制主开关，利用第一NPN三极管和第一组电容控制PMOS场效应管的栅极以及控制正电源的开通与断开；采用NMOS场效应管为负电源的控制主开关，利用PNP三极管和第二组电容控制NMOS场效应管的栅极以及控制负电源开通与断开，在电源开关控制信号与PNP三极管之间采用第二 NPN三极管；通过分离的硬件元件同时检测电源开关控制信号及正电源输出电压、负电源输出电压，实现在正、负电源开通供电及关断供电时序的准确控制，保证设备的正常工作，完全克服了现有技术的弊端，提高了水利水文、城乡防汛、公共设施安全、地质灾害等自动监测技术领域应用的安全性能。
【附图说明】
[0024]图1为本发明双电源供电及断电时序控制装置的优选结构示意图。
[0025]图2为本发明双电源供电及断电时序控制装置的开通关断工作时序图。
[0026]图3为本发明双电源供电及断电时序控制方法的原理图。
[0027]图中各标号列示如下:
[0028]0N_0FF 一电源开关；M1 — PMOS场效应管；M2 — NMOS场效应管；Q1 —第一 NPN三极管；Q2 - PNP三极管；Q3 —第二 NPN三极管。
【具体实施方式】
[0029]下面结合附图对本发明进行说明。
[0030]本发明公开了一种双电源供电及断电时序控制装置，其优选结构如图1所示，包括PMOS场效应管MUNMOS场效应管M2、第一 NPN三极管QUPNP三极管Q2、第二 NPN三极管Q3、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容Cl、第二电容C2、第三电容C3和第四电容C4，PM0S场效应管Ml为正电源(+6V)的控制主开关，PMOS场效应管Ml的源极连接正电源，栅极连接第一 NPN三极管Ql的集电极，漏极连接正电源输出；NM0S场效应管M2为负电源(一6V)的控制主开关，NMOS场效应管M2的源极连接负电源，栅极连接PNP三极管Q2的集电极，漏极连接负电源输出；第一 NPN三极管Ql的基极连接电源开关0N_0FF控制信号线，发射极接地；PNP三极管Q2的基极与第二 NPN三极管Q3的集电极相连，PNP三极管Q2的发射极同时连接第一电阻Rl的一端和第二电阻R2的一端，第一电阻Rl的另一端接地，第二电阻R2的另一端接正电源输出；第二NPN三极管Q3的基极连接电源开关控制信号线，发射极接地；第一电容Cl设置于PMOS场效应管Ml的源极和栅极之间，第二电容C2设置于PMOS场效应管Ml的栅极和漏极之间，第三电容C3设置于NMOS场效应管M2的源极和栅极之间，第四电容C4设置于NMOS场效应管M2的栅极和漏极之间。
[0031]图1所示实施例中还包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8和第九电阻R9，第三电阻R3与第一电容Cl并联设置于PMOS场效应管Ml的源极和栅极之间，第一 NPN三极管Ql的基极通过第四电阻R4连接电源开关0N_OFF控制信号线，第一 NPN三极管Ql的基极还连接第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端接地，第一 NPN三极管Ql的发射极连接第六电阻R6后再接地，第一 NPN三极管Ql的发射极还连接第七电阻R7的一端，第七电阻R7的另一端连接负电源输出，第八电阻R8与第三电容C3并联于NMOS场效应管M2的源极和栅极之间，第二 NPN三极管Q3的基极通过第九电阻R9连接电源开关控制信号线。
[0032]图1所示的双电源供电及断电时序控制装置，PMOS场效应管Ml为正电源(+6V)的控制主开关；NMOS场效应管M2为负电源(一6V)的控制主开关；采用第一 NPN三极管Ql、电阻R3、R4、R5、R6、R7，电容Cl、C2共同控制PMOS场效应管Ml栅极，控制正电源的开通与断开，并限制开通瞬间的电流冲击；采用PNP三极管Q2、电阻R1、R2、R8，电容C3、C4控制NMOS场效应管M2栅极，控制负电源的开通与断开，并限制开通瞬间的电流冲击。
[0033]本发明如图1所示装置的具体工作如下:需要开通供电时，MCU控制0N_0FF控制信号为逻辑“I”(CMOS逻辑电平，3.3V)，使第一 NPN三极管Ql导通，向电容Cl、C2充电，PMOS场效应管Ml源-栅电压逐渐增大，PMOS场效应管Ml由关断状态逐渐变为导通状态，+6V供电输出电压由OV逐渐上升到+6V ；0N_0FF控制信号同时控制第二 NPN三极管Q3导通，但因+6V输出电压尚未建立，PNP三极管Q2保持截止，NMOS场效应管M2保持关断。当+6V输出电压上升到一定程度，电阻Rl、R2间电压值达到PNP三极管Q2三极管开启电压Vbe—Q2 (0.7V左右)，PNP三极管Q2导通，向电容C3、C4充电，NMOS场效应管M2栅-源电压逐渐增大，NMOS场效应管M2由关断状态逐渐变为导通状态，-6V供电输出电压由OV逐渐下降到-6V。
[0034]需要关断供电时，MCU控制0N_0FF控制信号为逻辑“O” (CMOS逻辑电平，0V)，第二 NPN三极管Q3立即截止，导致PNP三极管Q2也立即截止。电容C3、C4贮存电荷通过电阻R8放电，导致NMOS场效应管M2的栅-源电压逐渐降低，当NMOS场效应管M2的栅-源电压低于其开启阈值电压Vth (IV左右)时，NMOS场效应管M2关断，-6V电源输出电压逐渐由-6V回升至OV ;MCU的ON_OFF控制信号输出“O”逻辑电平，导致第一 NPN三极管Ql基极电平Vb为0V，但此时-6V电源输出电压仍维持-6V左右，导致电阻R6、R7之间的分压电平低于-Vbejl (约为-0.7V)，第一 NPN三极管Ql维持导通，控制PMOS场效应管Ml继续保持导通，+6V电源输出电压继续保持为+6V ;当-6V电源输出电压逐渐变为接近OV时，电阻R6、R7之间的分压电平变为高于-Vbejjl (约为-0.7V)，第一 NPN三极管Ql截止，电容Cl、C2贮存电荷通过电阻R3放电，导致PMOS场效应管Ml的源-栅电压逐渐降低，当PMOS场效应管Ml的源-栅电压低于其开启阈值电压Vth(IV左右)时，PMOS场效应管Ml关断，+6V电源输出电压逐渐由+6V回归至OV。
[0035]图2为本发明双电源供电及断电时序控制装置的开通关断工作时序图。在开通供电时，在Tl时刻开电源控制，正电源缓开启电流由小变大，逐渐建立正电源电压，直至达到正电源开启峰值电流，正电源稳态输出电压；在建立正电源电压的过程中在T2时刻栅极达到开负电源阈值时，负电源缓开启电流由小变大，逐渐建立负电源电压，直至达到负电源开启峰值电流，负电源稳态输出电压。在关断供电时，在T3时刻关电源控制，负电源缓关闭电流由大变小直至为零，并且在T4时刻栅极达到关正电源阈值时，关正电源，正电源缓关闭电流由大变小直至为零。在开通+6V供电电源、-6V供电电源过程中，将供电电流限制在特定值(如200mA)以内，避免因容性负载产生过大的冲击电流。综上，本发明双电源供电及断电时序控制装置的有益效果是:在开通供电时，先开通+6V电源供电电子开关，因+6V电源输出电压未建立，禁止开通-6V电源供电电子开关，只有当+6V电压输出电压建立好后，才开通-6V电源供电电子开关；在关断供电时，先关断-6V电源供电电子开关，因-6V电源输出电压尚未回0V，+6V电源供电电子开关继续保持开通，当-6V电源输出电压消失(即回归0V)后，再关断+6V电源供电电子开关。这样，可靠地保证开通及关断供电时严格的时序关系，避免电路栓锁效应，保证设备正常工作。
[0036]本发明还涉及一种双电源供电及断电时序控制方法，该方法与本发明上述的双电源供电及断电时序控制装置相对应，可理解为是实现本发明双电源供电及断电时序控制装置的方法。该方法采用PMOS场效应管为正电源的控制主开关，利用第一 NPN三极管、第一组电容与第一组电阻配合工作以控制PMOS场效应管的栅极以及控制正电源的开通与断开，并限制正电源开通瞬间的电流冲击；采用NMOS场效应管为负电源的控制主开关，利用PNP三极管、第二组电容与第二组电容配合工作以控制NMOS场效应管的栅极以及控制负电源开通与断开，并限制负电源开通瞬间的电流冲击；在电源开关控制信号与PNP三极管之间采用第二 NPN三极管。其实现的硬件电路图可参考图1。开通供电时，电源开关控制信号使第一