技术特征：
1.一种感测放大装置，其特征在于，包括：一位线偏压调整器，接收一电源电压以作为操作电压，该位线偏压调整器包括：一第一放大器，接收一参考位线电压以及一反馈电压，基于该电源电压，根据该参考位线电压以及该反馈电压以产生一调整后参考位线电压；一第一晶体管，具有一第一端接收该电源电压，该第一晶体管的一第二端产生该反馈电压，该第一晶体管的一控制端接收该调整后参考位线电压；以及一第一电流源，耦接在该第一晶体管的该第二端与一参考接地端间；以及一感测放大电路，接收该电源电压以作为操作电压，用以根据该调整后参考位线电压以产生一感测结果。2.根据权利要求1所述的感测放大装置，其特征在于，该第一放大器包括：一差动对，接收该参考位线电压以及该反馈电压，分别根据该参考位线电压以及该反馈电压以产生一第一电流以及一第二电流；一主动负载，耦接至该差动对的二差动端，根据该第二电流以产生该调整后参考位线电压；以及一第二电流源，耦接至该差动对的共同端，提供一共同电流，其中该第一电流与该第二电流的和等于该共同电流。3.根据权利要求2所述的感测放大装置，其特征在于，该差动对包括：一第二晶体管，具有一第一端耦接至一第一差动端，该第二晶体管的一第二端耦接至该共同端，该第二晶体管的一控制端接收该参考位线电压；以及一第三晶体管，具有一第一端耦接至一第二差动端，该第三晶体管的一第二端耦接至该共同端，该第三晶体管的一控制端接收该反馈电压。4.根据权利要求3所述的感测放大装置，其特征在于，该主动负载包括：一第四晶体管，具有一第一端接收该电源电压，该第四晶体管的一第二端及一控制端均耦接至该第一差动端；以及一第五晶体管，具有一第一端为接收该电源电压，该第五晶体管的一第二端耦接至该第二差动端，该第五晶体管的一控制端耦接至该第四晶体管的一控制端。5.根据权利要求4所述的感测放大装置，其特征在于，该第二晶体管至该第五晶体管均工作在饱和区。6.根据权利要求1所述的感测放大装置，其特征在于，该感测放大电路包括：一第一电流电压转换器，具有一第一端接收该电源电压；一第二电流电压转换器，具有一第一端接收该电源电压；一第二晶体管，耦接在该第一电流电压转换器的一第二端与该参考接地端间，受控于该调整后参考位线电压；一第三晶体管，耦接在该第二电流电压转换器的一第二端与该参考接地端间，受控于该调整后参考位线电压；一第一选择开关，耦接在该第二晶体管与该参考接地端间，受控于一选择电压；一第二选择开关，耦接在该第三晶体管与该参考接地端间，受控于该选择电压；一第二电流源，耦接在该第一选择开关与该参考接地端间，提供一存储单元电流；一第三电流源，耦接在该第二选择开关与该参考接地端间，提供一参考电流；以及
一第二放大器，具有二输入端分别耦接至该第一电流电压转换器的第二端以及该第二电流电压转换器的第二端，该第二放大器的输出端产生该感测结果。7.根据权利要求6所述的感测放大装置，其特征在于，该第二晶体管以及该第三晶体管的阈值电压均小于一基准值。8.根据权利要求6所述的感测放大装置，其特征在于，该第一电流电压转换器以及该第二电流电压转换器分别为一第一电阻以及一第二电阻。9.根据权利要求6所述的感测放大装置，其特征在于，该第一电流电压转换器以及该第二电流电压转换器分别为一第四晶体管以及一第五晶体管，其中，该第四晶体管的一第一端接收该电源电压，该第四晶体管的一第二端耦接至该第二晶体管的一第一端，第四晶体管的一控制端接收一偏压电压，该第五晶体管的一第一端接收该电源电压，该第五晶体管的一第二端耦接至该第三晶体管的一第一端，第五晶体管的一控制端接收该偏压电压。10.根据权利要求9所述的感测放大装置，其特征在于，该第四晶体管以及该第五晶体管工作在线性区。11.根据权利要求9所述的感测放大装置，其特征在于，该第二晶体管至该第五晶体管设置在相同的阱区中。12.根据权利要求9所述的感测放大装置，其特征在于，该第二晶体管与该第三晶体管的栅极氧化层的厚度，低于该第四晶体管与该第五晶体管的栅极氧化层的厚度。13.根据权利要求2所述的感测放大装置，其特征在于，该第一放大器包括：一第二晶体管，具有一第一端接收该电源电压，该第二晶体管的一第二端产生该调整后参考位线电压，该第二晶体管的一控制端接收一偏压电压，其中该偏压电压相关于该参考位线电压；以及一第三晶体管，具有一第一端耦接至该第二第晶体的该第二端，该第三晶体管的一第二端耦接至该参考接地端，该第二晶体管的一控制端接收该反馈电压。14.根据权利要求1所述的感测放大装置，其特征在于，还包括：一电源供应器，其中该电源供应器为非电荷泵电路的电压产生器。15.根据权利要求1所述的感测放大装置，其特征在于，该第一晶体管的阈值电压小于一基准值。16.一种存储器，其特征在于，包括：一存储单元阵列；以及根据权利要求1所述的感测放大装置，耦接该存储单元阵列，用以感测该存储单元阵列中的选中存储单元的存储单元电流以产生该感测结果。17.根据权利要求16所述的存储器，其特征在于，该存储单元阵列为静态随机存取存储单元阵列、动态随机存取存储单元阵列、闪存存储单元阵列、电阻式存储单元阵列、相变化存储单元阵列或磁阻式随机存取存储单元阵列。
技术总结
本发明提供一种存储器以及其感测放大装置，感测放大装置包括位线偏压调整器以及感测放大电路。位线偏压调整器接收电源电压以作为操作电压。位线偏压调整器包括第一放大器、第一晶体管以及第一电流源。第一放大器，基于电源电压，根据参考位线电压以及反馈电压以产生调整后参考位线电压。第一晶体管接收调整后参考位线电压，并产生反馈电压。感测放大电路接收电源电压以作为操作电压，用以根据调整后参考位线电压以产生感测结果。考位线电压以产生感测结果。考位线电压以产生感测结果。
技术研发人员：姜彦宁 杨尚辑
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：2021.08.11
技术公布日：2023/2/3