132E的组。在实施例中，IC区122-1被选为基础，使用关于图3所讨论的一种或多种方法将所有其他的IC区与IC区122-1相比较。发现具有与IC区122-1基本相同的位置效应的IC区和IC区122-1分为一组。然后，对于其他将要分组的IC区，将另一个IC区选为基础，重复以上比较和分组直到对所有的区进行分组。
[0047]在一些实施例中，方法200 (图2)进行至操作206以提供与IC设计布局120相关的坐标表。坐标表包括IC设计布局120中的每一个IC区122的坐标。由于通过相应的坐标给出了每一个IC区的位置以及IC区中的图案为IC图案124，所以通过每一个IC区的IC图案124和坐标，很好地限定IC设计布局120。在一个实例中，IC区的坐标包括两个标号X和Y，表示IC区关于IC区122-1的位置。
[0048]在一些实施例中，方法200进行至操作208，其中，对IC设计布局120执行切割工艺。在一个实例中，将切割工艺应用于第一 IC区中的每一个主要部件多边形。切割工艺包括将主要部件的边缘切割为多个片段，使得在随后的OPC步骤和LEC步骤期间可以独立地调节每一个片段。从主要部件切割的片段越多，主要部件的图案的调整越自由，但是花费的时间也越多。为了说明该点，参考图6，其中示出了主要部件140被切割为通过切割点146所限定的多个片段144。还将多个目标点148分配给主要部件140，以用于模拟验证或其他的设计目的。例如，当通过模拟在后来的步骤中生成主要部件140的模拟轮廓149时，检查目标点148以判定目标是否与模拟轮廓149 一致或接近模拟轮廓149。通过光刻工艺将主要部件140转移至诸如半导体晶圆的产品衬底时，轮廓149是主要部件140的模拟图像。
[0049]在一些实施例中，方法200在切割操作208之后对第一 IC区执行重定目标(retargeting)工艺。通常的重定目标工艺是基于规则的方法，该方法根据多个重定目标规则来修改IC设计布局，以改善当将IC设计布局转移至晶圆时的成像。在多个实例中，重定目标工艺包括重新定位、调整大小、再成形、添加辅助部件、添加分散的部件或它们的组合。在另一个实例中，重定目标工艺应用于主要部件140 (图6)，使得根据重定目标规则来分别调节主要部件140的片段的子集。主要部件的调节包括移动/再定位所切割的边缘片段，使得主要部件再成形。在实施例中，重定目标规则包括用于调整IC设计布局以减轻邻近效应的OPC规则。在另一个实施例中，重定目标规则包括用于调整IC设计布局以减轻位置效应的位置效应校正(LEC)。图案部件的位置是LEC重定目标工艺期间所要考虑的因素。在另一个实施例中，重定目标规则包括由半导体制造商考虑制造能力所给出设计规则。在又一个实施例中，重定目标规则包括OPC规则、LEC规则和设计规则的组合或子集。
[0050]方法200 (图2)进行至操作210以对IC设计布局120执行校正工艺。在本实施例中，对于位置效应和邻近效应，校正工艺校正(操作210A)第一 IC区中的IC图案，并且将校正IC图案从每一个第一 IC区复制(210B)到与相应的第一 IC区相关联的第二 IC区。就所涉及的邻近效应而言，由于第一和第二 IC区具有相同的最初IC图案124，所以用于第一和第二 IC区的邻近效应校正是相同的。就所涉及的位置效应而言，由于第二 IC区具有与相关联的第一 IC区基本相同的位置效应，所以用于第一和第二 IC区的位置效应校正是相同的。因此，与单独校正每一个IC区的设计方法相比较，因为操作210大幅度降低了设计工具处理时间，所以该操作不仅是合理的并且是所期望的。例如，关于图5所示的设计布局120，只有五个IC区经受校正工艺，这表示处理时间减小了 85%。
[0051]在本实施例中，操作210执行基于模型的校正工艺，该基于模型的校正工艺使用模拟模型(被称为校正模型)以调整IC设计布局120。校正工艺和校正模型包括位置效应。在实施例中，校正工艺和校正模型还包括邻近效应，使得在一个工艺中校正位置效应和邻近效应。在本实施例中，校正工艺应用于IC设计布局120的每一个第一 IC区122。
[0052]在实施例中，当校正工艺应用于IC区时，通过多种措施(包括重新定位、调整大小、再成形、添加辅助部件、添加分散的部件或它们的组合)来调节IC区的IC图案。根据IC区的位置效应和相应的坐标集来进行这种调节。然后校正模型应用于调节IC区中的IC图案以生成模拟轮廓。模拟轮廓反映位置效应和/或邻近效应对调节的IC图案的影响。对轮廓进行评估，以检查轮廓是否符合目标(或目标点)的要求，这意味着轮廓与目标一致或在预定范围内接近目标。如果目标不符合轮廓的要求，则对IC区中的调节的IC图案应用另一调节。然后使用校正模型的另一模拟应用于新调节的IC图案，以生成另一轮廓。进一步检测所生成的轮廓，以查看目标是否符合要求。重复该校正工艺直到所分配的目标符合要求。最终调节的IC图案称为校正的IC图案124。类似地，通过校正工艺的最终调节的IC设计布局称为校正的IC设计布局120。
[0053]方法200 (图2)进行至操作212，以适合于进一步的半导体制造工艺(诸如掩模制造或晶圆制造)的格式完成(tape-out)校正的IC设计布局120。在实施例中，方法200在完成用于掩模制造的数据之前对校正的IC设计布局120执行掩模规则检查(MRC)。MRC用包含特定几何和连接限制的掩模创建规则集来检查校正的IC设计布局120，以确保足够的裕度及消除半导体制造工艺的变异性。MRC可以修改校正的IC设计布局120以弥补掩模制造期间的限制。在使用诸如EBDW或离子束光刻的无掩模光刻的另一个实施例中，未制造掩模。校正的IC设计布局120可以直接用于晶圆制造的这种无掩模光刻。在这种情况下，可以从例如电子束直写提取一些其他的规则，称为EBDW规则。代替执行掩模规则检查，根据EBDW规则检查校正的IC设计布局120，并且根据EBDW规则修改该校正的IC设计布局120，使得可以根据修改的IC设计布局恰当地实施EBDW。
[0054]在多个实施例中，方法200可以包括IC制造的进一步的工艺步骤。例如，方法200可以进行至基于完成的修改的IC设计布局120来制造掩模或一组掩模。在实施例中，电子束或多电子束用于基于完成的IC设计布局形成掩模(光掩模或中间掩模)上的图案。掩模可以具有不同类型，诸如透射掩模或反射掩模，并且可以用诸如二元掩模或相移掩模(PSM)的多种技术来形成该掩模。在一个实例中，二元掩模包括透明衬底(如，熔凝石英)和涂覆在掩模的不透明区中的不透明材料(如，铬)。在另一个实例中，PSM包括多种部件，该多种部件被配置为具有适当的相差以提高分辨率和成像质量。在多个实例中，PSM可以是衰减PSM或本领域中已知的可选的PSM。
[0055]在实施例中，方法200可以进行至使用通过以上方法所形成的掩模或掩模组来制造半导体晶圆。半导体晶圆包括硅衬底或其他适当的衬底和形成在衬底上的材料层。在这种情况下，EUV光刻可以用于使用掩模制造半导体晶圆。在另一个实施例中，完成的IC设计布局120直接用于通过EBDW光刻装置图案化半导体晶圆。在两者择一的情况(EUV或EBDff)下，由于校正工艺考虑邻近效应和位置效应，所以基本提高了成像质量。
[0056]现在参考图7，其中示出了用于实施上述方法200的实施例的示例性计算机系统700。使用计算机系统700的一个实例是执行位置效应分析并且相应地对多个IC区进行分组。由于分组的多种可能性和不同的分辨率等级，所以可以实施计算机辅助自动化程序来最优化第一 /第二 IC区识别。使用计算机系统700的另一个实例是模拟OPC或LEC工艺，以生成模拟轮廓并且对于邻近效应和/或位置效应而重复地校正IC设计图案。使用计算机系统700的又一个实例是将设计布局120储存在一种或多种计算机可读介质中，以用于将设计布局120从一个工艺阶段(或工具)转移至另一个工艺阶段(或工具)。计算机系统700包括通过一条或多条总线712互连的微处理器702、输入设备704、储存设备706、视频控制器708、系统存储器710、显示器714和通信设备716。储存设备706可以是软盘驱动器、硬盘驱动器、⑶-R0M、光盘驱动器、闪存驱动器或任何其他形式的储存设备。储存设备706能够接收可包含计算机可执行指令的软盘、⑶-R0M、DVD-R0M、闪存驱动器或任何其他形式的计算机可读介质。通信设备716可以是调制解调器、网卡或任何其他设备，以使计算机系统能够与其他节点通信。另外，任何计算机系统可以表示多个互连(无论是通过内部网络还是互联网)的计算机系统，包括(但不限于)个人计算机、大型主机、PDA和手机。
[0057]计算机系统通常至少包括能够执行机器可读指令的硬件，以及执行产生期望结果的行为(通常是机器可读指令)的软件。另外，计算机系统可以包括硬件和软件的混合，以及计算机子系统。
[0058]硬件通常至少包括具有处理器功能的平台，诸如客户机(也被称为个人计算机或服务器)和手持式处理设备(诸如，例如智能手机、个人数字助理(PDA)或个人计算设备(PCD))。而且，硬件可以包括能够储存机器可读指令的任何物理设备，诸如存储器或其他数据储存设备。其他形式的硬件包括硬件子系统，例如，包括转换设备，诸如调制解调器、调制解调器卡、端口和端口卡。
[0059]软件包括储存在任何存储器介质(诸如RAM或ROM)中的任何机器代码和储存在其他设备(诸如，例如软盘、闪速存储器或CD