利用薄层产生光学对比的制作方法

专利名称：：利用薄层产生光学对比的制作方法利用薄层产生光学对比相关申请的交叉引用本申请涉及同时递交的下述美国专利申请系列号—、名为"ContrastInversionforOpticalRecording"(代理人巻号16233-003001)，系列号—、名为"ContrastEnhancementforOpticalRecording"(代理人巻号16233-004001)，系列号—、名为"Micro-resonantStructureforOpticalRecording"(代理人巻号16233-005001)，系列号—、名为"GeneratingOpticalContrastUsingThinLayers"(代理人巻号16233-008001)以及系列号—、名为"MultipleRecordingStructuresforOpticalRecording"(代理人巻号16233-009001)，其全部在此通过引用引入。
背景技术：
：本发明涉及利用薄层产生光学对比(opticalcontrast)。光记录介质通过在介质中产生光学对比(例如对于光束的反射率方面的对比)储存数据。例如，可以通过形成具有更高及更低反射率的区域表示零和一而在记录介质上储存("刻录")二进制数据。用于可记录盘的一类记录介质具有可记录(可刻录)层，数据可以在该层中一次写入及多次读取。在刻录过程中，随着写光束(writebeam)根据编码数据(使用者意图写入该盘的数据的编码版本)扫描盘，写光束(例如激光束)调制在高功率级别和低功率级别之间。当写光束在高功率级别时，由高功率级别产生的热诱发改变可记录层反射比的反应，从而产生光学对比。在读取过程中，读光束(readbeam)扫描盘以检测光学对比序列，然后解码该序列以取回写入数据。目前商业可用可记录盘通常使用由有机染料组成并且大约100nm厚的刻录层。在将数据记录到盘上之前，染料对于读光束是相对透明的(例如，具有大于0.75的透射率和小于0.25的吸收率)。通过使用具有高于阈值的功率以诱发染料中(通常是放热)化学反应、造成染料变得不透明的写光束，将数据写入可记录层。同时，反应中释放的能量可在盘上造成微断裂标记(micro-rupturemark)，其也降低反射率。所述盘包括刻录层后面的反射层，以使通过刻录层的读光束经刻录层朝读光束源反射回来，并且转向检测反射的检测器。在染料不透明的区域，刻录层在读光束传至反射层时吸收它并且在其经刻录层回来时再次吸收它，因此，该盘的反射率在该区域低于在具有"纯(virgin)"透明度的区域。在下面说明中，材料层的光透射率定义为通过材料层的入射光百分率。材料层的光反射率定义为由材料层反射的入射光百分率。材料层的光吸收率定义为光通过材料层一次由材料层吸收的入射光百分率。通常包括一个(或者多个)刻录层的、具有特定结构的盘对于入射到该盘上的读光束具有一总反射率(其是由于该盘的各单个组成层的反射、透射以及吸收的组合的结果)。这一总反射率在已被刻录的区域和未被刻录的区域之间变化。可记录盘的标准与这一总反射率相关，并且对读光束的特定波长(或波长范围)做了规定。标准还与写入过程的特性相关，例如波长、功率级别、以及在盘上写入特定类型标记时的写光束的调制格式。可记录盘的实例包括CD-可记录盘(CD-R)、DVD-R、DVD+R、双层DVD+R(也称作DVD+RDL)、双层DVD-R(也称作DVD-RDL)、高密度DVD(HD-DVD)以及蓝光DVD。每种盘遵循规定编码/解码要求以及盘的光学特性的标准。在下述实例中，R1和R2指对于读光束分别在记录之前和以后的总反射率。该标准的一个实例包括CD-R标准(在也称作橙皮书的Philips、andSony'sRecordableCDStandard中规定)，其要求R1^45。/。且记录后的反射率降低至少60%。因此，(Rl-R2)/Rl>60%iR2/Rl<40%。写和读光束需要具有波长约780nm。类似地，DVD+R标准要求R1^45M且记录后的反射率降低至少60%，而读和写光束的波长分别是650nm和658nm。己经提出了一些使用非染料方法的光学可记录盘。在一个实例中，可记录层包括在刻录过程后变成更大反射性的材料层。一个实例是具有在200nm800nm范围的表面特征的金属层，其以随机方向反射读光束，从而减少光学检测器方向的反射光强度。当写光束应用于该金属层时，金属材料熔化，并且由于表面张力的缘故，形成可以在光学检测器方向反射更大百分率的读光束的更平滑表面。在另一实例中，可记录层包括相对较低反射率的金属-低-氧化物材料(例如7^203)，其可以在刻录过程后被诱导分解成相对较高反射率的金属和金属氧化物的混合物(例如Te+Te02)。也可以利用允许擦除己刻录数据的可重写盘。例如，一些可重写盘利用从较高反射率的微晶相到较低反射率的非晶相的相变材料光学特性用于记录，以及利用反相变材料光学特性用于擦除。
发明内容在总体方面，薄层纳米结构提供利用下述材料的一种或更多种特性产生光学对比的途径。(1)每种材料具有一定的电荷载流子(chargecarrier)密度n(其表示每立方厘米的电子数或空穴数)，其中电荷载流子具有有效质量m。n和m的值可以通过半导体领域已知的方法测量，例如霍尔电阻测量。(2)当存在引入到材料中的"净(net)"局部化电荷密度时，将有一个包围局部化电荷密度的鞘层，其中该鞘层具有称作德拜长度的厚度。当由局部化电荷密度变化产生的电场中存在波动时，波动的影响大部分被位于德拜长度内的电荷载流子所感知。例如，这些电荷密度变化可以受载流子移动穿过界面、电磁(EM)波通过材料或者由于热效应的电荷密度波动所诱发。(3)界面处的导带和/或价带(valanceband)能级(有时称作化学势)差异使得电子(或空穴)从界面的一侧移至另一侧，造成下述效果(a)其可以改变该结构在界面处的局部n值；(b)其可以在界面处产生局部化电场；(c)其可以改变电荷载流子的有效质量。因此，其可以改变界面处的电特性和光学特性。(4)只在EM波的频率高于临界频率时，才可以通过厚(巨大)材料传播EM波，该临界频率称作该材料的等离子体频率。如果EM波的频率低于其等离子体频率，辐射将被该材料反射和/或吸收。当EM波的频率高于等离子体频率，EM波只在其频率匹配量子吸收频率时才可能被吸收。除了这一情况，该材料对于EM波变得非常透明。然而，当材料厚度小于其德拜长度时，材料对于EM波将是部分透明的。(5)对于一阶近似，材料的等离子体频率正比于电荷载流子密度n的平方根，并且反比于有效质量m的平方根。(6)对于一阶近似，材料的德拜长度正比于电荷载流子的平均动能(或者材料的温度)，并且反比于电荷载流子密度n的平方根。(7)材料特性的改变(包括n和/或m值的改变)可以通过例如热致合金化、扩散、材料混合或化学反应使得界面(具有适当设计的纳米结构)更不清晰而实现。(8)当电荷载流子密度减小和/或有效质量增大至该结构的等离子体频率从高于变成低于读取激光束频率值的水平时，纳米结构变得对读取激光束更加透明。因此，通过适当设计的纳米结构可以产生光学对比。一方面，记录层通常利用纳米结构(例如，具有厚度例如2nm、10nm、15nm、20nm、25nm或30nm的薄层)，其具有至少两个具有足够反射率(和可选择地，足够不透明度)的材料层。选择所述至少两层的厚度和材料以便当该至少两层的界面通过热致合金化、扩散、材料混合或化学反应变得更不清晰时，该纳米结构变得更加透明。这一处理改变材料光透射率，其是通过减小纳米结构界面的特殊性或者通过在界面处产生另一材料层来减小纳米结构中n(电荷载流子密度)值和/或增大m(有效质量)值而实现的。这一纳米结构在界面加热至超过某一温度后，降低等离子体频率至低于读取激光束频率的值。因此，该结构变得透明或者对读光束从较大反射性的变成更加透明的以及较小反射性的。这一刻录过程通过调制激光束、电子束的功率级别或者来自金属尖的高强度电场强度的编码系统进行，以应用能量至该两层而造成合金化、扩散、材料混合或化学反应。不管所使用的编码系统类型如何，可以基于透射或反射光的对比，通过使用光学扫描系统检测这些刻录的数据。另一方面，可记录介质通常包括可记录结构，其对于读光束具有在应用能量时增大的透射率。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。可记录结构在应用能量前的透射率大于50%。可记录结构在应用能量后的透射率大于50%。可记录结构包括第一层和第二层。在一些实例中，第一和第二层中至少其一具有小于IOnm的平均厚度。在一些实例中，第一和第二层中至少其一具有小于5nm的平均厚度。在一些实例中，第一和第二层中至少其一具有小于2nm的平均厚度。应用能量时第一和第二层结合。在一些实例中，第一和第二层包括两个不同的半导体层。在一些实例中，第一和第二层包括两个不同的金属层。在一些实例中，第一和第二层包括两个不同的介电层。在一些实例中，第一和第二层包括一个半导体层和一个金属层。在一些实例中，第一和第二层包括一个半导体层和一个介电层。在一些实例中，第一和第二层包括一个金属层和一个介电层。在一些实例中，第一层包括铝、铜、金、银或锡，而第二层包括硅、氧化硅、锗、氧化钨或氧化钛。可记录结构包括第一层、第二层和第三层。应用能量时，第一层、第二层和第三层结合。在一些实例中，第一、第二和第三层包括金属层、介电层和半导体层。在一些实例中，第一、第二和第三层包括第一金属层、介电或半导体层以及第二金属层。第一和第二金属层可包括相同或不同的材料。在一些实例中，第一、第二和第三层包括第一介电层、金属或半导体层以及第二介电层。第一和第二介电层可包括相同或不同的材料。在一些实例中，第一、第二和第三层包括第一半导体层、金属或介电层以及第二半导体层。第一和第二半导体层可包括相同或不同的材料。在一些实例中，可记录结构具有小于20nm的厚度。在一些实例中，可记录结构具有小于10nm的厚度。可记录结构具有第一层和第二层，其中第一和第二层的厚度每个都小于基于该层电荷载流子密度确定的德拜长度的三倍。读光束具有的频率在400nm460nm、630nm690nm或750nm810nm的范围内。写光束提供能量，并且当应用能量时可记录介质的反射率减小。可记录介质在应用能量前后的反射率与CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。另一方面，光盘通常包括可记录结构，其对于读光束具有在应用能量时增大的透射率。光盘的实施可包括一种或更多种下述特征。可记录结构包括具有至少两个子层(在应用写入功率后结合)的刻录层。刻录层在刻录前对于读光束具有反射率R1和透射率T1。刻录层在刻录后对于读光束具有反射率R2和透射率T2，其中R1〉R2且T1<T2。光盘符合CD陽R、DVD画R、DVD+R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种。另一方面，可记录介质通常包括具有刻录区域的可记录结构，其中通过刻录的有或无携带信息，至少一些刻录区域对于读光束具有高于尚未被刻录区域的透射率。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。刻录区域表示逻辑l。空白区域包括第一材料和第二材料，在两材料之间具有清晰的界限，并且记录区域具有第三材料，其由第一和第二材料之间的相互作用产生。记录区域对于读光束具有低于空白区域的反射率，记录和空白区域的反射率与CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。另一方面，光学系统通常包括可记录介质和光驱。可记录介质包括可记录结构，其具有对于读光束在应用写入功率时增大的透射率。光驱包括光源以产生读光束、聚焦机构以聚焦读光束于可记录结构上、以及光检测器以检测从可记录介质反射的光。光学系统的实施可包括一种或更多种下述特征。可记录介质的反射率在应用写光束时减小。可记录介质在应用写光束前后的反射率与CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。另一方面，光学系统通常包括可记录介质和光驱。可记录介质包括可记录结构，其具有对于读光束在应用写入功率时增大的透射率。光驱适合于将数据记录在可记录介质中并且具有与写策略相关的预存储信息，该写策略与识别可记录介质的标识符相关。该系统使用写策略以写入信息至识别的可记录介质上。光学系统的实施可包括一种或更多种下述特征。可记录介质的反射率在应用能量时减小。可记录介质在应用能量前后的反射率与CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。另一方面，在可记录介质中写入信息的方法通常包括应用能量至可记录结构以提高可记录结构对于读光束的透射率。所述方法的实施可包括一种或更多种下述特征。读光束具有的波长在350nm450nm之间。可记录结构包括第一层和第二层。当应用能量时，第一和第二层结合以产生第三层。该第三层具有小于读光束频率的特征频率，且第一和第二层中至少其一具有高于读光束的特征频率。层的特征频率正比于n/m的平方根，其中n表示层的电荷载流子密度而m表示层中电荷载流子的有效质量。特征频率包括等离子体频率。应用能量至可记录结构也减少可记录介质的反射率。可记录介质在应用能量前后的反射率与CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。另一方面，从可记录介质读取信息的方法通常包括聚焦读光束至可记录结构上以检测第一部分，其具有比第二部分更低的反射率以及更高的透射率。所述方法的实施可包括一种或更多种下述特征。通过第一部分的有和无携带信息。读光束具有的频率在400nm460nm、630nm690nm或750nm810nm的范围内。第一和第二部分的反射率与CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。另一方面，写入数据的方法通常包括应用能量至刻录层以改变刻录层的特征频率以便特征频率从高于特定的读光束频率变成低于该读光束频率，层的特征频率正比于n/m的平方根，其中n表示层的电荷载流子密度而m表示层中电荷载流子的有效质量。所述方法的实施可包括一种或更多种下述特征。读光束频率对应于400nm460nm之间的波长。可记录结构的反射率在应用能量时减小。可记录结构在应用能量前后的反射率与CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。另一方面，可记录介质通常包括具有对于读光束高于50%的反射率的可记录结构，其中在应用能量时，可记录结构对于读光束的透射率变成高于50%。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。可记录结构具有第一层和第二层，其在应用能量时反应。第一和第二层中至少其一小于10nm。另一方面，可记录介质通常包括具有对于读光束高于50%的透射率的可记录结构，其中可记录结构在应用能量时的反射率变成高于50%。另一方面，可记录介质通常包括可记录结构，其包括至少具有第一等离子体频率col的第一层。当写入功率用于可记录结构时，形成具有第二等离子体频率0)2的第二层，其中0)1<叫<0)2或者(02<叫<0)1,其中COr是读光束的频率，其具有的频率等于或不同于赋予写入功率的写光束频率。层的等离子体频率正比于n/m的平方根，其中n表示层的电荷载流子密度而m表示层中电荷载流子的有效质量。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。在一些实例中，可记录结构包括在应用写入功率前与第一层相邻的第三层，并且基于在应用写入功率时第一和第三层中的材料混合形成第二层。在一些实例中，可记录结构包括在应用写入功率前与第一层相邻的第三层，并且基于在应用写入功率时第一和第三层中的材料化学反应形成第二层。化学反应是吸热的。参数叫对应于400nm460nm之间的波长。另一方面，可记录介质通常包括可记录结构，其包括第一层和第二层，第一层具有第一等离子体频率col，第二层具有第二等离子体频率co2。选择两层以便当写入功率用于可记录结构时，第一和第二层相互作用以形成具有第三等离子体频率o)3的第三层，以至于0)1<叫<0)3或者0)2<叫<0)3或者0)3<叫<0)1或者0)3<叫<0)2，其中COr是读光束的频率。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。读光束具有的频率等于赋予写入功率的写光束频率。层的等离子体频率基于该层中电荷载流子密度以及电荷载流子的有效质量。相比于QVf氏于另一层等离子体频率的又一层，当叫高于一层的等离子体频率时，该层具有对于读光束更高的透射率。参数叫对应于400nm460nm之间的波长。另一方面，一种方法通常包括应用写入功率至包括第一层和第二层的可记录结构，第一层具有第一等离子体频率col，和第二层具有第二等离子体频率co2。写入功率造成第一和第二层相互作用以形成具有第三等离子体频率co3的第三层。选择两层以便满足下述条件中至少一种0)1<叫<0)3，Q)2<C0r<C03，(03〈avCcol和to3〈a)^a)2，其中叫是读光束的频率，其具有等于或者不同于写入功率的频率。另一方面，可记录介质通常包括可记录结构，其包括第一层和第二层，该第一和第二层中至少其一具有的厚度小于基于该层中电荷载流子密度所确定的德拜长度。第一和第二层在应用能量时相互作用以造成可记录结构的光学特性改变。所述光学特性包括对于读光束的反射率和透射率中至少一种。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。通过具有高于特定值的能量密度的写光束赋予能量并且在可记录结构上赋予至少特定持续时间。可记录结构对于读光束的透射率在应用能量时增加至少10%。另一方面，可记录介质通常包括可记录结构，其包括第一层和第二层，该第一和第二层至少其一具有的厚度小于IOnm。第一和第二层在应用写入功率时相互作用以造成可记录结构的光学特性改变。所述光学特性包括对于读光束的反射率和透射率中至少一种。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。可记录结构对于读光束的透射率在应用写入功率时至少增加了10%。第一和第二层的每层具有的厚度小于基于该层中电荷载流子密度所确定的德拜长度。第一和第二层中至少其一具有的厚度小于5nm。另一方面，一种方法通常包括应用写入功率至包括第一层和第二层的可记录结构，第一和第二层中至少其一具有的厚度小于基于该层中电荷载流子密度所确定的德拜长度。另一方面，可记录介质通常包括可记录结构，其具有在应用能量时改变以造成在可记录结构中发生吸热反应的光学特性。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。可记录结构具有在应用能量时在吸热反应中反应的第一层和第二层。在一些实例中，吸热反应包括吸热化学反应。在一些实例中，吸热反应包括第一和第二层中材料混合。第一和第二层中至少其一小于IOnm。能量由具有的能量高于预定值的写光束赋予，并应用至少特定的持续时间。在一些实例中，光学特性包括对于读光束的透射率。可记录结构的透射率在应用能量时增大。可记录结构的透射率在应用能量时从小于50%变成大于50%。在一些实例中，光学特性包括对于读光束的反射率。在一些实例中，光学特性包括可记录结构的吸收率。另一方面，可记录介质通常包括可记录结构，其中当应用能量时，可记录结构对于读光束的吸收率变化不大于10%，而对于读光束的透射率和反射率变化大于10%。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。可记录结构具有在应用能量时反应的第一和第二层。第一和第二层至少其一小于IOnm。另一方面，可记录介质通常包括可记录结构，其包括具有不同光学特性的第一层和第二层。该第一和第二层在应用写入功率前具有层间清晰的界限，而在应用写入功率后第一和第二层间的界限变得较不清晰，例如通过掺合第一和第二层中的材料以致于可记录结构对于读光束的光学特性改变。另一方面，光盘驱动通常包括预存储信息，其识别光盘是否属于包括可记录结构(具有对于读光束在应用能量时增大的透射率)的一类盘。另一方面，可记录介质通常包括可记录结构，其包括第一层和第二层，其中第一和第二层并不完全重叠，且第一和第二层在应用写入功率时结合以造成可记录结构对于读光束的光特性改变。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。在一些实例中，第一层包括不连续区域。第一和第二层都包括不连续区域。该区域具有的直径小于ioonm。在一些实例中，第一层包括具有形成空穴形状的连续区域。第一和第二层每层包括具有形成空穴形状的连续区域。该空穴具有的直径小于100nm。在一些实例中，第一层具有不连续区域而第二层包括具有形成空穴形状的连续区域。可记录介质也包括附着到可记录结构的衬底，其中第一层基本上覆盖衬底一侧的整个表面，且第二层覆盖衬底一侧小于90%的表面。在一些实例中，第一和第二层至少其一的德拜长度小于5nm。在一些实例中，第一和第二层至少其一的德拜长度小于lnm。该德拜长度基于该层中电荷载流子密度确定。另一方面，可记录介质通常包括具有表面的衬底，和附着到该衬底的可记录结构。可记录结构具有第一材料和第二材料，该第一和第二材料中至少其一覆盖衬底表面少于90%。第一和第二材料在应用写入功率时结合以造成可记录结构对于读光束的光学特性的改变。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。在一些实例中，至少一种材料包括不连续区域。该区域具有的直径小于100nm。在一些实例中，第一和第二材料层至少其一包括具有形成空穴形状的连续区域。该空穴具有的直径小于100nm。另一方面，可记录介质通常包括具有表面的衬底，以及在该衬底上的可记录结构。可记录结构具有第一材料和第二材料，其在应用写入功率时结合以造成可记录结构对于读光束的光学特性的改变。第一和第二材料至少其一具有的有效厚度小于5nm。该材料的有效厚度定义为材料体积除以衬底表面面积。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。第一和第二材料中至少其一包括不连续区域。另一方面，光盘通常包括具有第一层和第二层的可记录结构，其中第一和第二层不完全重叠。该第一和第二层在应用写入功率时结合以造成可记录结构对于读光束的光学特性的改变。光盘的实施可包括一种或更多种下述特征。第一和第二层中至少其一包括不连续区域。第一和第二层中至少其一包括具有形成空穴形状的连续区域。另一方面，写入数据的方法通常包括应用能量至可记录介质，其包括衬底以及附着于该衬底的可记录结构。该可记录结构具有第一材料和第二材料，其在应用能量时结合以造成可记录结构对于读光束的光学特性的改变。该第一和第二材料中至少其一覆盖衬底少于90%。另一方面，制造可记录介质的方法通常包括沉积第一材料和第二材料于衬底一侧上，其中该第一和第二材料中至少其一覆盖该衬底一侧表面小于90%。所述方法的实施可包括一种或更多种下述特征。该方法还包括控制应用于沉积第一和第二材料所用设备的功率以控制由第一和第二材料覆盖的表面百分率。该方法还包括控制沉积第一和第二材料的持续时间以控制由第一和第二材料覆盖的表面百分率。另一方面，可记录介质通常包括可记录结构，其包括具有反射率R1和透射率T1的第一层，具有透射率T2的第二层，以及具有反射率R3的第三层。该第二层置于第一和第三层之间并且具有的厚度小于基于第二层电荷密度所确定的德拜长度。可记录结构具有总反射率Rs圆，其大于R1+T1^T2、R2。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。第二层具有厚度d，以至可记录结构的反射率具有基本上最佳反射率值。该基本上最佳反射率值与最大反射率值之间的差小于最大反射率值的10%，其中最大反射率值通过找出当第二层厚度在0.8d1.2d之间变化时可记录结构反射率的最大值而确定。当第二层厚度变化了10%时，反射率减少至少10%。另一方面，可记录介质通常包括可记录结构，其包括具有反射率R1的第一层、第二层以及具有反射率R2的第三层。该第二层置于第一和第三层之间。第二层具有的厚度小于基于第二层电荷密度所确定的德拜长度。可记录结构具有总反射率R3，其中R3〈R1且R3〈(1-R1)*R2。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。第二层具有厚度d，以至可记录结构的反射率具有基本上最小值。当第二层厚度变化了10%时，反射率增加至少10%。另一方面，产生光学对比的方法通常包括应用能量至微-共振(micro-resonant)结构，其具有至少第一层L1、第二层L2以及第三层L3以造成所述层中至少两层结合。层L2置于层L1和L3之间。层L1具有反射率R1和透射率T1。层L3具有反射率R3。层L2具有透射率T2且其厚度小于读光束波长的四分之一。应用能量前，微-共振结构具有总反射率Rsum，其大于R1+T1"T22*R30可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。层L2具有的厚度小于基于层L2的电荷载流子密度所确定的德拜长度。应用能量后，微-共振结构的反射率减小。应用能量后，微-共振结构的透射率增大。层L2具有的反射率小于层L1和L3的那些。层L2具有比层L1和L3更高的透射率。在一些实例中，层L2和L3结合以形成具有的反射率高于层L2反射率的层L4。在一些实例中，层L1和L2结合以形成具有的反射率高于层L2反射率的层L4。在一些实例中，层L1、L2和L3结合以形成层L4。在刻录前，层L4具有的透射率高于层L1、L2和L3的总透射率。在刻录前，层L4具有的反射率低于层Ll、L2和L3的总反射率。在一些实例中，层L2和L3结合以形成层L4，其具有的反射率低于层L1和L3的那些。在一些实例中，微-共振结构还包括具有的反射率高于层L2反射率的层L4，并且层L1、L4、L2和L3依次定位。应用能量造成层L4和L2结合以形成层L5，其具有的反射率低于层L1和L3的那些，层L5置于层L1和L3之间。在一些实例中，微-共振结构还包括层L4，其具有的反射率低于层L1和L3的那些，并且层Ll、L2、L4和L3依次定位。层L4和L3结合以形成具有的反射率高于层L2透射率的层L5，层L2置于层L1和L5之间。在一些实例中，应用能量至微-共振结构造成层L2和L3结合以形成具有的透射率高于层L1透射率的层L4。在一些实例中，微-共振结构还包括层L4，其具有的反射率低于层L1和L3的那些，层L1、L2、L4和L3依次定位，层L2和L4具有不同材料。在一些实例中，刻录后，层U和L2结合以形成具有的反射率低于层L1反射率的层L5。在一些实例中，刻录后，层L2和L4部分结合以形成层L5，其具有的厚度小于层L2和L4厚度总和，层L5具有的反射率低于层L1和L3的那些。在一些实例中，微-共振结构还包括层L4、L5和L6，层L1、L2、L4、L5、L6和L3依次定位。层L4、L5和L6具有的反射率低于层L1和L3的那些，而相邻的层L2、L4、L5和L6具有不同材料。刻录以后，层L4和L5结合以形成层L7，层L7具有的反射率高于层L2和L6。在一些实例中，刻录后，层L1、L2和L7形成微-共振腔，其具有的总反射率大于R1+T1"T2"R7，R7是层L3的反射率。在一些实例中，刻录后，层L1、L2和L7形成微-共振腔，其具有总反射率R，，其中Rs咖〈Rl且Rsum〈Tl"T2"R7，R7是层L7的反射率。在一些实例中，刻录后，层L7、L6和L3形成微-共振腔，其具有的总反射率大于R7+T72*T62*R3，R7是层L7的反射率，T7是层L7的透射率。在一些实例中，刻录后，层L7、L6和L3形成微-共振腔，其具有总反射率Rsum，其中Rsum〈R7且R咖〈T72*T62*R3，R7是层L7的反射率，T7是层L7的透射率。在一些实例中，微-共振结构还包括层L4和L5，层L1、L2、L4、L5和L3依次定位。层L1、L2和L4形成微-共振腔，其具有的总反射率大于R1+T1"T22*R4，R4是层L4的反射率。层L4、L5和L3形成微-共振腔，其具有的总反射率大于R4+T4"T5"R3，T4是层L4的透射率，T5是层L5的透射率。刻录后，层L2、L4和L5结合以形成层L6，层L1、L6和L3形成微-共振腔。微-共振结构在刻录前的总反射率大于微-共振结构刻录后的总反射率。在一些实例中，微-共振结构还具有层L4，其具有的反射率比层L3的小，层L1、L2、L3和L4依次定位。刻录后，层L3和L4结合以形成层L5，其具有的反射率高于层L2但低于层L3。另一方面，可记录介质通常包括具有至少第一层、第二层和第三层的微-共振结构。第二层置于第一和第二层之间且具有厚度d以至微-共振结构的反射率具有基本上最佳的反射率值。第二层的厚度d小于基于第二层的电荷密度所确定的德拜长度。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。基本上最佳的反射率值以小于最大反射率值10%的值偏离该最大反射率值，通过找出当第二层厚度在0.8*41.2*4之间变化时可记录结构反射率的最大值而确定最大反射率值。另一方面，可记录介质通常包括刻录层和对比增强层。刻录层具有至少两个子层，其在应用写入功率时结合，刻录层在应用写入功率前具有反射率R1而在应用写入功率后具有反射率R2。当应用写入功率时，对比增强层不与刻录层的子层结合。对比增强层和刻录层一起在应用写入功率前具有反射率R3而在应用写入功率后具有反射率R4，其中IR4-R3I>IR2-R1|。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。在一些实例中，对比增强层包括金属层。在一些实例中，对比增强层包括电介质。在一些实例中，对比增强层包括半导体。在一些实例中，对比增强层包括硅、锗、硫化锌和氧化锌中至少一种。对比增强层具有对于读光束高于50%的透射率。在一些实例中，刻录层的等离子体频率在记录后降低，而反射率或透射率的对比在加入对比增强层后增大。在一些实例中，刻录层的等离子体频率在记录后提高，而反射率或透射率的对比在加入对比增强层后增大。对比增强层的厚度小于20nm。可记录介质还包括第二对比增强层，其在应用写入功率时不与刻录层子层结合。第一对比增强层、第二对比增强层和刻录层一起具有在应用写入功率前的反射率R5和在应用写入功率后的反射率R6，并且IR6-R5|〉|R4-R3I。第一和第二对比增强层相互结合，但第一和第二对比增强层不与刻录层结合。第一和第二对比增强层定位于刻录层的不同侧。两个子层包括(a)两个不同半导体层，(b)两个不同金属层，(c)两个不同介电层，(d)—个半导体层和一个金属层，(e)—个半导体层和一个介电层，以及(f)一个金属层和一个介电层中至少一种。刻录层具有的厚度小于20nm。另一方面，光盘通常包括刻录层和对比增强层。刻录层具有至少两个在应用写入功率时结合的子层，刻录层具有在应用写入功率前的反射率R1和在应用写入功率后的反射率R2。对比增强层在应用写入功率时不与刻录层的子层结合。对比增强层和刻录层一起具有在应用写入功率前的反射率R3和在应用写入功率后的反射率R4，并且IR4-R3I>IR2-R1I。光盘的实施可包括一种或更多种下述特征。刻录层具有在刻录前的透射率T1和在刻录后的透射率T2，且T1〈T2。参数R1、R2、T1和T2符合CD-R、DVD-R、DVD+R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种。刻录层具有的厚度小于20nm。另一方面，可记录介质通常包括可记录结构以在经受写入功率的记录结构部分和未经受写入功率的部分间产生第一光学对比。可记录介质还包括不与可记录结构相互作用的材料层，选择材料层以便记录结构和材料层一起产生比第一光学对比更大的第二光学对比。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。可记录层自身具有在应用写入功率前的反射率R1和在应用写入功率后的反射率R2。可记录结构和材料层一起具有在应用写入功率前的反射率R3和在应用写入功率后的反射率R4，并且IR4-R3I>IR2-R1I。可记录结构具有的厚度小于20nm。另一方面，可记录介质通常包括刻录层和至少一个对比转化层(contrastinvertinglayer)。刻录层具有至少第一子层和第二子层，其在应用写入功率时结合。刻录层对于读光束具有在应用写入功率前的反射率R1和在应用写入功率后的反射率R2，且RKR2。该至少一个对比转化层在应用写入功率时不与刻录层的第一和第二子层结合。该至少一个对比转化层和刻录层一起在应用写入功率前具有反射率R3和在应用写入功率后具有反射率R4，且R3>R4。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。对比转化层具有对于读光束大于50。/。的透射率。对比转化层具有的厚度小于20nm。刻录层具有的厚度小于20nm。第一和第二子层中至少其一具有的厚度小于10nm。刻录前，对比转化层和两个子层形成微-共振结构，而刻录后，第一和第二子层的结合破坏该微-共振结构。该微-共振结构具有总反射率Rsum，其大于R1+T1"T2"R3，Rl是对比转化层的反射率。R2是第一子层的反射率，R3是第二子层的反射率，Tl是对比转化层的透射率，和T2是第一子层的透射率。该第一子层定位于对比转化层和第二子层之间。所述至少一个对比转化层包括至少第一对比转化层和第二对比转化层，其中刻录层定位于第一个第二对比转化层之间。该至少一个对比转化层包括至少第一对比转化层(LO、第二对比转化层(L2)、第三对比转化层(L3)和第四对比转化层(L4)。刻录前，层L1和L4具有的反射率大于层L2和L3以及子层，以至层L1、层L2、第一子层、第二子层、层L3和层L4一起形成第一微-共振结构。刻录后，刻录层具有的反射率大于层L2和L3，以至第一微-共振结构被破坏并且形成第二和第三微-共振结构。第二微-共振结构包括层Ll和L2以及刻录层。第三微-共振结构包括刻录层以及层L3和L4。第一和第二子层包括(a)两个不同半导体层，(b)两个不同金属层，(c)两个不同介电层，(d)—个半导体层和一个金属层，(e)—个半导体层和一个介电层，以及(f)一个金属层和一个介电层中至少一种。另一方面，光盘通常包括刻录层，其具有至少两个在应用写入功率时结合的子层。刻录层对于读光束具有在应用写入功率前的反射率R1和在应用写入功率后的反射率R2，并且RKR2。光盘还包括对比转化层，其在应用写入功率时不与刻录层子层结合。该对比转化层和刻录层一起具有在应用写入功率前的反射率R3和在应用写入功率后的反射率R4，且R3〉R4。光盘的实施可包括一种或更多种下述特征。反射率R3和R4符合CD-R、DVD-R、DVD+R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种。对比转化层具有的厚度小于20nm。刻录层具有的厚度小于20nm。至少一种子层具有的厚度小于IOnm。子层包括(a)两个不同半导体层，(b)两个不同金属层，(c)两个不同介电层，(d)—个半导体层和一个金属层，(e)—个半导体层和一个介电层，以及(f)一个金属层和一个介电层中至少一种。另一方面，可记录介质通常包括具有第一层和第二层的可记录结构，第一和第二层中每层具有一个或更多个子层。第一和第二层在应用能量时产生第一光学对比，第一光学对比与由第一层单独在应用能量至第一层时产生的第二光学对比相反。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。第一层单独具有对于读光束在应用能量时增大的反射率，且第一和第二层一起具有在应用能量时减小的反射率。至少一个子层具有的厚度小于IOnm。第二光学对比与对于读光束的反射率增大相关。另一方面，可记录介质通常包括第一可记录结构、第二可记录结构以及位于第一和第二可记录结构之间的间隔层。第一可记录结构具有对于读光束在应用写入功率至第一可记录结构时增大的透射率。第二可记录结构具有在应用写入功率至第二可记录结构时改变的光学特性。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。在应用写入功率至第一可记录结构后第一可记录结构的反射率减小至少16%。第一可记录结构的透射率在应用写入功率至第一可记录结构之前和以后大于55%。第一和第二可记录结构至少其一具有的厚度小于IOnm。第二可记录结构的透射率在应用写入功率至第二可记录结构后增大。另一方面，光盘通常包括第一可记录结构、第二可记录结构和位于第一和第二可记录结构之间的间隔层。第一可记录结构具有对于读光束在应用写入功率至第一可记录结构时增大的透射率。第二可记录结构具有在应用写入功率至第二可记录结构时改变的光学特性。光盘的实施可包括一种或更多种下述特征。第一和第二可记录结构的光学特征符合双层DVD+R和双层DVD-R标准中至少一种。第一和第二可记录结构至少其一具有的厚度小于10nm。在另一方面，可记录介质通常包括第一可记录结构、第二可记录结构和位于第一和第二可记录结构之间的间隔层。第一可记录结构具有第一材料层和第二材料层，其在应用写入功率至第一可记录结构时结合以形成第三材料层。第三材料层具有对于读光束的光学特性，其不同于第一材料层和第二材料层在应用写入功率前的总光学特性。第二可记录结构具有在应用写入功率至第二可记录结构时改变的光学特性。可记录介质的实施可包括一种或更多种下述特征。第一可记录结构的反射率在应用写入功率至第一可记录结构后减小。在应用写入功率至第一可记录结构后，第一可记录结构的反射率减小至少16%。第一可记录结构的透射率在应用写入功率至第一可记录结构之前和以后大于55%。第一可记录结构的透射率在应用写入功率至第一可记录结构后增大。第一和第二可记录结构至少其一具有的厚度小于IOnm。子层包括(a)两个不同半导体层，(b)两个不同金属层，(c)两个不同介电层，(d)—个半导体层和一个金属层，(e)—个半导体层和一个介电层，以及(f)一个金属层和一个介电层中至少一种。另一方面，用于光学系统的可记录介质通常包括第一可记录结构、第二可记录结构和位于第一和第二可记录结构之间的间隔层。第一可记录结构具有第一层和第二层，第一和第二层每层的厚度小于基于该层中电荷载流子密度所确定的德拜长度。第二可记录结构具有对于读光束在应用写入功率至第二可记录结构时改变的光学特性。另一方面，适合用于光学系统的可记录介质通常具有与写策略相关的预存储信息，该写策略与识别可记录介质的标识符相关。该系统使用写策略以写入信息至识别的可记录介质上。可记录介质包括第一可记录结构、第二可记录结构和用于识别可记录介质的标识符。第一可记录结构具有对于读光束在应用写入功率至第一可记录结构时增大的透射率。第二可记录结构具有在应用写入功率至第二可记录结构时改变的光学特性。第一和第二可记录结构沿着垂直于第一可记录结构表面的方向被隔开。另一方面，数据存储介质通常包括第一可记录结构、第二可记录结构以及置于第一和第二可记录结构之间的间隔层。第一可记录结构具有空白区域和刻录区域，其中通过刻录的有或无携带信息，刻录区域对于读光束具有高于空白区域的透射率。第二可记录结构具有空白区域和刻录区域，其具有可测量的不同光学特性。另一方面，一种装置通常包括第一可记录结构、第二可记录结构、第三可记录结构、第一间隔层和第二间隔层。第一可记录结构具有对于读光束在应用写入功率至第一可记录结构时增大的透射率。第二可记录结构具有对于读光束在应用写入功率至第二可记录结构时增大的透射率。第三可记录结构具有在写入功率应用至第三可记录结构时改变的光学特性。第一间隔层定位于第一和第二可记录结构之间，以及第二间隔层定位于第二和第三可记录结构之间。另一方面，在可记录介质中写入信息的方法通常包括应用写入功率至第一可记录结构以增大第一可记录结构对于读光束的透射率。该方法还包括应用写入功率至第二可记录结构以改变第二可记录结构对于读光束的光学特性，包括传送写光束通过第一可记录结构以应用写入功率至第二可记录结构。所述方法的实施可包括一种或更多种下述特征。读光束具有的波长在350nm450nm之间。第一可记录结构包括第一材料层和第二材料层，以及当应用第一能量时，第一材料层和第二材料层结合以产生第三材料层。第三材料层具有小于读光束频率的特征频率，且第一和第二材料层中至少其一具有高于读光束的特征频率。层的特征频率正比于n/m的平方根，其中n表示层的电荷载流子密度而m表示层中电荷载流子的有效质量。特征频率包括等离子体频率。另一方面，从可记录介质读取信息的方法通常包括聚焦读光束至第一可记录结构上以检测相比于第二部分具有更低反射率和更高透射率的第一部分，该第一和第二部分是第一可记录结构的部分。该方法包括传送读光束通过第一可记录结构并且聚焦读光束至第二可记录结构以检测具有不同于第四部分的光学特性的第三部分，该第三和第四部分是第二可记录结构的部分。另一方面，光学系统通常包括可记录介质和光驱。可记录介质包括第一可记录结构，其具有对于读光束在应用写入功率至第一可记录结构时增大的透射率，以及第二可记录结构，其具有在写入功率应用至第二可记录结构时改变的光学特性。光驱包括光源以产生读光束、聚焦机构以聚焦读光束于第一可记录结构或第二可记录结构上、以及光检测器以检测从可记录介质反射的光。另一方面，光学系统通常包括可记录介质和光驱。可记录介质包括第一可记录结构，其具有在应用写入功率至第一可记录结构时对于读光束增大的透射率，以及第二可记录结构，其具有在写入功率应用至第二可记录结构时改变的光学特性。光驱适于将数据记录在可记录介质中并且具有与用于写入数据至可记录介质的写策略相关的预存储信息。另一方面，光盘驱动通常包括预存储信息，其识别光盘是否属于包括第一可记录结构和第二可记录结构的一类盘。第一可记录结构具有在应用写入功率至第一可记录结构时对于读光束增大的透射率。第二可记录结构具有在写入功率应用至第二可记录结构时改变的光学特性。利用具有两个或更多个薄层的可记录结构的优点在于，因为只有少量能量用于造成薄层结合，所以刻录可记录结构需要更少的能量。由于层很薄，对于层需要更少的材料，因此降低制造成本。利用在刻录后透射率增大的刻录层的优点在于，当刻录层用于多刻录层可记录盘例如DVD+RDL时，更多的光可以用于写入或读取记录在第二、第三或其它刻录层中的数据并且不被记录在前面层的数据区域所干扰。与以有机染料为基础的刻录层相比，该特性是有利的，以有机染料为基础的刻录层在刻录过程中从更透明的变成更不透明的并且干扰向下传送至下一层的光。在利用薄层的多刻录层可记录盘中，每个刻录层的透射率在刻录前后都可以大于60%，以便超过60%的射入光可以到达第二刻录层，并且超过36%的射入光可以到达第三刻录层等等(假定间隔层高度透明)。因此更高百分比的射入光可以用于将数据写入第二和第三刻录层或者从其中读取数据。在一些实例中，刻录过程是吸热的，以便刻录区域被很好的限定(即，热将不会散逸造成标记比刻录层处激光束光斑更大)。利用吸热反应形成刻录标记的优点在于刻录标记可以被做得更小，导致更高的记录密度(相比于利用放热反应的记录过程，例如用于具有有机染料的刻录层的那些)。利用对比转化层的优点在于如今更多种材料可以用于设计刻录层。例如，具有刻录后增大反射率的刻录层的光盘，不满足CD或DVD型可记录介质的技术要求(其要求刻录后反射率减小)。当对比转化层加入至光盘以转换对比以至于刻录后反射率减小时，该光盘可能满足CD或DVD型可记录介质的技术要求(假定也满足其它标准)。利用对比增强层的优点在于如今更多种材料可以用于设计刻录层。例如，刻录层自身可能不具有足够的光学对比以满足CD或DVD型可记录介质的要求。当刻录层与对比增强层一起使用以提高光学对比时，包括该刻录层和对比增强层二者的光盘可能满足CD或DVD型可记录介质的技术要求(假设也满足其它标准)。利用微-共振结构的优点在于使用薄层可以实现更大的反射率或透射率。光学对比可以通过改变(例如产生、破坏或分裂)微-共振结构而产生，以便可以实现更高的光学对比。许多出版物、专利申请以及其它参考通过引用被引入。当与通过引用被引入的参考相矛盾的情况下，本申请文件，包括定义将加以控制。图1A是示意图，示出正被写入的可记录盘。图1B是示意图，示出正被读取的可记录盘。图2A-2C示出可记录盘的横截面。图3是设计具有两层的刻录层的流程图。图4A-4C，5A，5B，6A-6D，7，8A-8C以及9-13示出可记录盘的横截面。图14A和14B是作为厚度函数的反射率图表。图15-24示出刻录层的横截面。具体实施方式1、光学记录系统参考图1A，在光学记录系统的一个实例中，通过应用能量至可记录盘104中的刻录层写入数据至可记录盘104。利用写光束106应用能量，写光束可以是由半导体激光二极管102发射的激光束。该能量诱发盘的刻录层光学特性的改变，在此情况下导致盘作为整体(即，在读光束入射处的盘外表面)对于读光束的总反射率改变。参考图1B，当读取记录在可记录盘104上的数据时，可以是由半导体激光二极管134发射的激光束的读光束108聚焦于刻录层上，并且光电探测器110检测从可记录盘104反射的读光束。由于反射光的量在已刻录的区域与未刻录的那些之间是不同的，所以通过检测反射光的差异从盘104读取记录的数据。写光束106和读光束108可以具有相同或不同的波长。激光器102可以是一种普通激光器，并且通常是光学拾取头(pickuphead)的一部分。图2A示出一种类型的可记录盘104沿着径向112(图1A)的横截面。盘104包括透明衬底120、可记录结构-刻录层126、以及保护层128。读和写光束从衬底120的那侧进入盘104。在该类型的盘104中，刻录层自身在刻录前是反射性的。也就是说，读光束108通过透明层120，并且被刻录层126朝光源反射回去。在己刻录的区域，刻录层126是相对透射性的，并且读光束108相对较少地被刻录层126反射，且大量通过刻录层126至保护层128，在那里读光束108被吸收，通过盘104，或者被阻止经刻录层126强烈地反射回去。刻录层由以不同材料制成的薄子层构成。在该类型的盘104中，刻录层126包括材料M1的第一层122以及材料M2的第二层124。在该类型的盘104中，第一层具有的厚度小于M1的德拜长度，例如10nm，且材料M1例如是掺杂硅。第二层具有的厚度小于M2的德拜长度，例如15nm，且材料M2例如是锗。透明衬底120和保护层128由玻璃或聚碳酸酯组成。多种制造方法可以用于在盘104上制造刻录层的薄子层。例如，每层可以利用物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)在前一层上面形成。盘104包括凹槽道(groovetrack)130以及凸区道(landtrack)132，其由于它们相对于衬底120的不同高度(聚焦在一个高度的光可在另一高度变得散焦)而对于读光束108具有不同的反射率。例如，根据使用的记录标准，数据可以仅仅写入凹槽道130，仅仅写入凸区道132，或者既写入凹槽道又写入凸区道。轨道也可以提供对光学拾取头的导引以便写和读光束可以正确地聚焦在盘104的特定区域和半径。拾取头沿着盘104的径向移动以便读和写光束可以定位于盘104的任何轨道。盘104通过主轴马达(未示出)自旋以便读和写光束随着盘104转动而扫描轨道。图2B示出盘104沿着轨道沿纵向136(图1A)的横截面。图2C示出刻录后的同一横截面。在写入过程中，写光束106扫描轨道并且聚焦于刻录层126上。激光束106的功率级别根据写入数据(即待写入盘上的数据)进行调制。刻录盘是足够吸收性的以至写光束提供热能至待刻录区域中的刻录层(例如，写入数据表示"l")。热能提高刻录层126的温度，造成材料M1和M2(例如在吸热反应中)相互作用以形成材料M3的层142，其具有的光学特性不同于刻录前层122和124的光学特性。层142表示记录标记，并且通常限制到一区域，该区域中写光束的吸收能量高于阈值空间功率密度、且写光束的吸收能量也高于阈值空间能量密度(即具有足够功率级别以及足够高-功率-开启(high-power-on)持续时间)。短语"层A和B的反射率"指层A和B作为整体考虑的反射率，其中A和B是作为刻录过程的部分不结合的单个层。类似地，短语"层A和B的透射率"或"层A和B的光学特性"分别指层A和B作为整体考虑的透射率或光学特性，其中A和B仍旧是作为刻录过程的部分不结合的单个层。在一个实例中，通过当盘以2.4X速度旋转时以小于30mW的功率级别应用波长655nm的激光束(在聚焦在刻录层的光斑上)，而在4X速度时以小于40mW的功率级别应用波长655nm的激光束在该光斑上完成写入。第一层122吸收大约20%或更少的束能，而第二层124吸收约同样量的能量，但是在百分率上更大。写入光通过第一层122后，总光能减少，因此第二层124的吸收百分率变得更大，尽管由层122和124吸收的能量的量大约相同。如上所介绍，透明层120传送读光束108至刻录层126而在空气/层120界面129基本上没有反射(约35%)，并且当束108通过层120时基本上没有吸收(约35%)。另外，保护层128对通过刻录层126的读光束108基本上不提供反射。因此，盘104作为整体的反射率特性主要由刻录层126的反射率特性所确定。当聚焦在该刻录层上时，层120、122、124和128—起对于读光束108具有反射率R1和透射率T1。层120、142和128—起对于读光束108具有反射率R2和透射率T2。在该实例中，选择层122和124的材料和厚度以便R1〉R2且T1<T2。具体地，在读激光波长655nm处，Rl=17%，R2=7%，Tl=62。/。和T2=73%。在此，Rl〉16%并且光学对比调制(Rl-R2)/Rl>60%。当读光束108扫描轨道时，由可记录层126反射的光的量根据读光束108是聚焦于其中读光束108从刻录层126大量反射的(具有材料M1和M2的)部分144上，还是聚焦于其中(相比部分144)读光束108另外有10%通过刻录层126的(具有材料M3的)部分140上而变化，通过部分140或者144的光的量不小于60%，刻录层126提供相对较少的反射。检测反射率的变化，由此读取由写光束106之前记录的数据。刻录层126(以及其组成层122和124)是薄的。例如，刻录层基本上比常规可记录盘的通常有机染料层薄。相对于读激光的波长，层126也薄。例如层126是该波长的一小部分。在上述讨论的那类盘104中，层126是25nm而读激光的波长是658nm，因此，该层小于读光束108波长的1/26。2、鋤根据下述内容，可至少部分地理解具有薄子层的可记录层的性能，该性能不被本文中出现的任何理论所限制。表征可记录层的材料的两个参数对于预测或解释该记录方法的性能可以是有用的。一个参数涉及阈值频率，其称作"等离子体频率"，以致在高于该频率时材料基本上是透明的，而低于该频率时材料基本上是反射性的或吸收性的。另一参数是材料的德拜长度，其通常涉及材料中所应用的电荷或场起作用的距离。只有当EM波的频率高于材料的等离子体频率时，EM波才可以通过厚(巨大)材料而传播。如果EM波的频率低于其等离子体频率，辐射将被材料反射和/或吸收。当EM波的频率高于等离子体频率时，EM波在频率匹配量子吸收频率时被吸收。除了这一条件，材料对于EM波变成是非常透明的。当材料的厚度小于其德拜长度时，材料对于EM波是部分透明的。总的来说，反射率和/或透射率通过刻录过程的变化可以至少部分由刻录前后涉及的材料等离子体频率(相对于读光束频率)的变化所解释。另外，刻录期间材料的结合借助于可记录层中穿过M1和M2间的界面移动的电荷所产生的强电场，以及相对于材料德拜长度的记录层的薄度。此外，刻录过程后可记录层中的低吸收率也可涉及相对于刻录后产生的材料(M3)的甚至更长德拜长度的层薄度。2.1等离子体频率材料的等离子体频率是提供阈值频率的参数，高于该阈值频率则电磁场在厚(巨大)材料内传播。例如，当读光束108的频率基本上大于材料的等离子体频率时，读光束108可以在该材料中传播，从而材料表现为基本上对读光束108是透明的。另一方面，如果读光束108的频率基本上低于材料的等离子体频率，那么读光束108在该材料中不传播，该材料表现为对读光束108是反射性的或不是透明的。每种材料(导体、半导体或电介质)具有特有的电荷载流子密度(记为n以表示每立方厘米的电子数或空穴数)以及每个电荷载流子的有效质量(记为m)。n和m的值通常可以通过半导体领域已知的方法，例如霍尔电阻测量法测定。材料的等离子体频率可以由这些参数推导。因此，每种材料具有相应的等离子体频率。材料的等离子体频率取决于材料的介电常数，而该介电常数取决于材料中电荷载流子的密度和有效质量。等离子体频率近似正比于(n/m)的平方根，并且可以近似表示为w,V4朋/w等式l其中e是电子的电荷。Ashcroft/Mermin的教科书"SolidStatePhysics"(第一章TheDrudeTheoryofMetals,，16-20页)描述了等式l的具体推导。己经测量了具有一波长的EM波，低于该波长，一些碱金属就变成是透明的，且测量值接近基于等式l所确定的理论值。参见Bom和Wol飾"PrinciplesofOptics"，第六版，/卵0，627页，其在此通过引用被引入。从上述等式l，等离子体频率正比于电荷载流子密度的平方根而升高。通过改变层的电荷载流子密度，层的光学特性可因此改变。一些材料例如金属具有更大的电荷载流子密度，因此具有更高的等离子体频率。一些材料例如半导体和电介质具有更小的电荷载流子密度，因此具有更低的等离子体频率。例如，铝(Ml)具有1.8xl0力cn^的电荷载流子密度，而锗(M2)具有8xl0"/cm3的电荷载流子密度。通过使具有不同电荷载流子密度的材料M1和M2的两层掺合或反应，具有材料M3的生成层可具有5x1016/0!113的电荷载流子密度(以及光学特性)，其不同于两种材料M1和M2单独的任一种。材料M3可以或者是材料M1和M2的混合物，或者是由M1和M2化学反应得到的新材料，或者是在M1和M2中间(或混合或化学反应的)新层的夹心结构。在上述实例中，假设nl、n2和n3是材料Ml、M2和M3的电荷载流子密度。由于n3<n2<nl，所以材料M3的等离子体频率低于材料M1和M2的等离子体频率(03<C02<C0l。当选择具有Q^er频率的读光束使得C03〈0^er〈C0l时，该层刻录前将对读光束是反射性的(因为a^e^(01)，而该层刻录后将对读光束是透明的(因为C03〈O),aser)。本说明书中的术语"反射性的"和"透明的"以一般意义使用。描述层为"反射性的"，并不暗示层反射所有射入光。反射性的层仍然可以透射和吸收部分射入光。描述层为刻录前是反射性的而刻录后是透明的(或透射的)，意指在刻录后层的反射率降低而层的透射率提高。描述层为刻录前是透明的而刻录后是反射性的，意指在刻录后层的透射率降低而层的反射率提高。在上述实例中，根据等式l，材料M1(铝)和M3(Al和Ge的混合物)分别具有预测的等离子体频率1.4xl0"和5x1012。根据上述概说的理论，材料Ml将对具有频率4.7x10"的读光束是反射性的，而材料M3将对读光束是透明的。对材料M1和M3进行实际测量以确定材料何时从更大反射性的变为更透明的。对材料M1(铝)和M3(Al、Ge和Al-Ge的混合物)测量的等离子体频率分别是1.6x10"和7x1012。巨大材料M1对读光束的反射率和透射率分别是96%和0%。巨大材料]^3对读光束的反射率和透射率分别是11%和65%。测量的光学性能与理论一致，即M1将是更大反射性的而M3将是更透明的。因此，尽管等式l是预测等离子体频率的近似值，其在通过选择具有想要的光学特性的材料而设计可记录层方面是有用的。上述描述解释了就单层的等离子体频率而言薄材料层的光学特性，其中基于材料的电荷载流子密度和有效电荷载流子质量确定材料层的等离子体频率，材料的电荷载流子密度和有效电荷载流子质量二者都是在材料是巨大形式时测量的。上述理论对于由多层制成的结构在每层薄于其德拜长度时是适用的，条件是"有效"值n和m是在该多层结构处用实验方法测量的。当两个薄层相互邻近放置时，出现导带和/或价带能级(有时称作化学势)的差，以致电荷载流子从一层迁移至另一层并且造成电荷分离。由于层相对于各德拜长度薄，所以异性电荷被分离开非常短的距离，在两薄层产生强电场。由于电荷载流子的迁移和横跨两层的强电场，两层可被看作具有有效的等离子体频率(coeffeetive—12)，其通过有效的电荷载流子密度和有效的电荷载流子质量确定。当具有材料M1和M2的两薄层在应用外部能量时结合以形成材料M3，层中电荷载流子的有效密度和有效质量(分别是n和m)改变，因此改变等离子体频率。这可导致可记录层对于读光束108的透明度或不透明度的改例如，如果①3〈0),證〈(Oeffeetive—12，可记录层126对于读光束108将从反射性的(记录前)变成透明的(记录后)。另一方面，如果COeffeetive—12<C0laser<C03，可记录层126对于读光束108将从透明的(记录前)变成反射性的(记录后)。这一特性可以在提供移动光反射的物理位置的设计灵活性上是有用的。2.2德拜长度材料的德拜长度取决于载流子密度，材料的德拜长度通常涉及材料中屏蔽所应用的电荷或电场的电荷载流子云的厚度。当带电颗粒置于材料中时，带电颗粒将吸引具有相反极性的电荷载流子，从而电荷载流子云将围绕带电颗粒。电荷载流子云将电场与带电颗粒屏蔽开，并且电荷载流子密度越大，给定距离内的屏蔽效应越大。由于由带电颗粒屏蔽，电势9根据等式9=<formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula>呈指数衰减，其中(P0是带电颗粒处的电势，X是离带电颗粒的距离，和XD是德拜长度，其可以表示为<formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula>参见FrancisChen的"IntroductiontoPlasmaPhysics",Section1.4:DebyeShielding,8-ll页。该德拜长度表示屏蔽距离的测量值或电荷载流子云的厚度。当由材料中局部化电荷密度改变所产生的电场中有波动时，波动的影响大部分被位于几个德拜长度内的电荷载流子感知。电荷密度的改变可以通过例如电荷载流子移动通过界面，电磁波通过材料，或者由于热效应的电荷密度波动所诱发。就对于电磁波是反射性的材料而言，很大百分比的电磁波反射发生于距入射表面的几个德拜长度内。就对于电磁波是吸收性的材料而言，很大百分比的电磁波在几个德拜长度内被吸收或转变成热。当具有不同电子能级(例如不同的最高未占据电子能级，称作导带或HUMO，和最低占据电子能级，称作价带或LOMO)的两种材料接触，电荷分离将造成在界面产生电场。电场的影响被界面附近的电荷载流子的鞘层所屏蔽或减少。当两种材料是薄层，例如，薄层的总厚度小于德拜长度时，将有遍及两层整体的强电场，其强度可以高达100，000V/cm。该强电场可以辅助两层中的材料在能量(例如来自写光束的能量)应用时相互作用并结合。作为对比，当层很厚时，层大部分横截面中的电场可忽略并且不提供对两层中材料相互作用的辅助。相同的原理可以用于三个或更多个薄材料层的相互作用或结合。对于半导体，n是约10171019，其平方根是约3x1083x109，并且r是室温下约300。K，所以德拜长度是约10100nm。对于金属，n是约10211023，因此德拜长度是约l10nm。例如，铝的德拜长度在室温下小于lnm，并且在700。K是约2nm。根据杂质的浓度，掺杂杂质的Ge的德拜长度在室温下是约30nm80nm。具有薄层的可记录层的一特征是大电场可以辅助吸热反应，其在反应期间不放热。仅需要小面积功率密度以造成两层的结合。由于只有暴露给更高等级写光束的两层的那部分将结合，其高于吸收的阈值空间功率密度，并且也高于吸收的阈值空间能量密度(即有足够功率级别和足够的高-功率-开启持续时间)，所以记录标记被很好的限定。因为需要更小面积功率密度，所以可以提高写速度或者可以减小激光写入功率。当有强电场时，存在跨越界面的电势，因此小量能量可以造成分子移动跨越界面(从更高势能区域到更低势能区域)，造成来自两层的材料掺合。相比之下，如果没有大电场，需要每单位体积更大功率以诱发吸热反应。在使用有机染料的常规可记录盘中，使用高面积功率密度以加热有机染料从而造成分解或氧化，其是放热反应。记录标记的大小通过热波前(wavefront)在冷却前传播的距离而确定。因此记录标记可能没有很好限定。对于在放热反应中没有相互作用的两个厚材料层，一种在没有强电场协助下结合两种材料的方式是加热材料至其熔点以允许材料由于布朗运动而掺合。该反应需要更高的功率和能量密度。具有薄层的可记录层的另一特征是薄层可以具有降低的氧化率。例如，当铝暴露于空气时，将在表面形成具有厚度约37nm的氧化铝层。如果例如5nm铝薄层沉积在材料的另一薄层上，由于通过上述电荷分离形成的强电场可能阻止铝薄层氧化。3、选择材料在第一部分描述的可记录层的实例中，材料M1、M2和M3分别是硅、锗和Si、Ge及Si-Ge的混合物。可以使用其它材料以达到类似的效果。一种材料选择方法基于多步骤，其中首先部分基于理论考虑因素识别材料，然后对材料自身进行实验性测量，然后对具有以特定材料(和厚度)制造的可记录层的可记录盘进行实验性测量。通常，可记录层126中每层(例如122和124)的厚度在该层德拜长度的分数部分至德拜长度的几倍范围内。可记录层的总厚度通常选择为一起考虑的层的有效德拜长度的至多几倍。如上所讨论，可记录层126具有薄的厚度允许在可记录层126中产生强电场以促进刻录过程期间层(例如122和124)的结合。如果将可记录盘用于标准记录和读取装置，层需要具有满足盘标准的反射特性。例如DVD+R和DVD-R盘要求初始反射率(刻录前)不小于45%。在没有强界面电场的情况下，对于其中仅一个子层是反射性的以满足反射率不低于45%的要求的两层结构，反射性子层的厚度应大于其德拜长度。如果层太薄，大部分的读光束将通过该层而不被反射。双层DVD+R或DVD-R盘要求初始反射率不低于16%。因此，对于双层DVD盘，可记录层126可以做得更薄。电荷分离可以造成电荷载流子移动至更低载流子密度的层，其反射率从不反射改变到非常反射性的。大电场也可以改变通过界面的EM波传播。在强界面场的帮助下，薄层间相互作用所需的能量降低。因此，当每层具有等于或小于其德拜长度的厚度时，尽管吸收的能量的量减少，该能量的量仍足以造成两薄层间的反应。进一步的考虑因素是层需要具有足够厚度和吸收特性以吸收足够的写光束能量以造成材料M1和M2的两层结合形成材料M3的第三层。如果可记录层126太薄，大部分的写光束将通过可记录层126而不被吸收。图3示出用于设计DVD+RDL盘的第一层的两层122和124(图2B)的过程150的实例。通过找出一对材料，其中至少一种材料对于读光束108是反射性的(且具有高于读光束的等离子体频率)，并且预测该对材料将结合以形成对于读光束是透明的(且具有低于读光束的等离子体频率)的材料M3，选择152用于层122和124的候选材料M1和M2。确定了候选材料M1和M2后，实验性特性如下所确定。光学特性的测量利用沉积在小玻璃衬底上的子层厚度的各种结合。制作该样品的多个相同拷贝，并在不同热环境下加以处理。例如，两层中每层五种厚度-二十五种结合-被沉积到每个玻璃衬底上，并且制作每种结合的八个拷贝。这对于特定候选对得到总共二百个样品。在进一步处理前，在例如190nm1000nm的波长的光谱上对反射率和透射率值加以测量155。样品的八个拷贝放于晶片上并在加热室中加热156，惰性气体流过加热室。在不同时间从加热室回收样品。不同加热期表示应用于两层的不同功率，并且提供可以用于确定需要多大激光功率以造成两层结合的信息。对反射率和透射率的值加以测量158。加热前测量的二十五个反射率和透射率的值与加热后测量的二百个反射率和透射率的值相比较。通过找出对于读光束108对比和/或其它要求合格的候选者，选择160想要的厚度结合。记录需要的写入功率。所有上述信息可以存储于数据库用于后续检索(retrieval)。然后用形成162的检测盘评价层厚的特定结合，并且在盘上刻录164数据。在显微镜下检测检测盘上形成的标记。盘的光学特性受到测量166，包括盘的有和无数据的部分的反射率和透射率，以及从检测盘读取的信号的准确度。例如，如果步骤166的测量结果符合标准，那么步骤152选择的候选材料被确定为适于DVD+RDL盘的层122和124。4、两薄层的光学特性在第一部分描述的实例中，可记录层126具有两层122和124，其被选择以至层122和124—起在刻录前对读光束108是反射性的，而在刻录后变成对读光束是透明的，导致与盘在刻录后的反射率降低相关的光学对比。两层122和124的其它构型也可以，包括刻录后对于读光束提高反射率，或者改变反射位置的两层。通常，在设计具有两薄层的可记录层时，通过考虑相对于读光束108的频率的材料等离子体频率来选择层的材料是有用的。例如，下面是四类具有两薄层122和124的可记录层126。在l、2和3类中，两层122和124(具有材料M1和M2)在应用写入频率时结合以形成材料M3的第三层。在第4类中，两层122和124在应用写入频率时部分结合以形成材料M3的第三层。读激光首先撞击M1然后是M2。在此，术语"写入功率"指足够将标记记录在可记录层126中的激光功率级别。在下述讨论中，叫a^是读光束频率，而o)l、co2和co3分别是材料Ml、M2和M3的等离子体频率。第l类这一类由3<0)13^的事实所表征。也就是说，C03<C0laser<O)2<C0l、(03<Q)2〈COlaser〈①1、C03〈①iaser〈W1〈C02或C03〈CO1〈C0iaser〈Co2。]t匕类中，应用写入功率后，可记录层126从对于读光束108是更大反射性的变成更透明的，或者从具有更高反射率变成具有更低反射率。此类中，刻录后，反射率(R)减小而透射率(T)增大。此处R和T指可记录层126的反射率和透射率，而非整个盘104的那些。第一部分描述的可记录层126的实例属于此类。通过刻录后增大T，更多的光可以在刻录后通过可记录层126。如进一步在下面部分讨论，这一特性可以在多刻录层可记录盘例如DVD+RDL中是有用的，以允许更多的光用于写入或读取记录在第二、第三或其它可记录层的数据并且不被记录在前面层的数据区域干扰。第2类此类由wlaser<w3的事实所表征。也就是说，w2<wl<wlaser<w3、w1<wlaser〈w2〈w3或w2<wl<wlaser<w3。此类中，应用写入功率后，可记录层126从对于读光束108是更透明的变成是更大反射性的。此类中，刻录后，R增大而T减小。上述第1和2类的一些实例也由这样的事实表征，即记录后的吸收率(A)变化不大(例如，吸收率增大或减小少于10%)。因此，在刻录过程中R和T之间有一折衷。相比之下，常规记录方法中，例如使用有机染料的那些，折衷是在A和T之间，通过刻录后增大A而减小T，更多的光被阻止从染料层后面的反射金属层反射回去，从而减小盘的总反射率。第3类此类山w1<wlaser<w3的事实所表征。也就是说w1〈wlaser〈w3〈co2，w1(w2〈wlaser〈w3或w1〈wlaser〈w2〈co3。此类中，材料M1对于读光束108是透明的，而材料M2和M3对于读光束108是反射性的。参考图4A，在w1(w2〈wlaser〈w3或w1〈wlaser〈w2〈co3的一个实例中，刻录前，读光束108通过材料M1并且被材料M2反射。参考图4B，刻录后形成材料M3，其反射读光束108。在该实例中，读光束108在刻录前被可记录层126的一部分反射，并且在刻录后被刻录层126的整个厚度反射。对比图4A和4B，结合材料M1和M2以形成材料M3，具有将反射位置移动与材料M1的层122厚度相等的距离的作用。反射表面从层122和124间的界面170移至可记录层126和衬底120间的界面172。参考图4C，在wol〈w2〈wlascr〈w3的另一实例中，反射层R127在M2层后放置以便刻录前，读光束108通过材料M1和M2，并且被反射层R127所反射。对比图4C和4B，结合材料M1和M2以形成材料M3，具有将反射位置移动与刻录层离的作用。在上述两个实例中，该反射位置的移动在具有共振腔的可记录层中可以是有用的，其在本说明书下面的部分更具体说明。第4类此类由产生其它层并且该其他层夹在M1和M2层之间的事实所表征。图5A示出这样的实例选择层122和124的厚度以及材料M1和M2以便当激光功率提高至写入功率持续指定时间段时，材料M1和M2在界面处部分结合而没有完全结合，从而形成夹在材料M1和M2之间的材料M3的第三层。材料M3可以例如通过材料M1和M2的部分混合、部分反应或部分扩散而形成。刻录后由两层产生三层，这在具有共振腔的可记录层中也可以是有用的。第5类此类的特征是在前面种类中描述的刻录层前或后堆积一个或更多其它层。此类在下面第7部分中描述，其描述了通过结合多于一个薄层形成刻录层。为了与现有商业系统例如CD-R、DVD+R、DVD-R和DVD+RDL盘驱动兼容，设计具有上述薄层的盘以致其参数满足由该系统指定的要求。比这一部分描述的双层纳米结构设计更复杂的层结构设计可以被使用。前述用于产生光学对比的一般原理仍旧可以用于这些更复杂的设计。使用薄层的优点在于需要更少的能量以造成薄层结合。对于具有特定功率的给定写光束，刻录(例如在光盘上制作可读标记)所需能量越少，写光束可以更快地扫描通过光盘同时写入相同量的信息，导致更快的写速度。使用薄层的另一优点在于对于层需要更少的材料，从而降低材料成本。当对层使用昂贵的材料例如金或银时，制造大量盘的成本节约可以是显著的。5、材料在上述第3部分描述了选择材料的方法。若干不同的材料和材料类型是用于上述类型的记录结构的候选者。两层可以都是无机材料。材料M1和M2之一或两者可以是金属，例如金、铜、铝、锡或银。材料Ml/M2可以是金属/另一金属、金属/金属合金、金属合金/另一金属合金。用于两层的材料Ml/M2可以是金属/其氧化物、金属/其氮化物、金属/其氧化物和/或氮化物的混合物、金属/金属，其氧化物和/或氮化物的混合物、金属合金/一种组分的氧化物、金属合金/一种组分的氮化物、金属合金/一种组分的氧化物和氮化物的混合物、金属合金/一种以上组分的氧化物或氮化物的混合物、金属合金/一种以上组分的氧化物和氮化物的组合物、金属合金/金属，一种以上其组分的氧化物和氮化物的混合物。材料Ml/M2可以是金属/其它金属的氧化物和/或氮化物、金属合金/其它金属的氧化物和/或氮化物。材料之一或二者可以是半导体，例如硅或锗。材料M1/M2可以是半导体/另一半导体、半导体/半导体混合物、半导体混合物/另一半导体混合物、半导体/其氧化物、半导体/其氮化物、半导体/其氧化物和/或氮化物的混合物、半导体混合物/一种组分的氧化物或氮化物，半导体混合物/一种组分或一种以上组分的氧化物和/或氮化物的混合物。一种材料M1可以是金属，而另一种材料M2可以是半导体，或者反之亦然。材料Ml/M2可以是金属/半导体、金属合金/半导体、金属/半导体混合物、金属合金/半导体混合物。材料Ml/M2可以是金属/半导体氧化物、金属/半导体氮化物、金属/半导体氧化物和氮化物的混合物、金属/一种半导体与一种半导体氧化物和/或氮化物的混合物、金属/多种半导体与多种半导体氧化物和/或氮化物的混合物。材料Ml/M2可以是金属合金/半导体氧化物、金属合金/半导体氮化物、金属合金/半导体氧化物和氮化物的混合物、金属合金/一种半导体与一种半导体氧化物和/或氮化物的混合物、金属合金/多种半导体与多种半导体氧化物和/或氮化物的混合物。材料Ml/M2可以是半导体/金属氧化物、半导体/金属氮化物、半导体/金属氧化物和/或氮化物的混合物、半导体/金属，金属氧化物和/或氮化物的混合物、半导体/金属氧化物的混合物、半导体/金属氮化物的混合物、半导体/金属的氧化物和/或氮化物混合物、半导体/多种金属，金属氧化物和/或氮化物混合物、半导体混合物/金属氧化物、半导体混合物/金属氮化物、半导体混合物/金属氧化物和/或氮化物混合物、半导体/金属氧化物混合物、半导体/金属氮化物混合物、半导体混合物/金属氧化物和/或氮化物混合物、半导体/多种金属，金属氧化物和/或氮化物混合物。材料M1和M2可以都是介电材料。6、两薄层的形成和结合6.1连续的材料层两薄层122和124中每一层可以是连续的材料层，其可以在衬底120上利用下述技术形成，该技术可以包括但不限于物理气相沉积、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、金属有机化学气相沉积或分子束外延。6.2材料的"岛"如上所述，薄材料层可以空间连续的方式形成。这一连续膜可以沉积在衬底上或在之前沉积的层的上面，并且控制沉积速率和沉积时间以便达到想要的厚度。注意的是室温下具有高载流子密度的材料(例如金属)的德拜长度可以小于一纳米。作为沉积具有如此小的厚度的可能困难的方法的替代，不连续区域或材料岛可以被沉积以达到想要的"有效厚度"。在一个实例中，岛的直径小于读光束108和写光束106的直径。例如，读和写光束的直径是l微米，而岛的直径是约10nm。由于读和写光束不分辨小尺寸的岛，所以该岛对于读和写光束呈现为具有有效厚度的连续层。材料的岛可以利用下述技术，而用更低的操作功率或用更短的操作持续期形成，这些技术可以包括但不限于上面描述的物理气相沉积、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、金属有机化学气相沉积或分子束外延。一些实例中，岛可以具有不同的尺寸，并且可连接一些岛。一些实例中，随着沉积的材料增加，许多岛变成连接的，导致连续的材料层，其具有分布于该层的空间(或空穴)，以致该材料层不完全覆盖其他层或与之重叠。图6A示出一实例，其中层124包括材料M2的岛180，其在空间连续的M1材料层的上面形成。假定岛180的平均厚度是5nm，并且岛180覆盖或重叠约15%的层122，那么材料M2的有效厚度将接近5nmx15%=0.75nm。图6B示出一实例，其中空间连续的M2材料层沉积在材料M1的岛上面。图6C示出一实例，其中材料M1和M2的岛沉积在衬底120上。图6D示出在衬底120上形成的材料M1和M2的堆叠的岛。堆叠可以通过例如沉积连续的M1和M2材料层，然后蚀刻连续层以形成堆叠来形成。6.3利用化学反应形成薄层形成薄层的另一方法是诱发与材料的化学反应。例如，图2C中的层124可以通过氧化层122而形成。注意的是，在上述部分2.1中描述的由于电荷分离所产生的电场可以根据电场的方向或帮助或阻止化学反应(包括氧化)发生。在一实例中，层122是一硅层。通过传送空气(其包括氧气和氮气)在该硅层上，氧化硅薄层在该硅层上形成。该氧化硅可以在硅层的任一侧或者两侧上生长。另一实例中，氮气与层122中的材料相互作用以形成氮化物，其成为层124。6.4结合两层当两层很薄(例如小于有效德拜长度)时，两层的结合可以被电荷分离所产生的电场所促进。然后相比于造成两更厚层结合所需的能量，可能需要每单位体积更小量的能量以形成结合。在系统的各种样式中，两薄层结合可以通过例如但不限于混合、界限模糊化、合金化、化学反应、扩散或界限上场感应质量传递而实现。两层间的反应可以是吸热的或放热的。在两薄层具有材料(Ml，M2)=(Si，Ge)或(Au，铟锡氧化物(ITO)的实例中，两薄层间的反应是吸热反应。如果层更厚，例如具有相当于四分之一波长的厚度，该反应将需要更高的功率密度。当层很薄例如在几个德拜长度内时，由于电荷分离产生的强电场将协助该反应，以便具有更低功率密度的写光束可以在用于相同的持续时间时被使用，或者具有相同功率密度的写光束可以用于更短时间。7、各自都具有两薄层的可记录层的实例制备可记录层的样品，每个具有两个薄材料层(每层近似等于或小于20nm)，并且测量其在热处理(或刻录)前后的光学特性。测量值如下述表l-9所示。基于两薄层的材料类型可以将样品分成五类(1)金属/金属，(2)金属/绝缘体，(3)半导体/半导体，(4)半导体/绝缘体，和(5)金属/半导体。每种样品包括玻璃衬底或聚碳酸酯衬底。玻璃衬底用超声波清洗仪清洗并且浸渍在丙酮或乙醇中至少10分钟。聚碳酸酯衬底在生产出来后保持在清洁且干燥的环境下。在每个样品中，两薄材料层利用获得自Unaxis的溅射装置ModularSingleDiskSputteringSystem"TrioCUBE"(Balzers)沉积在衬底上。保持主室和处理室的基压(basepressure)低于10'7毫巴。处理室中的操作压在10—31(^毫巴的范围内。用氩气作为工作气体制备样品。利用溅射时间(通常小于4秒)和溅射功率密度(通常1.515W/cm2)确定层的厚度。表中显示的材料的厚度基于所使用的材料的溅射率、溅射时间以及溅射功率而估算。在沉积两层后马上利用N&KAnalyzer1200RT测量玻璃衬底上制备的每个可记录层的反射率和透射率。在下表中将该测量表示为"热处理前"。利用具有不同波长的三种不同激光(读光束)测量反射率和透射率，该不同波长对应于三种光盘标准，分别是蓝光DVD或HDDVD(405nm)、DVD(655nm)和压縮盘(780nm)。样品在具有93%氩气和7%氢气以防止热处理时氧化的环境的炉中受到热处理。下表中表明热处理温度。热处理时间是两小时。热处理后，利用三种标准激光波长再次测量样品的反射率和透射率。反射率和透射率值在表中表示为"热处理后"。"光学对比"表示热处理前后的反射率的对比，并且定义为(Rb-Ra)/Rb，其中Rb和Ra分别是热处理前后的反射率。使用聚碳酸酯衬底的样品与保护层结合以形成光盘。利用获得自Pulstec的DDU-1000检测装备进行刻录过程。激光刻录功率在0.7mW55mW的范围，并且激光波长是655nm。测量可记录层在刻录前后的反射率并且在表中分别表示为"记录前"和"记录后"。在使用聚碳酸酯衬底的样品中，可以利用裸眼容易地识别到刻录的区域明显比未刻录区域更加透明，因此没有测量精确的透射率。7.1具有金属/金属薄层的可记录层表1<table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table>表l示出的测量表明，当两薄层是Au(2.4nm)和Ag(15nm)时，热处理后，对于具有波长655nm和780nm的读光束，透射率增大而反射率降低。在波长655nm和780nm处，反射率的对比分别是55.93%和64.48%。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>表3示出的测量表明，当两薄层是Ag—Al—Cu—合金(8nm)和Si02(2.4nm)时，热处理后，对于具有波长405nm、655nm和780nm的读光束，透射率增大而反射率降低。在波长405nm、655nm和780nm处，反射率的对比分别是31.4。/。、57.46%和59.58%。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>表4示出的测量表明，当两薄层是A1(6nm)和AlOx(~1nm)时，刻录后，对于具有波长655nm的读光束，反射率降低。反射率的对比是86.67%。基于裸眼的视觉检测，刻录部分的透射率高于未写入部分。7.3具有半导体/半导体薄层的可记录层表5<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>表5示出的测量表明，当两薄层是Si(9nm)和Ge(20nm)时，刻录后，对于具有波长655nm的读光束，反射率降低。反射率的对比是62.03%。基于裸眼的视觉检测，刻录部分的透射率高于未写入部分。7.4具有半导体/绝缘体薄层的可记录层表6<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>表6示出的测量表明，当两薄层是Ge(20nm)和GeOx(1nm)时，刻录后，对于具有波长655nm的读光束，反射率降低。反射率的对比是76.00%。基于裸眼的视觉检测，刻录部分的透射率高于未写入部分。表7<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>表7示出的测量表明，当两薄层是Si(18nm)和SiOx(~1nm)时，刻录后，对于具有波长655nm的读光束，反射率降低。反射率的对比是48.01%。基于裸眼的视觉检测，刻录部分的透射率高于未写入部分。7.5具有金属/半导体薄层的可记录层表8<table>tableseeoriginaldocumentpage62</column></row><table>表8示出的测量表明，当两薄层是Ag(6nm)和Ge(20nm)时，热处理后，对于具有波长405nm、655nm和780nm的读光束，透射率增大而反射率降低。在波长405nm、655nm和780nm处，反射率的对比分别是84.87%、49.07%和26.39%。表9<table>tableseeoriginaldocumentpage62</column></row><table>表9示出的测量表明，当两薄层是Si(2.4nm)和A1(6nm)时，热处理后，对于具有波长405nm、655nm和780nm的读光束，透射率增大而反射率降低。在波长405nm、655nm和780nm处，反射率的对比分别是56.62%、69.80%和72.39%。8、替代刻录结构上述实例中，光盘通常具有一个刻录层，其包括两薄层，其中两薄层在应用写光束时相互作用。作为选择，光盘也可以具有两个或更多个刻录层，每个包括多个薄层。另外的刻录层允许光盘具有更大存储容量。作为另一替代，在一个刻录层中两个以上的薄层可以用于产生刻录时改变光学对比的不同机构。8,1多个刻录层上述类型的方法可以应用于记录介质，例如可记录盘，以致两个或更多个刻录层被使用，并且刻录或读取一层的光束可能必须通过另一层。因此，诸如刻录层的透射率之类的特性可以影响利用另一层实现的性能(例如，改变光学对比)特性。图7示出一种可记录盘的横截面，此处称作双层可记录盘290，其具有透明衬底120、第一刻录层292、透明间隔层296、第二刻录层294以及保护层128。读和写光束从衬底120的那侧进入盘170。对第一刻录层292读取数据和写入数据与对图2A中盘104的刻录层126读取数据和写入数据类似。然而，对第二刻录层294读取数据和写入数据受第一层292的透射特性所影响，因为通过第一刻录层292的光的多少决定可用于对第二刻录层294读取数据和写入数据的光的多少。假设刻录前，第一刻录层292具有反射率R1和透射率T1，而第二刻录层294具有反射率R3。假设刻录后，第一刻录层292具有反射率R2和透射率T2，而第二刻录层294具有反射率R4。第一刻录层292的光学对比调制是(Rl-R2)/Rl，而第二刻录层294的光学对比调制是<formula>formulaseeoriginaldocumentpage63</formula>此处，第二刻录层294的光学对比调制指由位于衬底120外面的检测器(例如110)测量的反射率的对比。作为实例，假设刻录后，第一刻录层292的反射率减少40%而透射率增加15%，因此R2=0.4R1且T2=1.15Tl，那么，第一刻录层292的光学对比调制是(卜0.4)/1=60%。如果刻录后，第二刻录层294的反射率也减少40%，以致于R4:0.4xR3，那么第二刻录层292的光学对比调制是(1-0.4x1.152)/1=47%，其小于第一刻录层292的光学对比调制。图8A-8C示出一种双层可记录盘，其中每个刻录层包括两子层。通常，图8A-8C可以与说明单独刻录层的使用的图2A-2C对比。图8A示出双层可记录盘170沿轨道径向的横截面。盘170包括透明衬底120、第一刻录层126、透明间隔层182、第二刻录层176以及保护层128。读和写光束从衬底120的那侧进入盘170。第一刻录层126包括材料M1的第一层122和材料M2的第二层124，其可以与用于图2A-2C的盘104的那些类似。类似于盘104，双层盘170的第一和第二层122和124每层具有的厚度小于各层的德拜长度。透明衬底120和保护层128可以由玻璃或聚碳酸酯组成。第二刻录层176包括材料M4的第一层172和材料M5的第二层174，其可以是与层122和124类似的薄层。类似于制造图2A-2C的盘104的方法，多种制造方法可以用于在盘170上制作刻录层的薄子层。例如，每层可以利用物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)在前层上面形成。类似于盘104，盘170包括凹槽道130以及凸区道132，其由于它们相对于衬底120的不同高度而对于读光束具有不同的反射率。例如，根据使用的记录标准，数据可以仅仅写入凹槽道130，仅仅写入凸区道132，或者既写入凹槽道又写入凸区道。图8B示出盘170沿着与轨道平行的纵向横截面。图8C示出刻录后的同一横截面。一些实例中，用于写入数据至第一刻录层126中的写入过.程类似于用于写入数据至盘104的第一刻录层126中的写入过程。当写光束聚焦于盘170中的第一刻录层126上时，写光束的热能提高刻录层126的温度，造成材料M1和M2相互作用以形成材料M3的层142，其具有不同于层122和124结合的光学特性。在第一和第二层172和174是与第一和第二层122和124类似薄层的实例中，写入数据至第二刻录层176的写入过程与写入数据至第一刻录层126的写入过程类似。当写光束聚焦于第二刻录层176上时，写光束的热能提高刻录层176的温度，造成材料M4和M5相互作用以形成材料M6的层184，其具有不同于层172和174结合的光学特性。双层盘170可符合例如双层DVD+R(DVD+RDL)的标准技术要求。例如，通过当盘以2.4X的速度转动时以小于30mW的功率级别应用波长655nm的激光束于光斑上，而以4X速度转动时以小于40mW的功率水平应用波长655nm的激光束于光斑上实现写入。一些实例中，第一刻录层126吸收接近20%或更少的束能，而第二刻录层176吸收接近同样量的能量。在访问(access)第一刻录层126的读取操作期间，由检测器110检测的反射信号大多由第一刻录层126的反射率特性所确定。在访问第二刻录层176的读取操作期间，由检测器U0检测的反射信号大多由第二刻录层176的反射率特性以及第一刻录层126的透射特性所确定。当读光束聚焦于第一刻录层126的未写入部分144时，反射率和透射率分别表示为R1和T1。当读光束聚焦于第一刻录层126的写入部分142时，反射率和透射率分别表示为R2和T2。参数R1和R2表示盘170在光束聚焦于第一刻录层126时的总反射率。尽管一些光也被第二刻录层176反射，但由第二刻录层176反射的光散焦并且检测器110仅检测到可忽略的量。在这一实例中，选择层122和124的材料和厚度以便R1〉R2且TKT2。具体地，在读光束的波长655nm处，Rl-17%，R2-7%，Tl-62。/。和T2-73。/。。在此，111>16%并且光学对比调制(Rl-R2)/Rl-60%,其满足双层DVD+R标准的第一层。当读光束108扫描第一刻录层126的轨道时，由第一刻录层126反射的光的量根据读光束108是否聚焦于部分140或144而变化。检测反射率的变化，因此读取先前由写光束在第一刻录层126中记录的数据。当读光束聚焦于第二刻录层176的未写入部分188时，反射率表示为R3。当读光束聚焦于第二刻录层176的写入部分186时，反射率表示为R4。参数R3和R4表示盘170在光束聚焦于第二刻录层176时的总反射率。在这一实例中，选择层172和174的材料和厚度以便R3〉R4，R3>16%，且光学对比调制(R3-R4)/R3>60%，其满足双层DVD+R标准的第二层。由于第二刻录层176反射的光量取决于到达第二刻录层176的光量，所以参数R3和R4受参数T1和T2影响。将薄层用于层122和124的优点在于T1和T2都大于60%，因此超过60%的读光束传递到第二刻录层176。当读光束扫描第二刻录层176中的轨道时，第二刻录层176反射的光量根据读光束108是否聚焦于部分186或188而变化。检测反射率的该变化，从而读取先前由写光束在第二刻录层176中记录的数据。在图8A-8C的实例中，盘170包括两个刻录层126和176。也可使用额外的刻录层。例如，图9示出盘190沿平行于轨道的纵向横截面。盘190包括透明衬底120、第一刻录层126、第一透明间隔层182、第二刻录层176、第二透明间隔层198、第三刻录层176和保护层128。读和写光束从衬底120的那侧进入盘170。在这一实例中，第一、第二和第三刻录层的每层都使用薄层。选择第一和第二刻录层每层的子层材料和厚度以便超过60%的光通过到第一和第二刻录层的每层。考虑到层120、182和198的吸收，将仍有约30%的入射光到达第三刻录层196。由于第三刻录层196的薄子层只需要少量能量以反应(由于子层中的强电场的缘故)，所以到达第三刻录层196的光量具有足够的功率密度以造成两个薄子层结合并改变反射率。8.2具有两个以上薄层的刻录结构在设计刻录层例如126、176或196时，可以增加第三层。例如参考图IO，可记录盘200包括透明衬底120、刻录层202以及保护层128。刻录层202包括材料M7的第一层204、材料M8的第二层206和材料M9的第三层208。材料M7和M9可以相同或不同。设计层204、206和208以便在应用写入功率时，层204、206和208结合以形成材料M10的层210。假定0)13^是读光束频率，且co7、8、0D9和colO分别是材料M7、M8、M9和M10的等离子体频率。选择材料M7、M8和M9的厚度和材料以便o)l(KcOk,并且co7、co8和co9中至少其一大于叫a^，以便刻录后反射率减小。该三层可以全部是无机材料。材料M7、M8和M9可以是上述金属、电介质或半导体材料。在一些实例中，可使用具有四个或更多薄子层的刻录层。在一些实例中，增加层数可提高刻录前后的光学对比。8.3透明对比增强层参考图ll，可记录盘216包括透明衬底120、刻录层214、对比增强层212和保护层128。与盘104的层122和124的那些类似，刻录层214包括材料M1的层122和材料M2的层124。当应用写入功率至刻录层214时，材料M1和M2结合以形成材料M3，这类似于盘104中的情形。对比增强层212增强数据区和空白区之间反射率的对比，即，刻录前后的反射率差别增强。在一些实例中，层212不影响数据刻录过程，并且不与层122和124结合。在一些实例中，对比增强层212包括增加刻录层126中电荷载流子密度的材料(例如金属)。在一些实例中，刻录层的等离子体频率在记录后减小，且在增加对比增强层212后反射率或透射率的对比增大。记录前的(刻录层126和对比增强层212的结合的)有效等离子体频率升高很多，而记录后的有效等离子体频率只升高少许(或降低)，因此有效等离子体频率的差增大。在一些实例中，记录后的等离子体频率升高，且在加入对比增强层212后反射率或透射率的对比增大。记录前的有效等离子体频率升高很少(或降低)，而记录后的有效等离子体频率升高很多，因此有效等离子体频率的差增大。在一些实例中，对比增强层212降低电荷载流子密度。在一些实例中，记录后的等离子体频率降低，而在增加对比增强层212后反射率或透射率的对比增大。记录前的有效等离子体频率减少少许，而记录后的有效等离子体频率减少很多，因此有效等离子体频率的差增大。在一些实例中，记录后的等离子体频率升高，且在增加对比增强层212后反射率或透射率的对比增大。记录前的有效等离子体频率减少很多，而记录后的有效等离子体频率减少少许，因此有效等离子体频率的差增大。透明对比增强层212可以是电介质材料或半导体材料，例如硅、锗、硫化锌或氧化锌等，并且具有的透射率大于50%。在一些实例中，添加层212至刻录层126提高了刻录前的反射率量。反射率的增大可以与若干情形相关(1)减小的吸收率；(2)减小的透射率；(3)减小的吸收和减小的透射率；(4)减小的吸收率和增大的透射率，其中透射率的增大量小于吸收率的减小量；和(5)减小的透射率和增大的吸收率，其中吸收率的增大量小于透射率的减小量。在一些实例中，添加层212减小了刻录后的反射率量。反射率的减少可以与若干情形相关(1)增大的吸收率；(2)增大的透射率；(3)增大的吸收率和增大的透射率；(4)增大的吸收率和减小的透射率，其中吸收率的增大量大于透射率的减小量；和(5)增大的透射率和减小的吸收率，其中透射率的增大量大于吸收率的减小量。在一些实例中，添加层212增大了刻录前的反射率量并且减小了刻录后的反射率量。刻录前反射率的增大以及刻录后反射率的减小可以与上述情形相关。在一些实例中，层128的厚度小于20nm。层128的适宜厚度取决于层128的材料以及其他层的材料。可以使用一个以上的对比增强层。在一些实例中，对比增强层不与其它层结合，并且在应用写入功率时保持不变。在其它实例中，对比增强层自身结合但是不与刻录层结合。在一些实例中，选择对比增强层212以便刻录前，层212和刻录层214结合的等离子体频率高于刻录层214单独的等离子体频率。在一些实例中，选择对比增强层以便刻录后，层212和刻录层214结合的等离子体频率低于刻录层126单独的等离子体频率。如果使用一个以上的对比增强层，该对比增强层可以位于结合的层的同一侧。在一些实例中，对比增强层位于衬底120和层122之间。在一些实例中，对比增强层位于层124和保护层128之间。在一些实例中，一个对比增强层位于衬底120和层122之间，并且另一个对比增强层位于层124和保护层128之间。可以设计盘216以便透射率的对比在增加对比增强层212后增大。该盘可以与检测刻录前后透射率对比的光盘驱动一起使用。8.4微-共振结构参考图13，光盘238包括对于读光束具有共振样特性的刻录层236。这些特性与具有的空腔长度等于波长一半的共振腔的特性类似。在一些实例中，刻录层236具有三层230、232和234，其中层230和234对读光束比层232更能反射，而层232比层230和234更加透明。刻录层236具有共振样特性，其中从刻录层236反射的光量大于由两个反射层230和234各自反射的光的总和。假定层230和234分别具有反射率R1和R2，层230具有透射率T1，层232具有透射率T2，且Rsum表示刻录层236的反射率，那么Rs咖〉Rl+R2*Tl2*T22。在这些实例中，表现出微-共振腔中似乎发生相长干涉以便反射更高百分率的光。参考图14A，选择层232的厚度d以便当层232的厚度偏离d(或减小或增大)时，刻录层236的反射率减小。这一现象与共振空腔厚度偏离l/2人的情形类似，共振减小。刻录层236的共振样特性部分由层间界面处的强电场所造成，其影响从层反射或传送过层的光量。用于此处的术语"微-共振腔"指具有共振样特性的结构，其中从整个结构反射的光量大于由其组成层单独反射的光的总和。另外，微-共振腔具有一个或更多个夹在两反射表面间的透明层，并且选择两反射表面间的距离d以便如果两反射表面间的距离偏离d，则微-共振腔的反射率减小。术语"微-共振结构"将被用于指具有一个或更多个微-共振腔的结构。中间层232具有的厚度远小于读光束波长X的一半。在一些实例中，中间层232具有的厚度小于基于该层的电荷载流子密度确定的德拜长度。利用微-共振腔的优点在于组成层(例如230、232和234)远薄于l/2u因此需要更少的能量造成层结合以改变微-共振腔的特性(相比于改变具有1/2X空腔长度的共振腔的特性所需的能量)。在一些实例中，选择层230、232和234的厚度和材料以便在层230和234之间形成的微-共振腔中发生相消干涉。图14B示出当层232的厚度从特定值d或减小或增大时，刻录层236的反射率增大。通过选择更大反射性的材料M16和M18，以及更透明的材料M17，可以设计微-共振腔。将材料M17夹心到材料M16和M18之间造成光在两反射层间来回反弹(bounceback)，造成相长或相消干涉。选择中间层232的厚度以便微-共振腔具有更高的反射率(表明相长干涉)。微-共振腔的反射率可以通过改变反射表面的位置而调节以将微-共振腔环境(condition)从相长干涉变成相消干涉，或者反之亦然。在一些实例中，通过结合两个或更多层改变反射表面的位置。微-共振结构的反射率可以通过将一个微-共振腔分成两个，或者将两个微-共振腔结合成一个而调节以将微-共振腔条件从相长干涉变成相消干涉，或者反之亦然。在一些实例中，通过结合两个或更多层实现分开或结合微-共振腔。下面是改变微-共振结构光学特性的方式的实例。选择层的厚度以便微-共振腔的反射率R开始较高，而在改变微-共振腔环境后R减小。8.4.1通过转移反射位置改变微-共振腔在一些实例中，微-共振腔环境通过转移层的反射位置而改变。参考图15,微-共振结构240具有层Rl、T1和R2，其中层R1和R2比层T1有更大的反射性，而层T1比层R1和R2有更大的透射性。读和写光束从层Rl的那侧进入微-共振结构240。刻录后层T1和R2结合以形成层R3。因为在两反射表面之间没有透明层，所以微-共振腔被破坏。层R1和R2可以具有相同或不同的材料。在一些实例中，刻录后层R1和T1结合以形成层R3。因为在两反射表面之间没有透明层所以微-共振腔被破坏。在一些实例中，刻录后层R1、T1和R2结合以形成具有更高透射率的层T2。因为只有一层所以微-共振腔被破坏。在一些实例中，刻录后层R1、T1和R2结合以形成具有更低反射率的层R3。因为只有一层所以微-共振腔被破坏。在下面，以Tn表示的层指其具有比表示为Rn的其它层更高的透射率，而以Rn表示的层指其具有比表示为Tn的其它层更高的反射率。参考图16，微-共振腔242依次具有层Rl、R3、T1和R2。读和写光束从层Rl的那侧进入微-共振结构242。刻录后层R3和T1结合以形成层T2。由于透明层厚度改变(从层Tl的厚度dl到层T2的厚度d2)所以微-共振腔改变。选择层的厚度以便记录前存在相长干涉，而记录后存在相消干涉，或者反之亦然。层R1和R2可以具有相同或不同的材料，层R1和R2可以具有相同或不同的材料，并且层R1和R2具有不同的材料。参考图17，微-共振腔244具有层Rl、Tl、T2和R2。读和写光束从层R1的那侧进入微-共振结构244。刻录后层T2和R2结合以形成层R3。由于透明层厚度改变(从层Tl和T2的总厚度d3到仅仅是层Tl的厚度dl)所以微-共振腔改变。在一些实例中，选择厚度以便记录前存在相长干涉，而记录后存在相消干涉，或者反之亦然。层R1和R2可以具有相同或不同的材料，并且层T1和T2具有不同的材料。8.4.2通过改变更大反射性的层为更透明的层改变微-共振腔参考图18，可以通过改变反射性的层为更透明的层改变微-共振腔246。微-共振腔246依次包括层R1、T1和R2。读和写光束从层Rl的那侧进入微-共振结构246。刻录后层T1和R2结合以形成层T2。由于仅有一个反射表面(在层R1处)所以刻录后微-共振腔被破坏。图18中的层R1和R2可以具有相同或不同的材料。参考图19，微-共振腔248依次具有层Rl、Tl、T2和R2。读和写光束从层Rl的那侧进入微-共振结构248。刻录前，在反射层Rl和R2之间形成微-共振腔282。刻录后层R1和T1结合以形成层T3，层T3的反射率低于层R1的反射率。由于仅有一个反射表面(在层R2处)所以刻录后微-共振腔被破坏。即使层T3是足够反射性的以致在层T3和R2间形成微-共振腔284，由于层T3具有比层R1更低的反射率所以腔284的总反射率小于腔282的，并且腔长度也改变。图19中的层R1和R2可以具有相同或不同的材料，并且层T1和T2具有不同材料。8.4.3分开微-共振腔参考图20，微-共振结构250具有层Rl、Tl、T2、T3、T4和R2。读和写光束从层Rl的那侧进入微-共振结构250。刻录前，在层Rl和R2之间形成微-共振腔252。刻录后层T2和T3结合以形成反射层R3。原始微-共振腔252分成两个空腔层Rl和R3之间的微-共振腔254，以及层R3和R2之间的微-共振腔256。在一些实例中，刻录后形成的微-共振腔可以具有相消干涉。在这一实例中，刻录后，层T2和T3结合以形成层R3，其具有比层T2和T3更高的反射率。由于两个微-共振腔254和256的总反射率小于微-共振腔252的反射率，所以微-共振结构250的总反射率减小。层R1和R2可以具有相同或不同的材料。对于层T1、T2、T3和T4，不相邻的层可以具有相同或不同的材料，而相邻层具有不同材料。8.4.4结合两微-共振腔以形成一个微-共振腔参考图21，微-共振结构270依次具有层R、Tl、R3、T2和R2。读和写光束从层Rl的那侧进入微-共振结构270。在反射层Rl和R3之间形成微-共振腔272，和在反射层R3和R2之间形成另一微-共振腔274。刻录后层T1、R3和T2结合以形成层T3。刻录后，在反射层Rl和R2之间形成微-共振腔276。因此，在这一实例中，刻录后两个微-共振腔转变成一个微-共振腔。层R1、R3和R2可以具有相同或不同的材料，而层T1和T2可以具有相同或不同的材料。8.4.5通过改变一层的反射率改变微-共振腔参考图22，微-共振结构260依次包括层Rl、Tl、R2和T2。读和写光束从层Rl的那侧进入微-共振结构260。刻录前，在反射层Rl和R2之间形成微-共振腔278。刻录后层R2和T2结合以形成层R3以便在反射层Rl和R3之间形成微-共振腔280。刻录后中间层T1的厚度不变。选择层R2和T2以便层R3的反射率低于层R2的反射率，以至于腔280的总反射率低于腔278的。层R1和R2可以具有相同或不同的材料，而层T1和T2可以具有相同或不同的材料。8.4.6通过改变中间层的介电常数而不改变其厚度改变微-共振腔参考图24，微-共振结构264依次包括层Rl、Tl、T2和R2。读和写光束从层Rl的那侧进入微-共振结构264。刻录前，在反射层Rl和R2之间形成微-共振腔266。选择层T1和T2以便刻录后层T1和T2部分结合以形成层T3。层T1、T3和T2的总介电常数(刻录后)与层T1和T2(刻录前)的总介电常数不同，因此微-共振腔266的特性也改变。8.5用于转化对比的层参考图12，光盘228包括刻录层226和在刻录前后转换反射率对比的对比转化层224。刻录层226包括材料M12的层220和材料M13的层222。选择层220和222的材料和厚度以便当应用写入功率时，层220和222结合以形成材料M15的层229，其中层229具有比层220和222的结合的那些更高的反射率和更低的透射率。选择对比转化层224以便层229和224—起具有比层220、222和224的总反射率更低的反射率。换言之，随着添加对比转化层224，刻录后盘228的总反射率减小。在--些实例中，通过改变微-共振结构的光学特性实现光学对比的转换。可以通过首先选择其中刻录后的反射率增大的两材料层并增加更多层以产生微-共振腔来设计微-共振结构。刻录后，两层结合以便微-共振腔被改变成具有更低反射率，或被分成具有更低总反射率的两个腔。参见图15和20所示的结构的描述。9、其它实施和应用下面是可替代的实施和应用的实例。例如，对于双层盘170(图8A)，第二刻录层176不必须使用与第一刻录层126类似的薄层。第二刻录层176可以具有子层，以致刻录后层176的透射率减小。例如，第二刻录层176可以使用感光染料层和金属反射层。刻录后染料层增大吸收率，因此更少的光通过染料层传送并被金属层反射，导致刻录后的总反射率减小。在双层盘170(图8A)中，第一刻录层126可以包括刻录后减小反射率并增大透射率的微-共振结构。盘170的第一和第二刻录层126和176之一或两者可以使用对比增强层以增大对比。在图8A、8B、8C和9中，刻录层126、176和196中每层具有两薄子层。可选择地，在一些实例中，一个或更多个刻录层可以每层具有两个以上的刻录后结合的薄子层。一个或更多个刻录层可以每层具有两个子层，所述子层刻录后自身增大反射率，但随着增加对比转化层，刻录后反射率减小，以至于反射率的减小符合光学记录标准。一个或更多个刻录层可以每层具有子层，其形成共振空腔以至于刻录后的反射率减小。在图8A-8C的盘170中，可以通过在第一子层124外形成氧化物产生子层124。图23示出刻录层262，其包括两个双层Rl、R2、R3和R4。刻录后，层R1和R2结合以形成层T1，而层R3和R4结合以形成层T2。层R1、R2、R3和R4的结合比层R1和R2的结合、或者层R3和R4的结合反射更多的光。层T1和T2的结合比层R1和R2的结合、或者层R3和R4的结合传送更多的光。利用层R1、R2、R3和R4的结合产生的对比大于利用层R1和R2的结合、或层R3和R4的结合产生的对比。可记录介质的各种层可以具有除了上述那些之外的厚度并使用除了上述那些之外的材料。可以利用除了上述那些之外的方法制造刻录层。在一些实例中，刻录过程是吸热的，导致良好限定的记录标记，其可以被紧密压縮以实现更高的记录密度。相比于刻录层中使用有机染料的常规盘，可以使用更小的盘记录相同量的信息。可记录介质不必须是盘。例如可记录介质可以是矩形或者任何其它任意形状。可记录介质不必须是平的。例如可记录介质可以符合立方体、球或者任何其它任意体积的表面轮廓。不同类型的可记录介质可以与具有不同编址方案(addressingscheme)的不同记录系统一起使用。可使用不同编码/解码方案以编码/解码写入可记录介质的数据。可记录介质不必须符合CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、HD-DVD或蓝光DiscDVD的标准。尽管上面讨论了一些实例，其它实施和应用也在下述权利要求的范围内。权利要求1.一种可记录介质，包括可记录结构，其具有对于读光束在应用能量时增大的透射率。2、根据权利要求l所述的可记录介质，其中所述可记录结构在应用能量前的透射率大于50%。3、根据权利要求2所述的可记录介质，其中所述可记录结构在应用能量后的透射率大于50%。4、根据权利要求l所述的可记录介质，其中所述可记录结构包括第一层和第一层。5、根据权利要求4所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层至少其一具有小于IOnm的平均厚度。6、根据权利要求5所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层至少其一具有小于5nm的平均厚度。7、根据权利要求6所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层至少其一具有小于2nm的平均厚度。8、根据权利要求4所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层在应用能量时结合。9、根据权利要求4所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层包括以下的至少一种(a)两不同的半导体层，(b)两不同的金属层，(c)两不同的介电层，(d)—半导体层和一金属层，(e)—半导体层和一介电层，和(f)一金属层和一介电层。10、根据权利要求9所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层每层包括从由铝、铜、金、银、锡、硅、氧化硅、锗、氧化钨和氧化钛组成的组中选择的材料。11、根据权利要求4所述的可记录介质，其中所述可记录结构包括第一层、第二层和第三层。12、根据权利要求ll所述的可记录介质，其中所述可记录结构包括在应用能量时结合的第一层、第二层和第三层。13、根据权利要求ll所述的可记录介质，其中所述第一层、第二层和第三层包括以下的至少一种-(a)金属层，介电层，和半导体层；(b)第一金属层，介电层，和第二金属层；(c)第一金属层，半导体层，和第二金属层；(d)第一介电层，金属层，和第二介电层；(e)第一介电层，半导体层，和第二介电层；(f)第一半导体层，介电层，和第二半导体层；和(g)第一半导体层，金属层，和第二半导体层。14、根据权利要求13所述的可记录介质，其中所述第一层、第二层和第三层包括以下的至少一种(a)第一金属层，介电层，和第二金属层，其中第一金属层和第二金属层包括不同金属；(b)第一金属层，半导体层，和第二金属层，其中第一金属层和第二金属层包括不同金属；(c)第一介电层，金属层，和第二介电层，其中第一介电层和第二介电层包括不同电介质材料；(d)第一介电层，半导体层，和第二介电层，其中第一介电层和第二介电层包括不同电介质材料；(e)第一半导体层，介电层，和第二半导体层，其中第一半导体层和第二半导体层包括不同半导体材料；(f)第一半导体层，金属层，和第二半导体层，其中第一半导体层和第二半导体层包括不同半导体材料。15、根据权利要求ll所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有小于20nm的厚度。16、根据权利要求15所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有小于IOnm的厚度。17、根据权利要求l所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有小于20nm的厚度。18、根据权利要求17所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有小于IOnm的厚度。19、根据权利要求l所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有第一层和第二层，第一层和第二层的每层厚度小于基于该层中电荷载流子密度确定的德拜长度的三倍。20、根据权利要求l所述的可记录介质，其中所述读光束具有在400nm460nm、630nm690nm或750nm810nm的范围内的频率。21、根据权利要求l所述的可记录介质，其中所述能量由写光束提供，并且可记录介质的反射率在应用能量时减小，可记录介质在应用能量前后的反射率与CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。22、一种光盘，包括可记录结构，其具有对于读光束在应用能量时增大的透射率。23、根据权利要求22所述的光盘，其中所述可记录结构包括刻录层，所述刻录层具有至少两个在应用写入功率后结合的子层，刻录层在刻录前对于读光束具有反射率R1和透射率T1，刻录层在刻录后对于读光束具有反射率R2和透射率T2，并且R1〉R2且T1<T2。24、根据权利要求22所述的光盘，其中所述光盘符合CD-R、DVD-R、DVD+R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种。25、一种可记录介质，包括具有刻录区域的可记录结构，其中通过刻录的有或无携带信息，至少一些刻录区域对于读光束具有高于尚未被刻录区域的透射率。26、根据权利要求25所述的可记录介质，其中所述刻录区域表示逻辑l。27、根据权利要求25所述的可记录介质，其中该空白区域包括第一材料和第二材料，在该两材料之间具有清晰的界限，并且该记录区域具有由第一和第二材料间的相互作用产生的第三材料。28、根据权利要求25所述的可记录介质，其中所述记录区域对于读光束具有低于该空白区域的反射率，该记录区域和该空白区域的反射率与CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。29、一种光学系统，包括可记录介质，其包括可记录结构，所述可记录结构对于读光束具有在应用写入功率时增大的透射率；和光驱，其包括光源，以产生读光束，聚焦机构，以聚焦读光束于可记录结构上，以及光检测器，以检测从可记录介质反射的光。30、根据权利要求29所述的可记录介质，其中所述可记录介质的反射率在应用写光束时减小，可记录介质在应用写光束前后的反射率与CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。31、一种光学系统，包括可记录介质，其包括可记录结构，所述可记录结构对于读光束具有在应用写入功率时增大的透射率；和光驱，其适合于将数据记录在可记录介质中并且具有与写策略相关的预存储信息，该写策略与识别可记录介质的标识符相关，该系统使用该写策略以写入信息至识别的可记录介质上。32、根据权利要求31所述的光学系统，其中所述可记录介质的反射率在应用能量时减小，可记录介质在应用能量前后的反射率与CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。33、一种在可记录介质中写入信息的方法，包括应用能量至可记录结构以提高可记录结构对于读光束的透射率。34、根据权利要求33所述的方法，其中所述读光束具有在350nm与450nm之间的波长。35、根据权利要求33所述的方法，其中所述可记录结构包括第一层和第二层，并且当应用能量时，第一层和第二层结合以产生第三层。36、根据权利要求35所述的方法，其中所述第三层具有小于读光束频率的特征频率，且第一层和第二层中至少其一具有高于读光束的特征频率，层的特征频率正比于n/m的平方根，其中n表示该层的电荷载流子密度而m表示该层中电荷载流子的有效质量。37、根据权利要求36所述的方法，其中所述特征频率包括等离子体频率。38、根据权利要求36所述的方法，其中应用能量至可记录结构也减少可记录介质的反射率，可记录介质在应用能量前后的反射率与CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。39、一种从可记录介质读取信息的方法，包括聚焦读光束至可记录结构上以检测第一部分，其具有比第二部分更低的反射率以及更高的透射率。40、根据权利要求39所述的方法，其中通过第一部分的有和无携带信息。41、根据权利要求39所述的光盘，其中所述读光束具有在400nm460nm、630nm690nm或750nm810nm的范围内的频率。42、根据权利要求39所述的方法，其中所述第一部分和第二部分的反射率与CD-R、DVEH"R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。43、一种写入数据的方法，包括应用能量至刻录层以改变刻录层的特征频率以便特征频率从高于特定的读光束频率变成低于该读光束频率，层的特征频率正比于n/m的平方根，其中n表示该层的电荷载流子密度而m表示该层中电荷载流子的有效质量。44、根据权利要求43所述的方法，其中所述读光束频率对应于在400nm460nm之间的波长。45、根据权利要求43所述的方法，其中所述可记录结构的反射率在应用能量时减小，可记录结构在应用能量前后的反射率与CD-R、DVD+R、DVD-R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种一致。46、一种可记录介质，包括具有对于读光束大于50%的反射率的可记录结构，其中在应用能量时，可记录结构对于读光束的透射率变得大于50%。47、根据权利要求46所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有第一层和第二层，其在应用能量时反应。48、根据权利要求47所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层中至少其一小于10nm。49、一种可记录介质，包括具有对于读光束大于50%的透射率的可记录结构，其中可记录结构在应用能量时的反射率变得大于50%。50、一种可记录介质，包括-可记录结构，其包括至少具有第一等离子体频率col的第一层，其中当写入功率用于可记录结构时，形成具有第二等离子体频率o)2的第二层，其中Q)KwKco2或者a)2〈coK(Dl，其中cor是读光束的频率，其具有等于或不同于赋予写入功率的写光束频率的频率，其中层的等离子体频率正比于n/m的平方根，其中n表示该层的电荷载流子密度而m表示该层中电荷载流子的有效质量。51、根据权利要求50所述的可记录介质，其中所述可记录结构包括在应用写入功率前与第一层相邻的第三层，并且基于在应用写入功率时第一层和第三层中的材料混合形成第二层。52、根据权利要求50所述的可记录介质，其中所述可记录结构包括在应用写入功率前与第一层相邻的第三层，并且基于在应用写入功率时第一层和第三层中的材料化学反应形成第二层。53、根据权利要求52所述的可记录介质，其中所述化学反应是吸热的。54、根据权利要求50所述的可记录介质，其中所述cor对应于400nm460nm之间的波长。55、一种可记录介质，包括可记录结构，其包括第一层和第二层，第一层具有第一等离子体频率Q)l，第二层具有第二等离子体(D2，选择这两层以便当写入功率用于可记录结构时，第一层和第二层相互作用以形成具有第三等离子体频率o)3的第三层，以至于co1<a)r<o)3或者co2〈o)Ko)3或者co3〈o)rcco1或者①3〈coKo)2，其中cor是读光束的频率。56、根据权利要求55所述的可记录介质，其中所述读光束具有等于赋予写入功率的写光束的频率。57、根据权利要求55所述的可记录介质，其中层的等离子体频率基于该层中的电荷载流子密度以及电荷载流子的有效质量。58、根据权利要求55所述的可记录介质，其中相比于cor低于另一层的等离子体频率的又一层，当cor高于一层的等离子体频率时，该一层具有对于读光束更高的透射率。59、根据权利要求55所述的可记录介质，其中所述cor对应于在400nm460nm之间的波长。60、一种方法，包括应用写入功率至包括第一层和第二层的可记录结构，第一层具有第一等离子体频率(Ol，第二层具有第二等离子体(D2，写入功率造成第一层和第二层相互作用以形成具有第三等离子体频率①3的第三层，选择两层以便满足下述条f牛中至少一种coKcor〈co3，co2<a)r<G)3，a)3〈a)r〈①l和co3〈coK(02，其中(or是读光束的频率，其具有等于或者不同于写入功率的频率。61、一种可记录介质，包括可记录结构，其包括第一层和第二层，第一层和第二层中至少其一具有小于基于该层中电荷载流子密度所确定的德拜长度的厚度，第一层和第二层在应用能量时相互作用以造成可记录结构的光学特性改变，所述光学特性包括对于读光束的反射率和透射率中至少一种。62、根据权利要求61所述的可记录介质，其中通过具有高于特定值的能量密度的写光束赋予能量并且赋予在可记录结构上至少特定持续时间。63、根据权利要求61所述的可记录介质，其中所述可记录结构对于读光束的透射率在应用能量时增加至少10%。64、一种可记录介质，包括可记录结构，其包括第一层和第二层，第一层和第二层至少其一具有小于10nm的厚度，第一层和第二层在应用写入功率时相互作用以造成可记录结构的光学特性改变，所述光学特性包括对于读光束的反射率和透射率中至少一种。65、根据权利要求64所述的可记录介质，其中所述可记录结构对于读光束的透射率在应用写入功率时增加至少10%。66、根据权利要求64所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层的每层具有小于基于该层中电荷载流子密度所确定的德拜长度的厚度。67、根据权利要求64所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层中至少其一具有小于5nm的厚度。68、一种方法，包括应用写入功率至包括第一层和第二层的可记录结构，第一层和第二层中至少其一具有小于基于该层中电荷载流子密度所确定的德拜长度的厚度。69、一种可记录介质，包括可记录结构，其具有在应用能量时改变的光学特性以造成在可记录结构中发生吸热反应。70、根据权利要求69所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有在应用能量时在吸热反应中反应的第一层和第二层。71、根据权利要求70所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层中至少其一小于10nm。72、根据权利要求70所述的可记录介质，其中所述吸热反应包括吸热化学反应。73、根据权利要求70所述的可记录介质，其中所述吸热反应包括第一层和第二层中材料的混合。74、根据权利要求69所述的可记录介质，其中所述能量由具有高于预定值的能量的写光束赋予，并应用至少特定的持续时间。75、根据权利要求69所述的可记录介质，其中所述光学特性包括对于读光束的透射率。76、根据权利要求75所述的可记录介质，其中所述可记录结构的透射率在应用能量时增大。77、根据权利要求75所述的可记录介质，其中所述可记录结构的透射率在应用能量时从小于50%变成大于50%。78、根据权利要求69所述的可记录介质，其中所述光学特性包括对于读光束的反射率。79、根据权利要求69所述的可记录介质，其中所述光学特性包括可记录结构的吸收率。80、一种可记录介质，包括可记录结构，其中当应用能量时，可记录结构对于读光束的吸收率变化不大于10%，而对于读光束的透射率和反射率变化大于10%。81、根据权利要求80所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有在应用能量时反应的第一层和第二层。82、根据权利要求81所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层至少其一小于10nm。83、一种可记录介质，包括可记录结构，其包括具有不同光学特性的第一层和第二层，第一层和第二层在应用写入功率前具有层间清晰的界限，而在应用写入功率后，通过掺合第一层和第二层中的材料，第一和第二层间的界限变得较不清晰，以致于可记录结构对于读光束的光学特性改变。84、一种光盘驱动，包括预存储信息，其识别光盘是否属于包括一可记录结构的一类盘，所述可记录结构具有对于读光束在应用能量时增大的透射率。85、一种可记录介质，包括可记录结构，其包括第一层和第二层，其中第一层和第二层并不完全重叠，且第一层和第二层在应用写入功率时结合以造成可记录结构对于读光束的光学特性改变。86、根据权利要求85所述的可记录介质，其中所述第一层包括不连续区域。87、根据权利要求86所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层都包括不连续区域。88、根据权利要求86所述的可记录介质，其中所述区域具有小于100nm的直径。89、根据权利要求85所述的可记录介质，其中所述第一层包括具有形成空穴形状的连续区域。卯、根据权利要求89所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层每层包括具有形成空穴形状的连续区域。90.91、根据权利要求89所述的可记录介质，其中所述空穴具有小于100nm的直径。92、根据权利要求85所述的可记录介质，其中所述第一层具有不连续区域而所述第二层包括具有形成孔穴形状的连续区域。93、根据权利要求85所述的可记录介质，进一步包括附着到可记录结构的衬底，其中第一层基本上覆盖衬底一侧的整个表面，且第二层覆盖衬底一侧小于90%的表面。94、根据权利要求85所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层至少其一的德拜长度小于5nm，该德拜长度基于该层中电荷载流子密度确定。95、根据权利要求85所述的可记录介质，其中所述第一层和第二层至少其一的德拜长度小于lnm，该德拜长度基于该层中电荷载流子密度确定。96、一种可记录介质，包括具有表面的衬底；和附着到该衬底的可记录结构，该可记录结构具有第一材料和第二材料，该第一材料和第二材料中至少其一覆盖少于卯％的衬底表面；其中第一材料和第二材料在应用写入功率时结合以造成可记录结构对于读光束的光学特性的改变。97、根据权利要求96所述的可记录介质，其中所述材料中的至少一种包括不连续区域。98、根据权利要求97所述的可记录介质，其中所述区域具有小于100nm的直径。99、根据权利要求96所述的可记录介质，其中材料的第一层和第二层至少其-一包括具有形成空穴形状的连续区域。100、根据权利要求99所述的可记录介质，其中所述空穴具有小于100nm的直径。101、一种可记录介质，包括具有表面的衬底；以及在该衬底上的可记录结构，该可记录结构具有第一材料和第二材料，其在应用写入功率时结合以造成可记录结构的光学特性对于读光束的改变，其中第一材料和第二材料至少其一具有小于5nm的有效厚度，其中该材料的有效厚度定义为材料体积除以衬底表面面积。102、根据权利要求101所述的可记录介质，其中所述第一材料和第二材料中至少其一包括不连续区域。103、一种写入数据的方法，包括应用能量至包括衬底以及附着于该衬底的可记录结构的可记录介质，该可记录结构具有第一材料和第二材料，其在应用能量时结合以造成可记录结构对于读光束的光学特性的改变，其中第一材料和第二材料中至少其一覆盖少于90%的衬底。104、一种制造可记录介质的方法，包括沉积第一材料和第二材料于衬底一侧上，其中第一材料和第二材料中至少其一覆盖小于90%的该衬底一侧表面。105、根据权利要求104所述的方法，进一步包括控制应用于沉积第一材料和第二材料所用机器的功率以控制由第一材料和第二材料覆盖的表面百分率。106、根据权利要求104所述的方法，进一步包括控制沉积第一材料和第二材料的持续时间以控制由第一材料和第二材料覆盖的表面百分率。107、一种可记录介质，包括可记录结构，其包括具有反射率R1和透射率T1的第一层；具有透射率T2的第二层；以及具有反射率R3的第三层，该第二层置于第一和第三层之间并且具有小于基于第二层电荷密度所确定的德拜长度的厚度，其中该可记录结构具有总反射率R,，其大于R1+T1^T2^R2。108、根据权利要求107所述的可记录介质，其中所述第二层具有厚度d，以至可记录结构的反射率具有基本上最佳反射率值。109、根据权利要求108所述的可记录介质，其中所述基本上最佳反射率值与最大反射率值之间的差小于最大反射率值的10%，其中最大反射率值通过找出当第二层厚度在0.8dl，2d之间变化时可记录结构反射率的最大值而确定。110、根据权利要求108所述的可记录介质，其中当第二层厚度变化10%时，反射率减少至少10%。111、一种可记录介质，包括可记录结构，其包括具有反射率R1的第一层；第二层；以及具有反射率R2的第三层，第二层置于第一层和第三层之间，第二层具有小于基于第二层电荷密度所确定的德拜长度的厚度，其中可记录结构具有总反射率R3，其中R3〈R1且R3〈(1-R1)*R2。112、根据权利要求lll所述的可记录介质，其中所述第二层具有厚度d，以至可记录结构的反射率具有基本上最小值。113、根据权利要求112所述的可记录介质，其中当第二层厚度变化10%时，反射率增加至少10%。114、一种产生光学对比的方法，包括应用能量至微-共振结构，其具有至少第一层L1、第二层L2以及第三层L3以造成所述层中至少两层结合，其中层L2置于层L1和层L3之间，层L1具有反射率R1和透射率T1，层L3具有反射率R3，层L2具有透射率T2和小于读光束波长的四分之一的厚度，其中在应用能量前，该微-共振结构具有大于Rl+Tl2*T22*R3的总反射sum。115、根据权利要求114所述的方法，其中所述层L2具有小于基于层L2电荷载流子密度所确定的德拜长度的厚度。116、根据权利要求114所述的方法，其中应用能量后，微-共振结构的反射率减小。117、根据权利要求114所述的方法，其中应用能量后，微-共振结构的透射率增大。118、根据权利要求114所述的方法，其中所述层L2具有小于层L1和层L3那些反射率的反射率。119、根据权利要求114所述的方法，其中所述层L2具有比层L1和层L3的那些反射率更高的透射率。120、根据权利要求114所述的方法，其中所述层L2和层L3结合以形成具有高于层L2反射率的反射率的层L4。121、根据权利要求114所述的方法，其中所述层L1和层L2结合以形成具有高于层L2反射率的反射率的层L4。122、根据权利要求114所述的方法，其中所述层L1、层L2和层L3结合以形成层L4。123、根据权利要求122所述的方法，其中所述层L4具有高于层L1、层L2和层L3在刻录前的总透射率的透射率。124、根据权利要求122所述的方法，其中所述层L4具有低于层L1、层L2和层L3在刻录前的总反射率的反射率。125、根据权利要求114所述的方法，其中所述层L2和层L3结合以形成层L4，其具有低于层L1和L3的那些反射率的反射率。126、根据权利要求U4所述的方法，其中所述微-共振结构还包括具有高于层L2反射率的反射率的层L4，层L1、层L4、层L2和层L3依次定位。127、根据权利要求126所述的方法，其中应用能量造成层L4和层L2结合以形成层L5，其具有低于层L1和层L3那些反射率的反射率，该层L5置于层L1和层L3之间。128、根据权利要求114所述的方法，其中所述微-共振结构还包括层L4，其具有低于层L1和层L3那些反射率的反射率，层L1、层L2、层L4和层L3依次定位。129、根据权利要求128所述的方法，其中所述层L4和层L3结合以形成具有高于层L2反射率的反射率的层L5，层L2置于层L1和层L5之间。130、根据权利要求114所述的方法，其中应用能量至微-共振结构造成层L2和层L3结合以形成具有高于层L1透射率的透射率的层L4。131、根据权利要求114所述的方法，其中所述微-共振结构还包括层L4，其具有低于层L1和层L3那些反射率的反射率，层L1、层L2、层L4和层L3依次定位，层L2和层L4具有不同材料。132、根据权利要求131所述的方法，其中，刻录后，层L1和层L2结合以形成具有低于层L1反射率的反射率的层L5。133、根据权利要求131所述的方法，其中刻录后，层L2和层L4部分结合以形成层L5，其具有小于层L2和层L4厚度总和的厚度，层L5具有低于层L1和L3那些反射率的反射率。134、根据权利要求114所述的方法，其中所述微-共振结构还具有层L4、层L5和层L6，层L1、层L2、层L4、层L5、层L6和层L3依次定位，层L4、层L5和层L6具有低于层L1和L3那些反射率的反射率，而相邻的层L2、层L4、层L5和层L6具有不同材料。135、根据权利要求134所述的方法，其中所述层L4和层L5在刻录以后结合以形成层L7，该层L7具有高于层L2和层L6的反射率。136、根据权利要求135所述的方法，其中刻录后，层L1、层L2和层L7形成微-共振腔，其具有大于R1+Tl2*T22*R7的总反射率，R7是层L3的反射率。137、根据权利要求135所述的方法，其中刻录后，层L1、层L2和层L7形成微-共振腔，其具有总反射率Rs咖，其中Rsum〈Rl且Rsum〈Tl"T2"R7，R7是层L7的反射率。138、根据权利要求135所述的方法，其中刻录后，层L7、层L6和层L3形成微-共振腔，其具有大于R7+T7"T6"R3的总反射率，R7是层L7的反射率，T7是层L7的透射率。139、根据权利要求135所述的方法，其中刻录后，层L7、层L6和层L3形成微-共振腔，其具有总反射率R，，其中R,〈R7且Rsum〈T7"T6"R3，R7是层L7的反射率，T7是层L7的透射率。140、根据权利要求114所述的方法，其中所述微-共振结构还包括层L4和层L5，层L1、层L2、层L4、层L5和层L3依次定位，层L1、层L2和层L4形成具有大于Rl+Tl"T2"R4的总反射率的微-共振腔，R4是层L4的反射率，层L4、层L5和层L3形成具有大于R4+T42*T52*R3的总反射率的微-共振腔，T4是层L4的透射率，T5是层L5的透射率。141、根据权利要求140所述的方法，其中所述层L2、层L4和层L5在刻录后结合以形成层L6，层L1、层L6和层L3形成微-共振腔。142、根据权利要求141所述的方法，其中所述微-共振结构在刻录前的总反射率大于微-共振结构刻录后的总反射率。143、根据权利要求114所述的方法，其中所述微-共振结构还包括层L4，其具有比层L3反射率小的反射率，层L1、层L2、层L3和层L4依次定位。144、根据权利要求143所述的方法，其中刻录后，层L3和层L4结合以形成层L5，其具有高于层L2但低于层L3的反射率。145、一种可记录介质，包括微-共振结构，其具有至少第一层、第二层和第三层，第二层置于第一和第二层之间且具有厚度d以至微-共振结构的反射率具有基本上最佳反射率值，第二层的厚度d小于基于第二层的电荷密度所确定的德拜长度。146、根据权利要求145所述的可记录介质，其中所述基本上最佳反射率值以小于最大反射率值10%的值偏离最大反射率值，通过找出当第二层厚度在0.8+d1.2+d之间变化时可记录结构反射率的最大值而确定最大反射率值。147、一种可记录介质，包括刻录层，具有至少两个子层，其在应用写入功率时结合，刻录层在应用写入功率前具有反射率R1而在应用写入功率后具有反射率R2;和对比增强层，当应用写入功率时，其不与刻录层的子层结合，其中对比增强层和刻录层一起在应用写入功率前具有反射率R3而在应用写入功率后具有反射率R4，其中IR4-R3I>IR2-R1I。148、根据权利要求147所述的可记录介质，其中所述对比增强层包括金属层。149、根据权利要求147所述的可记录介质，其中所述对比增强层包括电介质或半导体。150、根据权利要求149所述的可记录介质，其中所述对比增强层包括硅、锗、硫化锌和氧化锌中至少一种。151、根据权利要求147所述的可记录介质，其中所述对比增强层对于读光束具有大于50%的透射率。152、根据权利要求147所述的可记录介质，其中所述刻录层的等离子体频率在记录后降低，而反射率或透射率的对比在增加对比增强层后增大。153、根据权利要求147所述的可记录介质，其中所述刻录层的等离子体频率在记录后升高，而反射率或透射率的对比在增加对比增强层后增大。154、根据权利要求147所述的可记录介质，其中所述对比增强层的厚度小于20腦。155、根据权利要求147所述的可记录介质，进一步包括在应用写入功率时不与刻录层子层结合的第二对比增强层，其中第一对比增强层、第二对比增强层和刻录层一起具有在应用写入功率前的反射率R5和在应用写入功率后的反射率R6，并且IR6-R5I>IR4-R3|。156、根据权利要求155所述的可记录介质，其中所述第一对比增强层和第二对比增强层相互结合，但第一对比增强层和第二对比增强层不与刻录层结合。157、根据权利要求155所述的可记录介质，其中所述第一对比增强层和第二对比增强层定位于刻录层的不同侧。158、根据权利要求147所述的可记录介质，其中所述两个子层包括以下至少一种(a)两个不同半导体层，(b)两个不同金属层，(c)两个不同介电层，(d)—个半导体层和一个金属层，(e)—个半导体层和一个介电层，以及(f)一个金属层和一个介电层。159、根据权利要求147所述的可记录介质，其中所述刻录层具有小于20nm的厚度。160、一种光盘，包括刻录层，其具有在应用写入功率时结合的至少两个子层，该刻录层具有在应用写入功率前的反射率R1和在应用写入功率后的反射率R2;和对比增强层，其在应用写入功率时不与刻录层子层结合，其中对比增强层和刻录层一起具有在应用写入功率前的反射率R3和在应用写入功率后的反射率R4，并且IR4-R3I>IR2-R1|。161、根据权利要求160所述的光盘，其中所述刻录层具有在刻录前的透射率T1和在刻录后的透射率T2，且TKT2。162、根据权利要求160所述的光盘，其中所述R1、R2、T1和T2符合CD-R、DVD-R、DVD+R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种。163、根据权利要求160所述的光盘，其中所述刻录层具有小于20nm的厚度。164、一种可记录介质，包括可记录结构，以在经受写入功率的记录结构部分和未经受写入功率的部分间产生第一光学对比；和不与可记录结构相互作用的材料层，选择该材料层以便记录结构和材料层一起产生比第一光学对比更大的第二光学对比。165、根据权利要求164所述的可记录介质，其中所述可记录层自身具有在应用写入功率前的反射率R1和在应用写入功率后的反射率R2，可记录结构和材料层一起具有在应用写入功率前的反射率R3和在应用写入功率后的反射率R4，并且IR4-R3I>IR2-R1|。166、根据权利要求164所述的可记录介质，其中所述可记录结构具有小于20nm的厚度。167、一种可记录介质，包括刻录层，其具有至少第一子层和第二子层，其在应用写入功率时结合，该刻录层对于读光束具有在应用写入功率前的反射率R1和在应用写入功率后的反射率R2，且RKR2;和至少一个对比转化层，其在应用写入功率时不与刻录层的第一子层和第二子层结合，其中该至少一个对比转化层和刻录层一起在应用写入功率前具有反射率R3和在应用写入功率后具有反射率R4，且R3〉R4。168、根据权利要求167所述的可记录介质，其中所述对比转化层对于读光束具有大于50%的透射率。169、根据权利要求167所述的可记录介质，其中所述对比转化层具有小于20nm的厚度。170、根据权利要求167所述的可记录介质，其中^f述刻录层具有小于20nm的厚度。171、根据权利要求167所述的可记录介质，其中所述第一子层和第二子层中至少其一具有小于IOnm的厚度。172、根据权利要求167所述的可记录介质，其中刻录前，对比转化层和两个子层形成微-共振结构，而刻录后，第一子层和第二子层的结合破坏该微-共振结构。173、根据权利要求172所述的可记录介质，其中所述该微-共振结构具有总反射率Rsum，其大于R1+T1"T2"R3，Rl是对比转化层的反射率，R2是第一子层的反射率，R3是第二子层的反射率，Tl是对比转化层的透射率，和T2是第一子层的透射率，并且第一子层位于对比转化层和第二子层之间。174、根据权利要求167所述的可记录介质，其中所述至少一个对比转化层包括至少第一对比转化层和第二对比转化层，其中刻录层位于第一对比转化层和第二对比转化层之间。175、根据权利要求167所述的可记录介质，其中所述至少一个对比转化层包括至少第一对比转化层(Ll)、第二对比转化层(L2)、第三对比转化层(L3)和第四对比转化层(L4)，其中，刻录前，层L1和层L4具有大于层L2和层L3和子层的反射率，以至层L1、层L2、第一子层、第二子层、层L3和层L4一起形成第一微-共振结构，其中，刻录后，刻录层具有大于层L2和层L3的反射率，以至第一微-共振结构被破坏并且形成第二和第三微-共振结构，第二微-共振结构包括层Ll和层L2以及刻录层。第三微-共振结构包括刻录层以及层L3和层L4。176、根据权利要求167所述的可记录介质，其中所述第一子层和第二子层包括以下至少一种(a)两个不同半导体层，(b)两个不同金属层，(c)两个不同介电层，(d)—个半导体层和一个金属层，(e)—个半导体层和一个介电层，以及(f)一个金属层和一个介电层。177、一种光盘，包括刻录层，其具有在应用写入功率时结合的至少两个子层，该刻录层对于读光束具有在应用写入功率前的反射率R1和在应用写入功率后的反射率R2，并且RKR2;和对比转化层，其在应用写入功率时不与刻录层子层结合，该对比转化层和刻录层一起具有在应用写入功率前的反射率R3和在应用写入功率后的反射率R4，且R3〉R4。178、根据权利要求177所述的光盘，其中所述R3和R4符合CD-R、DVD-R、DVD+R、双层DVD+R、双层DVD-R、蓝光盘以及HD-DVD标准中至少一种。179、根据权利要求177所述的光盘，其中所述对比转化层具有小于20nm的厚度。180、根据权利要求177所述的光盘，其中所述刻录层具有小于20nm的厚度。181、根据权利要求177所述的光盘，其中至少一个所述子层具有小于10nm的厚度。182、根据权利要求177所述的光盘，其中所述子层包括以下至少一种(a)两个不同半导体层，(b)两个不同金属层，(c)两个不同介电层，(d)—个半导体层和一个金属层，(e)—个半导体层和一个介电层，以及(f)一个金属层和一个介电层。183、一种可记录介质，包括具有第一层和第二层的可记录结构，第一层和第二层中每层具有一个或更多个子层，第一层和第二层在应用能量时产生第一光学对比，第一光学对比与由第一层单独在应用能量至第一层时产生的第二光学对比相反。184、根据权利要求183所述的可记录介质，其中所述第一层单独具有对于读光束在应用能量时增大的反射率，且第一层和第二层一起具有在应用能量时减小的反射率。185、根据权利要求183所述的可记录介质，其中至少一个所述子层具有小于10nm的厚度。186、根据权利要求183所述的可记录介质，其中所述第二光学对比与对于读光束的反射率的增大相关。187、一种可记录介质，包括第一可记录结构，其具有对于读光束在应用写入功率至第一可记录结构时增大的透射率；第二可记录结构，其具有在应用写入功率至第二可记录结构时改变的光学特性；以及间隔层，其位于第一可记录结构和第二可记录结构之间。188、根据权利要求187所述的可记录介质，其中所述第一可记录结构的反射率在应用写入功率至第一可记录结构后减小至少16%。189、根据权利要求187所述的可记录介质，其中所述第一可记录结构的透射率在应用写入功率至第一可记录结构之前和以后大于55%。190、根据权利要求187所述的可记录介质，其中所述第一可记录结构和第二可记录结构至少其一具有小于IOnm的厚度。191、根据权利要求187所述的可记录介质，其中所述第二可记录结构的透射率在应用写入功率至第二可记录结构后增大。192、一种光盘，包括第一可记录结构，其具有对于读光束在应用写入功率至第一可记录结构时增大的透射率；第二可记录结构，其具有在应用写入功率至第二可记录结构时改变的光学特性；以及间隔层，其位于第一可记录结构和第二可记录结构之间。193、根据权利要求192所述的光盘，其中所述第一可记录结构和第二可记录结构的光学特性符合双层DVD+R和双层DVD-R标准中至少一种。194、根据权利要求187所述的光盘，其中所述第一可记录结构和第二可记录结构至少其一具有小于IOnm的厚度。195、一种可记录介质，包括第一可记录结构，其具有第一材料层和第二材料层，其在应用写入功率至第一可记录结构时结合以形成第三材料层，第三材料层具有对于读光束的光学特性，其不同于第一材料层和第二材料层在应用写入功率前的总光学特性；第二可记录结构，其具有在应用写入功率至第二可记录结构时改变的光学特性；以及间隔层，其位于第一可记录结构和第二可记录结构之间。196、根据权利要求195所述的可记录介质，其中所述第一可记录结构的反射率在应用写入功率至第一可记录结构后减小。197、根据权利要求196所述的可记录介质，其中所述第一可记录结构的反射率在应用写入功率至第一可记录结构后减小至少16%。198、根据权利要求195所述的可记录介质，其中所述第一可记录结构的透射率在应用写入功率至第一可记录结构之前和以后大于55%。199、根据权利要求195所述的可记录介质，其中所述第一可记录结构的透射率在应用写入功率至第一可记录结构后增大。200、根据权利要求195所述的可记录介质，其中所述第一可记录结构和第二可记录结构至少其一具有小于IOnm的厚度。201、根据权利要求195所述的可记录介质，其中所述子层包括以下至少一种(a)两个不同半导体层，(b)两个不同金属层，(c)两个不同介电层，(d)—个半导体层和一个金属层，(e)—个半导体层和一个介电层，以及(f)一个金属层和一个介电层。202、根据权利要求201所述的可记录介质，其中所述第一层包括选自由铝、铜、金、银和锡组成的组的材料。203、根据权利要求202所述的可记录介质，其中所述第二层包括选自由硅、氧化硅、锗、氧化钨和氧化钛组成的组的材料。204、用于光学系统的可记录介质，该可记录介质包括第一可记录结构，其具有第一层和第二层，第一层和第二层每层的厚度小于基于该层中电荷载流子密度所确定的德拜长度;第二可记录结构，其对于读光束具有在应用写入功率至第二可记录结构时改变的光学特性；以及间隔层，其位于第一可记录结构和第二可记录结构之间。205、适合用于光学系统的可记录介质，其具有与一写策略相关的预存储信息，该写策略与识别可记录介质的标识符相关，该系统使用该写策略以写入信息至识别的可记录介质上，可记录介质包括第一可记录结构，其具有对于读光束在应用写入功率至第一可记录结构时增大的透射率；和第二可记录结构，其具有在应用写入功率至第二可记录结构时改变的光学特性，第一可记录结构与第二可记录结构沿着与第一可记录结构的表面垂直的方向间隔开；以及用于识别可记录介质的标识符。206、一种数据存储介质，包括第一可记录结构，其具有空白区域和刻录区域，其中通过刻录的有或无携带信息，刻录区域对于读光束具有高于空白区域的透射率；第二可记录结构，其具有空白区域和具有可测量的不同光学特性的刻录区域；以及间隔层，其置于第一可记录结构和第二可记录结构之间。207、一种装置，包括第一可记录结构，其具有对于读光束在应用写入功率至第一可记录结构时增大的透射率；第二可记录结构，其具有对于读光束在应用写入功率至第二可记录结构时增大的透射率；第三可记录结构，其具有在写入功率应用至第三可记录结构时改变的光学特性；第一间隔层，位于第一可记录结构和第二可记录结构之间；以及第二间隔层，位于第二可记录结构和第三可记录结构之间。208、一种在可记录介质中写入信息的方法，包括应用写入功率至第一可记录结构以增大第一可记录结构对于读光束的透射率；和应用写入功率至第二可记录结构以改变第二可记录结构对于读光束的光学特性，包括将写光束通过第一可记录结构以应用写入功率至第二可记录结构。209、根据权利要求208所述的方法，其中所述读光束具有在350nm与450nm之间的波长。210、根据权利要求208所述的方法，其中所述第一可记录结构包括第一材料层和第二材料层，以及当应用能量时，第一材料层和第二材料层结合以产生第三材料层。211、根据权利要求210所述的方法，其中所述第三材料层具有小于读光束频率的特征频率，且第一材料层和第二材料层中至少其一具有高于读光束的特征频率，层的特征频率正比于n/m的平方根，其中n表示该层的电荷载流子密度而m表示该层中电荷载流子的有效质量。212、根据权利要求211所述的方法，其中所述特征频率包括等离子体频率。213、一种从可记录介质读取信息的方法，包括聚焦读光束至第一可记录结构上以检测相比于第二部分具有更低反射率和更高透射率的第一部分，该第一部分和第二部分是第一可记录结构的部分；和将读光束通过第一可记录结构并且聚焦读光束至第二可记录结构上以检测具有不同于第四部分的光学特性的第三部分，该第三部分和第四部分是第二可记录结构的部分。214、一种光学系统，包括可记录介质，包括第一可记录结构，其具有对于读光束在应用写入功率至第一可记录结构时增大的透射率，和第二可记录结构，其具有在写入功率应用至第二可记录结构时改变的光学特性；以及光驱，包括光源，以产生读光束，聚焦机构，以聚焦读光束于第一可记录结构或第二可记录结构上，和光检测器，以检测从可记录介质反射的光。215、--种光学系统，包括可记录介质，包括第一可记录结构，其具有对于读光束在应用写入功率至第一可记录结构时增大的透射率，和第二可记录结构，其具有在写入功率应用至第二可记录结构时改变的光学特性；以及光驱，其适于将数据记录在可记录介质中并且具有与用于写入数据至可记录介质的写策略相关的预存储信息。216、一种光盘驱动，包括预存储信息，其识别光盘是否属于这样一类光盘，其包括第一可记录结构，其具有对于读光束在应用写入功率至第一可记录结构时增大的透射率，和第二可记录结构，其具有在写入功率应用至第二可记录结构时改变的光学特性。全文摘要一种可记录介质，包括可记录结构，所述可记录结构具有对于读光束在应用能量时增大的透射率。在一些实例中，可记录结构的透射率在应用能量前后可以大于50％。在一些实例中，可记录结构可以包括第一层和第二层。在一些实例中，第一和第二层在应用能量时结合。文档编号G11B7/253GK101375333SQ200580052370公开日2009年2月25日申请日期2005年10月20日优先权日2005年10月20日发明者卢成基,张郁扬,李芳瑜,杰弗里·文泰·徐,燕克夫,赖信成,钟永清申请人:连宥科技股份有限公司