本发明涉及一种液晶显示技术领域，尤其涉及一种触控阵列基板及触控显示面板。
背景技术
自从iphone采用电容式触摸显示屏以来，由于触控显示器具有可透过触碰的方式直接进行操作的优点，大众对于触摸屏的体验要求也随之提高，触摸屏俨然成为显示领域的主流，广泛地应用于各种电子产品中。
针对现有技术触摸屏大致分为外挂式触摸屏(addontouchpanel)和内嵌于显示屏内的内嵌式触摸屏(incelltouchpanel)两种。外挂式触摸屏是外加一个触摸感应屏贴合于面板上，内嵌式触摸屏是将触控功能集成于面板内部，不必再外挂触控面板，大大的满足了消费者对于薄化显示器的需求，
对于现有的内嵌式触摸屏大多用于小尺寸的屏幕，尺寸增大后会因为触控电极的负载差异问题，影响显示画面的品质。如图1所示为现有技术的阵列基板结构示意图，阵列基板1包括整面铺设的公共电极1以及阵列分布且大小相同的触控电极2，触控电极2和公共电极块1重叠设置，公共电极每个触控电极2通过触控信号线4与集成电路芯片7连接，集成电路芯片7触控电极2和公共电极1同时传输信号，但是由于距离集成电路芯片7远端的触控信号线4明显要长于集成电路芯片7近端的触控信号线4，因此远端的负载比较大，近端的负载比较小，当集成电路芯片7驱动力不足以弥补该差异时，产品会出现不良，这一现象在大尺寸面板上尤其明显。
鉴于此，如何设计触控显示器的触控电极，或者是对现有设计进行改进，避免负载差异带来的不良，以便克服现有技术中的上述缺陷或不足，是业内相关人员亟待解决的一项课题。
技术实现要素：
本发明提供一种阵列基板以及触控显示装置，有效的解决了触控电极的负载差异而导致的影响品质问题。
一种阵列基板，包括：呈阵列分布的多个公共电极块、呈阵列分布的多个触控电极、连接每个公共电极块和集成电路芯片的公共电极线以及连接每个触控电极连接和集成电路芯片的触控电极线，所述触控电极与公共电极块一一对应且至少部分重叠设置，所述触控电极面积不大于公共电极块的面积；所述触控电极距离集成电路芯片的越远则触控电极电容越小，触控电极面积越小，当触控电极与公共电极块面积相等时，公共电极块包括重叠区；当触控电极面积小于公共电极块时，公共电极块包括重叠区和非重叠区，所述重叠区与触控电极重叠，所述公共电极线经过所述非重叠区。
优选的，多个触控电极形成触控电极组，所述触控电极组中的多个触控电极的电容相同，所述触控电极组距离集成电路芯片越远，触控电极组中的触控电极电容越小。
优选的，所述触控电极组的触控电极电容为触控电极组中所有触控电极电容理论计算值的平均值。
优选的，所述公共电极块与触控电极非重叠区设置在触控电极的一侧。
优选的，所述触控电极为矩形，所述公共电极块与触控电极非重叠区为两块单独的矩形，公共电极块与触控电极非重叠区分别设置在触控电极两侧。
优选的，所述触控电极为矩形，所述公共电极块与触控电极非重叠区为口字型，公共电极块与触控电极非重叠区设置在触控电极的周围。
优选的，所述触控电极为菱形，所述公共电极块与触控电极非重叠区为四块单独的三角形，分别设置在触控电极四边。
优选的，所述触控电极为不规则图形，所述公共电极块与触控电极非重叠区为两块不规则图形，分别设置在触控电极两侧。
本发明还提供了一种触控显示面板，包括：彩膜基板、上述的阵列基板和彩膜基板和阵列基板之间的液晶层。
本发明提供一种阵列基板，通过触控电极距离集成电路芯片的距离来调整触控电极的大小，在公共电极块设置重叠区和非重叠区，重叠区与触控电极重叠设置，触控电极通过触控电极线与集成电路芯片连接，实现触控电极和公共电极块的切换，非重叠区通过公共信号线与集成电路芯片连接，从而有效的解决了触控电极的负载差异而导致的影响品质问题。
附图说明
图1为现有技术阵列基板结构示意图；
图2为本发明实施例一结构示意图；
图3为本发明实施例二结构示意图；
图4为本发明实施例三结构示意图。
附图标记列表：1-阵列基板，2-触控电极，3-公共电极块，4-触控信号线，5-公共电极线，6-触控电极组，7-集成电路芯片，8-重叠区，9-非重叠区，sxm-第m组触控电极组，sxm1-第m组触控电极组第一触控电极，sxm2-第m组触控电极组第二触控电极，sxn-第n组触控电极组，sxn1-第n组触控电极组第一触控电极，sxn2-第n组触控电极组第二触控电极，sxp-第p组触控电极组，sxp1-第p组触控电极组第一触控电极，sxp2-第p组触控电极组第二触控电极。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
实施例一：
图2为本发明一种阵列基板实施例一结构示意图，如图2所示，一种阵列基板1包括：集成电路芯片7、纵横交错的扫描线和数据线、由扫描线和数据线交叉限定的多个像素区域、位于扫描线和数据线交叉处的tft开关、位于像素区域内的像素电极、阵列分布的多个公共电极块3、位于像素电极和公共电极块3之间的绝缘层、位于公共电极块3上方且呈阵列分布的多个触控电极2、连接每个公共电极块3至集成电路芯片7的公共电极线5以及连接每个触控电极2至集成电路芯片7的触控电极线4。
与现有技术的区别是：公共电极块3不是整面铺设的，而是与触控电极2一样形成区域形式，每个公共电极块3包括多个像素单元。
其中，至少部分触控电极2与公共电极块3重叠公共电极块，所述触控电极2和公共电极块3一一对应且重叠设置，触控电极2的面积不大于公共电极块3的面积，所述触控电极2距离集成电路芯片7越远，触控电极2的电容越小、触控电极2的面积越小。
触控电极2的面积计算方法如下：将一列的多个触控电极2分成触控电极组6。在本实施例中，每个触控电极组6包括同列相邻的2个触控电极2，如图2所示，假设由上至下的相邻3组触控电极组6分别为第m组触控电极组sxm、第n组触控电极组sxn和第p组触控电极组sxp，第m组触控电极组sxm包括上下相邻的两个触控电极，即第m组触控电极组第一触控电极sxm1、和第m组触控电极组第二触控电极sxm2，第n组触控电极组sxn包括上下相邻的两个触控电极，即：第n组触控电极组第一触控电极sxn1和第n组触控电极组第二触控电极sxn2，第p组触控电极组sxp包括上下相邻的两个触控电极，即第p组触控电极组第一触控电极sxp1和第p组触控电极组第二触控电极sxp2。
以最接近集成电路芯片7的一组触控电极组，即以第p组触控电极组sxp为例，分别计算第p组触控电极组第一触控电极sxp1的负载值yp1和第p组触控电极组第二触控电极sxp2的负载值yp2，设定：第p组触控电极组第一触控电极sxp1的电容记为cp1、第p组触控电极组第二触控电极sxp2的电容记为cp2、与第p组触控电极组第一触控电极sxp1连接的触控连接线4的电阻值记为rp1、与第p组触控电极组第二触控电极sxp2连接的触控连接线4的电阻值记为rp2，yp1＝cp1*rp1，yp2＝cp2*rp2，第p组触控电极组sxp的负载值为yp＝(yp1+yp2)/2，与第n组触控电极组第一触控电极sxn1连接的触控连接线4的电阻值为rn1，与第n组触控电极组第二触控电极sxn2连接的触控连接线4的电阻值为rn2，为了使第p组触控电极组sxp的负载值yp等于第n组触控电极组的负载值yn，即yp＝yn＝rn*cn＝(rn1+rn2)*cn，第n组触控电极组电容cn＝yp/(rn1+rn2)，从而可以得出第n组触控电极组sxn中的触控电极的面积大小。
当触控电极2与公共电极块3的面积相等时，触控电极2与公共电极块3重叠，触控电极2包括重叠区8；当触控电极2面积小于公共电极块3的面积时，公共电极块3包括重叠区8和非重叠区9，所述重叠区8是公共电极块3与触控电极2重叠部分，所述非重叠区9通过公共电极线5与集成电路芯片7连接(即所述公共电极线5经过非重叠区9)，所述非重叠9区为方形且设置在触控电极2的一侧。
集成电路芯片7通过触控信号线4给重叠区8的公共电极块3和触控电极2提供信号，该信号在公共电极块信号和触控电极信号之间切换，集成电路芯片7通过公共电极线5给非重叠区9的公共电极块3提供信号，该信号为公共电极块信号。
实施例二：
图3为本发明一种阵列基板实施例二结构示意图，实施例二是在实施例一的基础上进行改进，具体改进点在于：
非重叠区9为两块单独的矩形，公共电极块3与触控电极2非重叠区9分别设置在触控电极2两侧，非重叠区9的两块分别通过公共电极线5与集成电路芯片7连接。
该实施例相比实施例，使得公共电极和触控电极的负载更加均衡，不会出现偏离情况。
实施例三：
图4为本发明一种阵列基板实施例三结构示意图，实施例三是在实施例一的基础上进行改进，具体改进点在于：
所述触控电极2为不规则图形，所述公共电极块3与触控电极2非重叠区为两块不规则图形，分别设置在触控电极2两侧。
需要说明的是，本发明还可以将触控电极设置为矩形，公共电极块与触控电极非重叠区为口字型，公共电极块与触控电极非重叠区设置在触控电极的周围。同样可以将触控电极设置为菱形，公共电极块与触控电极非重叠区为四块单独的三角形形，分别设置在触控电极四边。
本发明还提供了一种触控显示面板，包括：彩膜基板、上述实施例中的阵列基板和彩膜基板和阵列基板之间的液晶层。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换(如数量、形状、位置等)，这些等同变换均属于本发明的保护范围。