专利名称：快速存储器的制作方法
技术领域：
本发明涉及快速存储器，特别涉及能够在其在用于擦除芯片的预编程模式中根据字线对存储单元进行预编程之后根据字线检验编程状态的快速存储器。
一般来说，因为包括栈存储单元的快速存储器必须以字节为单位来识别预编程和编程模式，所以它具有花大量时间检验预编程和编程模式的缺陷。
因此，本发明的一个目的是提供能够以这样的方式克服上述缺陷的快速存储器，即在需要以扇区擦除模式预先执行的预编程模式中根据选定的字线识别预编程和编程状态。
本发明的另一目的是提供能够缩短检测时间的快速存储器。
为了实现上述目的，本发明的快速存储器包括多条位线；多条字线；根据通过每条字线输入的信号切换用于编程的漏极电压和用于读出的漏极电压的供给的第一切换装置；连接在每条位线和第一切换装置之间的多个存储单元，所述存储单元根据通过每条字线输入的信号保持编程状态，连接在每条位线和VSS端之间的第二切换装置，所述第二切换装置根据预编程允许信号切换VSS电源的供给；在编程识别操作期间根据与选择的字线连接的存储单元的各个漏极电压识别编程和擦除状态的预编程检验电路。
为了更充分地理解本发明的性质和目的，请参看以下与附图一道的详细描述，图中
图1表示本发明第一实施例的快速存储器的电路；图2表示本发明第二实施例的快速存储器的电路。
相同的标号表示附图中相同的部分。
以下参看附图详细描述本发明的实施例。
图1表示本发明第一实施例的快速存储器的电路，以下说明该电路的操作。
在包括连接在一组存储单元1和VSS端之间并被输入了预编程允许信号(PPE)的第二切换装置的NMOS晶体管ND1、NDE、……NDn以及连接在该组存储单元1和电压切换和预编程检验电路2之间并通过字线WL1、WL2、……WLn输入了信号的第一切换装置的NMOS晶体管N1、N2、……Nm的快速存储器中，如果启动了预编程允许信号PPE，NMOS晶体管ND1、ND2、……NDn就导通，然后来自VSS端的电源就施加给每条位线BL1、BL2、……BLn。如果假定选择了字线WL1，就通过该选择的字线WL1给存储单元MC11、MC12、……MC1n的各个栅极施加了用于编程的栅极电压VPG。因为当NMOS晶体管N1因输入到字线WL1的信号的缘故而导通时，NMOS晶体管N2、……Nm截止，所以用于编程的漏极电压VPD从电压切换和预编程检验电路2施加到存储单元MC11、MC12、……MC1n的漏极。因此，在选择的字线WL1上的全部存储单元MC11、MC12、……MC1n同时被预编程。
现在说明预编程的检验操作。当NMOS晶体管ND1、ND2、……NDn被预编程允许信号PPE导通时，VSS端的电源施加到各条位线BL1、BL2、……BLn。如果假定选择了字线WL1，就通过该选择的字线WL1给存储单元MC11、MC12、……MC1n的栅极施加了用于读出操作的栅极电压VRG。当NMOS晶体管N1因输入到选择的字线WL1的信号的缘故而导通时，用于读出操作的漏极电压VRD就从电压切换和预编程检验电路2施加到存储单元MC11、MC12、……MC1n的漏极。因此就在各条字线的基础上检验了编程状态。例如，如果在选择的字线WL1上的全部存储单元都处于预编程状态，则节点X的电压电平就成为高电平状态，因此以下的字线都被预编程。如果在选择的字线WL1上的存储单元中的至少一个不处于预编程状态，则节点X的电压电平就成为低电平状态，它再被进行预编程。结果是扇区中的每一存储单元都被预编程。
图2表示本发明第二实施例的快速存储器的电路。
本发明的快速存储器包括连接在一组存储单元1和VSS端之间被输入了读出允许信号RE的第二切换装置的空白存储单元MV1、MV2、……MVn以及连接在该组存储单元1和用于编程的漏极电压供给电路3之间并通过字线WL1至WLn输入了信号的第一切换装置的NMOS晶体管N1至Nm。如果假定选择了字线WL1并且读出允许信号RE为″高电平″状态，就通过该选择的字线WL1给存储单元MC11、MC12、……MC1n以及晶体管N1的栅极施加了用于编程的栅极电压VPG。因此，当漏极电压供给电路3的电压VPD通过晶体管N1施加给存储单元NC11、NC12、……MC1n，在字线的基础上完成了编程。
如果假定在编程检验操作期间选择了字线WL1，则用于读出的栅极电压VPG就通过字线W线施加给存储单元MC11、MC12、……MC1n以及晶体管N1的栅极。例如，如果存储单元MC11和MC12被正常编程，则因为流过存储单元MC11和MC12的电流很小，所以字线BL1和BL2上的电压电平成为″低电平″状态。但是，如果存储单元MC1n没有被很好地编程，则因为流过存储单元MC1n的电流大于流过空白存储单元MVn的电流，所以在位线BLn上的电压电平成为″高电平″状态。因此，本发明能够按照检验在位线BL1、BL2、……BLn上的电压电平的方式在字线的基础上检验存储单元的编程和擦除状态。虽然没有在图2中说明，但在位线BL1、BL2、……BLn上的电压电平可以利用预编程检验电路来确认。
如上所述，本发明以这样的方式获得了不仅能够缩短编程时间、而且能够防止重复编程的显著效果，即在必须以扇区擦除模式预先执行的预编程模式中在字线的基础上对存储单元进行预编程之后检验编程状态。
上述描述(尽管在一定程度上是对最佳实施例的专门描述)只是本发明原理的说明而已。应当认识到本发明不局限于在此公开和描述的最佳实施例。因此，可以在本发明的范围和精神内作出的所有权宜的修改都将被作为本发明的其它实施例。
权利要求
1.快速存储器，包括多条位线；多条字线；根据通过所述各条字线输入的信号切换用于编程的漏极电压和用于读出的漏极电压供给的第一切换装置；连接在所述各条位线和所述第一切换装置之间的多个存储单元，所述存储单元根据通过所述各条字线输入的信号保持编程状态；连接在所述各条位线和VSS端之间的第二切换装置，所述第二切换装置根据预编程允许信号切换VSS电源的供给；在编程识别操作期间根据与选择的字线连接的存储单元的各个漏极电压识别编程和擦除状态的预编程检验电路。
2.如权利要求1的快速存储器，其特征在于所述第一切换装置包括多个NMOS晶体管。
3.如权利要求1的快速存储器，其特征在于所述第二切换装置包括多个NMOS晶体管。
4.快速存储器，包括多条位线；多条字线；根据通过所述各条字线输入的信号切换用于编程的漏极电压和用于读出操作的漏极电压供给的第一切换装置；连接在所述各条位线和所述第一切换装置之间的多个存储单元，用来根据通过所述条字线输入的信号保持编程状态；连接在所述各条位线和VSS端之间的第二切换装置，用来根据读出允许信号切换VSS电源的供给；在编程识别操作期间根据在所述位线上的各个电压电平识别与选定的字线连接的存储，单元的编程和擦除状态的预编程识别电路。
5.如权利要求4的快速存储器，其特征在于所述第一切换装置包括多个NMOS晶体管。
6.如权利要求4的快速存储器，其特征在于所述第二切换装置包括多个空白存储单元。
全文摘要
本发明涉及快速存储器，特别涉及能够按照在必须以扇区模式预先执行的预编程模式中在选择的字线的基础上识别预编程和编程的状态这样的方式缩短预编程时间的快速存储器。
文档编号G11C16/34GK1131801SQ95113188
公开日1996年9月25日 申请日期1995年12月27日 优先权日1994年12月27日
发明者沈炫秀 申请人:现代电子产业株式会社