光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶的制作方法

专利名称：光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶的制作方法
技术领域：
本发明涉及光信息记录介质用的记录层、光信息记录介质及对该记录层的形成有用的溅射靶。
背景技术：
光信息记录介质(光盘)以⑶、DVD、BD等光盘为代表，根据记录再生方式，大致分为再生专用型、追记型及重写型这3种。其中，追记型光盘的记录方式主要分为使记录层发生相变化的相变化方式、使多个记录层发生反应的层间反应方式、使构成记录层的化合物分解的方式、在记录层上局部形成孔及坑等记录标记的开孔方式。在所述相变化方式中，作为记录层的材料提出了一种利用了基于记录层的结晶化的光学特性的变化的材料。例如在专利文献1中，提出了含有Te-0-M(M是从金属元素、半金属元素及半导体元素中选出的至少1种元素)的记录层，在专利文献2中提出了含有Sb 及Te的记录层。作为所述层间反应方式的光信息记录介质的记录层，例如在专利文献3中提出了如下记录层，其中，第一记录层为由含有^i-O-(Ni、Mn、Mo)的合金构成的层，且第二记录层为由含有％及/或Te元素、0(氧)、及从Ti、Pd、Zr中选出的一个元素的合金构成的层。 另外，在专利文献4中提出了层叠第一记录层以化为主成分的金属、以及第二记录层含有属于5B族或6B族的至少1种元素的氧化物以外的金属或非金属，通过基于加热的反应或合金化来进行记录。作为使构成所述记录层的化合物分解的方式的记录层，例如在专利文献5中示出了以氮化物为主成分的记录层，并研讨了通过加热使该氮化物分解而进行记录的材料及有机色素材料。作为所述开孔方式的记录层，研讨了由低熔点金属材料构成的记录层。例如在专利文献6中提出了由在Sn合金中添加了 :3B族、4B族、5B族的元素的合金构成的记录层。在专利文献7中提出了由含有1 50原子％的范围的Ni及/或Co的Sn基合金构成的记录层。另外，在专利文献8中示出了由含有20 65原子％的Co的h合金、以及在此基础上还含有19原子％以下的从Sn、Bi、Ge、Si中选出的1种以上的元素的h合金构成的记录层。进而，在专利文献9中示出了实质上由Pd、Ag、0构成，且限定了这些Pd、Ag、0的原子数的比率的记录层。在先技术文献专利文献专利文献1 日本国特开2005-135568号公报专利文献2 日本国特开2003-331461号公报专利文献3 日本国特开2003-3^848号公报专利文献4 日本国专利第3499724号公报
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专利文献5 国际公开第2003/101750号文件专利文献6 日本国特开2002-225433号公报专利文献7 日本国特开2007-196683号公报专利文献8 日本国专利第4110194号公报专利文献9 日本国特开2005-238516号公报作为光信息记录介质所追求的要求特性，主要追求具有足以再生的反射率、能够以实用性的记录激光功率进行记录、记录信号具有足以再生的信号振幅(高调制度)等。但是，作为现有技术而公开的记录材料，难以由记录材料单体满足这些要求特性， 在所述相变化方式中，由于单独记录层的反射率低，所以为了提高光盘状态下的反射率需要设置反射膜，且为了增加调制度，在记录层上下还需要设置SiS-SiO2等电介质层，从而构成光盘的层数增多。另外，在所述层间反应方式中也需要设置多个记录层，所以构成光盘的层数增多。因此存在膜层数增多而使得生产率下降的问题。与此相对，在所述开孔方式中， 记录层自身的反射率高，而且还能够确保大的调制度，所以能够减少构成光盘的层的数目， 但为了达到更高的记录灵敏度还需要进一步的研讨。另外，像专利文献9那样只是形成Pd 或^Vg的氧化物的话，难以获得稳定且进一步提高记录特性。

发明内容
本发明是鉴于上述情况而实现的，其目的在于提供在减少光盘层数的同时满足上述要求特性，从而能够提高光信息记录介质的生产率的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质、及对该记录层的形成有用的溅射靶。本发明包括以下方式。(1) 一种光信息记录介质用记录层，其通过激光的照射进行记录，其特征在于，含有氧化物相对于Imol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd及Ag大的X金属的氧化物、氧化Pd及氧化Ag，相对于记录层中所含的X金属原子、Pd原子及Ag原子的合计量，Pd原子的比率为10 60原子％，Ag原子的比率为5 45原子％，且Pd原子和Ag原子的合计量的比率为75原子％以下。(2)根据上述(1)所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，所述X金属是从由h、Sn、ai、Bi、Ge、Co、W、Cu及Al构成的群中选择的1种以上。(3)根据上述( 所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，所述X金属是^1。(4)根据上述(1) (3)中任一项所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，在照射激光的部分生成气泡，发生体积变化而进行记录。(5) 一种光信息记录介质，其具备上述(1) 中任一项所述的记录层。(6)根据上述(5)所述的光信息记录介质，其特征在于，具备与所述记录层邻接而形成的电介质层。(7) 一种溅射靶，其是上述(1) (4)中任一项所述的光信息记录介质用记录层形成用的溅射靶，其特征在于，相对于溅射靶中所含的X金属原子、Pd原子及Ag原子的合计量，Pd原子的比率为 10 60原子％，Ag原子的比率为5 45原子％，且Pd原子和Ag原子的合计量的比率为75原子％以下。(8)根据上述(7)所述的溅射靶，其特征在于，所述X金属是从由h、Sn、ai、Bi、Ge、Co、W、Cu及Al构成的群中选择的1种以上。(9)根据上述⑶所述的溅射靶，其特征在于，所述X金属是h。发明效果根据本发明，可提供能够以实用性的比较低的记录激光功率实现高调制度的(以下，有时称这种特性为“记录灵敏度优异”)光信息记录介质用记录层(特别是追记型光信息记录介质用记录层)、及具备该记录层的光信息记录介质(特别是追记型光信息记录介质)。另外，根据本发明，可提供对上述记录层的形成有用的溅射靶。
具体实施例方式本发明者为了实现与现有的记录层相比记录灵敏度优异的光信息记录介质用记录层而进行了锐意研究。其结果发现，若不同于现有的记录层，形成含有氧化物相对于Imol 氧的标准生成自由能的绝对值比Pd及Ag大的金属(以下，称为X金属)的氧化物、氧化Pd 及氧化Ag的记录层，则在向该记录层照射激光时，X金属的氧化物中所含的所述氧化Pd和氧化Ag，因照射激光而被加热，发生分解而释放氧，使记录层的组织稳定地变化，具体说就是在被照射激光的部分生成气泡，进行不可逆的记录，这样一来相比以往能够显著提高记录灵敏度。在上述记录层的记录方式中，在激光照射前的记录层的结构为非晶，激光照射后也为非晶这一点上，与利用了非晶体因激光照射而变化为晶体这一特性的相变化方式不同。作为本发明的记录层的记录灵敏度优异的理由，可以认为是因为在因激光照射而产生气泡的部分，与没有产生气泡的部分相比，透过率增加(即，反射率下降)，从而能够加大调制度。为了充分发现上述效果，需要满足如下情况，即，相对于记录层中所含的X金属原子、Pd原子及Ag原子的合计量，.Pd原子的比率10 60原子％，.Ag原子的比率5 45原子％，以及· Pd原子和Ag原子的合计量75原子％以下。若上述Pd原子的比率低于10原子％，则激光照射时分解的氧化Pd少，从而释放出的氧量不充分，生成的气泡不足，记录灵敏度提高的效果小。另外，若只是氧化Ag，则释放氧的形态变化不充分，所以需要一定程度的氧化Pd。基于这些观点，本发明中Pd原子的比率设为10原子％以上。Pd原子的比率优选15原子％以上。进而，在本发明中，通过含有上述氧化Pd的同时还含有氧化Ag，能够利用氧化Ag 的还原释放氧而充分提高氧化Pd所起到的提高记录灵敏度的效果。为了发挥这种效果，Ag 原子的比率设为5原子％以上。Ag原子优选8原子％以上。 另一方面，通过在含有氧化Pd及氧化Ag的同时还含有X金属的氧化物，如后所述，能够使激光照射所带来的记录部分的形态变化最佳化。如此，在本发明中，与氧化Pd及氧化Ag—起，X金属的氧化物的存在也很重要，所以Pd原子的上限设为60原子％ (优选上限为50原子％，更优选上限为45原子％ )，Ag原子的上限设为45原子％ (优选上限为 40原子％ )，并且Pd原子及Ag原子的合计量的上限设为75原子％( S卩，X金属原子相对于X金属原子、Pd原子及Ag原子的合计量的比率的下限为25原子％ )。Pd原子及Ag原子的合计量的上限优选60原子％。若上述氧化Pd是特别含有一氧化Pd和二氧化Pd的物质，则能够更加充分地提高记录灵敏度，故优选。作为其理由可以认为如下两点相比一氧化Pd不稳定的二氧化Pd因激光照射而容易分解释放出氧；以及，通过使相比二氧化Pd稳定的一氧化Pd中存在二氧化 Pd而抑制该二氧化Pd的自然分解，能够得到稳定的记录层。为了提高上述二氧化Pd的分解所产生的释放氧量而得到记录所带来的足够的反射率变化，优选二氧化Pd相对于所述一氧化Pd和二氧化Pd的合计量之比为3摩尔％以上。 更优选5摩尔％以上。另一方面，若二氧化Pd相对于一氧化Pd过多，则二氧化Pd无法稳定地存在，记录层的制作困难，所以优选二氧化Pd相对于所述一氧化Pd和二氧化Pd的合计量之比为70 摩尔％以下。更优选60摩尔％以下。本发明的记录层如上所述，与上述氧化Pd及氧化^Vg—起，还以氧化物相对于Imol 氧的标准生成自由能的绝对值比Pd及Ag大的金属(X金属)的氧化物为必须成分。如此， 通过使比氧化Pd和氧化Ag稳定的金属氧化物(X金属的氧化物)与氧化Pd及氧化Ag — 起共存，能够使该氧化Pd和氧化Ag分解时的氧释放所带来的形态变化明了且变大，从而能够实现记录所带来的足够的反射率变化即高调制度。作为相比Pd和Ag氧化物相对于Imol氧的标准生成自由能的绝对值大的金属(X 金属)，可举出化、311、&1、8丨、66、(0、1、01^1(室温下氧化物相对于Imol氧的标准生成自由能，Pd 约为-150kJ/mol，Ag 为 _40kJ/mol，相对于此，In、Sn、Zn、Bi、Ge、Co、W、Cu、Al 分别为-500、-520、-640、-330、-420、-420、-500、-270、-1050kJ/mol)。其中，优选 In、Bi，即作为与所述氧化Pd及氧化Ag —起含有的X金属的氧化物，优选氧化^和氧化Bi。此外，在本发明的记录层中，有时除了所述X金属的氧化物、所述氧化Pd及所述氧化Ag之外，还可以含有金属Pd。另外，还可以含有制作时不可避免地混入的不可避免的杂质。但是，本发明的记录层的成分组成还不至于对这些不可避免地混入的微量成分进行限定，只要不损害本发明的上述特性，则允许这些不可避免的杂质的微量混入。另外，本发明的记录层也可以以吸收率的提高及折射率的控制为目的，例如以氧化物的形式含有合计约30原子％以下的范围内的Sn、Al、Bi、Cu、Nb、Ti、Si、Ta。记录层的膜厚还取决于在记录层的上下插入电介质层及光学调整层等其它层等的光信息记录介质的结构，但在记录层以单层使用的情况下(不设置上述电介质层及光学调整层等的情况下)，优选记录层的膜厚设为5 lOOnm。这是因为，若记录层的膜厚比5nm 小，则可能难以获得记录所带来的足够的反射率变化。更优选IOnm以上，进一步优选20nm 以上，特别优选25nm以上。另一方面，若记录层的膜厚比IOOnm大，则膜的形成耗费时间，生产率下降，并且记录所需的激光功率可能会变大，所以并不优选。记录层的膜厚更优选70nm 以下，进一步优选60nm以下。
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本发明的记录层优选通过溅射法形成。作为溅射条件，可举出Ar流量10 lOOsccm、氧流量10 lOOsccm。另外，溅射法中的其它条件可以采用通用的溅射条件，可举出将气压控制在例如0. 1 1. OPa的范围，将溅射电力控制在例如0. 5 20W/cm2的范围。在通过所述溅射法形成本发明的记录层时，作为溅射靶(以下，有时简称“靶”)， 采用相对于溅射靶中所含的X金属原子(优选从由^1、311、&1、81、66、0)、1、01及41构成的群中选择的1种以上，更优选h)、Pd原子及Ag原子的合计量，满足如下条件的物质.Pd原子的比率10 60原子％，.Ag原子的比率5 45原子％，以及· Pd原子和Ag原子的合计量75原子％以下。作为上述靶的具体方式，可举出X金属以氧化物的形式含有(即，X金属的氧化物)、Pd原子以金属Pd及/或氧化Pd的形式含有、且Ag原子以金属Ag及/或氧化Ag的形式含有的靶。作为其它方式，可举出X金属原子、Pd原子及Ag原子均为金属，即由含有这些元素的合金构成的靶。此外，在上述元素(X金属原子、Pd原子、Ag原子)以氧化物的形态存在于靶中时， 上述元素的比率表示通过除去氧化物中的氧原子之后的原子换算求出的值。作为上述靶，在生产率、形成的薄膜的组成的面内均勻性及厚度控制的方面，特别是优选采用将X金属的氧化物、金属Pd及金属Ag的粉末混合并烧结而成的靶。在上述靶中可含有制造时不可避免地混入的不可避免的杂质。但是，本发明的溅射靶的成分组成还不至于限定到这些不可避免地混入的微量成分，只要不损害本发明的上述特性，则允许这些不可避免的杂质的微量混入。在记录层的形成中，除了采用上述靶进行溅射之外，例如还可以举出采用X金属靶、金属Pd靶(纯Pd金属靶)及金属Ag靶(纯Ag金属靶)，对这些靶同时放电来进行多元溅射。本发明的光信息记录介质虽然具有体现上述优异的特性的记录层，但为了确保在高温高湿环境下也能够维持上述优异的特性的优异的耐久性，优选与记录层邻接而形成有电介质层的结构。作为耐久性下降的原因可认为，在上述高温高湿环境下，没有照射激光 (即，没有进行记录)的部分的氧化Pd及氧化^Vg逐渐还原而释放出氧，其结果光学特性发生变化，导致反射率下降。但是，通过形成电介质层，能够抑制氧化Pd(特别是二氧化Pd) 及氧化Ag的不需要的分解而稳定地保持。作为上述“与记录层邻接而形成电介质层”的方式，例如可举出在基板和记录层之间与记录层邻接而形成的情况、及/或在记录层和后述的光透过层之间与记录层邻接而形成的情况。上述电介质层也可通过作为氧壁垒层发挥作用而提高耐久性。对此可认为，通过防止因氧化Pd及氧化Ag的分解而产生的氧的逃散，能够防止反射率的变化(特别是反射率的下降)，能够确保作为记录层所需要的反射率。通过进一步形成电介质层还可以提高记录特性。可认为这是由于，通过电介质层使入射的激光的热扩散受到最优控制，能够防止记录部分的泡变得过大、或氧化Pd的分解过度而导致泡破灭，使泡的形状最佳化。作为所述电介质层的原材料，可举出氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物或它们的混合物，作为所述氧化物，可举出从由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi 及Mg构成的群中选择的1种以上元素的氧化物(优选从由^KSruSijr及Si构成的群中选择的1种以上元素的氧化物)。作为所述氮化物，可举出从由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、 Mo、Ti及Si构成的群中选择的1种以上元素的氮化物(优选Si及/或Ge的氮化物)，作为所述硫化物可举出Si硫化物。作为所述碳化物，可举出从由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、 Zr.Ta及W构成的群中选择的1种以上元素的碳化物(优选从由Si、Ti及W构成的群中选择的1种以上元素的碳化物)，作为所述氟化物，可举出从由Si、Al、Mg、Ca及La构成的群中选择的1种以上元素的氟化物。作为它们的混合物，可举出SiS-SiO2等。其中，优选含有^uZru Sn、Al、Si、Ti、Mg中的1种以上的上述化合物(氧化物等)或其混合物，更优选含有In、ai、Sn、Al的1种以上的上述化合物或其混合物。电介质层的膜厚优选为1 40nm。这是因为，若小于lnm，则可能难以充分发挥上述电介质层的效果(特别是作为氧壁垒的效果)。更优选3nm以上。另一方面，若电介质层的膜厚过厚，则可能难以产生激光照射所带来的记录层的变化，有时导致记录特性下降，故不优选。因而，电介质层的膜厚优选为40nm以下，更优选35nm以下。本发明还不至于对所述电介质层的形成方法还进行限定，但优选同所述记录层一样通过溅射法来形成。在通过溅射法形成所述电介质层时，作为溅射条件，在使Ar流量例如在10 lOOsccm的范围内，如下所述采用金属靶的情况下，可举出使氧化物层形成时的氧流量例如在5 60SCCm的范围内，使氮化物层形成时的氮流量例如在5 80SCCm的范围内的情况。 另外，还可以举出使气压例如在0. 1 1. OPa的范围内，使溅射电力例如在0. 5 50W/cm2 的范围内的情况。作为所述电介质层的形成中所采用的溅射靶，除了由上述化合物(氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物)构成的靶之外，可以采用含有该化合物中的氧、氮、硫、碳、氟以外的构成元素的金属靶(由纯金属或合金构成的靶)。本发明的光信息记录介质的特征在于具备上述记录层这一点，优选进一步具备电介质层。除了上述记录层和电介质层以外，可以采用光信息记录介质的领域中公知的构成。作为光信息记录介质(光盘)，其结构可举出在刻有激光的导向用的槽的基板上层叠记录层，再在记录层上层叠光透过层的结构。例如，作为所述基板的原材料，可举出聚碳酸酯树脂、聚降冰片烯系树脂、环状烯烃系共聚物、非晶质聚烯烃等。另外，作为所述光透过层，可以使用聚碳酸酯或紫外线硬化树脂。作为光透过层的材质，优选相对于进行记录再生的激光具有高的透过率，且光吸收率小的材质。所述基板的厚度可举出例如0.5 1.2mm。另外，所述光透过层的厚度可举出例如 0. 1 1. 2mm。本发明的记录层是体现出高的反射率，且记录层单独体现出优异的记录特性的层，但也可以为了根据需要进一步提高作为光盘的反射率，而在基板和记录层之间进一步设置光学调整层。作为所述光学调整层的原材料，可例示Ag、AU、CU、Al、Ni、Cr、Ti等或它们的合金等。另外，所述光学调整层的厚度，通常作为完全反射膜为50 150nm左右。
此外，上述情况示出了记录层及光透过层分别各形成1层的1层光盘，但不限定于此，也可以是记录层及光透过层多层层叠的2层以上的光盘。在具备多层所述记录层的情况下，也可以在由记录层和根据需要层叠的光学调整层或电介质层构成的记录层群与其它记录层群之间，具有例如由紫外线硬化树脂等构成的透明中间层。本发明的特征在于采用了前述的记录层(优选还有电介质层)这一点，对该记录层及电介质层以外的基板或光透过层、进而光学调整层或透明中间层等的形成方法没有特殊限定，只要按照通常进行的方法形成而制造光信息记录介质即可。作为光信息记录介质，可举出CD、DVD、或BD，作为具体例举出能够将例如波长约 380nm 450nm、优选约405nm的蓝色激光照射到记录层上，进行数据的记录及再生的BD-R。实施例以下，举出实施例对本发明更具体地进行说明，但下述实施例并不限制本发明，还可以在不脱离前、后述的宗旨的范围内适当追加变更来实施，这也包含在本发明的技术范围内。(1)光盘的制作作为盘基板，使用聚碳酸酯基板(厚度1. 1mm，直径120mm，磁道间距0. 32 μ m， 槽深度25nm)，在该基板上，通过DC磁控溅射法形成由氧化In、氧化Pd及氧化Ag构成的各种记录层。记录层的膜厚为40nm。上述记录层通过进行纯化金属靶、纯Pd金属靶及纯 Ag金属靶这三个靶(表1的No. 5、8为其中的两个靶)的同时放电下的多元溅射而形成。用于形成上述记录层的溅射条件为Ar流量IOsccm,氧流量IOsccm,气压 0. 4Pa、DC溅射功率100 200W、基板温度室温。成膜的记录层的成分组成[相对于In原子+Pd原子+Ag原子的h原子的比率 (原子％ )、Pd原子的比率(原子％ )、Ag原子的比率(原子％ )]，透过荧光X射线分析法或ICP发光分析法测定而求出。接着，对于表1的No. 1 6、8，通过DC磁控溅射法，使用氧化h靶，作为电介质层而形成IOnm的氧化h层。用于形成该电介质层的溅射条件为Ar流量dOsccm、气压 0. 2Pa、DC溅射功率100 200W、基板温度室温。然后，在电介质层上(对于No. 7是在记录层上)，旋涂紫外线硬化性树脂(日本化药社制“BRD-864”)之后，照射紫外线而形成膜厚约0. Imm的光透过层，得到光盘。需要说明的是，对于表1的No. 6来说，在形成上述记录层时，作为靶使用纯h金属靶、纯Pd金属靶及纯Cu金属靶这三个靶进行溅射，形成了由氧化In、氧化Pd及氧化Cu 构成的记录层。(2)光盘的评价对制作出的光盘如下进行了评价。即，使用光盘评价装置('义 W”工业社制“0DU-1000”)，记录激光中心波长设为405nm，并使用了 NA(数值孔径)0. 85的透镜。下述所示的反射率是使用上述装置将激光照射到磁道上，根据光盘中的未记录部分的激光的回光强度求出。使用上述光盘评价装置，在线速4. 92m/s、基准时钟66MHz的条件下，以各种记录激光功率(记录功率)记录了 2T 8T的随机信号。然后，求出使用横河电机社制夕^
9二 4 > ^-^-JiT f 7 4廿一 TA810测定出的抖动值(表示再生激光功率0. 3mW下的记录再生时的再生信号的时间轴上的波动的值)为最小的记录激光功率(记录功率)(抖动最小值及记录功率如表1所示)。根据下述式(1)求出该抖动为最小的记录功率下的调制度(反射率的变化率)，将上述抖动最小值小于7%且该调制度为0. 40以上的情况记为合格。调制度(反射率的变化率)二(未记录部分的反射率-记录部分的反射率)/(未记录部分的反射率)··· (1)将上述结果一并记入表1。[表 1]
权利要求
1.一种光信息记录介质用记录层，其特征在于，是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用记录层，其中，含有氧化物相对于Imol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd及Ag大的X金属的氧化物、氧化Pd及氧化Ag，相对于记录层中所含的X金属原子、Pd原子及Ag原子的合计量，Pd 原子的比率为10 60原子％，Ag原子的比率为5 45原子％，且Pd原子和Ag原子的合计量的比率为75原子％以下。
2.根据权利要求1所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，所述X金属是从由^uSru Si、Bi、Ge、Co、W、Cu及Al构成的群中选择的1种以上的元ο
3.根据权利要求2所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，所述X金属是h。
4.根据权利要求1所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，在照射激光的部分生成气泡，发生体积变化而进行记录。
5.一种光信息记录介质，其特征在于，具备权利要求1 4中任一项所述的记录层。
6.根据权利要求5所述的光信息记录介质，其特征在于，具备与所述记录层邻接而形成的电介质层。
7.一种溅射靶，其特征在于，是权利要求1 4中任一项所述的光信息记录介质用记录层形成用的溅射靶，其中，相对于溅射靶中所含的X金属原子、Pd原子及Ag原子的合计量，Pd原子的比率为10 60原子％，Ag原子的比率为5 45原子％，且Pd原子和Ag原子的合计量的比率为75原子％以下。
8.根据权利要求7所述的溅射靶，其特征在于，所述X金属是从由In、Sn、Zn、Bi、Ge、Co、W、Cu及Al构成的群中选择的1种以上的元ο
9.根据权利要求8所述的溅射靶，其特征在于，所述X金属是h。
全文摘要
本发明提供记录特性优异的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质、及对上述记录层的形成有用的溅射靶。该光信息记录介质用记录层是通过激光的照射进行记录的记录层，含有相对于1mol氧的氧化物的标准生成自由能的绝对值比Pd及Ag大的X金属的氧化物、氧化Pd及氧化Ag，相对于记录层中所含的X金属原子、Pd原子及Ag原子的合计量，Pd原子的比率为10～60原子％，Ag原子的比率为5～45原子％，且Pd原子和Ag原子的合计量的比率为75原子％以下。
文档编号G11B7/243GK102483939SQ20108004066
公开日2012年5月30日 申请日期2010年9月17日 优先权日2009年9月18日
发明者志田阳子, 曾根康宏, 田内裕基 申请人:株式会社神户制钢所, 索尼株式会社