br>[0086]第一覆盖Coveragel的面积对应于在现有技术测试操作中的被测试用例的范围，第二覆盖Coverage〗的面积对应于在测试装置100的测试操作中的被测试用例的范围。第二覆盖Coverage2的面积远大于第一覆盖Coveragel的面积。因此，在比第一覆盖Coveragel更广泛的第二覆盖Coverage2中被确定为最优用例的第二最优用例0P2比在第一覆盖Coveragel中被确定为最优用例的第一最优用例OPl具有更好的测试结果。
[0087]为了针对半导体存储器50获得理想的操作条件，需要使用几十个操作条件来产生几乎数十万亿个用例，并且需要对它们全部进行测试。实际上目前不可能测试所有这数十万亿个用例。因此，在现有技术中，工程师依赖于其在相关测试操作领域中的知识来选择几百个用例，随后从所选择的用例当中确定最优用例。现有技术中的几百个用例的范围对应于第一覆盖Coveragelo
[0088]然而，在通过测试装置100的测试操作中，可以通过用例发生器110的变异和再结合来从数十万亿个用例当中随机地选择待测试用例。数十万亿个用例的范围对应于第二覆盖Coverage〗。另外，优化器160通过一代中的最优用例与测试用例之间的模型化测试结果的比较来选择具有优异测试结果的用例，使得一代又一代之后能够挑选出具有更加优异的测试结果的用例。因此，当代的数量增加时，从数十万亿个用例中保留了具有最优异的测试结果的用例。
[0089]如上所述，根据一些示例性实施例，测试装置随机地产生用例，并且挑选出具有优异测试结果的用例，从而从广阔的覆盖中提取出能够提供高产量和高可靠性的最优用例。
[0090]虽然已经示出并说明了示例性实施例，但本领域普通技术人员应当理解的是，可以对这些示例性实施例在形式和细节方面做出各种改变而不背离由所附权利要求书限定的本发明构思的精神和范围。
【主权项】
1.一种测试半导体存储器的方法，所述方法包括步骤: 根据与第一代对应的多个用例对半导体存储器执行测试并且针对所述多个用例产生模型化测试结果； 基于模型化测试结果从所述多个用例当中确定最优用例；以及 基于所述最优用例产生与第二代对应的多个用例。2.根据权利要求1所述的方法，其中，确定η个最优用例，并且 其中，产生与第二代对应的多个用例的步骤包括: 基于所述η个最优用例当中除第k个最优用例以外的至少一个用例产生中间用例，其中，η是大于等于2的整数，k是最小为I最大为η的整数；以及通过将所述中间用例与第k个最优用例再结合产生测试用例。3.根据权利要求2所述的方法，其中，与第二代对应的多个用例包括各最优用例以及分别与各最优用例对应的各测试用例。4.根据权利要求1所述的方法，其中，与第一代对应的多个用例中的每一个用例包括多个操作条件，并且半导体存储器包括多个存储块，并且 其中，执行测试并且产生模型化测试结果的步骤包括: 将与第一代对应的多个用例中的每一个用例的各个操作条件映射至通用内部总线信息; 使用映射的操作条件针对多个用例中的每一个用例产生测试程序； 根据测试程序对半导体存储器的存储块执行测试；以及 分析对存储块执行测试的结果并且产生模型化测试结果。5.根据权利要求4所述的方法，其中，产生测试程序的步骤包括:产生测试程序，使得当对待测试存储块中的存储单元执行测试的测试次数大于正常操作周期时，对另一个存储块执行测试。6.根据权利要求1所述的方法，其中，与第一代对应的多个用例包括在第一代之前的前一代的各最优用例以及分别与前一代的各最优用例对应的各测试用例，并且 基于模型化测试结果确定最优用例的步骤包括: 将前一代的各最优用例中的每一个最优用例所对应的模型化测试结果和分别与前一代的各最优用例对应的各测试用例中的一个测试用例所对应的模型化测试结果进行比较；以及 根据比较的结果确定针对第一代的最优用例。7.根据权利要求1所述的方法，其中，执行测试并产生模型化测试结果的步骤包括:对于与第一代对应的多个用例当中的在第一代之前已经产生的用例不执行测试。8.根据权利要求1所述的方法，其中，模型化测试结果包括半导体存储器的分布特性。9.一种测试半导体存储器的方法，所述方法包括步骤: 基于模型化测试结果确定最优用例，所述模型化测试结果对应于基于与第一代对应的多个用例来对半导体存储器执行测试的结果；以及基于最优用例产生与第二代对应的多个用例， 其中，与第一代对应的多个用例包括在第一代之前的前一代的各最优用例以及分别与前一代的各最优用例对应的各测试用例，并且 确定最优用例的步骤包括: 将前一代的各最优用例所对应的模型化测试结果和分别与前一代的各最优用例对应的各测试用例所对应的模型化测试结果进行比较；以及 根据比较的结果确定针对第一代的最优用例。10.根据权利要求9所述的方法，其中，通过多个代递归地执行该方法，并且 根据比较的结果确定最优用例的步骤包括:当代为第P代时，将最优用例输出为最终的最优用例，其中P是正整数。11.根据权利要求9所述的方法，其中，确定针对第一代的各最优用例，并且产生与第二代对应的多个用例的步骤包括: 基于所述η个最优用例当中除第k个最优用例以外的至少一个用例产生中间用例，其中，η是大于等于2的整数，k是最小为I最大为η的整数；以及 通过将所述中间用例与第k个最优用例再结合产生各测试用例中的每一个测试用例。12.根据权利要求11所述的方法，其中，与第二代对应的多个用例包括各最优用例以及分别与各最优用例对应的各测试用例。13.根据权利要求9所述的方法，其中，与第一代对应的多个用例中的每一个用例包括多个操作条件，并且半导体存储器包括多个存储块，并且 其中，通过下列步骤产生模型化测试结果:将与第一代对应的多个用例中的每一个用例的各个操作条件映射至通用内部总线信息；使用映射的操作条件针对多个用例中的每一个用例产生测试程序；根据测试程序对半导体存储器的存储块执行测试；以及分析执行测试的结果并且产生模型化测试结果。14.根据权利要求13所述的方法，其中，产生测试程序，使得当对待测试存储块中的存储单元执行测试的测试次数超出正常操作周期时，对另一个存储块执行测试。15.根据权利要求9所述的方法，其中，模型化测试结果包括半导体存储器的分布特性。16.一种测试半导体存储器的方法，所述方法包括步骤: 在给定的值的范围内随机产生多个测试用例；以及 将下列步骤执行多次迭代: 根据多个测试用例对半导体存储器执行测试并且针对多个测试用例产生多个模型化测试结果； 基于多个模型化测试结果从多个测试用例当中确定多个最优测试用例；以及 基于多个最优测试用例产生多个新的测试用例。17.根据权利要求16所述的方法，其中，基于多个模型化测试结果确定多个最优测试用例的步骤包括: 将与前一代的多个最优测试用例中的每一个最优测试用例对应的模型化测试结果与对应于当前一代的多个测试用例的多个模型化测试结果进行比较；以及 根据比较的结果确定针对当前一代的多个最优测试用例。18.根据权利要求17所述的方法，其中，产生多个新的测试用例的步骤包括: 使用除第k个最优测试用例以外的多个最优测试用例产生多个变异测试用例，其中k是正整数；以及 通过将每一个变异测试用例与其对应的被除去的第k个最优测试用例再结合来产生多个新的测试用例。19.根据权利要求18所述的方法，其中，多个新的测试用例还包括多个最优测试用例。20.根据权利要求19所述的方法，其中，执行P次迭代，其中P是正整数，并且所述方法还包括: 在执行了第P次迭代之后，将多个最优测试用例输出为最终的最优测试用例。
【专利摘要】本发明提供了一种测试半导体存储器的方法。所述方法包括步骤：根据对应于第一代的多个用例执行测试并且针对所述多个用例产生模型化测试结果；基于模型化测试结果从所述多个用例当中确定最优用例；以及基于所述最优用例产生对应于第二代的多个用例。
【IPC分类】G11C29/56
【公开号】CN104979018
【申请号】CN201510154675
【发明人】朴世殷, 尹圣熙
【申请人】三星电子株式会社
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2015年4月2日
【公告号】US20150287476