1.自动触发的负电压位线写辅助SRAM电路，其特征在于，包括，
N个SRAM存储单元，每一所述SRAM存储单元连接一第一位线和一第二位线；所述第一位线沿N个所述SRAM存储单元的排列方向设置并位于所述SRAM存储单元的同一边，所述第二位线沿N个所述SRAM存储单元的排列方向上与所述第一位线相对的另一边设置；
第一晶体管，于一第一写使能信号线的信号作用下导通或关断所述第一位线与地电压；
第二晶体管，于一第二写使能信号线的信号作用下导通或关断所述第二位线与所述地电压；
所述第一写使能信号线与所述第一位线相隔设定距离平行设置以产生第一寄生电容，以所述第一寄生电容作为第一耦合电容，在第一设定条件下在所述第一位线上耦合产生一负电压；
所述第二写使能信号线与所述第二位线相隔设定距离平行设置以产生第二寄生电容，以所述第二寄生电容作为第二耦合电容，在第二设定条件下在所述第二位线上耦合产生一负电压。
2.根据权利要求1所述的自动触发的负电压位线写辅助SRAM电路，其特征在于，N个所述SRAM存储单元分别连接一相应的字线，其中一所述字线被选中时，对相应的所述SRAM存储单元进行写操作。
3.根据权利要求1所述的自动触发的负电压位线写辅助SRAM电路，其特征在于，每一所述SRAM存储单元包括，
一第一开关器件，于一相应的字线作用下可控制地导通所述第一位线与 一第一节点；
一第二开关器件，于所述字线的作用下可控制地导通所述第二位线与一第二节点；
一基本存储单元，于所述第一节点为高电压且所述第二节点为低电压时，存储的数据为1；或于所述第一节点为低电压并所述第二节点为高电压时，存储的数据为0。
4.根据权利要求3所述的自动触发的负电压位线写辅助SRAM电路，其特征在于，所述基本存储单元包括，
第一PMOS管，于一第二节点的电压作用下可选择地导通一电源电压和所述第一节点；
第二PMOS管，于所述第一节点的电压作用下可选择地导通所述电源电压和所述第二节点；
第一NMOS管，于所述第二节点的电压作用下可选择地导通所述第一节点和地电压；
第二NMOS管，于所述第一节点的电压作用下可选择地导通所述第二节点和所述地电压。
5.根据权利要求1所述的自动触发的负电压位线写辅助SRAM电路，其特征在于，所述第一晶体管采用N MOS管，所述第二晶体管采用NMOS管。
6.根据权利要求3所述的自动触发的负电压位线写辅助SRAM电路，其特征在于，所述第一开关器件采用NMOS管；所述第二开关器件采用NMOS管。
7.自动触发的负电压位线写辅助的方法，其特征在于，应用于权利要求3所述的SRAM电路中，包括写入数据0的步骤：
步骤11，所述第一写使能信号线的信号由低电压变为高电压，所述第一晶体管导通，所述第一位线被下拉至地电压；
步骤12，所述第一写使能信号线的信号由高电压变为低电压，所述第一位线与所述地电压断开，所述第一写使能信号线的低电压通过所述第一耦合电容在所述第一位线上耦合得到一负电压；
步骤13，一SRAM存储单元的字线被选中，所述第一位线与所述第一节点连通，所述第一节点为低电压而所述第二节点被上拉至高电压。
8.根据权利要求7所述的自动触发的负电压位线写辅助的方法，其特征在于，包括写入数据1的步骤：
步骤21，所述第二写使能信号线的信号由低电压变为高电压，所述第二晶体管导通，所述第二位线被下拉至地电压；
步骤22，所述第二写使能信号线的信号由高电压变为低电压，所述第二位线与所述地电压断开，所述第二写使能信号线的低电压通过所述第二耦合电容在所述第二位线上耦合得到一负电压；
步骤23，一SRAM存储单元的字线被选中，所述第二位线与所述第二节点连通，所述第二节点为低电压而所述第一节点被上拉至高电压。
9.根据权利要求7所述的自动触发的负电压位线写辅助的方法，其特征在于，于所述写入数据0的步骤中，所述第二位线维持电源电压。
10.根据权利要求8所述的自动触发的负电压位线写辅助的方法，其特征在于，于所述写入数据1的步骤中，所述第一位线维持电源电压。