Q1的S极引出到CCD的引脚，从而实现CCD电源的供给；另外，根据运算放大器的虚短可知运算放大器U1的2脚端电压等于基准电压V1；当外部环境因素而导致输出电压波动而使运算放大器U1的2脚端电压偏离基准电压V1时，电阻R3和电流C2组成的运算放大器U1的反馈网络则会迅速对运算放大器U1的2脚端电压进行调节，从而起到调节输出电压的作用。
以上所述实例只为本实用新型之较佳实例，并非以此限制本实用新型的实施范围。故凡依本实用新型的形状、原理所做的变化，均应涵盖在本实用新型保护范围内。