高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的制作方法_5

文档序号:8731819阅读:来源:国知局
计将增加触控面板边框的宽度,并不适合窄边框设计的趋势。同时,当采用氧化铟锡材质当作跨桥结构以连接两个氧化铟锡材质的电极点时,由于氧化铟锡材质不像金属具有良好的延展性,容易在跨桥处产生断点或是电气信号不良等现象。若使用金属当作跨桥结构以连接两个氧化铟锡材质的电极点时,由于金属与氧化铟锡为异质材质,容易在跨桥处产生电气信号不良现象,而影响侦测触碰点的正确性。
[0093]而本实用新型不论是M条第一导体区块线40-1,40-2,…,40-M及N条第二导体区块线50-1,50-2,…,50-N或是走线均为金属材质,可较已知技术有较佳的传导性,而容易将导体线的感应信号传输至该控制电路,而使该控制电路计算出的坐标更准确。较已知技术有较佳的透光率,且可避免使用昂贵的氧化铟锡材质,据此降低成本。且较已知技术更适合设计在窄边框的触控面板,同时使用金属做为触控感应电极具有高延展性,适用于软性显示器。
[0094]同时,本实用新型通过将该第一导体区块线40-1,40-2,…,40_M与该第二导体区块线50-1,50-2,…,50-N以差排方式(dislocat1n)叠置,可增加该第一导体区块线40-1,40-2,...,40-M与该第二导体区块线50-1,50-2,…,50-N之间的感应电容。故控制电路的内部驱动器(图未示)可以使用较小的电压,以驱动第一导体区块线,而获得与已知技术相同的感应电容变化量,可较已知技术节省电力消耗。因此,本实用新型尤其适合手持式装置。同时,由于该第一导体区块线40-1,40-2,…,40-M与该第二导体区块线50-1,50-2,...,50-Ν之间的感应电容变化量变大,控制电路的传感器(图未示)更能准确地侦测该第二导体区块线50-1,50-2,…,50-Ν上的电压,相较已知技术更可提升触碰的准确度。
[0095]上述实施例仅是为了方便说明而举例而已,本实用新型所主张的权利范围自应以权利要求范围所述为准,而非仅限于上述实施例。
【主权项】
1.一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,包括: —第一基板; 一第二基板,该第一基板及该第二基板以平行成对的配置将一显示层夹置于二基板之间; 一薄膜晶体管层,位于该第二基板的面向该显示层一侧的表面,该薄膜晶体管层具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线,该K条栅极驱动线及L条源极驱动线设置于一第一方向及一第二方向,以形成多个像素区块,每一个像素区块具有对应的一像素晶体管及一像素电容,依据一显示像素信号及一显示驱动信号,以驱动对应的该像素晶体管及该像素电容,进而执行显示操作,其中,K、L为正整数; 一感应电极及走线层,位于该薄膜晶体管层的面向该显示层的一侧,并具有沿着一第一方向排列的M条第一导体区块线及N条连接线,其依据一触控驱动信号而感应是否有一外部对象接近,其中,M、N为正整数,该M条第一导体区块线的每一条第一导体区块线是由多个第一导体区块所组成;以及 一感应电极层,位于该薄膜晶体管层的面向该显示层的一侧,该感应电极层介于该感应电极及走线层及该薄膜晶体管层之间,其具有沿着一第二方向排列的N条第二导体区块线,其执行触控感应时,接受该触控驱动信号,每一第二导体区块线以一对应的第i条连接线延伸至该高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构的一侧边,i为正整数且Ι^?^Ξ N,该N条第二导体区块线的每一条第二导体区块线由多个第二导体区块所组成; 其中,该多个第一导体区块、该N条连接线、及该多个第二导体区块的位置依据与该薄膜晶体管层的K条栅极驱动线及该L条源极驱动线的位置相对应而设置。
2.如权利要求I所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,该第一导体区块与该第二导体区块叠置时,是以差排方式叠置。
3.如权利要求2所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,该多个像素区块的每一像素区块的长度与宽度分别为一第一距离及一第二距离。
4.如权利要求3所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,该第一导体区块与该第二导体区块以差排方式叠置时,该第一导体区块的中心位置与该第二导体区块的中心位置在该第二方向上相差该第一距离的一第一倍数,在该第一方向上相差该第二距离的一第二倍数,其中,该第一倍数及该第二倍数为正整数。
5.如权利要求4所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,该多个第一导体区块的每一第一导体区块的长度与宽度分别为一第三距离及一第四距离,该多个第二导体区块的每一第二导体区块的长度与宽度分别为一第五距离及一第六距离,当中,该第三距离为该第一距离的一第三倍数的两倍,该第四距离为该第二距离的一第四倍数的两倍,该第五距离为该第一距离的一第五倍数的两倍,该第六距离为该第二距离的一第六倍数的两倍,其中,该第三倍数、该第四倍数、该第五倍数、及该第六倍数为正整数。
6.如权利要求5所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,该第一倍数小于或等于该第三倍数或该第五倍数中较小者,该第二倍数小于或等于该第四倍数或该第六倍数中较小者,h ( min(hl,h2),w彡min(wl,w2),当中,h为该第一倍数,w为该第二倍数,hi为该第三倍数,wl为该第四倍数,h2为该第五倍数,w2为该第六倍数。
7.如权利要求1所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,每一第一导体区块线是分别以对应的金属走线延伸至该第一基板的同一侧边,以进一步连接至一软性电路板。
8.如权利要求7所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,该N条连接线、多个第一导体区块、及多个第二导体区块是由金属导电材料所制成。
9.如权利要求8所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,该M条第一导体区块线的每一条第一导体区块线的多个第一导体区块是形成一个四边型区域,且电气连接在一起,该M条第一导体区块线的每一条第一导体区块线之间并未连接,该N条第二导体区块线的每一条第二导体区块线的多个第二导体区块是形成一个四边型区域,且电气连接在一起,该N条第二导体区块线的每一条第二导体区块线之间并未连接。
10.如权利要求1所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,该第一方向垂直第二方向。
11.如权利要求1所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,该N条连接线的每一条连接线排列于两条第一导体区块线之间。
12.如权利要求9所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,该第一导体区块及该第二导体区块所形成的该四边型区域为下列形状其中之一:长方形、正方形。
13.如权利要求1所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其还包含: 一遮光层,位于该第一基板的面向该显示层的一侧的表面,该遮光层由多条遮光线条所构成,该多条遮光线条设置于该第一方向及该第二方向,以形成多个遮光区块; 一彩色滤光层,位于该遮光层的面向该显示层一侧的表面上; 一第一偏光层,位于该第一基板的背向该显不层一侧的表面;以及 一第二偏光层,位于该第二基板的背向该显示层一侧的表面。
14.如权利要求1所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,该显不层为一液晶层。
15.如权利要求1所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,该显示层为一有机发光二极管层。
16.一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,包括: —第一基板; 一第二基板,该第一基板及该第二基板以平行成对的配置将一显示层夹置于二基板之间; 一薄膜晶体管层,位于该第二基板的面向该显示层一侧的表面,该薄膜晶体管层具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线,该K条栅极驱动线及L条源极驱动线设置于一第一方向及一第二方向,以形成多个像素区块,每一个像素区块具有对应的一像素晶体管及一像素电容,依据一显示像素信号及一显示驱动信号,以驱动对应的该像素晶体管及该像素电容,进而执行显示操作,其中,K、L为正整数; 一感应电极层,位于该薄膜晶体管层的面向该显示层的一侧,并具有沿着一第二方向排列的N条第二导体区块线,其执行触控感应时,接受一触控驱动信号;以及 一感应电极及走线层,位于该感应电极层的面向该显示层的一侧,并具有沿着一第一方向排列的M条第一导体区块线及N条连接线,其依据一触控驱动信号而感应是否有一外部对象接近,其中,M、N为正整数,该M条第一导体区块线的每一条第一导体区块线由多个第一导体区块所组成; 其中,该多个第一导体区块、该N条连接线、及该多个第二导体区块的位置依据与该薄膜晶体管层的K条栅极驱动线及该L条源极驱动线的位置相对应而设置,且该第一导体区块与该第二导体区块叠置时,以差排方式叠置。
17.如权利要求16所述的高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,其特征在于,其中,该第一方向垂直第二方向。
【专利摘要】本实用新型提供一种高准确度的窄边框内嵌式平面显示触控结构,包括一第一及一第二基板、一薄膜晶体管层、一感应电极及走线层、及一感应电极层。薄膜晶体管层具有多条栅极驱动线及源极驱动线。感应电极及走线层具有沿着一第一方向排列的M条第一导体区块线及N条连接线,每一条第一导体区块线是由多个第一导体区块组成。感应电极层具有沿着一第二方向排列的N条第二导体区块线,每一条第二导体区块线是由多个第二导体区块组成,第一导体区块与第二导体区块的位置是依据多条栅极驱动线及源极驱动线的位置相对应设置、且以差排方式叠置。
【IPC分类】G06F3-044
【公开号】CN204440369
【申请号】CN201520016163
【发明人】李祥宇
【申请人】速博思股份有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2015年1月12日
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