技术总结
描述了一种用于擦除包括多个存储器单元的铁电场效应晶体管(FeFET)存储器电路的技术，该存储器单元包括FeFET。每个FeFET包括栅极堆叠、源极、漏极、沟道和块体衬底区域，其中栅极堆叠包括栅极和设置在栅极与沟道之间的铁电层。根据沟道类型，向至少一个FeFET存储器单元的源极和漏极区施加正或负电压。在向FeFET存储器单元的源极和漏极区施加正电压期间，栅极和块体衬底区域保持在接地状态，以致使至少一个FeFET存储器单元的擦除。此外，描述了具有邻近栅极堆叠内的铁电层设置的电荷存储层的FeFET。
技术研发人员：斯特凡·费迪南德·米勒
受保护的技术使用者：纳姆实验有限责任公司
文档号码：201580039628
技术研发日：2015.07.23
技术公布日：2017.03.22