两倍(2w2Xd2)，其中，hl、wl、h2、w2 为正整数。
[0064]如图5所示，该多个像素区块245的每一像素区块的长度与宽度分别为该第一距离dl及该第二距离d2、且第三倍数hi为1、第四倍数wl为1、第五倍数h2为1、第六倍数w2为I时，该多个第一导体区块400的每一第一导体区块的长度与宽度分别为一第三距离及一第四距离，该多个第二导体区块500的每一第二导体区块的长度与宽度分别为该第五距离及该第六距离。亦即，因为第三倍数hi为1、第四倍数wl为1、第五倍数h2为1、及第六倍数w2为I，故该第三距离为第一距离dl的两倍(=2hl X dl-2 X dl)，该第四距离为第二距离d2的两倍(2wlXd2 = 2 X d2)，该第五距离为第一距离dl的两倍(=2h2Xdl =2 X dl)，该第六距离为第二距离d2的两倍(2w2 X d2 = 2 X d2)。也就是说，每一第一导体区块400及每一第二导体区块500的大小是为4个像素区块245的大小。
[0065]如图5所示，该第一导体区块400与该第二导体区块500以差排方式(dislocat1n)叠置时，该第一导体区块400的中心位置Xl与该第二导体区块500的中心位置X2在该第二方向(Y)上相差一 h倍第一距离dl ( = hxdl = dl)，在该第一方向(X)上相差一 w倍第二距离d2( = wxd2 = d2)。亦即，当该第一导体区块400的顶点P与像素区块245-1的顶点01对齐时，该第二导体区块500的顶点Q与该第一导体区块400的顶点P在该第二方向(Y)上相差一个第一距离dl，在该第一方向(X)上相差一个第二距离d2。当该第一导体区块400的顶点P与像素区块245-1的顶点01对齐时，该第二导体区块500的顶点Q与像素区块245-2的顶点02对齐。或是说，该第一导体区块400的中心点Xl与像素区块245-2的顶点02对齐，该第二导体区块500的中心点X2与像素区块245-3的顶点03对齐。
[0066]该第一导体区块400与该第二导体区块500的间隔距离、线宽与栅极驱动线241的间隔距离、线宽及源极驱动线243的间隔距离、线宽相同、且薄膜晶体管层240 —定会设置栅极驱动线241及源极驱动线243，以形成像素区块245。因此本案的该第一导体区块400与该第二导体区块500并不影响透光率。
[0067]图6是本实用新型第一导体区块线及第二导体区块线的另一示意图。该第一导体区块400的中心位置与与该第二导体区块500的中心位置在该第二方向(Y)上相差一第一距离dl的一第一倍数h，在该第一方向(X)上相差一第二距离d2的一第二倍数w，其中，h、w为正整数。该多个像素区块245的每一像素区块的长度与宽度分别为该第一距离dl及该第二距离d2。该多个第一导体区块的每一第一导体区块400的长度与宽度分别为一第三距离及一第四距离，该多个第二导体区块的每一第二导体区块500的长度与宽度分别为该第五距离及该第六距离，当中，该第三距离为第一距离dl的第三倍数hi的两倍(=2hl Xdl)，该第四距离为第二距离d2的第四倍数wl的两倍(2wlXd2)，该第五距离为该第一距离的第五倍数h2的两倍(=2h2Xdl)，该第六距离为该第二距离的第六倍数w2的两倍(2w2 X d2) ο
[0068]如图6所示，该多个像素区块的每一像素区块245的长度与宽度分别为该第一距离dl及该第二距离d2，且第三倍数hi为2、第四倍数wl为2、第五倍数h2为2、第六倍数w2为2时，该第三距离为第一距离dl的四倍( = 2hlXdl =4Xdl)，该第四距离为第二距离d2的四倍(2wlXd2 = 4X d2)，该第五距离为第一距离dl的四倍(=2h2Xdl = 4Xdl)，该第六距离为第二距离d2的四倍(2w2Xd2 = 4Xd2)。也就是说，每一第一导体区块400及每一第二导体区块500的大小是为16个像素区块245的大小。
[0069]该第一导体区块400与该第二导体区块500以差排方式(dislocat1n)叠置时，该第一导体区块400的中心位置与Xl该第二导体区块500的中心位置X2在该第二方向(Y)上相差第一倍数h倍第一距离，第一倍数h为2(hXdl = 2dl)，在该第一方向(X)上相差一第二倍数w倍第二距离，第二倍数h为2 (wxd2 = 2d2)。亦即，该第二导体区块500的顶点Q与该第一导体区块400的顶点P在该第二方向(Y)上相差一 2倍第一距离(hXdl=2dl)，在该第一方向(X)上相差一 2倍第二距离(wxd2 = 2d2)。当该第一导体区块400的顶点P与像素区块245-1的顶点Ol对齐时，该第二导体区块500的顶点Q与像素区块245-3的顶点03对齐。或是说，该第一导体区块400的中心点Xl与像素区块245-3的顶点03对齐，该第二导体区块500的中心点X2与像素区块2455的顶点05对齐。
[0070]由图5、图6及相关描述，当第三倍数hi为2及第四倍数wl为3、第五倍数h2为2、第六倍数《2为3、或是其他数值时，熟于该技术者可依据本实用新型的说明而得知该第一导体区块线400与该第二导体区块线500以差排方式(dislocat1n)叠置的情形，在此不再赘述。
[0071]图7A及图7B是本实用新型第一导体区块及第二导体区块的互感应电容(Mutualcapacitance)的一示意图。如图7A所示，第一导体区块线40_1在椭圆V2处与第二导体区块线50-N在椭圆Vl及椭圆V3处互相平行，同理，第二导体区块线50-N在椭圆V3处与第一导体区块线40-1在椭圆V2及椭圆V4处互相平行，因此可增加第一导体区块线401与第二导体区块线50-N之间的感应电容。同样地，如图7B所示，第二导体区块线50-N在椭圆H2处与第一导体区块线40-1在椭圆Hl及椭圆H3处互相平行，因此可增加第一导体区块线40-1与第二导体区块线50-N之间的感应电容。同理，第一导体区块线40-1在椭圆H3处与第二导体区块线50-N在椭圆H2及椭圆H4处互相平行。本实用新型通过将该第一导体区块线与该第二导体区块线以差排方式(dislocat1n)叠置，可增加该第一导体区块线40-1，40-2，...，40-M与该第二导体区块线50-1，50-2，…，50-N之间的感应电容。故控制电路的内部驱动器(图未示)可以使用较小的电压，以驱动第一导体区块线，而获得与已知技术相同的感应电容变化量，可较已知技术节省电力消耗，因此，本实用新型尤其适合手持式装置。同时，由于该第一导体区块线40-1，40-2，…，40-M与该第二导体区块线50-1，50-2，...，50-Ν之间的感应电容变化量变大，控制电路的传感器(图未示)更能准确地侦测该第二导体区块线50-1，50-2，…，50-Ν上的电压，而可提升触碰的准确度。
[0072]如图4所示，该每一第二导体区块线50-1，50-2，…，50-Ν在虚线椭圆处与对应的连接线41-1，41-2，…，41-Ν电气连接，而该N条连接线41-1，41-2，…，41-Ν的每一条连接线亦分别以对应的金属走线延伸至该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构200的同一侧边201，以进一步连接至一软性电路板600。每一第一导体区块线40-1，40-2，…，
40-Μ是分别以对应的金属走线延伸至该面板的同一侧边201，以进一步连接至一软性电路板 600。
[0073]该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构200的表面是用以接收至少一个触控点。其还包含有一控制电路610，其是经由该软性电路板600电性连接至该M条第一导体区块线40-1，40-2，...，40-Μ及该N条第二导体区块线50-1，50-2，...，50-Νο
[0074]该M条第一导体区块线40-1，40-2，*..，40-Μ及该N条第二导体区块线50_1，50-2，…，50-Ν是根据一手指或一外部对象触碰该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构200的至少一触控点的位置而对应地产生一感应信号。一控制电路610是经由该软性电路板600电性连接至该M条第一导体区块线40-1，40-2，…，40-Μ及该N条第二导体区块线50-1，50-2，…，50-Ν，并依据感应信号计算该至少一触控点的坐标。
[0075]图8是本实用新型图4中Α-Α’处的剖面图。如图8所示，该第二导体区块线50_Ν与该连接线41-1在图4中的B椭圆处电气连接。如图2及图8所示，在该感应电极及走线层250及该感应电极层260之间设有该第一绝缘层320，该第二导体区块线50-N经由贯孔(via) 52穿过该第一绝缘层320而与该连接线41_1电气连接，亦即，经由该连接线41_1，该第二导体区块线50-N可将其感测到的信号传输至该控制电路610。
[0076]于图5及图6的实施例中，该第三距离为该第一距离dl的该第三倍数hi的两倍(=2hl Xdl)，该第四距离为该第二距离d2的该第四倍数wl的两倍(2wlXd2)，该第五距离为该第一距离dl的该第五倍数h2的两倍(=2h2Xdl)，该第六距离为该第二距离d2的该第六倍数w2的两倍(2w2Xd2)。而于其他实施例中，该第三距离只要大于或等于该第一距离dl的两倍、该第四距离只要大于或等于该第二距离d2的两倍、该第五距离只要大于或等于该第一距离dl的两倍、该第六距离只要大于或等于该第二距离d2的两倍即可。
[0077]图9是本实用新型第一导体区块线及第二导体区块线的又一示意图。如图9所示，该第三距离为该第一距离dl的两倍，该第四距离为该第二距离d2的三倍，该第五距离为该第一距离dl的两倍，该第六距离为该第二距离d2的三倍。此时，该第一导体区块400的中心位置与Xl该第二导体区块500的中心位置X2在该第二方向(Y)上相差一第一距离(dl)，在该第一方向(X)上相差一第二距离(d2)。亦即，当该第一导体区块400的顶点P与像素区块2451的顶点Ol对齐时，该第二导体区块500的顶点