半导体存储装置的制造方法

文档序号:9647390阅读:461来源:国知局
半导体存储装置的制造方法
【专利说明】半导体存储装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2014年9月5日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0118864的韩国专利申请的优先权,其全部公开内容通过弓|用整体合并于此。
技术领域
[0003]各种实施例总体而言涉及一种半导体集成电路,更具体地,涉及一种半导体存储
目.ο
【背景技术】
[0004]半导体存储装置被配置以储存数据以及将储存的数据输出。根据储存数据的方案,半导体存储装置划分为易失性半导体存储装置和非易失性半导体存储装置。
[0005]易失性半导体存储装置和非易失性半导体存储装置可以根据是否执行用来保持储存的数据的刷新操作来划分。
[0006]易失性半导体存储装置应当伴有刷新操作以保持储存的数据。在这方面,已经持续进行了研究以降低刷新操作的电流消耗。

【发明内容】

[0007]在一个实施例中,半导体存储装置可以包括:控制信号发生单元,被配置以根据模式控制信号和刷新信号而产生控制信号。半导体存储装置还可以包括:第一感测放大器驱动电压发生单元,被配置以根据控制信号、第一感测放大器使能信号和开关控制信号而产生第一感测放大器驱动电压。半导体存储装置还可以包括:开关控制单元,被配置以根据控制信号和第二感测放大器使能信号而产生开关控制信号。而且,半导体存储装置还可以包括:第二感测放大器驱动电压发生单元,被配置以根据第二感测放大器使能信号而产生第二感测放大器驱动电压。半导体存储装置还可以包括:开关单元,被配置以根据开关控制信号而电耦接或电去耦接第一感测放大器驱动电压发生单元的输出与第二感测放大器驱动电压发生单兀的输出。
[0008]在一个实施例中,半导体存储装置可以包括:电压发生块,被配置以根据模式控制信号和刷新信号而在第一感测放大器使能信号的使能时段期间产生第一感测放大器驱动电压或在比第一感测放大器使能信号的使能时段更长的时段期间产生第一感测放大器驱动电压。半导体存储装置还可以包括:第二感测放大器驱动电压发生单元,被配置以在第二感测放大器使能信号的使能时段期间产生第二感测放大器驱动电压。而且,半导体装置可以包括:电源线控制块,被配置以当第一感测放大器驱动电压在比第一感测放大器使能信号的使能时段更长的时段期间产生时根据第二感测放大器使能信号而电耦接或电去耦接第一感测放大器的电源线与第二感测放大器的电源线。
[0009]在一个实施例中,半导体存储装置可以包括:控制信号发生单元,被配置以在刷新信号和模式控制信号被使能时使能控制信号,以及在电压施加使能信号被禁止时禁止控制信号。半导体存储装置还可以包括:第一感测放大器驱动电压发生单元,被配置以在控制信号被使能时产生第一感测放大器驱动电压,以及在控制信号被禁止时产生第一感测放大器驱动电压。而且,半导体存储装置可以包括:开关控制单元,被配置以在控制信号和第二感测放大器使能信号被使能时产生开关控制信号。半导体存储装置还可以包括:第二感测放大器驱动电压发生单元,被配置以在第二感测放大器使能信号被使能时产生第二感测放大器驱动电压。此外,半导体存储装置可以包括:开关单元,被配置以根据开关控制信号而将用于第一感测放大器的电源线与用于第二感测放大器的电源线电耦接。
【附图说明】
[0010]图1是图示根据一个实施例的半导体存储装置的例示的配置图。
[0011]图2是图示图1中示出的控制信号发生单元的例示的配置图。
[0012]图3是图示图1中示出的第一感测放大器驱动电压发生单元的例示的配置图。
[0013]图4是图示图1中示出的开关控制单元的例示的配置图。
[0014]图5是用来辅助解释根据一个实施例的半导体存储装置的时序图的例示。
[0015]图6图示使用根据本发明的一个实施例的存储控制电路的系统的框图。
【具体实施方式】
[0016]在下文中,将通过各种实施例而参照附图来描述半导体存储装置。
[0017]参见图1,根据一个实施例的半导体存储装置包括:控制信号发生单元100、第一感测放大器驱动电压发生单元200、开关控制单元300、第二感测放大器驱动电压发生单元400、开关单元500、第一阵列(mat) 600、第一感测放大器700、第二阵列800和第二感测放大器 900。
[0018]控制信号发生单元100响应于模式控制信号Mode_c和刷新信号REF而产生控制信号CTRL。例如,在其中模式控制信号Mode_C被使能的状态中,当刷新信号REF被使能时,控制信号发生单元100使能控制信号CTRL。当电压施加使能信号EN_v被禁止时控制信号发生单元100禁止控制信号CTRL。模式控制信号Mode_C是当其被使能时即便刷新信号REF仅输入一次仍允许半导体存储装置连续地执行刷新操作的信号。而且,模式控制信号Mode_c在其被禁止时允许在刷新信号REF输入一次时执行刷新操作一次。模式控制信号Mode_C可以是模式寄存器设置(mode register set)的输出信号。
[0019]第一感测放大器驱动电压发生单元200响应于控制信号CTRL、第一感测放大器使能信号SAEN_1和开关控制信号S_c而产生第一感测放大器驱动电压V_SA1。例如,当控制信号CTRL被禁止时,第一感测放大器驱动电压发生单元200在第一感测放大器使能信号SAEN_1的使能时段期间产生第一感测放大器驱动电压V_SA1。当控制信号CTRL被使能时,第一感测放大器驱动电压发生单元200在比第一感测放大器使能信号SAEN_1的使能时段更长的时段期间也产生第一感测放大器驱动电压V_SA1。更具体地,当控制信号CTRL被禁止时,第一感测放大器驱动电压发生单元200在与第一感测放大器使能信号SAEN_1的使能时段相同的时段期间产生第一感测放大器驱动电压V_SA1。当控制信号CTRL被使能时,第一感测放大器驱动电压发生单元200从第一感测放大器使能信号SAEN_1被使能开始至从开关控制信号S_c被使能之后经过预定时间为止产生第一感测放大器驱动电压V_SA1。
[0020]开关控制单元300响应于控制信号CTRL和第二感测放大器使能信号SAEN_2而产生开关控制信号S_c。例如,当控制信号CTRL被使能且第二感测放大器使能信号SAEN_2被使能时,开关控制单元300产生被使能预定时段的开关控制信号S_c。
[0021]第二感测放大器驱动电压发生单元400在第二感测放大器使能信号SAEN_2的使能时段期间产生第二感测放大器驱动电压V_SA2。
[0022]开关单元500与用于传送第一感测放大器驱动电压V_SA1到第一感测放大器700的第一感测放大器700的电源线电耦接或电去耦接。开关单元响应于开关控制信号S_c而也与用于传送第二感测放大器驱动电压V_SA2到第二感测放大器900的第二感测放大器900的电源线电耦接或电去耦接。例如,当开关控制信号S_c被使能时,开关单元500电耦接第一感测放大器700的电源线与第二感测放大器900的电源线。当开关控制信号S_c被禁止时,开关单元500 (其包括晶体管N1)电去耦接第一感测放大器700的电源线与第二感测放大器900的电源线。由于第一感测放大器700的电源线传送第一感测放大器驱动电压V_SA1,故第一感测放大器700与第一感测放大器驱动电压发生单元200的输出节点电耦接。此外,由于第二感测放大器900的电源线传送第二感测放大器驱动电压V_SA2,故第二感测放大器900的电源线与第二感测放大器驱动电压发生单元400的输出节点电耦接。
[0023]第一阵列600充当用来储存数据的区域。第一阵列还包括多个存储单元。
[0024]第一感测放大器700与第一阵列600电耦接。第一感测放大器700也执行感测并放大第一阵列600中储存的数据的操作。
[0025]第二阵列800充当用来储存数据的区域。第二阵列800也包括多个存储单元。
[0026]第二感测放大器900与第二阵列800电耦接。第二感测放大器900也执行感测并放大第二阵列800中储存的数据的操作。在刷新操作中,第一感测放大器700和第二感测放大器900通过执行感测并放大分别与其电耦接的第一阵列600和第二阵列800中储存的数据的操作而执行刷新操作。
[0027]参见图2,控制信号发生单元100包括脉冲发生部110和第一锁存部
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