技术特征：
技术总结
本发明公开了一种用于低电压SRAM的稳定性故障测试方法，在低电压SRAM上增加测试电路，形成测试模式下低电压SRAM的位线BLB所需的浮动0和浮动1，能够准确测量低电压SRAM单元中的稳定性故障，同时，通过在低电压SRAM内注入稳定性故障，通过外加测试电路的方式来攻击该低电压SRAM，可以避免对内部低电压SRAM造成干扰，并可以减小交叉耦合的晶体管与电源或地之间稳定性故障的最小可检测电阻，以达到提高检测灵敏性的目的，测试方法，精确度高，设计巧妙，具有良好的前景。
技术研发人员：荣佑丽;郭艳艳;王昌强;王荧;蔡志匡
受保护的技术使用者：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
技术研发日：2018.02.23
技术公布日：2018.07.06