专利名称：使用类似sram接口的nand闪存存储器的制作方法
技术领域：
本发明用于存储器的设计，提出了一种用周边电路在NAND闪存芯片上实现类似SRAM的接口，从而在应用上取代更昂贵的NOR闪存。
背景技术：
长期以来，闪存有NAND和NOR两种，不仅记忆单元不同，其接口电路和读写方式亦不同。NAND的读写操作是以大字节(典型的512b)为单位，而NOR采用类似SRAM的读写接口，能进行单位地址的读写，也因为特别适合于嵌入代码的存储，但是NOR记忆单元面积远大于NAND因而成本高昂
发明内容
·本发明在NAND闪存记忆单元阵列的基础上，设置外围电路，并设计类似SRAM的接口电路，使之表现为N0R，也即实现‘伪N0R’存储器。本发明保留了 NAND闪存原有的读写电路，其对于阵列内部的读写操作基本不变。而增加的逻辑电路，既控制芯片的(类似SRAM的)读写接口，也控制对内嵌的NAND的读写操作，在这两者之间则由SRAM或寄存器阵列建立一个缓冲区。
图I是本发明的框架图，其中
A是IO控制器；
B 是 CACHE ；
C是NAND控制器；
D是NAND读写电路；
E是NAND阵列；
F 是 10;
G 是 ECC CACHE ；
H是ECC控制器。
具体实施方案本发明的基本功能，原则上可以由传统的NAND控制器，缓冲区，和IO控制电路及IO电路组成。在实际设计中，可以根据性能要求，对NAND控制器部分进行简化，提高吞吐量和其他指标，优化性能，减低成本。
权利要求
1.一种用周边电路在NAND闪存芯片上实现类似SRAM的接口的存储器设计。
2.一种符合权利要求I的设计，其特征在于，在NAND闪存记忆单元阵列的基础上，设置外围电路，并设计类似SRAM的接口电路，使之表现为NOR，也即实现‘伪NOR’存储器。
3.一种符合权利要求I的设计，其特征在于，本发明保留了 NAND闪存原有的读写电路，其对于阵列内部的读写操作基本不变。
4.一种符合权利要求I的设计，其特征在于，本发明增加的逻辑电路，X控制芯片的(类似SRAM的)读写接口，也控制对内嵌的NAND的读写操作，在这两者之间则由SRAM或寄存器阵列建立一个缓冲区。
5.一种符合权利要求I的设计，其特征在于，本发明的基本功能原则上可以由传统的NAND控制器，缓冲区，和IO控制电路及IO电路组成。
6.一种符合权利要求I的设计，其特征在于，在实际设计中，可以根据性能要求，对NAND控制器部分进行简化，提高吞吐量和其他指标，优化性能，减低成本。
全文摘要
本发明用于存储器的设计，提出了一种使用类似SRAM接口的NAND闪存存储器的方案，从而在应用上取代更昂贵的NOR闪存。
文档编号G06F13/16GK102955752SQ20111023757
公开日2013年3月6日 申请日期2011年8月18日 优先权日2011年8月18日
发明者丁真如 申请人:上海摩晶电子科技有限公司