技术总结
自动触发的负电压位线写辅助SRAM电路，具体涉及静态随机存储器，包括N个SRAM存储单元，每一SRAM存储单元连接第一位线和第二位线；第一位线沿存储单元的排列方向设于存储单元的同一边，第二位线于第一位线相对的另一边设置；第一晶体管于第一写使能信号线的信号作用下导通或关断第一位线与地电压；第二晶体管于第二写使能信号线的信号作用下导通或关断第二位线与地电压；第一写使能信号线与第一位线相隔设定距离平行设置以产生第一寄生电容，第一设定条件下在第一位线上耦合产生负电压；第二写使能信号线与第二位线相隔设定距离平行设置以产生第二寄生电容，第二设定条件下在第二位线上耦合产生负电压。本发明能够实现写辅助，电路简单并节省电路面积。
技术研发人员：王林
受保护的技术使用者：展讯通信（上海）有限公司
文档号码：201510375546
技术研发日：2015.06.30
技术公布日：2017.01.11