本实用新型涉及电网电压采集技术领域，特别是涉及对欠压值精度要求较高但无需显示欠压值的检测电路。
背景技术：
在一些电源电压采集的应用场合，往往需要对A、B、C三相电压进行分别采集，而且很多是经过降压电阻并使用电压互感器隔离，再传递到单片机的A/D采样口进行信号采集。这样不仅电路复杂、成本高而且电子组件板所占的空间也较大，对于一些内部布局紧凑且没有多余空间的产品而言较难实现。
针对有些欠压值精度要求较高但无需显示欠压值的检测电路，可通过基于运算放大器的电源检测电路，不仅电路简单，且保证了欠压值的精度要求。
技术实现要素：
为了克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种基于运算放大器的电源检测电路，可实现单路电网的三相电压检测，避免受电网浪涌电压的影响，成本低，体积小，适用于对欠压值精度要求较高但无需显示欠压值的检测电路。
为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种基于运算放大器的电源检测电路，包括常用N线、常用A相、常用B相和常用C相，其特征在于：还包括常用A相采集电路、常用B/C相采集电路和运算放大器U5，常用A相采集电路的输出连接在运算放大器U5的正极输入3脚上，常用B相采集电路的输出连接在运算放大器U5的正极输入5脚上，运算放大器U5的负极输入2脚和负极输入6脚上连接有基准电压电路，运算放大器U5的输出1脚和输出7脚上连接有限流电阻R10，运算放大器U5的输出1脚和限流电阻R10之间连接有保护二极管D6，运算放大器U5的输出7脚和限流电阻R10之间连接有保护二极管D7，运算放大器U5的输出1脚和正极输入3脚之间连接有反馈电阻R19，运算放大器U5的输出7脚和正极输入5脚之间连接有反馈电阻R20。
作为本实用新型的进一步设置，所述常用A相采集电路包括光耦合器U4、降压电阻R4、保护二极管D3、分压电阻R5和滤波电容CD1，光耦合器U4的阳极1脚和阴极2脚分别与常用N线和常用A相连接，降压电阻R4连接在光耦合器U4的阳极1脚和常用N线之间，保护二极管D3连接在光耦合器U4的阳极1脚和阴极2脚之间，分压电阻R5和滤波电容CD1的输入端连接在光耦合器U4的发射极3脚上，输出端接地，光耦合器U4的发射极3脚连接在运算放大器U5的正极输入3脚上。
作为本实用新型的进一步设置，所述常用B/C相采集电路包括光耦合器U3、降压电阻R17、降压电阻R18、保护二极管D4、分压电阻R6和滤波电容CD2，光耦合器U3的阳极1脚和阴极2脚分别与常用B相和常用C相连接，降压电阻R17连接在光耦合器U3的阳极1脚和常用B相之间，降压电阻R18连接在光耦合器U3的阴极2脚和常用C相之间，保护二极管D4连接在光耦合器U3的阳极1脚和阴极2脚之间，分压电阻R6和滤波电容CD2的输入端连接在光耦合器U3的发射极3脚上，输出端接地，光耦合器U3的发射极3脚连接在运算放大器U5的正极输入5脚上。
作为本实用新型的进一步设置，所述基准电压电路包括可调变阻器RV1，可调变阻器RV1的1脚上接+2.5V，3脚接地，2脚接运算放大器U5的负极输入2脚和负极输入6脚。
作为本实用新型的进一步设置，所述光耦合器U4的集电极4脚上接+12V，光耦合器U3的集电极4脚上接+12V，所述降压电阻R4、R17、R18的电阻功率为1W以上。
作为本实用新型的进一步设置，所述反馈电阻R19、R20的电阻阻值大于100KΩ。
作为本实用新型的进一步设置，所述保护二极管D3、D4、D6、D7为肖特基二极管，光耦合器U3、U4为单向输入晶体管光耦，滤波电容CD1、CD2为无极性独石电容或CBB聚丙烯电容，运算放大器U5为两路低温漂型运算放大器。
采用上述方案，电路简单可靠、成本低廉，可实现单路电网的三相电压检测，而且通过可调变阻器RV1能方便的调整基准电压值，同时运算放大器U5的反馈电阻R19、R20可进一步增加信号，使输出信号与正电源信号电平相当，以防高电平输出不充分，另外输出1脚和输出7脚上串联保护二极管D6、D7，将两路输出信号和采样输入信号隔离，避免相互干扰，适用于对欠压值精度要求较高但无需显示欠压值的检测电路，比如经济型双电源开关的电源检测，非常有效而实用。
下面结合附图对本实用新型作进一步描述。
附图说明
附图1为本实用新型具体实施例的电路图。
具体实施方式
本实用新型的具体实施例如图1所示，一种基于运算放大器的电源检测电路，包括常用N线1、常用A相2、常用B相3、常用C相4、常用A相采集电路、常用B/C相采集电路和运算放大器U5，所述常用A相采集电路包括光耦合器U4、降压电阻R4、保护二极管D3、分压电阻R5和滤波电容CD1，光耦合器U4的阳极1脚51和阴极2脚52分别与常用N线1和常用A相2连接，降压电阻R4连接在光耦合器U4的阳极1脚51和常用N线1之间，保护二极管D3连接在光耦合器U4的阳极1脚51和阴极2脚52之间，分压电阻R5和滤波电容CD1的输入端连接在光耦合器U4的发射极3脚53上，输出端接地，光耦合器U4的发射极3脚53连接在运算放大器U5的正极输入3脚73上，其中光耦合器U4为单向输入晶体管光耦，光耦合器U4的集电极4脚74上接+12V，降压电阻R4为相电压限流电阻，且电阻功率为1W以上，降压电阻R4和分压电阻R5可以是固定电阻也可以是可调电阻，保护二极管D3为肖特基二极管，起反向保护的作用，滤波电容CD1为无极性独石电容或CBB聚丙烯电容。
在本实用新型实施例中，所述常用B/C相采集电路包括光耦合器U3、降压电阻R17、降压电阻R18、保护二极管D4、分压电阻R6和滤波电容CD2，光耦合器U3的阳极1脚61和阴极2脚62分别与常用B相3和常用C相4连接，降压电阻R17连接在光耦合器U3的阳极1脚61和常用B相3之间，降压电阻R18连接在光耦合器U3的阴极2脚62和常用C相4之间，保护二极管D4连接在光耦合器U3的阳极1脚61和阴极2脚62之间，分压电阻R6和滤波电容CD2的输入端连接在光耦合器U3的发射极3脚63上，输出端接地，光耦合器U3的发射极3脚63连接在运算放大器U5的正极输入5脚75上，其中光耦合器U3为单向输入晶体管光耦，光耦合器U3的集电极4脚64上接+12V，降压电阻R17、R18为线电压限流电阻，且电阻功率为1W以上，降压电阻R17、R18和分压电阻R6可以是固定电阻也可以是可调电阻，保护二极管D4为肖特基二极管，起反向保护的作用，滤波电容CD2为无极性独石电容或CBB聚丙烯电容。
在本实用新型实施例中，所述运算放大器U5的负极输入2脚72和负极输入6脚76上连接有基准电压电路，基准电压电路包括可调变阻器RV1，可调变阻器RV1的1脚81上接+2.5V，3脚83接地，2脚82接运算放大器U5的负极输入2脚72和负极输入6脚76，运算放大器U5的输出1脚71和输出7脚77上连接有限流电阻R10，运算放大器U5的输出1脚71和限流电阻R10之间连接有保护二极管D6，运算放大器U5的输出7脚77和限流电阻R10之间连接有保护二极管D7，运算放大器U5的输出1脚71和正极输入3脚73之间连接有反馈电阻R19，运算放大器U5的输出7脚77和正极输入5脚75之间连接有反馈电阻R20，其中运算放大器U5为两路低温漂型运算放大器，反馈电阻R19、R20是固定电阻，且电阻阻值大于100KΩ，起正反馈作用，保护二极管D6、D7为肖特基二极管，起隔离保护作用，限流电阻R10可以是固定电阻也可以是可调电阻，可调变阻器RV1起调校补偿作用。
光耦合器U3、U4和运算放大器U5均为现有公知技术。
上述实施例仅用于解释说明本实用新型的发明构思，而非对本实用新型权利保护的限定，凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动，均应落入本实用新型的保护范围。