磁记录介质用硅衬底及其制造方法

专利名称：：磁记录介质用硅衬底及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及制造磁记录介质用的硅衬底及其制造方法。
背景技术：
：在信息记录的
技术领域：
，作为磁性读取/写出文字、图像或乐曲等信息的手段的硬盘装置，作为以个人电脑为代表的电子设备的一次外部记录装置或内置型记录手段是必须的。这样的硬盘装置中内置有硬盘作为磁记录介质，但是，现有的硬盘中，采用在盘表面水平地写入磁信息的所谓"面内磁记录方式(水平磁记录方式)"。图1(A)中是用于说明水平磁记录方式的硬盘的一般层压结构的截面示意图，在非磁性衬底l上，依次层压通过溅射法成膜的Cr类打底层2、磁记录层3及作为保护膜的碳层4，并在该碳层4的表面上形成了涂布液体润滑剂而形成的液体润滑层5(例如，参照日本特开平5-143972号公报(专利文献1))。而且，磁记录层3是CoCr、CoCrTa、CoCrPt等单轴结晶磁各向异性的Co合金，该Co合金的晶粒与盘面水平地磁化从而记录信息。另外，磁记录层3中的箭头表示磁化方向。但是，这样的水平磁记录方式中，如果为了提高记录密度而縮小每个记录位的尺寸，则相邻的记录位的N极之间及S极之间相互排斥，从而边界区域在磁性上变得不清晰，因此为了实现高记录密度，需要减小磁记录层的厚度，縮小晶粒的尺寸。如果进行晶粒的微细化(小体积化)和记录位的微小化，则指出产生了由于热能而使晶粒的磁化方向紊乱从而数据消失的所谓"热涨落"现象，高记录密度化方面存在限制。艮卩，如果KuV/kBT比小，则热涨落的影响深。在此，Ku为记录层的结晶磁各向异性能量、V为记录位的体积、kB为玻尔兹曼常数、T为绝对温度(K)。鉴于这样的问题，对"垂直磁记录方式"进行了研究。该记录方式中，由于磁记录层与盘表面垂直地进行磁化，因此N极和S极交替捆束而进行位配置，磁区的N极和S极相邻从而相互增强磁化，结果，磁化状态(磁记录)的稳定性提高。即，垂直地记录磁化方向时，记录位的反磁场减少，因此与水平磁记录方式相比，不必使记录层的厚度那么小。因此，如果加厚记录层厚度、且多数采取垂直方向，则作为整体KuV/keT增大，可以减小"热涨落"的影响。如上所述，垂直磁记录方式可以确保反磁场的减弱和KuV值，因此，是可以减小由"热涨落"造成的磁化不稳定性、大幅扩大记录密度界限的磁记录方式，因此作为实现超高密度记录的方式被期待。图1(B)是用于说明作为在软磁性衬里层上设置用于垂直磁记录的记录层的"垂直双层式磁记录介质"的硬盘的基本层结构的截面示意图，在非磁性衬底11上依次层压软磁性衬里层12、磁记录层13、保护层14和润滑层15。在此，软磁性衬里层12中典型地使用坡莫合金或CoZrTa非晶材料。另外，作为磁记录层13，使用CoCrPt类合金、CoPt类合金、PtCo层与Pd与Co的超薄膜交替多层层压而成的多层膜、PtFe或SmCo非晶膜等。另外，磁记录层13中的箭头表示磁化方向。如图1(B)所示，在垂直磁记录方式的硬盘中，设置软磁性衬里12作为磁记录层13的底层，其磁性质为"软磁性"，层厚度为约100nm约200nm。该软磁性衬里层12，用于实现写入磁场的增大效果及磁记录膜的反磁场下降，因此其作为来自磁记录层13的磁束的通道，同时作为来自记录位的写入用磁束的通道发挥作用。艮P，软磁性衬里层12起着与永久磁铁磁路中的铁轭同样的作用。因此，为了避免写入时的磁饱和，需要设定比磁记录层13的层厚更厚的层厚。图1(A)所示的水平磁记录方式，由于其热涨落等造成的记录限制，以100G150Gbit/平方英寸的记录密度为界限，正逐渐转变为图1(B)所示的垂直磁记录方式。另外，垂直磁记录方式中的记录界限为何种程度目前还不确定，但是，确实可以实现500Gbit/平方英寸以上，另一种说法是可以实现约1000Gbit/平方英寸的高记录密度。如果实现这样的高记录密度，则可以得到每2.5英寸HDD圆盘600~700G字节的记录容量。但是，HDD用的磁记录介质用衬底中，一般是使用Al合金衬底作为3.5英寸直径的衬底，使用玻璃衬底作为2.5英寸直径的衬底。特别地，在笔记本电脑这样的移动用途中，HDD频繁地受到来自外部的冲击，因此其中安装的2.5英寸HDD中，由于磁头的"面冲击"而使记录介质或衬底产生损伤，或者数据遭到破坏的可能性高，因此使用硬度高的玻璃衬底作为磁记录介质用衬底。如果移动设备小型化，则其中内置的磁记录介质用衬底要求更高的耐冲击性。2英寸直径以下的小口径衬底用途几乎都是移动用途，因此2.5英寸直径的衬底以上要求高耐冲击性。另外，移动设备的小型化必然要求安装部件的小型化和薄型化，2.5英寸直径的标准厚度为0.635mm，与此相对，例如，1英寸直径衬底的标准厚度为0.382mm。以这样的事情为背景，要求杨氏模量高即使薄板也可以得到充分的强度、并且与磁记录介质制造工艺的相容性好的衬底。玻璃衬底主要是非晶强化玻璃，0.382mm厚度的1英寸直径衬底已经实际应用，但是其以上的薄板化并不容易。另外，玻璃衬底为绝缘体，因此在溅射形成磁性膜的工序中存在衬底容易产生充电(ChargeUp)的问题。实际应用方面，在溅射工序中通过进行衬底的夹持更换可以实现批量生产，但是，这是难以使用玻璃衬底的因素之一。作为下一代记录膜研究了FePt等，但是为了实现高矫顽磁力需要60(TC左右的高温热处理。因此，研究了热处理温度的降低，但是仍然需要40(TC以上的热处理，该温度超过了目前使用的玻璃衬底的使用中能够耐受的温度，即使是Al衬底也不能耐受这样的高温处理。玻璃衬底和A1衬底以外，还提出了蓝宝石玻璃衬底、SiC衬底、工程塑料衬底、碳衬底等替代衬底，但是从强度、加工性、成本、表面平滑性、成膜亲和性等观点考虑，现实情况是均不能充分地作为小口径衬底的替代衬底。以此作为背景，本发明人已经提出了使用硅(Si)的单晶衬底作为HDD记录膜衬底(例如，参照日本特开2005-108407号公报(专利文献2))。Si单晶衬底作为LSI制造用衬底广泛应用，表面平滑性、环境稳定性、可靠性等优良自不必说，另外，刚性也比玻璃衬底高，因此适于HDD衬底。而且，与绝缘性的玻璃衬底不同，为半导体性质，通常多数包括p型或n型掺杂剂，因此具有某种程度的导电性。因此，溅射成膜时的充电也某种程度地减轻，也可以进行金属膜的直接溅射成膜或偏置溅射。另外，热传导性良好，因此衬底加热也容易，与溅射成膜工序的相容性极其良好。而且，具有Si衬底的结晶纯度非常高、加工后的衬底表面稳定且随时间的变化可忽略的优点。但是，LSI等元件制造用的"半导体等级"的Si单晶一般价格高。事实上，随着近年来太阳能电池的普及，对其的需要增加，"半导体等级"的硅单晶的价格上涨。考虑使用单晶Si衬底作为磁记录介质用衬底时，存在如果口径变大则与玻璃衬底和Al衬底相比在原料成本方面变差的深刻问题。另外，单晶Si衬底具有在特定的晶向(110)上解理的性质，因此在安装到移动设备上受到外部冲击时，可能发生解理。关于这一点，本发明人确认通过端面的研磨加工的改善，在实用上没有问题，但是不能消除破损的担心。
发明内容本发明是鉴于以上问题而进行的，其目的在于提供一种磁记录介质用Si衬底，其具有充分的耐冲击性，不会使加工工艺或磁记录层的成膜工艺复杂化，表面平坦性优良，并且可以降低成本。为了解决上述问题，本发明的磁记录介质用硅衬底，其特征在于，在纯度99.99%以上的多晶硅衬底的主面上具有氧化膜，波纹度(waviness)与微波纹度(microwaviness)的均方值均为0.3nm以下。本发明的硅衬底的直径例如为90mm以下，上述氧化膜的厚度为1000nm以下且10nm以上。通过在这样的硅衬底上设置磁记录层，可以得到本发明的磁记录介质。本发明的磁记录介质用硅衬底的制造方法，包括以下工序在纯度99.99%以上的多晶硅衬底的主面上形成氧化膜的工序；和将该氧化膜平坦化的研磨工序。所述氧化膜形成工序，通过在多晶硅衬底的主面上旋涂有机二氧化硅或硅酮类材料并进行热处理、或者通过将多晶硅衬底的主面进行热氧化来实施。优选的是进行上述研磨工序使得在上述氧化膜上进行使用中性或碱性的浆料的CMP处理使得到的衬底的波纹度和微波纹度的均方值均为0.3nm以下。本发明中，在粗研磨后的多晶硅衬底表面上涂布含有硅酮类材料或有机二氧化硅的液剂，而得到遮蔽台阶和晶粒间界部分的平滑薄膜之后，通过在适当的温度下热处理该薄膜，使有机成分气化挥散而形成SiOj莫，对该Si02膜进行CMP研磨等精密研磨而提高衬底的平坦性，因此不会受到多晶晶粒的晶向的不同或晶粒间界的存在的影响，可以得到平坦且平滑的表面。由此，可以提供一种磁记录介质用Si衬底，其具有充分的耐冲击性，不会使加工工艺或磁记录层的成膜工艺复杂化，表面平坦性优良，并且可以降低成本。图1(A)是用于说明水平磁记录方式的硬盘的一般层压结构的截面示意图1(B)是用于说明作为在软磁性衬里层上设置用于垂直磁记录的记录层的"垂直双层式磁记录介质"的硬盘的基本层结构的截面示意图2是用于说明本发明的磁记录介质用Si衬底的制造工艺的一个例子的流程图3(A)是表示研磨后的多晶Si衬底表面的波纹度的评价例的图3(B)是表示研磨后的多晶Si衬底表面的粗糙度的评价例的图4是表示由本发明的方法得到的多晶Si衬底的表面的波纹度的评价例的图。具体实施例方式以下参照附图，对用于实施本发明的方式进行详细地说明。图2是用于说明本发明的磁记录介质用Si衬底的制造工艺的一个例子的流程图。首先，准备用于剪裁(〕7抜含)而获得Si衬底的多晶Si片(wafer)(S101)。该多晶Si片不必是所谓的"半导体等级"(一般其纯度为"11个9"(99.999999999%)以上)，基本为"太阳能电池等级"即可。太阳能电池等级的多晶Si片的纯度一般为"6个9"(99.9999%)以上，但是，本发明中可以允许到"4个9"(99.99%)。磁记录用衬底用途中基本上作为结构材料使用，因此与太阳能电池用途不同，不必控制硼(B)和磷(P)等的掺杂量。多晶硅片的纯度下限之所以设定为"5个9"，是因为如果是比其低的纯度，则结晶中的杂质在晶粒间界析出，从而有可能使衬底强度下降。另外，从衬底强度等的观点考虑，多晶硅片的纯度越高越优选，但是随着纯度提高，原料成本增加。因此，最高为约"8个9"(99.999999%)至"9个9"(99.9999999%)即可。多晶硅片的形状可以是矩形也可以是圆板状，从材料成品率的观点考虑，优选矩形形状。太阳能电池用多晶Si片的一般形状是约150mm见方的矩形，因此以图2所示的工艺例子表示使用该形状的多晶Si片的例子。另外，从提高多晶Si片自身的强度及耐冲击性的观点考虑，考虑多晶晶粒的平均晶粒尺寸是重要的，优选将其设定为lmm以上且15mm以下。通过激光加工从该多晶Si片上进行"剪裁"，获得多晶Si衬底(S102)。本发明中，主要设定移动设备用途的磁记录介质用Si衬底，因此剪裁的Si衬底的直径基本为90mm以下，直径的下限一般设定为21mm。剪裁加工中有通过金刚石磨石的杯切割(力:y7。切断)、超声波切割、喷射加工、喷水处理等各种方法，但从加工速度的确保、切换量的减少、口径切换的容易性、夹具制作和后加工的容易性等方面考虑，优选通过固体激光的激光剪裁。因为固体激光功率密度高并且可以压縮光束，因此熔断残渣(dross)的产生少，加工面相对漂亮。作为此时的激光光源，可以列举Nd-YAG激光或Yb-YAG激光等。在剪裁而得到的Si衬底上进行去边(芯取)和内外端面处理(S103)，并且实施蚀刻除去加工损坏层(S104)，之后通过研磨进行端面研磨加工使得不产生碎屑(S105)。在这样得到的Si衬底上进行粗研磨将表面大致进行平坦化。该粗研磨工序相当于图2的"粗研磨"(S106)。本发明中，用于该表面平滑化的粗研磨加工通过使用中性或碱性桨料的CMP处理来实施。一般而言，单晶Si衬底表面的平滑化是通过使用碱性浆料的多段CMP进行的。但是，本发明作为对象的Si衬底由于是多晶，因此每个晶粒的晶向不同。因此，如果使用碱性浆料进行CMP研磨，则由于每个晶粒的研磨速度不同，从而不能得到良好的表面平坦性。根据这样的理由，在用中性至碱性的浆料进行用于表面平滑化的粗研磨加工时，需要进行pH调节。具体而言，使用中性附近至碱性区域(pH7~10)的胶态二氧化硅等浆料进行CMP研磨。如果pH超过10，则晶粒间台阶变得过大。另外，在pH7以下时，成为机械研磨主体，研磨速度过慢。另外，将LSI的层间绝缘膜的CMP研磨中使用的氧化剂或涂布剂添加到浆料中也有效。例如，作为粗研磨(S106)，使用pH9的碱性胶态二氧化硅进行CMP研磨。另外，该粗研磨工序是用于粗略地除去多晶Si衬底的厚度不均匀或表面台阶的工序，因此只要确保Si衬底表面的平坦性即可，存在微小瑕疵等也没有关系。接着，在粗研磨后的Si衬底表面形成氧化膜(Si02膜)(成膜)(S107)。这是因为如果在衬底表面设置Si02膜，则由于附加该膜而使薄板的强度增加以及Si02膜是非晶的，因此不存在特定方向的解理性，由此可以提高作为衬底的强度和耐冲击性。本发明中，使用含有有机二氧化硅或硅酮类材料的液剂来进行该氧化膜形成。具体而言，在Si衬底表面涂布含有硅酮类材料或有机二氧化硅的液剂，得到平滑的薄膜后，通过在适当的温度下对该薄膜进行热处理使有机成分挥发，而得到Si02膜。当然，也可以通过通常的半导体工艺中使用的热氧化来形成Si02膜，但是，形成的Si02膜为100nm以上的比较厚的情况下，热氧化处理时间倾向于变长，因此，从工艺成本和生产率的观点考虑，优选为通过上述涂布方式的Si02膜形成。作为这样的氧化膜形成用的硅源，可以例示将硅垸化合物(特别是烷氧基硅烷)进行水解縮合而形成的水解縮合物等(例如，Honeywell制造的了年二7口一T-27及7，,K、乂夕、、于^制造的了年二夕、、，只P-5S等)。将这样的有机二氧化硅或硅酮类材料的膜例如通过旋涂均匀涂布成100nm以上的厚度，然后进行400。C以上的加热处理，从而得到Si02膜。所得Si02膜的厚度根据涂布剂的种类和旋涂条件一般为约100nm约700nm。另外，由于是涂布液剂的方式，因此只要粗研磨(S106)后的Si衬底表面的平坦性为一定程度以下(例如，晶粒间台阶为10nm以下、波纹度Wa为约2.0nm以下)，则通过旋涂可以遮蔽Si衬底表面残留的台阶或晶粒间界部分，得到平坦的涂布面。作为硅源的硅烷化合物，可以例示甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三正丙氧基硅烷、甲基三异丙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、四甲氧基硅垸、四乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅垸、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅垸、二乙基二乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅垸、二苯基二乙氧基硅烷、六甲氧基二硅垸、六乙氧基二硅烷、1,1，2，2-四甲氧基-1，2-二甲基二硅垸、1,1，2,2-四乙氧基-1，2-二甲基二硅烷、1，1，2,2-四甲氧基-1，2-二苯基二硅垸、1，2-二甲氧基-1,1,2,2-四甲基二硅烷、1,2-二乙氧基-1，1，2,2-四甲基二硅烷、1，2-二甲氧基-1,1,2，2-四苯基二硅垸、1,2-二乙氧基-1，1，2，2-四苯基二硅垸、双(三甲氧基甲硅垸基)甲烷、双(三乙氧基甲硅垸基)甲垸、1,2-双(三甲氧基甲硅烷基)乙烷、1，2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷、1-(二甲氧基甲基甲硅烷基)-1-(三甲氧基甲硅烷基)甲烷、1-(二乙氧基甲基甲硅烷基)-1-(三乙氧基甲硅烷基)甲烷、1-(二甲氧基甲基甲硅垸基)-2-(三甲氧基甲硅垸基)乙垸、1-(二乙氧基甲基甲硅烷基)-2-(三乙氧基甲硅烷基)乙垸、双(二甲氧基甲基甲硅烷基)甲烷、双(二乙氧基甲基甲硅垸基)甲烷、1，2-双(二甲氧基甲基甲硅垸基)乙烷、1,2-双(二乙氧基甲基甲硅烷基)乙垸、1,2-双(三甲氧基甲硅烷基)苯、1,2-双(三乙氧基甲硅垸基)苯、1，3-双(三甲氧基甲硅烷基)苯、1,3-双(三乙氧基甲硅烷基)苯、1，4-双(三甲氧基甲硅烷基)苯、1，4-双(三乙氧基甲硅烷基)苯等。另外，这些硅垸化合物也可以使用两种以上。另外，作为用于溶解这样的硅烷化合物的溶剂，可以例示乙醇或异丙醇等醇类，苯或甲苯等芳烃类，正庚烷或正十二烷等垸烃，酮，酯，二醇醚或环状二甲基聚硅氧烷等。对有机二氧化硅或硅酮类材料进行热处理的温度，因涂布材料的种类而异，一般设定为40(TC50(TC的温度范围，加热10分钟以上即可。也可以在不产生表面粗糙的范围内快速加热(例如，10(TC/分钟)。另外，热处理环境可以是大气，但也可以是惰性气体环境。这样的氧化膜形成之后，进行Si02膜的研磨(S108)。另外，该研磨工序可以设置多段。该研磨工序是用于确保Si02膜的表面平坦性的工序，成为将通过"化学作用"的研磨和通过"机械作用"的研磨复合的CMP研磨。通过该研磨，可以除去适当厚度的Si02膜部分，一般大概约100nm约700nm的Si02膜厚，得到例如10nm1000nm。一般而言，如果在多晶Si衬底的裸面上实施CMP研磨，则在晶向互不相同的晶粒间，产生由于研磨速度的差异而引起的台阶，但是本发明中在多晶Si衬底的表面形成上述的Si02膜，因此完全不必担心该错位的产生。因此，可以得到表面粗糙度Ra低、且微小缺陷少的良好的多晶Si衬底面。而且，Si02膜在基本平坦化的粗研磨面上被覆，厚度也均匀，因此通过比较短时间的研磨可以得到最终的平滑面。这样，在本发明中，由于在多晶Si衬底的加工工艺中的适当阶段，在衬底表面形成氧化膜，因此不会受到多晶晶粒的晶向不同或晶粒间界的存在的影响，通过CMP研磨可以得到平坦且平滑的表面。另外，通过设置氧化膜，可以制作机械强度也优良的多晶Si衬底。另外，在粗研磨工序(S106)和研磨工序(S108)中使用的CMP研磨用浆料可以是普通的浆料。例如，将平均粒径20至80nm的胶态二氧化硅浆料的pH值设定为7~10的碱性范围进行使用。另外，pH调节可以通过添加盐酸、硫酸、氢氟酸等进行。另外，使用将胶态二氧化硅的浓度设定为约5~约30%、使胶态二氧化硅分散而得到的浆料，进行约5分钟至约1小时CMP研磨，得到所希望的表面平滑度。特别地，优选粗研磨(S106)在520kg/cn^的研磨压下、研磨(S108)在l~10kg/cm2的研磨压下进行。研磨工序(S108)后，进行擦洗(S109)、RCA清洗(S110)将衬底表面清洁。之后，对该衬底表面进行光学检査(S111)、包装和装运(S112)。而且，如果在这样得到的带氧化膜的多晶Si衬底上形成磁记录层，则可以得到图l(B)所图示的层压结构的磁记录介质。这样得到的多晶Si衬底，波纹度和微波纹度的均方值均为0.3nm以下，作为硬盘用的衬底可以得到充分的表面特性。而且，通过在这样的Si衬底上设置磁记录层，可以得到磁记录介质。以下，通过实施例更具体地说明本发明，但是本发明不限于这些实施例。实施例准备纯度为"6个9"的多晶Si片(156mm方形，厚度0.6mm)(5101)，使用激光加工机(YAG激光，波长1064nm)，从该多晶Si片剪裁外径48mm、内径12mm的Si衬底，每个Si片得到9个衬底(5102)。在这些衬底上进行去边和内外端面处理(S103)、蚀刻(S104)、端面研磨(S105)。然后，在多晶Si衬底的主面上进行粗研磨加工(S106)。该粗研磨加工使用两面研磨机，用pH为9的均匀胶态二氧化硅(粒径30nm)的浆料在研磨压10kg/cn^下进行研磨20分钟。该粗研磨后的Si衬底主面的晶粒间台阶通过光学检查机(Zygo)进行了考察，结果大致为约2nm。将该粗研磨后的衬底进行擦洗，使用旋涂机变化条件涂布有机二氧化硅(上述的了年二7口一T-27及7年工夕、、，7P-5S)，在400°C下在大气中加热30分钟形成SiOj莫。使用膜厚检査机测定该Si02膜，结果厚度大致为100nm600nm，面内的膜厚分布也均匀。另外，随着进行粗研磨(S106)而产生的台阶(晶粒间台阶或晶粒间界造成的台阶)也被覆盖，确保了高平坦性。接着，使用精加工用的细粒胶态二氧化硅(pH值为10、粒径为40nm)，进行研磨压为5kg/cm2的CMP研磨(S108)，从Si02膜的表面研磨50nm300nm，得到微小缺陷少的平滑的研磨面。另外，在此的研磨量对应于Si02膜厚(即，有机二氧化硅的初期涂层厚度)而进行变化。在除去擦洗(S109)中残留的胶态二氧化硅后，对这些多晶Si衬底进行精密清洗(RCA清洗S110)，通过光学检查(S111)评价多晶Si衬底的表面特性。具体而言，评价研磨面的弯曲度(使用PhaseShifter公司制造的Opti-Flat测定波纹度，使用Zygo公司制造的光学计测器测定微波纹度)以及平滑性(粗糙度使用DigitalInstrument公司制造的AFM装置进行测定)。表1总结了这样得到的实施例1~4的试样的评价结果(Ra:粗糙度，Wa:波纹度，p-Wa:微波纹度)。另外，同时示出了作为比较例的未附加Si02膜(无涂层)的试样的评价结果。由该表可知，通过本发明的方法得到的带Si02膜的多晶Si衬底的表面特性良好，使用比较强碱性(例如pH12)的胶态二氧化硅对多晶Si的裸面进行CMP研磨加工时那样的、反映晶粒分布的台阶完全未观察到。作为比较例准备的试样(未设置氧化膜在同样条件下研磨的多晶Si衬底)的表面，反映各晶粒相互间的晶向的不同，台阶大，且波纹度和微波纹度的值非常差。但是，对于粗糙度而言，如果着眼于各个晶粒则成为平滑面，因此显示低值。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>图3(A)和(B)是表示在上述的条件(研磨压5kg/cm2)下进行研磨后(S108后)的多晶Si衬底表面的评价例的图，图3(A)为波纹度、图3(B)为微波纹度的评价结果。另外，图4表示以下例子的图，所述例子为通过本发明的方法得到的多晶Si衬底表面的波纹度的评价例，即，通过粗研磨(S106)后在擦洗后的多晶Si衬底面上在IO(TC下进行1小时热氧化处理而形成400nm厚度的氧化膜，并进行与上述实施例3同样的研磨加工，对由此得到的衬底表面进行观察的例子。即使氧化膜的形成方法不同，也可以得到相同程度的粗糙度(Ra=0.11nm)。本发明可以提供一种磁记录介质用Si衬底，其具有充分的耐冲击性，不会使加工工艺或磁记录层的成膜工艺复杂化，表面平坦性优良，且可以降低成本。权利要求1.一种磁记录介质用硅衬底，其中，在纯度为99.99％以上的多晶硅衬底的主面上具有氧化膜，并且波纹度和微波纹度的均方值均为0.3nm以下。2.权利要求1所述的磁记录介质用硅衬底，其中，所述硅衬底的直径为90mm以下。3.权利要求1或2所述的磁记录介质用硅衬底，其中，所述氧化膜的厚度为1000nm以下且10nm以上。4.一种磁记录介质，其中，在权利要求1或2所述的硅衬底上具有磁记录层。5.—种制造磁记录介质用硅衬底的方法，其中包括在纯度为99.99%以上的多晶硅衬底的主面上形成氧化膜的工序、和将该氧化膜进行平坦化的研磨工序，所述氧化膜形成工序通过在多晶硅衬底的主面上旋涂有机二氧化硅或硅酮类材料并进行热处理而实施。6.—种制造磁记录介质用硅衬底的方法，其中包括在纯度为99.99%以上的多晶硅衬底的主面上形成氧化膜的工序、和将该氧化膜进行平坦化的研磨工序，所述氧化膜形成工序通过将多晶硅衬底的主面进行热氧化而实施。7.权利要求5或6所述的制造磁记录介质用硅衬底的方法，其中，所述研磨工序中，通过在所述氧化膜上进行使用中性或碱性浆料的CMP处理，使衬底的波纹度和微波纹度的均方值均为0.3nm以下。全文摘要本发明涉及磁记录介质用硅衬底及其制造方法。在粗研磨后的多晶硅衬底表面涂布含有硅酮类材料或有机二氧化硅的液剂，得到遮蔽台阶或晶粒间界的平滑薄膜之后，在适当的温度下对该薄膜进行热处理而使有机成分气化挥散，由此形成SiO₂膜，对该SiO₂膜进行CMP研磨等精密研磨，从而提高衬底的平坦性。由此，不受多晶晶粒的晶向不同及晶粒间界存在的影响，可以得到平坦且平滑的表面(波纹度和微波纹度的均方值均为0.3nm以下)。由此得到的磁记录介质用Si衬底，具有充分的耐冲击性，不会使加工工艺或磁记录层的成膜工艺复杂化，表面平坦性优良，并且可以降低成本。文档编号G11B5/73GK101299334SQ20081008293公开日2008年11月5日申请日期2008年3月13日优先权日2007年3月19日发明者大桥健申请人:信越化学工业株式会社