为1:25的微米石墨粉末和纳米石墨粉末组成，所述微米石墨粉末的粒径为30μηι，所述纳米石墨粉末的粒径为40nm，二氧化娃粉末的粒径为50nm。这样的组合和粒径使得银楽导电性能更好，附着力更好。
[0077]进一步地，所述步骤Al中溅射功率为350W。
[0078]进一步地，所述步骤A4导电银浆的激光蚀刻速度为2500 mm/s，蚀刻功率为25W，蚀刻频率为200kHz。
[0079]进一步地，所述步骤A6中电极图案的激光蚀刻速度为400mm/s，蚀刻功率为20W，蚀刻频率为150kHz。
[0080]本实例中，GG单层多点无边框触摸屏的透光率为88%，雾度为2.0，产品外观无损伤及磨损、无变形、不变色、无气泡和剥离，ITO导电玻璃I的方阻在120 Ω以下，产品性能好，产品良率(以500个为统计单位)为96%。
[0081 ] 实施例5
本实施例与实施例1的不同之处在于:
本实施例中，所述FPC2包括FPC主体区及连接于FPC主体区末端的FPC延长区，FPC主体区包括金手指，金手指距离FPC边缘的距离为4mm。
[0082]进一步地，所述钢化玻璃盖板6分为黑框区和透明区，所述黑框区包括纵向黑框区和横向黑框区，所述横向黑框区对应于横向走线区设置，所述ITO导电玻璃I超出透明区的横向边界0.6_，可改善边界的视觉效果。
[0083]本实施例中，银浆由以下重量百分比的原料组成:
银粉末61%
双酸A型环氧树脂 8%
聚氨酯2%
聚丙二醇二缩水甘油醚2%
石墨粉末1.5%
二氧化硅粉末1.5%
四氢呋喃23%
2-苯基咪唑1%，
以上重量百分比之和为100%，所述银粉末由质量比为1:20的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为50μηι，所述纳米银粉末的粒径为30nm，所述石墨粉末由质量比为1:30的微米石墨粉末和纳米石墨粉末组成，所述微米石墨粉末的粒径为30μηι，所述纳米石墨粉末的粒径为30nm，二氧化娃粉末的粒径为300nm。这样的组合和粒径使得银楽导电性能更好，附着力更好。
[0084]进一步地，所述步骤Al中溅射功率为200W。<br>[0085]进一步地，所述步骤A4导电银浆的激光蚀刻速度为2500 mm/s，蚀刻功率为30W，蚀刻频率为200kHz。
[0086]本实施例中，GG单层多点无边框触摸屏的透光率为89%，雾度为1.8，产品外观无损伤及磨损、无变形、不变色、无气泡和剥离，ITO导电玻璃I的方阻在120 Ω以下，产品性能好，产品良率(以500个为统计单位)为95%。
[0087]本发明的制备工艺只需进行一次FPC压合，工艺简单，产品良率高，可保证触摸屏的优良性能和生产稳定性，实现触摸屏的多点触摸，达到无边框的视觉效果。
[0088]最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
【主权项】
1.一种GG单层多点无边框触摸屏，其特征在于:包括从上往下依次设置的钢化玻璃盖板、透明光学胶层及ITO导电玻璃，所述ITO导电玻璃的边框为走线区，所述走线区包括设置于触摸屏一端的横向走线区，所述ITO导电玻璃设有单端出线的单层多点电极图案，ΙΤ0导电玻璃的引出线对应设置于横向走线区，所述横向走线区压合FPC，IT0导电玻璃的引出线通过FPC连接有一 IC芯片。2.根据权利要求1所述的一种GG单层多点无边框触摸屏，其特征在于:所述钢化玻璃盖板的上表面为向上突起的弧形曲面。3.根据权利要求1所述的一种GG单层多点无边框触摸屏，其特征在于:所述钢化玻璃盖板分为黑框区和透明区，所述黑框区包括纵向黑框区和横向黑框区，所述横向黑框区对应于横向走线区设置，所述ITO导电玻璃超出透明区的横向边界0.5-0.8_。4.根据权利要求3所述的一种GG单层多点无边框触摸屏，其特征在于:所述纵向黑框区的宽度为0-0.8mm。5.根据权利要求1所述的一种GG单层多点无边框触摸屏，其特征在于:所述透明光学胶层为OCA胶层、COF胶层或SCA胶层。6.根据权利要求1-5任一项所述的一种GG单层多点无边框触摸屏的制备工艺，其特征在于:包括以下步骤: 前段工序: (Al)ITO镀膜:采用磁控溅射的方法在玻璃基片的正面镀ITO薄膜，在磁控溅射的同时采用紫外光照射;然后真空退火，得到ITO导电玻璃粗品； (A2)清洗:对ITO导电玻璃粗品进行清洗； (A3)蚀刻去除:采用激光蚀刻将ITO导电膜粗品位于预设视窗区之外的ITO薄膜除去；(A4)印刷导电银浆:在ITO导电玻璃粗品的激光蚀刻区域印刷导电银浆，形成导电银浆层，对导电银浆进行激光蚀刻银浆线，形成横向走线区； (A5)烘烤:对蚀刻有银浆线的ITO导电玻璃粗品进行烘烤； (A6)蚀刻电极图案:对ITO导电玻璃粗品的预设视窗区进行激光蚀刻蚀刻电极图案； (A7)覆膜:在印刷导电银浆后的ITO导电玻璃粗品覆上保护膜； (A8)裁切:裁切形成ITO玻璃功能片； 后段工序: (Bl)ACF绑定:对前段工序做好的ITO玻璃功能片绑定ACF导电胶； (B2)FPC2热压:对贴好的ACF导电胶的ITO玻璃功能片的横向走线区热压FPC2; (B3)透明光学胶层7贴合:对压合好FPC2的ITO玻璃功能片贴合透明光学胶层7 ; (B4)组合:将贴好透明光学胶层7的ITO玻璃功能片和钢化玻璃盖板6进行组合，得到一种GG单层多点无边框触摸屏。7.根据权利要求6所述的一种GG单层多点无边框触摸屏的制备工艺，其特征在于:所述步骤Al中溅射功率为80-350W。8.根据权利要求6所述的一种GG单层多点无边框触摸屏的制备工艺，其特征在于:所述步骤AS中银浆由以下重量百分比的原料组成: 银粉末60-70% 四氢呋喃13-23% 双酸A型环氧树脂6-12% 聚氨酯2-6% 2-苯基咪唑1-3% 聚丙二醇二缩水甘油醚 1-3% 石墨粉末1-2% 二氧化硅粉末1_2%， 以上重量百分比之和为100%，所述银粉末由质量比为1:20-1: 30的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为30-50μπι，所述纳米银粉末的粒径为20-50nm;所述石墨粉末由质量比为1:20-1:30的微米石墨粉末和纳米石墨粉末组成，所述微米石墨粉末的粒径为30-50μηι，所述纳米石墨粉末的粒径为20-40nm;所述二氧化娃粉末的粒径为30-60nmo9.根据权利要求6所述的一种GG单层多点无边框触摸屏的制备工艺，其特征在于:所述步骤A4中导电银浆的激光蚀刻速度为1500 -2500mm/s，蚀刻功率为10-30W，蚀刻频率为100-200kHzo10.根据权利要求6所述的一种GG单层多点无边框触摸屏的制备工艺，其特征在于:所述步骤A6中电极图案的激光蚀刻速度为400 -900mm/s，蚀刻功率为15-30W，蚀刻频率为50-150kHz ο
【专利摘要】本发明涉及触摸屏技术领域，尤其涉及一种GG单层多点无边框触摸屏及其制备工艺。触摸屏包括钢化玻璃盖板、透明光学胶层及ITO导电玻璃，ITO导电玻璃边框的走线区包括设于触摸屏一端的横向走线区，ITO导电玻璃设有单端出线的单层多点电极图案，横向走线区压合有FPC，FPC连接有一IC芯片。本发明通过在触摸屏一端的横向走线区压合FPC，取消了原有的左、右纵向走线区，使触摸屏的纵向边无需布线，从而营造无边框视觉效果；本发明在磁控溅射进行ITO镀膜时采用紫外光照射，提高了ITO导电玻璃的光电性能，制备过程只需一次FPC压合，工艺简单，产品良率高，可保证触摸屏的优良性能和生产稳定性。
【IPC分类】G06F3/041, G06F3/044
【公开号】CN105511681
【申请号】CN201511014789
【发明人】李林波
【申请人】东莞市平波电子有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年12月31日...