一种电流减法器电路、芯片及通信终端的制作方法

文档序号:12717766阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种电流减法器电路,其特征在于包括电流镜电路、电流-电压转换电路,所述电流镜电路的输入端分别连接两条支路,所述电流镜电路的输出端与所述电流-电压转换电路连接。

2.如权利要求1所述的电流减法器电路,其特征在于:

所述电流镜电路采用威尔逊电流镜或共源共栅型电流镜,其中,所述威尔逊电流镜由三个NMOS晶体管组成,第一NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的源极串接在一起并与地线连接,所述第一NMOS晶体管的栅极与所述第二NMOS晶体管的栅极连接,所述第二NMOS晶体管的栅极与所述第二NMOS晶体管的漏极短接,所述第二NMOS晶体管的漏极与第三NMOS晶体管的源极连接,所述第三NMOS晶体管的栅极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接。

3.如权利要求2所述的电流减法器电路,其特征在于:

第一支路与所述第一NMOS晶体管的漏极连接,第二支路与所述第三NMOS晶体管的漏极连接,通过所述威尔逊电流镜实现对两条支路的电流差别的检测。

4.如权利要求3所述的电流减法器电路,其特征在于:

流经所述第三NMOS晶体管的电流与流经所述第一NMOS晶体管M1电流的大小相同。

5.如权利要求1所述的电流减法器电路,其特征在于:

所述电流-电压转换电路由运算放大器与电阻组成,所述电阻串接在所述运算放大器的反向输入端与输出端之间,所述运算放大器的正向输入端连接参考电压,所述运算放大器的反向输入端连接第三NMOS晶体管的漏极,用于将检测的两条支路的电流差别转换成电压进行输出。

6.如权利要求1所述的电流减法器电路,其特征在于:

所述电流减法器电路输出的电压表示为:Vout=Vref-(I2-I1)×R,其中,Vref为所述参考电压,I1为流经第一支路的电流,I2为流经第二支路的电流,R为电阻。

7.如权利要求6所述的电流减法器电路,其特征在于:

所述第二支路与所述第一支路的电流差值为流经电阻的电流。

8.一种集成电路芯片,其特征在于所述集成电路芯片中包括有权利要求1~7中任意一项所述的电流减法器电路。

9.一种通信终端,其特征在于所述通信终端中包括有权利要求1~7中任意一项所述的电流减法器电路。

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