1.一种开关装置，所述开关装置包括：
第一电极，其中，第一电极包含钛；
第二电极；
开关层，其中，所述开关层位于第一电极与第二电极之间。
2.如权利要求1所述的开关装置，其中，第一电极还包含铝。
3.如权利要求1所述的开关装置，其中，第一电极还包含氮。
4.如权利要求1所述的开关装置，其中，第一电极包括氮化铝钛(tialn)。
5.如权利要求1所述的开关装置，其中，第一电极由氮化钛铝(tialn)形成。
6.如权利要求5所述的开关装置，其中，第一电极是至少70％的al。
7.如权利要求5所述的开关装置，其中，第一电极与所述开关层接触。
8.如权利要求5所述的开关装置，其中，通过将所施加的电压设置为预定阈值电压或更高电压而将所述开关层转变为低电阻状态，以及通过将所施加的电压减少到所述阈值电压或更低电压而将所述开关层转变为高电阻状态。
9.如权利要求5所述的开关装置，其中，所述开关装置至少包括一种或更多种硫族元素。
10.如权利要求5所述的开关装置，其中，第一电极的电阻为至少12500欧姆。
11.一种存储单元，所述存储单元包括：
多个存储器单元，其中，所述多个存储器单元中的每个存储器单元包括：
开关装置，所述开关装置包括：
第一电极，其中，第一电极包括氮化铝钛(tialn)；
第二电极；以及
开关层，其中，所述开关层位于第一电极与第二电极之间；
存储装置，所述存储装置包括：
存储层；
第三电极，其中，所述存储层位于第二电极与第三电极之间。
12.如权利要求11所述的存储单元，其中，所述开关层完全由tialn形成。
13.如权利要求12所述的存储单元，其中，所述开关层是至少70％的al。
14.如权利要求11所述的存储单元，其中，所述存储层包括电阻变化层和离子源层。
15.如权利要求12所述的存储单元，其中，所述离子源层包括一种或更多种硫族元素。
16.如权利要求14所述的存储单元，其中，所述电阻变化层与第二电极接触。
17.如权利要求16所述的存储单元，其中，所述电阻变化层与第二电极的第一侧接触，以及其中，所述存储层与第二电极的第二侧接触。
18.如权利要求11所述的存储单元，其中，所述存储层包括一种或更多种硫族元素。
19.如权利要求17所述的存储单元，其中，所述存储装置还包括离子源层。
20.如权利要求11所述的存储单元，其中，所述存储单元是三维存储器阵列。
21.如权利要求11所述的存储单元，其中，设置多条行线和多条列线，以及其中，所述存储器单元被各自设置在行线和列线的交叉点处。
22.如权利要求11所述的存储单元，其中，第二电极和第三电极中的至少一个包括tialn。
23.如权利要求11所述的存储单元，所述存储单元还包括在第一电极、所述开关层、第二电极、所述存储层和第三电极中的至少两个之间的tialn。
24.一种用于制造存储器单元的电极的方法，所述方法包括：
在衬底上沉积tin层；
在所述衬底上沉积aln层；
多次重复沉积tin层和沉积al层的步骤；
在多次重复沉积tin层和沉积al层的步骤之后，对所沉积的层执行nh3退火。