1.一种高压半导体器件短期失效模型的建模方法，其特征在于，包括：
根据所述高压半导体器件的内部元胞结构得到所述高压半导体器件的正常工作模型；
建立根据所述高压半导体器件失效后的器件模型；
检测所述高压半导体器件的工作参数；
当所述工作参数满足失效边界条件时，从所述正常工作模型切换到所述失效后的器件模型。
2.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述失效后的器件模型包括短路失效模型，所述高压半导体器件是压接式器件，所述当所述工作参数满足失效边界条件时，从所述正常工作模型切换到所述失效后的器件模型，包括：
当集射极电压超过雪崩击穿电压或集电极电流大于最大工作电流或结温超过器件可正常工作的最高结温时，切换到所述短路失效模型。
3.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述失效后的器件模型包括短路失效模型和开路失效模型，所述高压半导体器件是模块化封装的器件，所述当所述工作参数满足失效边界条件时，从所述正常工作模型切换到所述失效后的器件模型，包括：
当集射极电压超过雪崩击穿电压时，切换到所述短路失效模型；或者
当集电极电流大于最大工作电流或结温超过器件可正常工作的最高结温时，切换到所述开路失效模型。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的建模方法，其特征在于，所述短路失效模型是电阻值范围为0～5Ω的电阻器。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的建模方法，其特征在于，所述正常工作模型是热电耦合模型，包括电路模型，参数的温度特性和热路模型。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的建模方法，其特征在于，所述根据所述高压半导体器件的内部元胞结构得到所述高压半导体器件的正常工作模型，包括：
建立所述高压半导体器件的瞬态机理模型；
提取瞬态机理模型的模型参数；
在瞬态机理模型中所述高压半导体器件的漏源极之间加入表述雪崩倍增效应的受控漏电流源；
根据所述高压半导体器件结构，建立器件热路或热场模型。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的建模方法，其特征在于，所述高压半导体器件是IGBT。