技术总结
本发明公开了一种操作多位存储单元的方法，该方法对具有多位的存储单元的存储器，一次施加一个单脉冲序列或于单通道内。例如，利用具有对多目标编程位阶的编程验证步骤的一递增脉冲编程序列，对多个具有多位的存储单元进行编程。通过这些技术，所需的编程脉冲的数量，以及编程数据所需花费的时间均可减少。连带的，编程的速度可获得改善，且干扰的情形也将改善。针对不同类型的存储单元、存储器架构、编程速度与数据储存密度，可搭配各种单通道多位阶编程的操作。
技术研发人员：洪硕男;吕函庭;陈弟文;黄世麟;张国彬;谢志昌;洪俊雄;李永骏
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201410018267
技术研发日：2014.01.15
技术公布日：2017.06.13