技术特征：
1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：第1存储单元，具备电荷储存层；第1位线，连接在所述第1存储单元；及读出放大器，对所述第1位线施加电压；数据的写入动作重复编程动作及验证动作的组，所述第1位线在所述重复的第1组的编程动作时被设为电气地浮动且设为第1电位，在所述第1组之后的第2组的编程动作时，通过利用所述读出放大器施加第2电压，而设为低于所述第1电位的第2电位，在所述第2组之后的第3组的编程动作时，通过利用所述读出放大器施加第3电压，而设为高于所述第1电位及第2电位的第3电位。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1组为所述重复的最初的组。3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第3组在通过验证之后执行。4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：在所述第2组与所述第3组之间执行的第4组的编程动作时，所述第1位线通过利用所述读出放大器施加第4电压，而设为高于所述第1电位及第2电位的第4电位。5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：在所述第2组与所述第3组之间执行的第4组的编程动作时，所述第1位线通过利用所述读出放大器施加第4电压，而设为低于所述第1电位的第4电位。6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：在所述第1组之前执行的第4组的编程动作时，所述第1位线通过利用所述读出放大器施加第4电压，而设为低于所述第1电位的第4电位。7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：在所述第1组之前执行的第4组的编程动作时，所述第1位线通过利用所述读出放大器施加第4电压，而设为高于所述第1电位及第2电位的第4电位。8.一种半导体存储装置，其特征在于包括：第1至第3存储单元，具备电荷储存层；第1位线，连接在所述第1存储单元；第2位线，连接在所述第2存储单元；第3位线，连接在所述第3存储单元；及读出放大器，对所述第1至第3存储单元施加电压；数据的写入动作重复编程动作及验证动作的组，在所述写入动作的任一个组中，在所述编程动作时，利用所述读出放大器对所述第1位线施加第1电压，对所述第2位线施加小于所述第1电压的第2电压，对所述第3位线施加小于所述第1电压且大于所述第2电压的第3电压。9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第2位线在所述写入动作的第1组中被施加所述第2电压，在所述第1组之前执行的第2组中利用所述读出放大器施加所述第3电压，
在所述第1组之后执行的第3组中利用所述读出放大器施加所述第1电压。