一种NANDFLASH阵列Mapping信息存储方法与流程

文档序号:11589900阅读:187来源:国知局

本发明涉及高速大容量存储技术领域,具体涉及一种nandflash阵列mapping信息存储方法。



背景技术:

在雷达及航天等领域,对存储设备的容量及读写速率要求非常苛刻,单一的nandflash无法满足要求,因此nandflash阵列显得尤为必要。

nandflash阵列的mapping信息可以避免对nandflash的坏块访问,从而提高nandflash的存储性能。因此,nandflash阵列的mapping信息的存储非常重要。



技术实现要素:

本发明要解决的技术问题是:本发明针对以上问题,提供一种nandflash阵列mapping信息存储方法。

本发明所采用的技术方案为:

一种nandflash阵列mapping信息存储方法,所述方法通过norflash存储每列nandflash的第一和第二mapping信息和更新成功标志,当系统上电时,根据更新成功标志选择对应的mapping信息进行加载,避免当更新mapping表时系统断电导致初始mapping信息的丢失。

nandflash阵列中的每一列共用一个mapping信息,即一列中的其中一个nandflash产生坏块,则该列其他nandflash的对应block地址为坏块。

norflash中包含每一列nandflash的第一和第二mapping信息及更新成功标志位,第一mapping信息为备用的mapping信息,避免在更新mapping信息过程中断电,从而丢失初始mapping信息。

所述方法通过更新控制器定期性地查询当前内部ram中的mapping信息是否发生改变,如果发生改变,则启动更新模块对对应列的nandflash的mapping信息进行更新。

系统上电时,根据每列的nandflash更新成功标志位进行每列nandflash的mapping信息的加载,当更新失败时,则加载第一mapping信息,否则加载第二mapping信息。

所述方法实现步骤如下:

首先上电系统会读取norflash中每列nandflash的mapping信息的上次更新成功与否标志;

当更新成功时,则读取对应nandflash列的第二mapping信息,否则读取第一mapping信息,直到加载完nandflash阵列的所有列的mapping信息;

系统运行期间,norflash控制器会周期性的遍历所有列的nandflash的mapping信息是否改变的标志,当发生改变时,则更新对应列的nandflash的mapping信息,更新完成时,则将对应列的更新成功标志位置起,否则为更新失败。

norflash控制器能够根据用户指令将第二mapping信息复制到第一mapping信息,保证第一mapping信息为较新的mapping信息。

本发明的有益效果为:

本发明方法具有方便简单,操作方便等特点,能够通过记录不同列的两个mapping信息及更新标志位,保证mapping信息的加载。

附图说明

图1为本发明nandflash阵列mapping信息工作流程图。

具体实施方式

下面根据说明书附图,结合具体实施方式对本发明进一步说明:

实施例1:

一种nandflash阵列mapping信息存储方法,所述方法通过norflash存储每列nandflash的第一和第二mapping信息和更新成功标志,当系统上电时,根据更新成功标志选择对应的mapping信息进行加载,避免当更新mapping表时系统断电导致初始mapping信息的丢失。

实施例2

在实施例1的基础上,本实施例nandflash阵列中的每一列共用一个mapping信息,即一列中的其中一个nandflash产生坏块,则该列其他nandflash的对应block地址为坏块。

norflash中包含每一列nandflash的第一和第二mapping信息及更新成功标志位,第一mapping信息为备用的mapping信息,避免在更新mapping信息过程中断电,从而丢失初始mapping信息。

实施例3

在实施例2的基础上,本实施例所述方法通过更新控制器定期性地查询当前内部ram中的mapping信息是否发生改变,如果发生改变,则启动更新模块对对应列的nandflash的mapping信息进行更新。

实施例4

在实施例1、2或3的基础上,本实施例系统上电时,根据每列的nandflash更新成功标志位进行每列nandflash的mapping信息的加载,当更新失败时,则加载第一mapping信息,否则加载第二mapping信息。

实施例5

如图1所示,在实施例4的基础上,本实施例所述方法实现步骤如下:

首先上电系统会读取norflash中每列nandflash的mapping信息的上次更新成功与否标志;

当更新成功时,则读取对应nandflash列的第二mapping信息,否则读取第一mapping信息,直到加载完nandflash阵列的所有列的mapping信息;

系统运行期间,norflash控制器会周期性的遍历所有列的nandflash的mapping信息是否改变的标志,当发生改变时,则更新对应列的nandflash的mapping信息,更新完成时,则将对应列的更新成功标志位置起,否则为更新失败。

实施例6

在实施例5的基础上,本实施例norflash控制器能够根据用户指令将第二mapping信息复制到第一mapping信息,保证第一mapping信息为较新的mapping信息。

实施方式仅用于说明本发明,而并非对本发明的限制,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型,因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴,本发明的专利保护范围应由权利要求限定。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法,所述方法通过NOR FLASH存储每列NAND FLASH的第一和第二Mapping信息和更新成功标志,当系统上电时,根据更新成功标志选择对应的Mapping信息进行加载,避免当更新Mapping表时系统断电导致初始Mapping信息的丢失。本发明方法具有方便简单,操作方便等特点,能够通过记录不同列的两个Mapping信息及更新标志位,保证Mapping信息的加载。

技术研发人员:尹超;赵鑫鑫;李朋;姜凯
受保护的技术使用者:济南浪潮高新科技投资发展有限公司
技术研发日:2017.04.19
技术公布日:2017.08.08
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