技术总结
本发明实施例公开了一种高压半导体器件的短期失效模型的建模方法，包括：根据高压半导体器件的内部元胞结构得到正常工作模型；建立根据所述高压半导体器件失效后的器件模型；检测所述高压半导体器件的工作参数；当所述工作参数满足失效边界条件时，从所述正常工作模型切换到所述失效后的器件模型。由此，可以有效地同时描述失效发展过程中的器件行为和器件失效的最终状态。
技术研发人员：蒋烨;蔡博;赵争鸣;乔光尧;陆振纲;雷晰;李凯;于弘洋;蔡林海;曾洪涛;周飞;潘冰;袁立强
受保护的技术使用者：全球能源互联网研究院;国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院;国家电网公司;清华大学
文档号码：201610663634
技术研发日：2016.08.12
技术公布日：2017.01.04