专利名称：形成于其上形成多数载体组件条带或面板之不导电基板的制作方法
载体组件系为如EP 0 671 705 A2之第八、九图所示之基板所裁切而得，在该出版品中之该载体组件系意欲于并入藉一些接触窗而进行接触以及藉天线线圈，举例而言，藉由变压器耦接，而不需要接触的芯片中。而芯片之载体组件系用以机械性地保证半导体芯片之安全并亦具有芯片之电结合(bonding)所需要之接触面积，他们可用于仅具有接触型态之芯片中，所以对于半导体芯片之存取仅在经由接触面积时为可能，也可用于已知之组合卡(combined cards)中，其中系藉由在卡中及/或在载体或半导体芯片上之导体回路而使额外地非接触存取成为可能。为了这个目的，导体回路系连接至半导体芯片之线圈终端。
载体组件经常都不是个别加以产生，而是在以非导电材质所制成之长条带或大面积之面板上大量地加以产生，此条带(下称基板)或面板系额外地进行构型，举例而言，藉由蚀刻，因此个别载体组件之接触面积系可以形成。所有的导电结构在一开始仍然藉由窄带(narrowlines)而以电导通之方式连接至彼此，以使表面经历电镀处理。
半导体芯片系依附于基板与接触面积相对之一侧，并藉由透过图案(cutouts)而形成之结合线而电连接至接触面积，而在半导体芯片仍在条带或面板中时所举行之功能性测试之前，窄带系藉由穿孔(punch)而成形，因此接触面系彼此电隔离。
在EP 0 671 705 A2之载体组件的例子中，半导体芯片以及接触面积间之电接触系藉由线接触(接合线)而加以实现，当芯片卡藉由邮寄而递送时，其系以字母分类设备(letter sorting installation)而加以运送及分类，所以在此程序中，位于芯片卡中之载体组件系承受由在字母分类设备中方向改变所造成之高程度机械弯曲压力。再者，由于高生产率，经由通常具有大约40mm直径之移动式滚筒产生之经常性方向改变，以及字母分类设备的其它设计特征，所以载体组件亦承受非常高之动能力(kinetic force)。
而在个别例子中，所发生之力则可能会在芯片卡通过字母分类设备时被引入受损之半导体芯片或线连接，因此习惯上是藉由增加半导体芯片及线连接之面积之模块弯曲阻抗以中和所发生的力。而为了避免伤害半导体芯片，DE 298 28 829 U1提出了在真正之半导体面积外之芯片卡上施加面积覆盖涂层(area-covering coating)，以避免将字母分类设备之运送滚筒之弹性施压压力传递至芯片面积之上。
二者择一地，习知技术亦有使用具有高弹力模数(high modulus ofelasticity)之硬覆盖组成(hard covering compositions)，以环绕于在载体组件之半导体芯片以及线连接的周围。而为了增加模块弯曲阻抗以中和在半导体芯片及线面积所发生之力，亦可以使用已知之热熔性胶黏剂。胶黏剂之弹性特质可以有效地支持上述之手段，而且其更可藉由三明治式的结构而更进一步地加强。另一种手段是，导入预先决定之弯曲点以及抵抗导入半导体芯片及线连接面积之力的障碍物(barriers)，而在预定之弯曲点，载体组件会弯曲，因而避免在线连接之撕裂或半导体芯片之破裂。
因此本案之目的系在于提供一载体组件，其系产生于一基板上并可提供良好机械稳定度，特别是在该载体组件上有弯曲之负荷的情况下。而形成于一非导电条带或面板上之该载体组件系同时具有高体积制程之的最佳布局构型。
此目的藉由根据申请专利范围第一项之内容而达成，其系为一种形成为一条带(strip)或一面板(panel)并有多数载体组件形成于其上之非导电性基板，其系意欲于，特别是，被并入一芯片卡中并且藉由一边界线而加以形成，其中该基板系具有一接触侧以及与该接触侧位置相对之一插入侧，该插入侧系提供有一导电插入金属侧，而该插入金属侧系以一电连接可藉由该插入金属侧以及稍后将被施加至该插入侧之一集成电路之接触点间之覆晶结合(flip-chip bonding)而发生之方式而加以形成。
本案系使得无接触之芯片模块(contactless chip module)成为可能，而可承受机械负荷。事实仅是，已知之覆晶结合(flip-chipbonding)系藉由结合线(bonding wires)大量地增加一载体组件之机械负荷承受能力以及因此增加稳定度，而用以取代习惯上使用之在集成电路(半导体芯片)以及插入金属侧间之电连接，另外，在生产期间之产率亦有重大的增加，因为当集成电路系施加至该基板之插入侧时，所有的电连接已经可以在一个且相同之时间加以建立。另一方面，在习知藉由结合线而电连接之例子中，每一个结合线系必须藉由线结合机器而分开地加以产生。因为提供在插入金属侧以及集成电路之接触点间之焊接块系可以在弯曲负荷出现时提供弹性补偿，所以覆晶结合在机械上亦较线连接更为稳定。
在每条边界线的范围内，该插入金属侧系具有复数接触组件，其系至少部分提供作为与该集成电路之覆晶接触结合之用，换言之，这就表示，在一构型中，每个接触组件可被配置于集成电路之一接触点，然而，在该处亦较佳地可以是与集成电路之接触点没有电连接之接触组件，这则使得该机底可以藉由这些接触组件而机械上地被稳定。在模块弯曲阻抗的增加系藉由没有接触之接触组件而加以达成。
若一接触金属侧系相反地被停工于该基板之接触测上，则可以实现纯接触型态或混合之芯片模式，其亦可经由该插入金属侧而连接至一芯片卡的天线线圈。
其较佳地是，该接触金属侧系在每条边界线范围内包含复数彼此电隔离之接触面积。其中，较佳之构型是该接触金属侧之该接触面积形成为ISO接触面积。
该接触金属侧之该接触面积系具有至少部分与该插入金属侧之该接触组件之一电连接，藉此，信号路径系产生于外部可接近之接触面积以及该集成电路之间。该电连接系较佳地在每个例子中藉由穿透该基板之电路穿透孔而加以建立。
在此，该电镀穿透孔无法形成在任何所需接触面积或接触组件的点，这是因为规定之ISO标准必须遵守，并且，其规定一清楚定义之区域必须要保持净空。结果使得电镀穿透孔之位置受限。因此，该电镀穿透孔较佳地系在每个例子中被配置于并非打算与一外接读取器(ISO区域)结合之该接触金属侧之一电镀穿透区域。
在一较佳之构型中，该接触金属侧系在每条边界线之范围内具有在稍后施加之该集成电路区域中引起一已增加之阻抗力矩的区域。这些区域较佳地是以区域覆盖(area-covering)的形式并且至少部分延伸覆盖该集成电路之一侧边缘的长度。而该引起一已增加之阻抗力矩之该区域系用于在载体组件之范围内定义预定之弯曲线的目的，而在此例子中之该预定之弯曲线系超过该集成电路所配置之区域之外侧。该预定之弯曲线系较佳地进行延伸而与该集成电路之侧边缘平行。
为了定义这些预定之弯曲线，具有一已增加之阻抗力矩之该区域系横跨形成在该接触金属侧之彼此位置相对的接触面积间之一对称线。
位于该边界线范围内之该插入金属侧之该接触组件系较佳地以相互连接之形式而制成，而该相互连接系分别具有一第一端以及一第二端。根据本案，该相互连接之该第一端系与该电路穿透孔的其中之一重叠，并与其电性连接。而另一方面，该第二端系具有用于与该集成电路之一接触点进行电结合之一第一接触面积。
在一具有优势的构型中，至少一些该相互连接系具有至少一另一接触面积，以直接、或经由连接至该第一接触面积之该相互连接之部分而与该相互连接之该第一接触面积进行电性接触，或是经由一相互连接分支而与该相互连接进行电性接触，该另一接触面积系分别提供作为与该集成电路之一接触点进行电性结合之用。该插入金属侧之一接触组件，较佳地是形成为一相互连接，因此可以在该第二端之邻近区域或之中具有多于一个之接触面积，然而，通常尽这些接触面积的其中之一与该集成电路之接触点相连接。
提供多个接触面积则使得可以考虑集成电路的不同接触点布局，而这使得在后勤(logistics)或储存之消耗支出可以维持在低的程度，因为原则上尽需要一个基板被提供以连接不同之集成电路。接触组件之两个或更多之接触面积系在此例子中系直接被放置为彼此接近，也就是说，彼此合并，并因此形成一较大表面积之接触面积。然而，该接触面积亦可以彼此间以空间相隔，并藉由相互连接部分或相互连接分支，亦即，相互连接之分岔，而彼此电连接。
一更进一步之发展系加以提供，该插入金属侧之一接触组件之该接触面积以及该另一接触面积系以其在该集成电路被施加时作为控制标记之方式而加以设计，其中该接触面积系稍微突出该集成电路之侧边缘。这则使得将集成电路之正确性记录能迅速地以视觉检查，因为一”适当之”放置操作时，一接触组件之部分接触面积总是超过集成电路之侧边缘，该接触面积系因此变得较实际需要的大。该较大之接触面积则额外地同时在放置操作期间增加集成电路之接触点的”击中面积(hit area)”，在不可能有这些接触面积扩大的点，在接触组件之接触面积之外，其它金属结构亦可以被引入其中。
一更进一步之发展系提供有接触组件之至少一些该相互连接，以作为增加该基板之弯曲刚性。将该接触组件形成作为相互连接系首先具有一开始仅在定义该载体组件之边界线范围内之小部分表面积系加以金属化之效果，在该载体组件之该插入侧上之金属化面积越大，则该载体组件在弯曲关系(flexural terms)中变的更为坚硬。结果，藉由此构型则可以确保以金属化而有较大或较小之两侧范围的基板。以此法形成之一载体组件之刚性则亦可以藉由插入金属侧或接触金属侧的厚度而受到控制。该面积金属覆盖在此例子中系较佳地形成于一载体组件之个别边界线范围内。
为了避免短路，连接至该插入金属侧之相互连接之该面积金属覆盖系提供于稍后将被施加之该集成电路之外侧区域。
于其上形成有载体组件之基板在生产期间通常具有指示孔，该指示孔系被在该插入侧及/或该接触侧上之金属所包围。这则使得在生产期间对基板之掌握可以获得改善。
在一具优势的构型中，该基板系另外提供有放置机械之定位的调整标记，该调整标记系构成该插入金属侧及/或该接触金属侧之部分，并较佳地位于个别边界线的外侧区域。该调整标记亦可以连接至在个别边界线范围内之接触面积金属之接触面积。
为了更增加机底之刚性，并因此有更好之掌握度，该基板系位于构成该插入金属侧及/或该接触金属侧之部分之相邻的载体组件横向网状组织之间。
在一更进一步具有优势的构型中，在稍后将被施加之集成电路之区域中，该插入金属侧系包括确保该集成电路以及该基板之该插入侧间之平面平行(plane-parallelism)之间隙。这些间隙，其同样的可以是但不一定要是该插入金属侧之部分，系于该载体组件被施加时可停止该集成电路。这同样有利于正如已知之”未填满(underfill)”之应用。在填满通常发生在压力下之该未填满的期间，弯曲因此可以被避免。
在一另一构型中，一韧化框架(stiffening frame)系配置于该基板之该插入侧之上，并且围绕稍后将被该集成电路施加之区域。该韧化框架系较佳地为该插入金属侧之部分，而此框架在穿越或重叠之该插入金属侧之接触组件的区域中，系具有中断，以避免短路。然而，该韧化框架亦可以包括一非导电性材料，并完全围绕稍后将被该集成电路施加之区域。
基板通常包括一环氧载体条带，其具有110μm之厚度，并且在其上系施加有胶黏剂，而该金属系施加于顶面。藉由在两侧之金属，基板变的非常坚硬，但亦相对地非常昂贵，因此，该基板较佳地包括PEN、PET、PI或纸，而其系根据前述之构型而加以金属化并作为电镀穿透孔之用。当使用前述材料其中之一时，该插入金属侧以及该接触金属侧则不需要由薄片组成，但相反地可以成长增加之方式。这则可以省掉胶黏剂并使得金属更薄。藉由成长增加制程(growing-on process)所产生之接触侧以及插入金属侧系可以获得少于5μm之厚度，该基板具有上述材料其中之一于其上之厚度系大约为50至125μm。然而，无庸置疑地，其它的厚度亦可行，只要对掌控而言是有利的。对于环氧载体积底之取代大体上可以获得一更薄之载体组件。
藉由其它材料而取代该环氧基板系仅藉由覆晶结合才有可能达成，因此在此例子中，最大制程温度大约发生在140℃，反之，在习知藉由结合线而电连接之芯片模块之例子中，温度约发生在230℃，因此仅有使用覆晶技术才能利用更先进且成本较少之材料，此系具有很大之意义，尤其是对高体积生产制程而言。
本发明系藉由附图
之帮助而于之后以数较佳实施例为基础而更详细地加以解释，其中第1图其系显示根据本案第一实施例之基板条带之详细接触侧示意图；第2图其系显示根据本案第一实施例之基板条带之详细插入侧示意图；第3图其系显示根据本案第二实施例之基板条带之详细接触侧示意图；第4图其系显示根据本案第二实施例之基板条带之详细插入侧示意图；第5图其系显示根据本案第二实施例之载体组件之接触侧的更详细图式；第6图其系显示根据本案第二实施例之载体组件之插入侧的更详细图式；第7图其系显示根据本案第三实施例之基板条带之详细接触侧示意图；第8图其系显示根据本案第三实施例之基板条带之详细插入侧示意图；第9图其系显示根据本案第三实施例之载体组件之接触侧的更详细图式；以及第10图其系显示根据本案第三实施例之载体组件之插入侧的更详细图式。
第1图系详细显示一条带1，并且有四个载体组件成对的形成于其上，然而，亦可以在该条带1上配置多于两个之彼此相邻之载体组件11。该条带1系包含一非导电基板10，其系可使用，举例而言，玻璃纤维强化环氧树酯(glass-fibre-reinforced epoxy resin)、PEN、PET、PI或纸，做为材料，而使用后者材料之优点是，其厚度比起环氧树酯减少了一半。
该基板10在沿着两端处系具有指示孔16，而该指示孔16系可藉由结合于其中之驱动器而更进一步之运送之作，举例而言，在集成电路配置于该条带之上的期间，每一个载体组件之轮廓系分别藉由虚线之边界线12而指示出来。一旦于其上之构件配置完成之后，该载体组件会因被进行穿孔而脱离该条带或以其它方法而被切下，沿着该些边界线12。
本案之第1图系显示该基板10之接触侧。该非导电基板10系被制成薄片，举例而言，以金属箔的方式，较佳地是铜箔。藉由接续之蚀刻，此金属箔会被进行构型，因此在边界线12范围内之接触面积31以及位于载体组件之边界线12外之另外的接触区会加以产生，接触区31以及另外的接触区系皆以已知之窄带(narrow line)之方式而连接至彼此，此电性短路在该接触面积31以及该另外之接触面积经历电镀表面处理时是必须的。
当PEN、PET、PI或纸被用作为该基板材料以取代环氧树酯时，该接触面积31则不需要于其上被制成薄片，相反地，可以应用于成长增加制程(growing-on process)。为了这个目的，首先几微米厚之金属层，举例而言，铜，系被溅镀于该基板之上，而在电镀穿透孔(plated-through hole)的穿孔之后，则会举行藉由电镀程序之巩固，因此，一开始提供在整个表面面积之金属系具有几μm之厚度。在下一个步骤中，金属系以所需之形式而加以建构，并且提呈至电镀表面处理，举例而言，以镍或铜，该电镀表面处理亦可以在无电流(currentless)程序中执行，藉此，在接触面积及另外之接触面积之间即不需要电短路。根据本案之程序系使得省掉施加金属之胶黏剂之使用，再者，接触侧之金属可以做的更薄，而使得成本之节省成为可能，然后，该接触侧之金属系具有仅少于40μm之厚度，基板或基板之厚度可以依照操作之需要而加以适应。习惯上，基板厚度系介于50至125μm之间，虽然，无庸置疑，其它的厚度也是可行。
提供于指示孔16周围的是金属35，而其系藉由网状组织而彼此连接，该金属35系可以改善刚性，并且因此改善该基板10或该条带1之掌握。
第2图系显示该基板10之其它侧(也就是插入侧)，而集成电路(未显示)系设置于其上。施加于插入侧14上并包括导体结构26、24、22、28、17、18之插入金属侧20系可以藉由以金属箔制成薄片以及蚀刻而加以产生。二者择一地，正如关于第1图所已经叙述，插入金属侧亦可以藉由成长增加制程(growing-on process)而加以产生。
该基板10相对而言系为可弯曲。在一芯片卡中，设置于其上之一集成电路系将被呈交至相当大量之弯曲负荷，相对而言，大的半导体芯片甚至可能破裂。为了这个理由，一巩固框架(未显示于第2图中)系施加于该载体组件之插入侧，在集成电路之面积周围，该巩固框架系较佳地以金属制造，但其亦可以包括一些其它材料。因为该载体组件系经常依附地结合进入该芯片卡，所以该巩固框架系就沿着构成部分插入金属侧20之接触面积24之区域的外面。一相对应之示范性实施例系显示于第10图中。
该插入金属侧以及接触金属侧之具体结构构型系于之后进行讨论。
该插入金属侧系具有复数接触组件21，其在根据第2图之本实施例中系分别作为之后与集成电路之接触点的电结合之用，该接触组件21系以，在每个例子中，具一第一端22以及一第二端23之相互连接26之形式而制成。该第一端23系具有，举例而言，在每个例子中，环形之形状，其中心系连接至一电镀穿透孔(plate-through hole)，原则上，该第一端22可以是任何所需之形状，举例而言，矩形、椭圆形、多边形等，而该电镀穿透孔15系延伸穿过该基板而到达相对应之接触面积31。该第二端23系分别接触面积24之用，在此，大约为正方形之形状。在此例子中，接触面积24之配置系对应于在此未显示之半导体芯片之接触点之配置。插入金属侧之接触组件相关于接触金属侧之接触面积31而进行配置之方法亦藉由第1图而加以揭示，在本实施例中，该插入金属侧之该接触面积24位于一中心区域34中，以形成为该接触金属侧之一接触面积。在此中心区域中，则配置有该集成电路(第1图中无法看见)。
在第1图之右上半部之载体组件中，可以看见藉由依ISO标准所定义之区域37，藉由参考符号37所辨识之区域的范围内，读取器之接触接脚系位于此。规则规定ISO区域37所占用之区域必须远离电镀穿透孔，因此，仅有位于该ISO区域37外侧之每个接触区域31之那些区域被列入作为电镀穿透孔区域33之考虑。在第1图之示范性实施例中，当从该接触面积31的方向观看时，该电镀穿透孔区域33系位于接近该边界线12之位置，然而，较佳地是，若从该接触面积31的方向观看时，电镀穿透孔区域33能处于中心区域34之方向。
另外，接触金属侧系具有区域32，其系引起在稍后将被设置之集成电路之区域中已增加之阻抗力矩(increased moment)，结果，该载体组件11之弯曲刚性系被增加。在此例子中，该区域32系被以大约与该中心区域34相同宽度之方式而加以设计，在此例子中之区域32系延伸覆盖该载体组件11之对称线40。该区域32之宽度大约与该中心区域34宽度重叠之事时系表示，有两条预定之弯曲线43与对称线40平行，并沿着载体组件可以在过量弯曲负荷之情形下弯曲之处。而这则确保没有弯曲之负荷会作用在集成电路上。
插入金属侧之部分的金属17、18、28系具有优势地用以稳定该基板10，该金属28系在该指示孔16之周围，并透过网状组织而连接至彼此。在本示范性实施例中，横向之网状组织(webs)18系位在相邻之载体组件11之间并沿着该条带1之边缘而延伸。调整标记17系构成横向网状组织18之部分，该横向网状组织18除了稳定之外没有任何其它之作用，反之，该调整标记17却可以被用于光学辨识系统。在本示范性实施例中，该调整标记17系形成正方形之形状，而根据需求，该调整标记忆可以被设计为十字形、圆形、矩形或一些其它形状。该调整标记17亦没有必要一定得是横向网状组织之部分。
第3图及第4图系显示一第二示范性实施例，基板之接触侧之详细系显示于第3图，而基板之插入侧之详细系显示于第4图。第5图及第6图系分别显示根据本案第二示范性实施例之载体组件之接触侧及插入侧之放大图式。该第二示范性实施例之该接触金属侧系不同于第一实施例，其中，该中心区域34系不形成为较该集成电路占用较大表面积之矩形，而在本实施例中，该中心区域34系为圆形，并比起施加于插入侧之该集成电路系占用较小之表面积，此构型具有之优势为，该接触面积31在接着可以被用作为电镀穿透孔之中心区域之方向可具有一较大之表面积，另外，该区域32系以已增加之阻抗力矩而被扩大，在此例子中之扩大系在该中心区域之方向涉及一较大范围，藉此，该载体组件之该模块弯曲阻抗系被增加。第3图之该区域32之宽度系相对应于在第1图中之宽度，伴随着预定弯曲线43系藉由末端而加以定义。当该载体组件4或芯片模块出现弯曲时，该中心接触面积31系真的会被弯曲，但该集成电路则位于预定弯曲线43范围内之区域并因此受到保护。
正如可由第3图之右上半部之载体组件11看出，该接触面积31系满足了ISO标准7816-2之需求，该ISO区域37之配置以及该读取器之该接触接脚与该接触面积31相遇之位置36系对应于第1图之构型。
实质上，该第二示范性实施例之插入金属侧之构型系对应于该第一示范性实施例之构型。然而，该插入金属侧之不同在于该相互连接26之第二端23系分别具有一另一接触面积25，正如可由第6图中看出。该接触面积24以及该接触面积25在此例子中可彼此合并，或接由一相互连接部分26而彼此相连，该接触面积24系对应于一第一集成电路之接触点之布局，同时，该另一接触面积25之配置系相对于一另一集成电路之接触点之布局，因此，是有可能一单一的基板考虑到不同集成电路之接触点布局。原则上，亦可以想象使用接触面积24或另一接触面积25作为结合垫。
第7图及第8图系分别显示根据本案一第三示范性实施例之载体基板的接触侧及插入侧之图式，而该插入金属侧之布局则放大显示于第9图中。根据第7图之接触金属侧之布局在此系相对应于根据第3图及第5图之该第二实施例之该接触金属侧之布局。
根据第8图之该插入金属侧系代表根据第6图之该第二示范性实施例之布局之延伸。该相互连接26系在此提供作为占用载体组件11之大部分表面积之面积金属覆盖27之用，而仅该集成电路将被施加之区域已经自该面积金属覆盖27被删掉，该接触面积24以及该另一接触面积25之配置系不同地相对应于根据第6图之该第二示范性实施例之配置。无庸置疑地，个别相互连接27之面积金属覆盖27并不具有彼此之电接触，而该面积金属覆盖27系主要地用以更进一步增加该载体组件之刚性，在基板10之两侧上金属系产生较大之刚性，而使得利用较薄之基板材质，举例而言，PEN、PET、PI或纸，成为可能。
正如先前已进一步阐明，这些材料使得金属可以成长增加，并且省掉用于该金属与该基板之连接之胶黏剂。
最后，第10图系显示部分之该插入金属侧，并可从一韧化框架41之配置看出。正如本实施例所示，该韧化框架41可以是该插入金属侧之部分，在跨越该接触组件21之相互连接或区域的点，该韧化框架41系具有中断42以避免短路，一另一巩固框架可被设置于该韧化框架41之上，而彼此间之依附可，举例而言，藉由一非导电胶黏剂而加以实施。
另外，从第10图中亦可以看出，该接触面积24如何在该集成电路施加时作为控制标记，稍后将被施加之一集成电路之侧边缘系藉由参考符号51而加以辨识，若该集成电路系理想地施加至该基板时，部分该接触面积24总是会以第10图所显示之方式而突出侧边缘51。理想地，该集成电路之该侧边缘51以及该接触面积之边缘系彼此平行排列，因此，有可能实现一视觉检查以确定该集成电路之覆晶结合(flip-chip bonding)以及该插入金属侧之接触面积是否被正确地执行。
符号列表1 strip 条带
10 substrate基板11 carrier element 载体组件12 boundary line边界线13 contact side 接触侧14 insertion side 插入侧15 plated-through hole 电镀穿透孔16 indexing hole指示孔17 adjusting mark 调整标记18 transverse web 横向网状组织20 insertion-side metallization 插入金属侧21 contact elements 接触组件23 first end第一端24 contact area 接触面积25 contact area 接触面积26 interconnect 相互连接27 area-covering metallization 面积金属覆盖28 metallization(around indexing hole) 金属(环绕指示孔)30 contact-side metallization 接触金属侧31 contact area 接触面积32 metallization region 金属区域33 plated-through region电镀穿透区域34 central region 中心区域35 metallization(around indexing hole) 金属(环绕指示孔)36 ISO bonding position ISO结合位置37 ISO contact zone ISO接触区域40 line of symmetry 对称线41 stiffening frame 韧化框架42 interruption 中断43 predetermined bending line 预定弯曲线
50 integrated circuit 集成电路51 side edges(of the integrated circuit)(集成电路之)侧边缘
权利要求
1.一种形成为一条带(strip)或一面板(panel)并有多数载体组件形成于其上之非导电性基板(10)，其系意欲于，特别是，被并入一芯片卡中并且藉由一边界线(12)而加以形成，其中该基板(10)系具有一接触侧(13)以及与该接触侧位置相对之一插入侧(14)，而该插入侧系提供有一导电插入金属侧(20)，其特征在于，该插入金属侧(20)系以一电连接可藉由稍后将被施加至该插入侧以及该插入金属侧之一集成电路之接触点间之覆晶结合(flip-chip bonding)而发生之方式而加以形成。
2.如申请专利范围第一项所述之基板，其特征在于，在每条边界线(12)的范围内，该插入金属侧(20)系具有复数接触组件(21)，其系至少部分提供作为与该集成电路之覆晶接触结合之用。
3.如申请专利范围第一或第二项所述之基板，其特征在于，该基板(10)之该接触侧(13)系提供有一接触金属侧。
4.如申请专利范围第三项所述之基板，其特征在于，在电穿孔结束后，该接触金属侧(30)系在每条边界线(12)范围内包含复数彼此电隔离之接触面积(31)。
5.如申请专利范围第四项所述之基板，其特征在于，该接触金属侧(30)之该接触面积(31)系形成为ISO接触面积。
6.如申请专利范围第四或第五项所述之基板，其特征在于，该接触金属侧(30)之该接触面积(31)系具有至少部分与该插入金属侧(20)之该接触组件(21)之一电连接。
7.如申请专利范围第六项所述之基板，其特征在于，该电连接系藉由穿透该基板(10)之电镀穿透孔(15)而建立。
8.如申请专利范围第七项所述之基板，其特征在于，该电镀穿透孔(plated-through holes)(15)系在每个例子中被配置于并非打算与一外接读取器(ISO区域)结合之该接触金属侧(30)接触面积(31)之一电镀穿透区域(plated-through region)中(33)。
9.如申请专利范围第三至第八项其中之一所述之基板，其特征在于，该接触金属侧(30)系在每条边界线(12)之范围内具有在该集成电路区域中引起一已增加之阻抗力矩的区域(32)。
10.如申请专利范围第九项所述之基板，其特征在于，具有一已增加之阻抗力矩之该区域(32)系横跨形成在该接触金属侧(30)之彼此位置相对的接触面积(31)间之一对称线(40)。
11.如前述申请专利范围其中之一所述之基板，其特征在于，该插入金属侧(20)之该接触组件(21)系以相互连接(26)之形式而制成，而该相互连接(26)系分别具有一第一端(22)以及一第二端(23)。
12.如申请专利范围第十一项所述之基板，其特征在于，该相互连接(26)之该第一端(22)系与该电路穿透孔(15)其中之一重叠，并与其电性连接。
13.如申请专利范围第十一或第十二项所述之基板，其特征在于，该第二端(23)系具有用于与该集成电路之一覆晶接触进行电结合之一第一接触面积(24)。
14.如申请专利范围第十一至第十三项其中之一所述之基板，其特征在于，至少一些该相互连接(26)系具有至少一另一接触面积(25)，以直接、或经由连接至该第一接触面积(24)之该相互连接(26)之部分(26a)，而与该相互连接之该第一接触面积(24)进行电性接触，或是经由一相互连接分支而与该相互连接进行电性接触，该另一接触面积系分别提供作为与该集成电路之一覆晶接触进行电性结合之用。
15.如申请专利范围第十四项所述之基板，其特征在于，该接触面积(24)以及该另一接触面积(25)系以其在该集成电路被施加时作为控制标记(control marks)之方式而加以设计，其中该接触面积(24、25)系稍微突出该集成电路(50)之侧边缘(51)。
16.如申请专利范围第十一至第十五项其中之一所述之基板，其特征在于，至少一些该相互连接(26)系提供有面积金属覆盖(27)，而该面积金属覆盖(27)系用以增加该基板(10)之弯曲刚性。
17.如申请专利范围第十六项所述之基板，其特征在于，该面积金属覆盖(27)系形成于一载体组件(11)之个别该边界线(12)之范围内。
18.如申请专利范围第十六或第十七项所述之基板，其特征在于，该面积金属覆盖(27)系提供于稍后将被施加之该集成电路之外侧区域。
19.如前述申请专利范围其中之一所述之基板，其特征在于，该基板(10)系具有用以使该基板韧化(stiffen)之指示孔(16)，其系被位在该插入侧(14)及/或该接触侧(13)上之金属(28、35)所包围。
20.如前述申请专利范围其中之一所述之基板，其特征在于，该基板系提供有调整标记(adjusting marks)(17)，以定位放置机械，该标记系构成该插入金属侧(20)及/或该接触金属侧(21)之部分。
21.如前述申请专利范围其中之一所述之基板，其特征在于，该基板系位于相邻之载体组件(11)横向网状组织(18)之间，而其系构成该插入金属侧(20)及/或该接触金属侧(21)之部分。
22.如前述申请专利范围其中之一所述之基板，其特征在于，在稍后将被施加之集成电路之区域中，该插入金属侧(20)系包括确保该集成电路以及该基板(10)之该插入侧(14)间之平面平行(plane-parallelism)之间隙。
23.如前述申请专利范围其中之一所述之基板，其特征在于，一韧化框架系配置于该基板(10)之该插入侧(14)之上，并且围绕稍后将被该集成电路施加之区域。
24.如申请专利范围第二十三项所述之基板，其特征在于，该韧化框架(41)系为该插入金属侧(20)之部分。
25.如申请专利范围第二十三或第二十四项所述之基板，其特征在于，在该韧化框架(41)穿越或重叠之该插入金属侧(20)之接触组件的区域中，系具有中断(42)，以避免短路。
26.如申请专利范围第二十四或第二十五项所述之基板，其特征在于，该韧化框架(41)系包括一非导电性材料。
27.如申请专利范围第二十六项所述之基板，其特征在于，该韧化框架(41)系完全围绕稍后将被该集成电路施加之区域。
28.如前述申请专利范围其中之一所述之基板，其特征在于，该基板系包括PEN、PET、PI或纸。
29.如申请专利范围第二十八项所述之基板，其特征在于，该基板之厚度系大约为50至125μm。
30.如前述申请专利范围其中之一所述之基板，其特征在于，该接触金属侧(30)以及该插入金属侧(20)系藉由一成长增加制程(growing-on process)而加以产生。
31.如申请专利范围第三十项所述之基板，其特征在于，该接触金属侧(30)以及该插入金属侧(20)系具有小于40μm之厚度。
全文摘要
本案系提出一种形成为一条带或一面板并有多数载体组件形成于其上之非导电性基板，其系意欲于，特别是，被并入一芯片卡中并且藉由一边界线而分别加以形成，其中该基板系具有一接触侧以及与该接触侧位置相对之一插入侧，该插入侧系提供有一导电插入金属侧，并且该插入金属侧系以一电连接可藉由稍后将被施加至该插入侧以及该插入金属侧之一集成电路之接触点间之覆晶结合(flip－chip bonding)而发生之方式而加以形成。
文档编号G06K19/077GK1555577SQ02818221
公开日2004年12月15日 申请日期2002年9月5日 优先权日2001年9月17日
发明者B·巴奇曼恩, E·海内曼恩, J·海茨尔, F·佩斯纳, B 巴奇曼恩, 亩, 诼, 鼓 申请人:因芬尼昂技术股份公司