高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的制作方法_2

文档序号:8731819阅读:来源:国知局
需于单边设置连接线路,可增加导体区块之间的感应电容变化量,以便使用较小的电压即能驱动导体区块线,同时可提升接触点侦测的准确度。
【附图说明】
[0033]为进一步说明本实用新型的技术内容,以下结合实施例及附图详细说明如后,其中:
[0034]图1是已知互感应电容感测的示意图。
[0035]图2是本实用新型的一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的叠层示意图。
[0036]图3是遮光层的示意图。
[0037]图4是本实用新型感应电极及走线层与感应电极层的示意图。
[0038]图5是本实用新型第一导体区块线及第二导体区块线的示意图。
[0039]图6是本实用新型第一导体区块线及第二导体区块线的另一示意图。
[0040]图7A及图7B是本实用新型第一导体区块及第二导体区块的互感应电容的一示意图
[0041]图8是本实用新型图4中A-A’处的剖面图。
[0042]图9是本实用新型第一导体区块线及第二导体区块线的又一示意图。
[0043]图10是本实用新型的一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的另一示意图。
[0044]图11是本实用新型第一导体区块线的示意图。
[0045]图12是本实用新型的一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的另一叠层示意图。
[0046]图13是本实用新型的一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的又一叠层示意图。
【具体实施方式】
[0047]本实用新型是关于一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构。图2是本实用新型的一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构200的叠层示意图,如图2所示,该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构200包括有第一基板210、一第二基板220、一显示层230、一薄膜晶体管层240、一感应电极及走线层250、一感应电极层260、一遮光层(black matrix) 270、一彩色滤光层(color filter) 280、一第一偏光层(upperpolarizer) 300、一第二偏光层(lower polarizer) 310、一第一绝缘层 320、一第二绝缘层330、及一第三绝缘层340。该显示层230于本实施例中较佳为一液晶层。
[0048]该第一基板210及该第二基板220较佳为玻璃基板,该第一基板210及该第二基板220以平行成对的配置将该显示层230夹置于二基板210,220之间。该第二基板220 —般称为薄膜晶体管基板(thin film transistor substrate,TFT substrate),当作开关用的薄膜晶体管一般设置于薄膜晶体管基板(TFT substrate)上。
[0049]该遮光层(black matrix) 270是位于该第一基板210的面向显示层230 —侧的表面,该遮光层270是由多条遮光线条所构成,该多条遮光线条271设置于一第一方向(X)及一第二方向(Y),以形成多个包含遮光栅格与透光区的遮光区块273。
[0050]图3是遮光层270的示意图,其是相同于一般已知液晶显示器的遮光层。如图3所示,遮光层270是由不透光的黑色绝缘材质的线条构成多条遮光线条271,所述黑色绝缘材质的多条遮光线条271是互相垂直分布于该已知遮光层270,故该遮光层270又称为黑矩阵(black matrix)。而本实用新型具有如此的遮光层270,且彩色滤光层(color filter) 280则分布在所述黑色绝缘材质的线条之间的遮光区块273。
[0051]本实用新型是在薄膜晶体管层240的面向该显示层230 —侧设置感应电极及走线层250及感应电极层260,并在其上布植感应触控图型结构。
[0052]该薄膜晶体管层240位于该第二基板220的面向该显示层230 —侧的表面,该薄膜晶体管层240具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线,该K条栅极驱动线及L条源极驱动线设置于该第一方向(X)及该第二方向(Y),以形成多个像素区块。每一个像素区块具有对应的一像素晶体管及一像素电容,依据一显示像素信号及一显示驱动信号,以驱动对应的该像素晶体管及该像素电容,进而执行显示操作,其中,K、L为正整数。薄膜晶体管层240具有薄膜晶体管291及透明电极293。该透明电极293与一共通电极层(Vcom,图未示)形成前述的像素电容。
[0053]图4是本实用新型感应电极及走线层与感应电极层的示意图。该感应电极及走线层250位于该薄膜晶体管层240的面向该显示层230的一侧,并具有沿着一第一方向(X)排列的M条第一导体区块线40-1,40-2,…,40-M及N条连接线41-1,41-2,…,41-N,其依据一触控驱动信号而感应是否有一外部对象接近,其中,M、N为正整数。该M条第一导体区块线40-1,40-2,…,40-M的每一条第一导体区块线是由多个第一导体区块400所组成。其中,该M条第一导体区块线40-1,40-2,...,40-M及该N条连接线41-1,41-2,…,41-N是由金属导电材料所制成,于本实施例,该N条连接线41-1,41-2,…,41-N的长度相同。
[0054]该感应电极层260位于该薄膜晶体管层240的面向该显示层230 —侧的表面上,其是介于该感应电极及走线层250及该薄膜晶体管层240之间,并具有沿着一第二方向(Y)排列的N条第二导体区块线50-1,50-2,…,50-N,其执行触控感应时,接受该触控驱动信号,每一第二导体区块线50-1,50-2,…,50-N以一对应的第i条连接线41-1,41-2,…,41-N延伸至该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的一侧边201,i为正整数且I彡i彡N。该N条第二导体区块线50-1,50-2,…,50-N的每一条第二导体区块线是由多个第二导体区块500所组成。其中,该第一方向是垂直第二方向。该多个第一导体区块400、该N条连接线41-1,41-2,…,41-N、及该多个第二导体区块500的位置是依据与该薄膜晶体管层240的K条栅极驱动线及该L条源极驱动线的位置相对应而设置。
[0055]如图4所示,该M条第一导体区块线40-1,40-2,…,40-M及该N条第二导体区块线50-1,50-2,…,50-N的每一导体区块线是分别由该多个第一导体区块400及该多个第二导体区块500所构成。
[0056]该M条第一导体区块线40-1,40_2,…,40-M的每一条第一导体区块线的多个第一导体区块400是形成一个四边型区域,且电气连接在一起,该M条第一导体区块线40-1,40-2,.”,40-Μ的每一条第一导体区块线之间并未电气连接。同样地,该N条第二导体区块线50-1,50-2,…,50-N的每一条第二导体区块线的多个第二导体区块500是形成一个四边型区域,且电气连接在一起,该N条第二导体区块线50-1,50-2,…,50-N的每一条第二导体区块线之间并未连接。其中,该N条连接线的每一条连接线是排列于两条第一导体区块线 40-1,40-2,".JO-M 之间。
[0057]该M条第一导体区块线40-1,40-2,*..,40-Μ及该N条第二导体区块线50_1,50-2,…,50-Ν并未电气连接。其可在该感应电极及走线层250及该感应电极层260之间设置一第一绝缘层320。亦可仅在该M条第一导体区块线40-1,40-2,...,40-Μ及该N条第二导体区块线50-1,50-2,…,50-Ν交叉处设置绝缘区块。
[0058]该多个第一导体区块400及该多个第二导体区块500是形成一个四边型区域且由金属导电材料所制成,其中,该四边型区域是为下列形状其中之一:长方形、正方形。该金属导电材料是为下列其中之—:钼、钡、铝、银、铜、钛、镍、钽、钴、钨、儀(Mg)、钙(Ca)、钾⑷、锂(Li)、铟(In)、合金、氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氧化锂(L1)。
[0059]该N条连接线41-1,41_2,…,41-Ν的每一条连接线是设置于两条第一导体区块线 40-1,40-2,…,40-Μ 之间。
[0060]图5是本实用新型第一导体区块线、第二导体区块线、栅极驱动线及源极驱动线的示意图。该多个第一导体区块400、该N条连接线41-1,41-2,…,41-Ν、及该多个第二导体区块500的位置是依据与该薄膜晶体管层240的该K条栅极驱动线241及L条源极驱动线243的位置相对应而设置。
[0061]于图5中,栅极驱动线241是沿着第二方向⑴排列,源极驱动线243是沿着第一方向(X)排列。于其他实施例中,栅极驱动线241可沿着第一方向(X)排列,源极驱动线243可沿着第二方向(Y)排列。如图4所示,该薄膜晶体管层240的该K条栅极驱动线241与该薄膜晶体管层240的该L条源极驱动线243形成多个像素区块245。每一像素区块245的长度与宽度分别为一第一距离dl及一第二距离d2。
[0062]如图5所示,该第一导体区块线与该第二导体区块线叠置时,是以差排方式(dislocat1n)叠置。该第一导体区块400的中心位置与该第二导体区块500的中心位置在该第二方向(Y)上相差一第一距离dl的一第一倍数h,在该第一方向(X)上相差一第二距离d2的一第二倍数w,其中,h、w为正整数。
[0063]该多个像素区块245的每一像素区块的长度与宽度分别为该第一距离dl及该第二距离d2。该多个第一导体区块的每一第一导体区块400的长度与宽度分别为一第三距离及一第四距离,该多个第二导体区块的每一第二导体区块500的长度与宽度分别为该第五距离及该第六距离,当中,该第三距离为第一距离dl的第三倍数hi的两倍(=2hlXdl),该第四距离为第二距离d2的第四倍数wl的两倍(2wlXd2),该第五距离为第一距离dl的一第五倍数h2的两倍(=2h2Xdl),该第六距离为第二距离d2的一第六倍数w2的
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