天线内置半导体存储模块的制作方法

专利名称：天线内置半导体存储模块的制作方法
技术领域：
本发明涉及在作为存储卡使用的SD (Secure Digital,安全数字)存 储卡等内置了天线功能的天线内置半导体存储才莫块。
背景技术：
近几年，由于各种大容量存储卡的普及，它们广泛用于数字相机、便 携音乐播放器或便携信息终端等便携式数字设备。最近，还出现了为扩展 存储卡的应用范围而附加无线通信功能的需求，于是，提出附加了无线接口功能的SD存储卡的方案(例如，参照专 利文献l)。该SD存储卡具有下述构成，即，具有作为存m介的功能部 和无线控制部，将具备天线的天线模块通过连接部与无线控制部连接。此 时，内置的闪存，是SD存储卡的存储用的闪速只读存储器(flash ROM), 并且存储用于使无线通信功能工作的驱动程序。通过这样的构成，将与天 线模块连接的SD存储卡安装于便携式数字设备等电子设备，能够与外部 的无线通信设备进行通信和控制。还有，提出了为改善数据传送/接收用的线圈状的天线的特性，在形成 有天线的布线基板和构成IC卡的绝缘性外装层的基体材料的至少一方装 载磁性体的这种构成的IC卡的薄型模块(例如，参照专利文献2)。以下，使用图10对专利文献2的IC卡的薄型模块进行说明。图10 是表示以往的IC卡的薄型模块的构成的分解立体图。如图10所示，布线 基板1 (长85mm、宽52mm )上，在包含玻璃环氧树脂等的绝缘M的 主面上形成了需要的布线图形，在其外周区域形成了天线用的线圈图形2。 还有，在布线皿l的主面的预定位置上，搭栽进行信息的存储和控制的 微机芯片(micro computer chip )3、用于产生基准振荡信号的芯片部件4、 电源用的电池5等，电连接于布线图形、天线用的线圏图形2。而且，布
线基板1，在与和布线基板1形状相同的树脂制框架6和预先在基体材料 的两面形成了磁性体层的绝缘性外装层7层叠的状态下，通过粘接剂形成 一体。同样地，另一方的绝缘性外装层7也同样通过粘接剂与布线基板1 形成为一体。根据专利文献2的IC卡的薄型模块，通过设置磁性体层，能够增强 检测来自于外部的电磁波信号的线圏图形2的天线功能。例如，即使在薄 型模块的线圏图形2的巻数较少的情况下，通过磁性体层，也能够增大电 感，使电磁波的信号增幅。然而，专利文献1中的SD存储卡，由于在SD存储卡的端部附设了 天线模块，所以SD存储卡的外形尺寸增加了天线模块的尺寸的量。而且，专利文献2中的IC卡的薄型;f莫块，虽然能够增强天线的功能， 但像SD存储卡那样、将IC卡小型化至规格化的大小的具体内容(在专利 文献2中)没有记载。而且，将非接触通信用天线、半导体元件和磁性体层内置于SD存储 卡等规格化的空间内的情况，如果不最佳化其配置，则存在着从半导体 元件反射的电磁波将入射至天线，从而出现误工作这一问题。 专利文献l:特开2001-195553号z〉才艮 专利文献2:特开平6-344692号公报发明内容本发明的天线内置半导体存储模块，具备具有连接于控制用半导体 元件、配设在露出于外装壳体表面的位置的连接端子以及连接于控制用半 导体元件、配设在外装壳体内部的天线连接用端子电极的布线M,安装 在布线141一个面的半导体存储元件，沿着布线基板另一个面的外周附近 形成的环状的天线和天线端子电极；布线基&至少含有一层磁性体层，具 有连接了天线连接用端子电极和天线端子电极的构成。通过该构成，不会加大布线基板，能够有效地利用其外周区域i殳置大 直径的环状的天线。而且，通过磁性体层夹着布线J41地将天线与半导体 存储元件相向配置，由此能够防止从半导体存储元件反射电磁波，保持入 射至天线的信号的品质、预防误工作。而且，可以实现对于大容量的信息的传送或者需要保密的信息等，根 据其重要度不同、能够选择接触和非接触的天线内置半导体存储模块。还有，本发明的天线内置半导体存储模块，具备具有连接于控制用 半导体元件、配设在露出于外装壳体表面的位置的连接端子以及连接于控 制用半导体元件、配设在外装壳体内部的天线连接用端子电极的布线a，块，由沿着包含树脂的片状M—个面的外周附近形成的环状的天线和在 一个面或另一个面上形成的天线端子电极所构成的天线;f莫块；在至少含有 一层磁性体层的布线基板的 一个面安装了半导体存储元件的安装模块，具 有布线基板的另一个面与天线模块重叠配设，连接天线连接用端子电极和 天线端子电极的构成。通过该构成，由于能够分别形成安装模块和天线模块，所以可以实现 生产率高的天线内置半导体存储模块。


图1是表示本发明的第1实施形态中天线内置半导体存储模块的剖视图。图2A是从本发明的第1实施形态中天线内置半导体存储模块的布线 基板的一个面观察时的概略俯视图。图2B是从本发明的第1实施形态中天线内置半导体存储模块的形成 了天线的面观察时的概略俯视图。图3是说明本发明的第1实施形态中天线内置半导体存储模块的第1 例的剖视图。图4是说明本发明的第1实施形态中天线内置半导体存储模块的第2 例的剖视图。图5A是表示本发明的第2实施形态中天线内置半导体存储模块的剖 视图。图5B是表示本发明的第2实施形态中天线内置半导体存储模块的其 他例的剖视图。图6A是表示本发明的第3实施形态中天线内置半导体存储模块的构 成的剖视图。图6B是表示本发明的第3实施形态中天线内置半导体存储模块的天 线模块的构成的剖视图。图7A是表示本发明的第4实施形态中天线内置半导体存储模块的构 成的剖视图。图7B是说明本发明的第4实施形态中天线内置半导体存储模块的存 储部的剖视图。图8A是表示本发明的第4实施形态中天线内置半导体存储模块的其 他例的构成的剖视图。图8B是表示作为本发明的第4实施形态中天线内置半导体存储模块 的存储部的子基板的构成的剖视图。图9A是表示本发明的第5实施形态中天线内置半导体存储模块的剖 视图。图9B是表示本发明的第5实施形态中天线内置半导体存储模块的布 线基板的剖浮见图。图IO是表示以往的IC卡的薄型模块的构成的分解立体图。符号说明1， 11， 32， 89 布线基板2 线圈图形3微机芯片4芯片部件5 电池6树脂制框架
7绝缘性外装层10， 28， 30， 31， 50， 75， 80， 90 SD存储卡(天线内置半导体存储 模块)12， 76, 82半导体存储元件13， 37 天线14， 27, 29， 35磁性体层 15外装壳体 16控制用半导体元件 17连接端子18， 22 天线连接用端子电极19过孔(via)导体20, 21， 39 天线端子电极23, 38， 58， 65 绝缘保护层24芯片电容器25， 26安装模块33， 34， 51 天线才莫块36片状基板40， 67, 69， 70 贯通电极 41绝缘性粘接剂42， 59， 68 突出部43, 56 天线连接端子44 开口部45， 66导电性粘接剂 52第1天线模块 53第2天线模块54 第1天线55 第2天线57第1片状基板60共用端子(共用天线端子电极)61第2天线端子电极62第1连接电极63第2片状基板64粘接层71粘接片层77存储部78电路基板79，84导电性连接体81子基板83辅助布线基板91磁性体基板92部件安装的电极具体实施方式
以下，参照图对本发明的实施形态进行说明。以下的图，为了^f更于理 解构成，放大了厚度方向的尺寸来进行表示。而且，对于相同要件，有时 会标记相同符号、省略说明。另外，在以下的实施形态中，作为天线内置半导体存储模块，通过应用于SD存储卡的例子进行说明。因而，以下有 时会将天线内置半导体存储模块记为SD存储卡。 (第1实施形态)图l是表示本发明的第1实施形态中SD存储卡10的剖视图。还有， 图2A是从布线M 11的一个面观察时的概略俯视图，图2B是从布线基 板ll的另一个面观察时的概略俯视图。即，图2A是表示从安装了半导体 存储元件12的面观察时的布线基板11上的部件的概略构成图，图2B是 表示从形成了天线13的面观察时的布线J4！ 11上的部件的概略构成图。如图l所示，本实施形态的SD存储卡IO，具有包括在内部至少具 备一层的磁性体层14的多层构成的布线U1 11收纳于外装壳体15的构
成。而且，布线基板ll，在其一个面安装半导体存储元件12、控制用半导 体元件16和芯片电容器24等，在另一个面形成具有天线端子电极20的天 线13。在布线基板ll的另一个面，在从外装壳体15露出的位置形成连接 端子17。此时，控制用半导体元件16,通过布线(没有图示)与在布线基 板11上形成的连接端子17以及天线连接用端子电极18连接。还有，天线 连接用端子电极18，通过贯通布线基板11的过孔导体19与环状的天线13 的天线端子电极20连接。另外，布线基板11的连接端子17，例如在向外 部设备(没有图示)插入了 SD存储卡10时，用于与外部设备的端子(没 有图示)电连接。还有，布线基板ll，内部具备至少一层的磁性体层14,所以安装于两 面的半导体存储元件12和天线13，夹着磁性体层14相对配置。此时，如 图1所示，控制用半导体元件16和芯片电容器24也同样夹着磁性体层14 与天线13相对配置。由此，在SD存储卡10以非接触方式与外部的设备 通过电磁波进行信号的传送/接收的情况下，不会通过半导体存储元件12 等的电极部分等的导电体产生信号的反射，所以天线13的接收灵敏度不会 下降。其结果是，从天线側入射的电磁波的信号，对半导体存储元件的入 射通过磁性体层14被隔断，所以不会出现因半导体存储元件等的涡电流所 产生的电磁波(有反磁场)的反射。因此，可以实现通过天线13能够灵敏 度较高地接收来自于外部设备的电磁波信号的SD存储卡10。另外，布线基板ll，使用内部具备至少一层的磁性体层14的、例如 厚度为100nm左右的玻璃环氧树脂基板等。还有，磁性体层14，例如通 过混合了铁氧体粉等磁性体粉末和环氧树脂等树脂材料而成的磁性体青剂 的印刷，形成为10~50nm的厚度，与树脂基板层叠。此时，也可以将铁氧 体粉等磁性体粉末粘附在陶瓷片上，作为磁性体层使用。而且，在布线基板11的一个面，如图2A所示，安装例如厚度为 50~100nm的半导体存储元件12、控制用半导体元件16以及防噪声用的芯 片电容器24。还有，如图2B所示，在布线Mll的另一个面的一端部， 配设从外装壳体15露出的预定数目的连接端子17、和天线13。还有，如
图2A和图2B所示，在布线J4111的另一个面沿着其外周附近形成的环 状的天线13的天线端子电极20、 21，通过过孔导体19,与布线基板11 的一个面上设置的天线连接用端子电极18、 22连接。在这里，环状的天线 13，例如通过银膏剂等、以约10nm左右的厚度、使用印刷法等，形成于 布线基板11上。此时，在天线13的表面，通过印刷等形成厚度为lOjun 左右的绝缘保护层23。由此，天线13的导体图形受到机械性的保护，不 过在能够以不损伤天线13的方式进行安装的情况下，没有必要特意设置该 绝缘保护层。还有，半导体存储元件12和控制用半导体元件16，通过布线电极(没 有图示)连接。而且，在布线基板ll的一个面与半导体存储元件12等连 接的布线电极、和在另一面与连接端子17等连接的布线电极，通过过孔导 体(没有图示)等进行连接。在这里，这些连接端子17和布线电极以及过 孔导体等，使用铜等的金属箔、导电性树脂、加工成预定的图形形状而形 成。还有，半导体存储元件12和控制用半导体元件16，使用例如焊料凸 块接合、金属凸块接合、用导电体粘接剂的方法等各种公知的方法，安装 于布线基板11。另外，控制用半导体元件16，控制通过半导体存储元件12和连接端 子17以及天线13以接触或非接触的方式传送/接收的来自于外部设备(没 有图示)的信息。以下，用图l对本发明的第1实施形态中SD存储卡IO的安装和装配 方法进行说明。首先，如图1所示，在布线Mll的一个面形成布线电极，在另一个 面的外周附近形成大直径的环状的天线13和连接端子17等的布线电极。然后，形成过孔导体等，将布线基敗ll的一个面和另一个面的布线电 极之间等连接起来。接着，在布线M 11的一个面安装半导M储元件12、控制用半导 体元件16以及芯片电容器24等的部件，并安装于外装壳体15。此时，配 置连接端子17，使其从外装壳体15的预定的位置露出。通过以上的方法，
制作SD存储卡10。根据本实施形态的SD存储卡IO，可以实现能够收纳为24mm x 32mm x 2.1mm的规刷匕的大小的SD存储卡10。还有，通过天线、连接端子， 能够选择接触方式和非接触方式这两种方式，与外部设备进行信息的交换， 所以能够实现与以往相比性能非常高的SD存储卡IO。另外，通过设置于 布线基板11的磁性体层14，半导体存储元件12和天线13，夹着布线141 ll相对配置。其结果是，可以实现预防从天线侧入射的电磁波的信号在 半导体存储元件12等的电极部分的反射、通过天线13能够以高灵敏度传 送/接收来自于外部设备的电磁波的信号的SD存储卡。另外，作为半导体存储元件12、控制用半导体元件16,可以使用封装 类型、棵芯片类型等。还有，也可以以后述的安装了棵芯片类型的半导体 存储元件的子基板的构成来使用。以下，用图3对本发明的第1实施形态的SD存储卡的第1例进行说明。图3是说明本发明的第1实施形态中SD存储卡的第1例的剖一见图。 如图3所示，SD存储卡28,在搭载有存储容量大，即搭载有芯片面积大 的半导体存储元件12这一点，与图1的SD存储卡10不同。因此，将半 导体存储元件12安装于布线M 11的一个面，将控制用半导体元件16 安装于在另一个面所形成的环状的天线13的环中。根据本实施形态，能够实现搭载了由于增加存储容量、芯片尺寸变大 的半导体存储元件12的SD存储卡28。即，在难以如图1所示地将大形 状的半导体存储元件12、和控制用半导体元件16以及芯片电容器24等全 部安装在布线基板ll的一个面上的情况下，发挥很大作用。还有，以下用图4对本发明的第1实施形态中SD存储卡的第2例进 行说明。另外，图4中，在省略外装壳体的状态下进行表示。图4是说明本发明的第1实施形态中SD存储卡的第2例的剖视图。 即，如图4所示，在布线基板11的磁性体层14上，还设置有磁性体层27、 29这一点，与图1的SD存储卡不同。即，具有下述构成从配置天线的布线基板ll的面观察，以比配置半导体存储元件12、控制用半导体元 件16以及芯片电容器24等的区域大的面积，将图形化了的磁性体层27、 29插入布线基板11。此时，磁性体层27、 29，为了不与贯通布线J4111 的过孔导体19电连接，最好例如独立形成。不过，磁性体层是非导电性的 情况下，没有此限制。在这里，作为磁性体层27、 29，可以使用例如从Fe、 Ni、 Co中所选 择的一种或例如FeNi、 FeCo等两种以上的材料。根据本实施形态，通过磁性体层14以及磁性体层27、 29，能够双重、 三重防止从天线侧入射的电磁波的信号入射至半导体存储元件的导电体。 其结果是，能够抑制天线接收灵敏度等的降低，进而可以通过天线13高精 度地接收电磁波的信号。另外，磁性体层27、 29，最好插入磁性体层14的两边，不过也可以 是插入磁性体层27或磁性体层29的任一个的构成，能够改善通过天线接 收的信号的S/N比。 (第2实施形态)图5A是表示本发明的第2实施形态中SD存储卡30的剖神见图。详细 地讲，图5A表示在布线a 32的一个面上安装了半导体存储元件12和 控制用半导体元件16的SD存储卡30的剖视图。而且，在布线基板32的 一个面不直接形成天线这一点，与第1实施形态的SD存储卡不同。具体 地讲，使天线模块33紧贴于布线J4！ 32的与安装了半导体存储元件12 的面不同的面而层叠。即，如图5A所示，SD存储卡30，具有下述构成在包括内部至少具 备一层的磁性体层35的多层构成的布线M32的一个面将安装了半导体 存储元件12和控制用半导体元件16的安装模块25、在布线基敗32的另 一个面将天线模块33层叠，并安装于外装壳体15。此时，天线模块33，包括在片状基板36的一个面形成的环状的天线 37和用于保护天线37的绝缘保护层38以及在另 一个面形成的、通过贯通 电极40与天线37连接的天线端子电极39。而且，天线模块33，例如通过
绝缘性粘接剂41层叠于安装模块25的布线基板32。在这里，片状J4136，由厚度为50 10(Him的、例如聚对苯二甲酸乙 二酯(PET)等树脂片构成，在其一端部，如图5A所示设置有用于配设 天线端子电极39的突出部42。还有，在片状基板36的一个面，沿着外周 附近，例如通过银膏剂的印刷形成约10nm左右厚度的大直径的环状的天 线37。而且，天线37的端部，通过设置于片状14136的贯通电极40连 接于配设在突出部42的天线端子电极39。另外，天线37、天线端子电极 39以及贯通电极40，可以用同样的银膏剂等导电性骨剂形成，也可以用不 同材料形成。还有，安装模块25的布线14132和天线模块33层叠，布线J4132 的天线连接端子43和片状基板36的天线端子电极39，例如通过导电性粘 接剂45连接。例如，该连接，也可以通过焊接等的方式进行。由此，通过 天线37接收的信息被输入至控制用半导体元件16，另一方面，从控制用 半导体元件16输出的信息通过天线37传送至外部设备。才艮据本实施形态，在布线^32的层叠天线模块33的那一面，能够 形成电路布线等，所以能够有效利用布线J4^32的两面、增加电路设计的 自由度。其结果是，能够实现进一步高性能化的SD存储卡30。以下，用图5B对本发明的第2实施形态的SD存储卡的其他例进行说明。图5B是表示本发明的笫2实施形态中SD存储卡的其他例的剖视图。 即，如图5B所示，SD存储卡31，具有下述构成在内部(内层)至少具 备一层的磁性体层35的布线基板32的一个面将安装了半导体存储元件12 的安装模块26、在布线基&32的另一个面将天线模块33层叠，并安装于 外装壳体15。而且，在天线模块34的环状的天线37的内侧设置有开口部 44，通过开口部44将控制用半导体元件16安装于安装才莫块26的布线141 32这一点，与图5A不同。其他的构成，与图5A的SD存储卡30相同， 所以省略"^兑明。由此，能够在半导体存储元件12中使用存储容量大、大形状的芯片， 使其容易安装在布线M 32的一个面。另外，SD存储卡31，与第1实施形态同样，可以使用如后述的安装 了多个半导体存储元件的子M。由此，能够实现在规格化的空间内高效 地内置了存储容量大的半导体存储元件的SD存储卡。根据本实施形态，能获得与第1实施形态的SD存储卡同样的效果， 并且由于可以分别形成安装模块和天线模块，所以能够实现生产率高、成 本低的SD存储卡。另外，作为布线14132，可以用第1实施形态中所示的图4的具备多 个磁性体层的布线基板。 (第3实施形态)图6A是表示本发明的第3实施形态中SD存储卡50的构成的剖视图， 图6B是表示SD存储卡50的天线模块51的构成的概略剖视图。如图6A和图6B所示，SD存储卡50中，天线模块51的构成与笫2 实施形态的SD存储卡30不同。即，本实施形态的SD存储卡50中，天 线模块51具有第1天线模块52与第2天线模块53层叠的构成。另外，布 线基板ll，与第l实施形态同样，是具有内部(内层)具备至少一层的磁 性体层14的多层构成的基板。以下，以串联第1天线模块52的第1天线54和第2天线模块53的第 2天线55、连接于布线J4！ 11的天线连接端子56的情况为例进行具体说 明。首先，如图6A所示，第1天线模块52,具有沿第1片状14157的一 个面的外周附近形成为环状的第1天线54、和在其表面形成的绝缘保护层 58。还有，与第2实施形态同样地，天线模块51中，在第1片状M57 的一部^i殳置有突出部59，在该突出部59的一个面设置有用于与布线基 板ll的天线连接端子56连接的共用天线端子电极(以下称为共用端子) 60。另一方面，在第1片状14157的另一个面，设置有用于与第2天线模 块53的第2天线端子电极61连接的第1连接电极62。还有，如图6B所示，第2天线模块53，与第1天线模块52基本为相
同的形状，具有在第2片状^63的一个面形成粘接层64、在另一个面 形成环状的第2天线55、并在其表面形成绝缘保护层65的构成。而且，将第1天线模块52和第2天线模块53，以夹着第2天线模块 53的粘接层64的方式进行配置、粘接。由此，制作天线模块51。此时， 第1天线模块52的第1连接电极62、和第2天线模块53的第2天线端子 电极61，例如通过导电性粘接剂66连接。此外，第1天线模块52的第1天线54的一个端部连接于共用端子60 的一方，另一个端部通过贯通电极67延伸至第1片状基板57的另一个面、 连接于第2天线模块53的第2天线55的一个端部。同样地，第2天线55,通过第2片状M63的突出部68或贯通电极 69延伸至第2片状14163的一个面，连接于设置在第1片状J4157的另 一个面的第1连接电极62。此时，第2天线55，按与第1天线54相同的 巻绕方向以环状的图形而形成。而且，第1连接电极62通过贯通电极70 引绕至第1片状基板57的一个面为止，连接于共用端子60的另一方。由此，得到第1天线54和笫2天线55串联，其端部连接于共用端 子60的天线模块51。而且，使天线模块51，通过第1天线模块52的粘接片层71紧贴于安 装模块25并层叠。此时，安装模块25的天线连接端子56和天线模块51 的共用端子60,例如通过导电性粘接剂66连接。然后，在使安装模块25的连接端子17从外装壳体15的预定的位置露 出的状态下，将安装模块25和天线模块51收納于外装壳体15中。由此， 制作本实施形态的SD存储卡50。本实施形态的SD存储卡50，具有把预先将第1天线模块52的第1 天线54和第2天线模块53的第2天线串联而一体化的天线模块51与安装 模块25连接的构成。其结果是，通过串联的第1天线54和第2天线55， 能够增加天线长度，并且还能够增加环的圏数，所以能够提高天线的灵敏 度。还有，根据本实施形态，能获得与第1实施形态的SD存储卡同样的
效果，并且与第2实施形态同样地，可以分别形成安装模块和天线模块， 所以能够实现生产率高、成本低的SD存储卡。另外，本实施形态中，以串联第1天线54和第2天线55、连接于布 线基板ll的天线连接端子56的方式为例进行了说明，不过不限于此。例 如，也可以并联第1天线54和第2天线55。这种情况下，也可以作为天 线模块51的共用端子60，例如从第1天线54形成两根、从笫2天线55 形成两根，共四根，将其连接于与之对应形成的布线14111的天线连接端 子56。还有，在第1片状^4157的突出部59和第2片状基板63的突出 部68，也可以是例如预先通过贯通电极并联第1天线54和第2天线55， 只在两处与布线Ml1的天线连接端子56连接的构成。由此，即使使用 电阻较大的导电性树脂骨剂，也能够降低天线的电阻、提高天线的灵敏度。此夕卜，只要处于能够收纳于作为SD存储卡所规格化的24mm x 32mm x2.1mm空间内的范围，天线^^莫块的天线的构成，可以是本实施形态所示 的以外的构成，可以任意设计。还有，和第2实施形态同样地，也可以是在天线模块的环状的天线的 内側设置开口部、配置控制用半导体元件的构成。由此，能够配置更大存 储容量的半导体存储元件，所以能够实现高容量的SD存储卡。另外，从第1实施形态到第3实施形态，也可以使例如铁素体粉等磁 性体粉末混合于天线的绝缘保护层、片状基板和粘接层等。由此，使磁通 量聚集于环状的天线的环内部，能够进一步提高天线的灵敏度。 (第4实施形态)图7A是表示本发明的第4实施形态中SD存储卡75的构成的剖视图， 图7B是说明SD存储卡75的存储部77的剖视图。即，如图7B所示，本 实施形态的SD存储卡75，具备层叠了半导体存储元件76的大容量的存 储部77这一点，与上述各实施形态的SD存储卡都不同。在这里，如图 7B所示，存储部77，由层叠了半导体存储元件76的电路M78、进行电 路基板78之间的连接的导电性连接体79构成。其他的构成，与第l实施 形态相同。
而且，如图7A所示，SD存储卡75,具有在布线Mll的一个面安 装存储部77、在另一个面安装天线13和控制用半导体元件16、并收纳于 外装壳体15的构成。此时，控制用半导体元件16，连接于布线基板ll的 连接端子17和天线连接用端子电极18。还有，天线连接用端子电极18， 通过贯通布线基板11的过孔导体19，与连接了环状的天线13的天线端子 电极20连接。根据本实施形态的SD存储卡75，能够通过存储部增大存储容量，并 且可以以接触或非接触的方式与外部设备进行信息的传输，所以能够实现 具有更广泛用途的SD存储卡。以下，对本发明的第4实施形态中SD存储卡的其他例进行说明。图8A是表示本发明的第4实施形态中SD存储卡的其他例的构成的剖 视图，图8B是表示作为同一实施形态的SD存储卡的存储部的子141的构 成的剖视图。即，如图8A所示，本实施形态的SD存储卡80，将在辅助 布线基板83的两面安装了半导体存储元件82的子M 81层叠在布线M 11的一个面而作为存储部这一点，与图7B不同。其他的构成相同，对相 同的构成要素标记同样的符号进行说明。如图8A所示，SD存储卡80，具有在布线基板11的一个面安装子基 板81、在另一个面安装天线13和控制用半导体元件16、并收纳于外装壳 体15的构成。而且，子基板81，具有在辅助布线基敗83的两面安装半导 体存储元件82的构成。另外，半导体存储元件82的电极端子(没有图示) 和辅助布线基板83的电极端子(没有图示)，使用焊料接合、由导电性粘 接剂进行的接合、使用了各向异性导电性树脂的接合等众所周知的技术进 行连接。另外，本实施形态中，需要使整个子M81的厚度较薄。因此，将辅 助布线基板83的厚度形成得较薄，并且使用例如棵芯片构成的半导体存储 元件82。还有，根据需要，半导体存储元件82，最好进行研磨加工等、制 成例如30jmi左右的薄片后再使用。还有，作为子J4181之间的连接、子基板81和布线基板11的连接方
法，可以使用例如金属球、焊料球、导电性树脂球等导电性连接体84来进行。根据本实施形态的SD存储卡80，通过子M能够进一步增大存储容 量，并且能够以接触或非接触的方式与外部设备进行信息的传输，所以能 够实现具有更广泛的用途的SD存储卡。 (第5实施形态)以下，用图9A和图9B对本发明的第5实施形态中SD存储卡90进 行说明。图9A是表示本发明的第5实施形态中SD存储卡90的剖^L图， 图9B是表示用于同 一实施形态的布线基板89的剖视图。如图9B所示，本发明的实施形态的SD存储卡，使用磁性体基板91 作为构成布线》敗89的芯(core) M这一点，与第l实施形态不同。其 他的构成，与第l实施形态相同，对同样的构成要素标记同样的符号进行 说明。在这里，磁性体基仗91，由例如烧制了含有CoO、 Fe203等的磁性体 粉末等而成的陶瓷、混合了的树脂材料所形成。此时，磁性体M91，带 有磁性，所以和磁性体层同样，具有吸收、屏蔽一部分电磁波的效果。还有，在以磁性体J4！ 91为芯a的布线141 89的一个面形成安装 半导体存储元件等的部件安装的电极92和天线连接用端子电极18，在另 一个面形成天线13、天线端子电极20和连接端子17。还有，如图9A所示，SD存储卡90，具有在布线M 11的一个面 安装半导体存储元件12、控制用半导体元件16和芯片电容器24等，在另 一个面安装天线13、并收纳于外装壳体15的构成。此时，控制用半导体 元件16，通过在布线g89形成的布线(没有图示)，与布线M89的 连接端子17、天线连接用端子电极18连接。而且，天线连接用端子电极 18,通过贯通布线^4189的过孔导体19，与连接于环状的天线13的天线 端子电极20连接。根据本实施形态的SD存储卡90，通过关于芯基板使用磁性体141， 能够使布线J41薄型化，所以能够在规^f匕的空间内高效地内置半导体存 储元件。其结果是，能够以简单的构成实现增大了存储容量的SD存储卡。 还有，通it^性体基板，能够吸收、屏蔽电磁波，所以能够预防来自半导 体存储元件等的导体部分的电磁波的反射，不会降低天线的灵敏度，能够 高精度地传送/接收信息等的信号。另外，也能将本实施形态的布线J41，用于上述第2实施形态到第4 实施形态，此时也能够获得同样的效果。另外，上述各实施形态中，作为天线内置半导体存储才莫块，以SD存 储卡为例进行了说明，不过不限于此，同样地也能够适用于其他各种构成 的存储模块。还有，各实施形态中，以为保护天线而形成绝缘保护膜为例进行了说 明，不过不限于此。例如，也可以形成绝缘性的磁性体层用作保护层。此 时，既可以是在绝缘保护膜的表面形成磁性体层的构成，也可以是直接在 片状基板形成的构成。由此，将磁通量聚集于环状的天线的环内，能够提 高天线的灵敏度。本发明的天线内置半导体存储模块，容易小型/薄型化，而且具备以接 触方式、非接触方式传输信息的功能。因此，不限于具有规^化的形状的 SD存储卡，作为用于数字相机、便携音乐播放器、便携信息终端等的便 携式数字设备等领域的存储模块也有用。
权利要求
1. 一种天线内置半导体存储模块，其特征在于，具备具有连接于控制用半导体元件、配设在露出于外装壳体表面的位置的连接端子以及连接于所述控制用半导体元件、配设在所述外装壳体内部的天线连接用端子电极的布线基板，安装在所述布线基板的一个面的半导体存储元件，以及沿所述布线基板的另一个面的外周附近形成的环状的天线和天线端子电极；所述布线基板具有至少含有一层磁性体层、连接了所述天线连接用端子电极和所述天线端子电极的构成。
2. 如权利要求l所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于，具有 在所述布线基板的一个面安装有所述半导体存储元件和所述控制用半导体 元件的构成。
3. 如权利要求l所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于，具有 在所述布线基板的一个面安装有所述半导体存储元件、在另 一个面安装有 所述控制用半导体元件的构成。
4. 如权利要求3所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于，具有 将所述控制用半导体元件安装于净皮所述环状的天线包围的所述布线M的 所述另一个面的构成。
5. 如权利要求l所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于，具有 在所述布线基板的一个面层叠有所述半导体存储元件的构成。
6. 如权利要求5所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于，具有 在所述布线M的一个面层叠有安装有所述半导体存储元件的子141的构 成。
7. —种天线内置半导体存储模块，其特征在于，具备由具有连接于控制用半导体元件、配设在露出于外装壳体表面 的位置的连接端子以及连接于所述控制用半导体元件、配设在所述外装壳 体内部的天线连接用端子电极的布线基板，和安装于所述布线基板的半导体存储元件及所述控制用半导体元件构成的安装才莫块；和由沿包含树脂的片状J4^的一个面的外周附近所形成的环状的天线以及在所述一个面或另一个面上所形成的天线端子电极所构成的天线模块； 在至少含有一层磁性体层的所述布线基板的一个面安装有所述半导体存储元件的所述安装模块，具有所述布线基&的另 一个面与所述天线才莫块重叠而配设、接合了所述天线连接用端子电极和所述天线端子电极的构成。
8. 如权利要求7所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于，所述 安装模块，具有在所述布线基板的一个面安装有所述半导体存储元件和所 述控制用半导体元件的构成。
9. 如权利要求7所述的天线内置半导体存储才莫块，其特征在于，所述 安装模块，具有在所述布线M的一个面安装有所述半导体存储元件、在 另一个面安装有所述控制用半导体元件的构成。
10. 如权利要求7所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于，所 述安装才莫块，具有在所述布线^的一个面层叠有所述半导体存储元件的 构成。
11. 如权利要求10所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于，所 述安装模块，具有在所述布线基板的一个面层叠有安装有所述半导体存储 元件的子基板的构成。
12. 如权利要求7所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于，所 述天线^t块，具有在所述片状基板的两面形成所述环状的天线、通过"^殳置 于所述片状基板的贯通电极与在所述一个面或另一个面所形成的天线连接 用端子电极连接的构成。
13. 如权利要求9所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于，所 述天线模块，在形成有所述环状的天线的所述片状M具有比所述控制用 半导体元件大的开口部，具有以将所述控制用半导体元件收置于所述开 口部内的方式，在所述安装^=莫块的所述布线a重叠配设有所述天线才莫块 的构成。
14. 如权利要求1或7所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于， 所述布线基板，由含有磁性体粉末的陶瓷材料或树脂材料形成。
15. 如权利要求1或7所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于， 所述布线基板，含有至少一层的、由选自Fe、 Ni、 Co中的一种以上的材 料形成的磁性体层，所述磁性体层与贯通所述布线基板的过孔导体电独立。
16. 如权利要求1或7所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于， 所述磁性体层，从配置所述天线的面观察，以比配置所述半导体存储元件 的区域大的面积图形化而形成。
17. 如权利要求7所述的天线内置半导体存储模块，其特征在于，保 护所述天线模块的所述天线的绝缘保护膜、支撑所述天线的片状基板或粘 接所述片状基板的粘接层中至少任一个，含有磁性体粉末。
全文摘要
具备具有连接于控制用半导体元件(16)、配设在露出于外装壳体(15)表面的位置的连接端子(17)以及连接于控制用半导体元件(16)、配设在外装壳体(15)内部的天线连接用端子电极(18)的布线基板(11)，安装在布线基板(11)的一个面的半导体存储元件(12)，沿布线基板(11)的另一个面的外周附近形成的环状的天线(13)和天线端子电极(20)；布线基板(11)具有至少含有一层的磁性体层(14)、连接了天线连接用端子电极(18)和天线端子电极(20)的构成。
文档编号G06K19/077GK101401114SQ200780009069
公开日2009年4月1日 申请日期2007年3月28日 优先权日2006年4月3日
发明者樱井博, 西川英信, 越智正三 申请人:松下电器产业株式会社