技术特征：
1.一种SIM卡装置，其特征在于，包括：一NandFlash控制器，与所述NandFlash控制器相连接的一数据缓存模块；所述NandFlash控制器，包括：一NandFlashECC接口控制器，与所述NandFlashECC接口控制器相连接的ECC纠错模块；所述ECC纠错模块，包括一伴随式计算模块、一BM迭代模块和一错误位置计算模块；所述NandFlashECC接口控制器，用于实现AHB总线与片外NandFlash之间以及AHB总线与ECC纠错模块之间的数据交互；所述伴随式计算模块，用于计算接收码字的伴随式的系数，以备在计算错误位置多项式的迭代算法中使用；所述BM迭代模块，与所述伴随式计算模块相连接，用于确定求解最终错误位置的错误位置多项式；所述错误位置计算模块，与所述伴BM迭代模块相连接，用于求解错误位置多项式，获得错误位置的值；该错误位置计算模块的时钟频率采用伴随式计算模块和BM迭代模块的倍频时钟；所述数据缓存模块，用于存储每页NandFlash的数据。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述错误位置计算模块采用并行钱搜索算法获得错误位置的值。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述数据缓存模块，为9K片内SRAM。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述NandFlash控制器\t根据错误位置计算模块计算出的错误位置值，完成在存储空间内部的纠错。5.一种用于SIM卡的ECC纠错模块，其特征在于，包括：一伴随式计算模块、一BM迭代模块和一错误位置计算模块；所述伴随式计算模块，用于计算接收码字的伴随式的系数，以备在计算错误位置多项式的迭代算法中使用；所述BM迭代模块，与所述伴随式计算模块相连接，用于确定求解最终错误位置的错误位置多项式；所述错误位置计算模块，与所述伴BM迭代模块相连接，用于求解错误位置多项式，获得错误位置的值；该错误位置计算模块的时钟频率采用伴随式计算模块和BM迭代模块的倍频时钟。6.如权利要求5所述的纠错模块，其特征在于：所述错误位置计算模块采用并行钱搜索算法获得错误位置的值。