光触控显示面板的制作方法

文档序号:25278901发布日期:2021-06-01 17:24阅读:60来源:国知局
光触控显示面板的制作方法

本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种光触控显示面板。



背景技术:

显示技术被广泛应用于各种显示领域,其中人们对可交互式显示技术的需求日渐增加。目前,可交互式显示技术有触控式显示技术,但触控式显示技术存在无法远程交互的问题。为了实现远程交互,通常采用通过摄像头进行动作捕捉分析,然而通过摄像头进行动作捕捉分析实现远程交互的识别的精准度较低,会造成响应不灵敏以及误操作等严重影响。为了解决远程交互响应不灵敏问题,通过集成感光传感器到光触控显示面板中,以激光为操控源实现精确远程的交互技术。

光触控显示面板包括感光晶体管、开光晶体管和存储电容。感光晶体管包括漏极,目前,为了提高存储电容的存储量,通常将存储电容的面积做得很大,但人眼的极限分辨能力为15微米,因此,这个大面积的存储电容区域将被人们所看见,影响视觉效果。



技术实现要素:

本申请实施例提供一种光触控显示面板,以提高光触控显示面板的性能。

本申请实施例提供一种光触控显示面板,所述光触控显示面板包括第一晶体管、至少一个导线电容和第二晶体管,每一所述导线电容电连接一所述第一晶体管和一所述第二晶体管,其中,所述导线电容的线宽小于15微米。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述导线电容包括第一子导线电容、第二子导线电容和第一间断部,所述第一子导线电容电连接所述第一晶体管,所述第二子导线电容电连接所述第二晶体管,所述第一间断部位于所述第一子导线电容和所述第二子导线电容之间,所述光触控显示面板还包括第一面电容,所述第一面电容位于所述第一间断部,所述第一面电容电连接所述第一子导线电容和所述第二子导线电容,所述第一面电容的最大长度小于15微米。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述导线电容的线宽小于所述第一面电容的最大长度。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述导线电容包括第二间断部,所述第二间断部位于所述第二子导线电容和所述第二晶体管之间,所述光触控显示面板还包括第二面电容,所述第二面电容位于所述第二间断部,所述第二面电容电连接所述第二子导线电容和所述第二晶体管,所述第二面电容的最大长度小于15微米。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述导线电容的线宽小于所述第二面电容的最大长度。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述导线电容包括第三子导线电容和第三间断部,所述第一间断部位于所述第一子导线电容和所述第三子导线电容之间,所述第三间断部位于所述第三子导线电容和所述第二子导线电容之间,所述光触控显示面板还包括第三面电容,所述第三面电容位于所述第三间断部,所述第三面电容电连接所述第三子导线电容和所述第二子导线电容,所述第三面电容的最大长度小于15微米。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述导线电容的线宽小于所述第三面电容的最大长度。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述导线电容包括第四子导线电容、第五子导线电容和第四间断部,所述第二间断部位于所述第二子导线电容和所述第四子导线电容之间,所述第四间断部位于所述第四子导线电容和所述第五子导线电容之间,所述第一间断部位于所述第一子导线电容、第三子导线电容和所述第五子导线电容之间,所述光触控显示面板还包括第四面电容,所述第四面电容位于所述第四间断部,所述第四面电容电连接所述第四子导线电容和所述第五子导线电容,所述第四面电容的最大长度小于15微米。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述导线电容的线宽小于所述第四面电容的最大长度。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述导线电容包括第六子导线电容,所述第六子导线电容电连接所述第一面电容和第二面电容。

本申请实施例提供一种光触控显示面板,光触控显示面板包括第一晶体管、至少一个导线电容和第二晶体管,每一所述导线电容电连接一所述第一晶体管和一所述第二晶体管,其中,所述导线电容的线宽小于15微米。在本申请中,通过将所述导线电容的线宽设置为小于15微米,进而避免所述导线电容被人眼所察觉,进而提高了所述光触控显示面板的视觉效果,从而提高了所述光触控显示面板的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的光触控显示面板的第一种平面示意图。

图2是图1中的第一晶体管沿aa线的截面示意图。

图3是图1中的导线电容沿bb线的截面示意图。

图4是图1中的第二晶体管沿cc线的截面示意图。

图5是本申请实施例提供的光触控显示面板的第二种平面示意图。

图6是本申请实施例提供的光触控显示面板的第三种平面示意图。

图7是本申请实施例提供的光触控显示面板的第四种平面示意图。

图8是本申请实施例提供的光触控显示面板的第五种平面示意图。

图9是本申请实施例提供的光触控显示面板的第六种平面示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

请参阅图1,图1为本申请实施例提供的光触控显示面板的第一种平面示意图。本申请提供一种光触控显示面板10。所述光触控显示面板10包括若干光触控单元11、沿着行方向排列的第一电压信号走线100、沿着列方向排列的第二电压信号走线200、沿着行方向排列的读取信号走线300以及沿着列方向排列的扫描信号走线400。每一所述光触控单元11位于所述第一电压信号走线100、所述第二电压信号走线200、所述读取信号走线300和所述扫描信号走线400所围设的区域内。所述第一电压信号走线100与所述读取信号走线300相对且平行设置。所述第二电压信号走线200与所述扫描信号走线400相对且平行设置。每一所述光触控单元11包括第一晶体管500、至少一个导线电容600和第二晶体管700。具体描述如下:

每一所述导线电容600电连接一所述第一晶体管500和一所述第二晶体管700。所述导线电容600的线宽w小于15微米。

在一实施例中,所述导线电容600的线宽w为1微米-14微米。

在一实施例中,所述导线电容600的线宽w可以为2微米、3微米、8微米、10微米、12微米或13微米等。

在一实施例中,所述导线电容600的平面形状包括直线、网格线、曲线、圆弧线或其他图形中的一种或几种组合。

在本申请中,通过将所述导线电容600的线宽w设置为小于15微米,进而避免所述导线电容600被人眼所察觉,进而提高了所述光触控显示面板10的视觉效果,从而提高了所述光触控显示面板10的性能。

所述第一晶体管500包括第一源极510、第一漏极520和第一栅极530。所述第一晶体管500为感光晶体管。所述第一晶体管500在感光后会产生漏电流。

所述第一源极510与所述第一电压信号走线100电连接。所述第一电压信号走线100用于输入电压信号svdd至所述第一源极510。所述第一漏极520连接所述导线电容600。所述第一栅极530与所述第二电压信号走线200电连接。所述第二电压信号走线200用于输入第一控制信号svgg以控制所述第一晶体管500的导通或关闭。

所述第二晶体管700为开关晶体管。所述第二晶体管700包括第二源极710、第二漏极720和第二栅极730。所述第二源极710与所述导线电容600电连接。所述第二漏极720与所述读取信号走线300电连接。所述读取信号走线(readout)300用于在所述第二晶体管700导通时,读取所述导线电容600中的漏电流,即读取存储在所述导线电容600中的电荷。所述第二栅极730与所述扫描信号走线400电连接。所述扫描信号走线400用于输入第二控制信号gate以控制所述第二晶体管700的导通或关闭。

在本申请中,通过第一控制信号svgg控制所述第一晶体管500的关闭,使所述第一晶体管500产生漏电流,并存储在所述导线电容600中,此时所述第二晶体管700处于关闭状态;当所述第二控制信号gate控制所述第二晶体管700导通时,存储在所述导线电容600中的漏电流,即电荷,被所述读取信号走线300读取。

请参阅图2-图4,图2是图1中的第一晶体管沿aa线的截面示意图。图3是图1中的导线电容沿bb线的截面示意图。图4是图1中的第二晶体管沿cc线的截面示意图。所述光触控显示面板10还包括基板800。所述基板800可以为玻璃基板或聚酰亚胺基板。所述第一晶体管500、所述导线电容600以及所述第二晶体管700设置于所述基板800上。所述第一晶体管500还包括第一栅极绝缘层540和第一有源层550。所述导线电容600包括第一极板610、无机层620和第二极板630。所述第二晶体管700还包括第二栅极绝缘层740和第二有源层750。

所述第一栅极530、所述第一极板610和所述第二栅极730同层设置于所述基板800上,且,所述第一栅极530、所述第一极板610和所述第二栅极730之间相互绝缘。所述第一栅极530、所述第一极板610和所述第二栅极730的材料包括al、ag、mo、fe和mn中的一种或几种组合。所述第一栅极绝缘层540、所述无机层620以及第二栅极绝缘层740同层设置。所述第一栅极绝缘层540覆盖所述基板800以及所述第一栅极530。所述无机层620覆盖所述基板800以及所述第一极板610。所述第二栅极绝缘层740覆盖所述基板800以及所述第二栅极730。所述第一有源层550和所述第二有源层750同层设置。所述第一有源层550设置于所述第一栅极绝缘层540上。所述第二有源层750设置于所述第二栅极绝缘层740上。所述第一有源层550和所述第二有源层750的材料包括非晶硅。所述第一源极510、所述第一漏极520、所述第二极板630、所述第二源极710和所述第二漏极720同层设置。所述第一源极510设置于所述第一有源层550的一侧。所述第一漏极520设置于所述第一有源层550的另一侧。所述第二极板630设置于所述无机层620上。所述第二源极710设置于所述第二有源层750的一侧。所述第二漏极720设置于所述第二有源层750的另一侧。所述第一源极510、所述第一漏极520、所述第二极板630、所述第二源极710和所述第二漏极720的材料包括al、ag、mo、fe和mn中的一种或几种组合。

在一实施例中,所述光触控显示面板10还包括钝化层900。所述钝化层900覆盖所述第一晶体管500、所述导线电容600以及所述第二晶体管700。所述钝化层900用于保护所述第一晶体管500、所述导线电容600以及所述第二晶体管700,避免在后续制程或使用中,所述第一晶体管500、所述导线电容600以及所述第二晶体管700受到损伤,进而提高了所述光触控显示面板10的性能。

在本申请中,通过将导线电容设置成线状,且导线电容的线宽设置为小于15微米,将现有技术中大面积的存储电容分摊成面积相同的线状的导线电容,且,导线电容存储的电荷量不变,避免了现有技术中存储电容因面积过大而导致存储电容被人眼所看到,即,本申请的导线电容小于人眼的识别能力,进而消除导线电容对人眼的影响,即,在本申请中,使得导线电容在相同的面积之下,将导线电容的线宽减小,进而提高了所述光触控显示面板的视觉效果,即提高了所述光触控显示面板的显示性能。

请参阅图5,图5是本申请实施例提供的光触控显示面板的第二种平面示意图。需要说明的是,所述第二种和所述第一种的不同之处在于:

所述导线电容600包括第一子导线电容640、第二子导线电容650和第一间断部658。所述第一子导线电容640电连接所述第一晶体管500。所述第二导线电容650电连接所述第二晶体管700。所述第一间断部658位于所述第一子导线电容640和所述第二子导线电容650之间。所述第一间断部658使得所述第一子导线电容640与所述第二子导线电容650断开。

所述光触控显示面板10还包括第一面电容1000。所述第一面电容1000位于所述第一间断部658。所述第一面电容1000电连接所述第一子导线电容640和所述第二子导线电容650。所述第一面电容1000的最大长度d1小于15微米。所述第一面电容1000和所述导线电容600用于存储电荷。

在一实施例中,所述导线电容600的线宽w小于所述第一面电容1000的最大长度d1。

在一实施例中,所述第一面电容1000的最大长度d1为1微米-14微米。

在一实施例中,所述第一面电容1000的最大长度d1可以为2微米、3微米、8微米、10微米、12微米或13微米等。

在一实施例中,所述第一面电容1000的平面形状包括矩形、菱形、圆形、椭圆形、三角形或不规则的几何图形中的一种或几种组合。

最大长度是指平面形状的最大长度,如平面形状是菱形,则其最大长度为其对角线,或平面形状是圆形,则其最大长度为直径等。

在一实施例中,所述第一子导线电容640和所述第二子导线电容650的线宽w相等。

在一实施例中,所述第一子导线电容640和所述第二子导线电容650的线宽w不相等。

在本申请中,通过将现有技术中大面积的存储电容设置成线状的导线电容和第一面电容,且将导线电容的线宽以及第一面电容的最大长度均设置为小于15微米,从而将现有技术中大面积的存储电容分摊成面积相同的线状的导线电容和第一面电容,且,导线电容和第一面电容存储的电荷量不变,避免了现有技术中存储电容因面积过大而导致存储电容被人眼所看到,即,本申请将存储电荷的电容设置成线状的导线电容和第一面电容,使得线宽以及最大长度小于人眼的识别能力,进而消除存储电容对人眼的影响,即,使得导线电容和第一面电容在相同的面积之下,减小导线电容的线宽和第一面电容的最大长度,进而提高了所述光触控显示面板的视觉效果,即提高了所述光触控显示面板的显示性能。

请参阅图6,图6是本申请实施例提供的光触控显示面板的第三种平面示意图。需要说明的是,所述第三种和所述第二种的不同之处在于:

所述导线电容600包括第二间断部659。所述第二间断部659位于所述第二子导线电容650和所述第二晶体管700之间。所述第二间断部659使得所述第二子导线电容650和所述第二晶体管700断开。

所述光触控显示面板10还包括第二面电容1100。所述第二面电容1100位于所述第二间断部659。所述第二面电容1100电连接所述第二子导线电容650和所述第二晶体管700。所述第二面电容1100的最大长度d2小于15微米。

所述第一面电容1000、所述第二面电容1100和所述导线电容600用于存储电荷。

在一实施例中,所述导线电容600的线宽w小于所述第二面电容1100的最大长度d2。

在一实施例中,所述第二面电容1100的最大长度d2为1微米-14微米。

在一实施例中,所述第二面电容1100的最大长度d2可以为2微米、3微米、8微米、10微米、12微米或13微米等。

在一实施例中,所述第二面电容1100的平面形状包括矩形、菱形、圆形、椭圆形、三角形或不规则的几何图形中的一种或几种组合。

在一实施例中,所述第一面电容1000的最大长度d1和所述第二面电容1100的最大长度d2相同。

在一实施例中,所述第一面电容1000的最大长度d1和所述第二面电容1100的最大长度d2不相同。

在本申请中,通过将现有技术中大面积的存储电容设置成线状的导线电容、第一面电容和第二面电容,且将导线电容的线宽、第一面电容的最大长度和第二面电容的最长宽度均设置为小于15微米,且,导线电容、第一面电容和第二面电容的存储量不变,使得导线电容、第一面电容和第二面电容小于人眼的识别能力,进而消除导线电容、第一面电容和第二面电容对人眼的影响,进而提高了光触控显示面板的视觉效果,即,提高了光触控显示面板的显示性能。

请参阅图7,图7是本申请实施例提供的光触控显示面板的第四种平面示意图。需要说明的是,所述第四种和所述第三种的不同之处在于:

所述导线电容600包括第三子导线电容660和第三间断部669。所述第一间断部658位于所述第一子导线电容640和所述第三子导线电容660之间。所述第三间断部669位于所述第三子导线电容660和所述第二子导线电容650之间。所述第三间断部669使得所述第三子导线电容660和所述第二子导线电容650断开。

所述光触控显示面板10还包括第三面电容1200。所述第三面电容1200位于所述第三间断部669。所述第三面电容1200电连接所述第三子导线电容660和所述第二子导线电容650。所述第三面电容1200的最大长度d3小于15微米。

所述第一面电容1000、所述第二面电容1100、所述第三面电容1200和所述导线电容600用于存储电荷。

在一实施例中,所述导线电容600的线宽w小于所述第三面电容1200的最大长度d3。

在一实施例中,所述第一面电容1000的最大长度d1、所述第二面电容1100的最大长度d2和所述第三面电容1200的最大长度d3可以均相同,也可以均不相同,此处不限制。

在一实施例中,所述第一子导线电容640、所述第二子导线电容650和所述第三子导线电容660的线宽可以均相同,也可以均不相同,此处不限制。

请参阅图8,图8是本申请实施例提供的光触控显示面板的第五种平面示意图。需要说明的是,所述第五种和所述第四种的不同之处在于:

所述导线电容600包括第四子导线电容670、第五子导线电容680和第四间断部689。所述第二间断部659位于所述第二子导线电容650和所述第四子导线电容670之间。所述第四间断部689位于所述第四子导线电容670和所述第五子导线电容680之间。所述第一间断部658位于所述第一子导线电容640、第三子导线电容660和所述第五子导线电容680之间。所述第一间断部658使得所述第一子导线电容640、第三子导线电容660和所述第五子导线电容680断开。

所述光触控显示面板10还包括第四面电容1300。所述第四面电容1300位于所述第四间断部689。所述第四面电容1300电连接所述第四子导线电容670和所述第五子导线电容680。所述第四面电容1300的最大长度d4小于15微米。

所述导线电容600的线宽w小于所述第四面电容1300的最大长度d4。

所述第一面电容1000、所述第二面电容1100、所述第三面电容1200、所述第四面电容1300和所述导线电容600用于存储电荷。

在一实施例中,所述第一面电容1000的最大长度d1、所述第二面电容1100的最大长度d2、所述第三面电容1200的最大长度d3和所述第四面电容1300的最大长度d4可以均相同,也可以均不相同,此处不限制。

在一实施例中,所述第一子导线电容640、所述第二子导线电容650、所述第三子导线电容660、第四子导线电容670和第五子导线电容680的线宽可以均相同,也可以均不相同,此处不限制。

在本申请中,通过将整块的存储电容划分成导线电容、第一面电容、第二面电容、第三面电容和第四面电容,且,将导线电容的线宽、第一面电容的最大长度、第二面电容的最大长度、第三面电容的最大长度和第四面电容的最大长度设置为均小于15微米,使得其存储电荷量在不变的情况下,提高了所述光触控显示面板的视觉效果,进而提高了所述光触控显示面板的显示性能。

请参阅图9,图9本申请实施例提供的光触控显示面板的第六种平面示意图。需要说明的是,所述第六种和所述第五种的不同之处在于:

所述导线电容600包括第六子导线电容690。所述第六子导线电容690电连接所述第一面电容1000和第二面电容1200。通过设置第六子导线电容690,进一步减小导线电容600的线宽,进而使得线宽小于人眼的识别能力,进而消除现有技术中的存储电容对人眼的影响,进而提高了所述光触控显示面板10的视觉效果,从而提高了所述光触控显示面板10的性能。

在一实施例中,所述第一子导线电容640、所述第二子导线电容650、所述第三子导线电容660、第四子导线电容670、第五子导线电容680和所述第六子导线电容690的线宽可以均相同,也可以均不相同,此处不限制。

所述光触控显示面板10可以为外挂式感光传感器面板或内嵌式感光传感器光触控显示面板。

申请实施例提供一种光触控显示面板,光触控显示面板包括第一晶体管、至少一个导线电容和第二晶体管,每一所述导线电容电连接一所述第一晶体管和一所述第二晶体管,其中,所述导线电容的线宽小于15微米。在本申请中,通过将所述导线电容的线宽设置为小于15微米,进而避免所述导线电容被人眼所察觉,进而提高了所述光触控显示面板的视觉效果,从而提高了所述光触控显示面板的性能。

以上对本申请实施例所提供的一种光触控显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

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