测试半导体存储器的方法
【专利说明】测试半导体存储器的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2014年4月2日提交的韩国专利申请N0.10-2014-0039435的优先权，该申请的公开内容以引用的方式合并于此。
技术领域
[0003]与示例性实施例一致的方法和设备涉及测试半导体存储器，具有而言，涉及半导体存储器测试方法，通过该测试方法提取出针对处于晶片状态下的半导体存储器的最优操作条件。
【背景技术】
[0004]根据中断对器件供电时是否丢失已存储的数据，将半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。非易失性存储器的操作模式分为写模式或编程模式、读模式和擦除模式，在写模式或编程模式中将数据存储在存储单元中，在读模式中从存储单元读取数据，在擦除模式中从存储单元擦除已存储的数据。在开发用于有效存储数据的非易失性存储器时，需要考虑这些操作特性和诸如制造工艺特性和结构特性之类的其他各种特性。
[0005]在制造非易失性存储器的过程中，在晶片阶段期间执行测试以便了解最优操作条件。在考虑到各种操作条件时，通常依赖于工程师的知识来执行测试，这是因为测试的数量是受限的。结果是，存在有这样的缺点，其中很有可能将与实际上最优的操作条件不同的操作条件选择为最优条件。
【发明内容】
[0006]根据示例性实施例的一个方面，提供一种测试半导体存储器的方法，该方法包括步骤:根据与第一代对应的多个用例对半导体存储器执行测试并且针对所述多个用例中的每一个用例产生模型化测试结果；基于模型化测试结果从所述多个用例当中确定最优用例；以及基于所述最优用例产生与第二代对应的多个用例。
[0007]根据另一个示例性实施例的一个方面，提供一种测试半导体存储器的方法，该方法包括步骤:基于模型化测试结果确定最优用例，所述模型化测试结果对应于基于与第一代对应的多个用例来对半导体存储器执行测试的结果；以及基于最优用例产生与第二代对应的多个用例，其中，与第一代对应的多个用例包括在第一代之前的前一代的各最优用例以及分别与前一代的各最优用例对应的各测试用例，并且所述确定最优用例的步骤包括:将前一代的各最优用例所对应的模型化测试结果和分别与前一代的各最优用例对应的各测试用例所对应的模型化测试结果进行比较；以及根据比较的结果确定针对第一代的最优用例。
[0008]根据另一个示例性实施例的一个方面，提供一种计算机可读记录介质，其上记录有测试程序，该测试程序包括:测试操作器，其配置为根据与第一代对应的多个用例执行测试并针对所述多个用例产生模型化测试结果；优化器，其配置为基于模型化测试结果从所述多个用例当中确定最优用例；以及用例发生器，其配置为基于最优用例产生与第二代对应的多个用例。
[0009]根据另一个示例性实施例的一个方面，提供一种测试装置，其包括:测试操作器，其配置为根据与第一代对应的多个用例执行测试并针对所述多个用例产生模型化测试结果；优化器，其配置为基于模型化测试结果从所述多个用例当中确定最优用例；以及用例发生器，其配置为基于最优用例产生与第二代对应的多个用例。
[0010]根据另一个示例性实施例的一个方面，提供一种用于测试半导体存储器的测试装置，该测试装置包括:处理器，其配置为基于输入数据运行测试程序；以及存储器，其配置为存储通过测试程序的运行所产生的输出数据，其中输入数据包括关于下列的信息中的至少之一:半导体存储器的操作条件、各操作条件中的每一个操作条件的变化范围、目标函数(object1n funct1n)和最优用例确定次数。
[0011]根据另一个示例性实施例的一个方面，提供一种测试半导体存储器的方法，该法包括步骤:在给定的值的范围内随机产生多个测试用例；以及将下列步骤执行多次迭代:根据多个测试用例对半导体存储器执行测试并且针对各个测试用例产生模型化测试结果；基于模型化测试结果从多个测试用例当中确定多个最优测试用例；以及基于确定的最优测试用例产生多个新的测试用例。
【附图说明】
[0012]通过参考附图来详细说明示例性实施例，上述及其他方面将变得明显，在附图中:
[0013]图1是根据示例性实施例的测试装置的框图；
[0014]图2是根据示例性实施例的操作图1所示的测试装置的方法的流程图；
[0015]图3是根据示例性实施例的图2所示的方法中产生测试结果的操作的详细流程图；
[0016]图4是根据示例性实施例的图2所示的方法中确定最优用例的操作的详细流程图；
[0017]图5是根据示例性实施例的图2所示的方法中产生与第二代对应的多个用例的操作的详细流程图；
[0018]图6是根据示例性实施例的用于解释图1所示的用例发生器的操作的示图；
[0019]图7是根据示例性实施例的示出了存储单元的特性随测试次数变化的示图；
[0020]图8是根据示例性实施例的用于解释测试程序发生器的操作的示图，该测试程序发生器使用了图7所示的存储单元的特性变化；
[0021]图9是根据示例性实施例的示出了单元分布的示图，以解释图1所示的结果分析器的操作；
[0022]图10是根据示例性实施例的示出了每字线失效位的数量的示图，以解释图1所示的结果分析器的操作；
[0023]图11是根据示例性实施例的示出了多个芯片当中的平均特性的偏差的示图，以解释图1所示的结果分析器的操作；以及
[0024]图12是用于解释图1所示的测试装置的效果的比较示图。
【具体实施方式】
[0025]下面将参考示出了各种示例性实施例的附图更加充分地说明示例性实施例。然而，本发明构思可以按照多种不同的形式来实现，并且不应当被看作仅限于这里所阐述的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例是为了使得本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明构思。在附图中，会出于清楚的目的而夸大各层和各区域的尺寸和相对尺寸。相同的附图标记始终表示相同的元件。
[0026]应当理解，当一个元件被称作“连接”或“耦接”至另一个元件时，所述一个元件可以直接连接或親接至另一个元件，或者也可以存在中间元件。相反，当一个元件被称作“直接连接”或“直接耦接”至另一个元件时，则不存在中间元件。如本文所使用的那样，术语“和/或”包括相关的所列项中的一个或多个的任意和全部组合，并且可以简写为“/”。
[0027]应当理解，尽管会在本文中使用术语“第一”、“第二”等以说明各种元件，但是这些元件不应当被这些术语所限定。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，“第一”信号可以被称作“第二”信号，并且类似地，“第二”信号也可以被称作“第一”信号，而没有背离本公开的指教。
[0028]本文所使用的术语仅仅是出于说明特定示例性实施例的目的，而不是旨在进行限定。如本文所使用的那样，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文明确地指出不是这样。还应当理解，术语“包括”和/或“包括……的”或者“包含”和/或“包含……的”在用于本说明书时，表明存在所述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0029]除非另外进行了定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域的普通技术人员的通常理解相同的含义。还应当理解，那些诸如在常用字典中定义的术语，应当被解释为具有与其在相关领域和/或本申请的上下文中的含义相一致的含义，并且不应当理想化或过于形式化地进行解释，除非本文这样明确地进行了限定。
[0030]图1是根据示例性实施例的测试装置的框图。测试装置100用于对晶片状态下的半导体存储器进行测试。晶片10包括多个芯片50，其可以是半导体存储器50。尽管在图1中示出了 5X5的芯片阵列，但本领域普通技术人员应当理解的是，没有特别地限定芯片的几何形状和数量。
[0031]测试操作用于针对每一个半导体存储器50来确定当各个半导体存储器50中的每一个从晶片10分离并安装到模块后进行操作时的最优操作