动脉冲。所述方法包括:所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i个驱动脉冲，其中，所述i是不为O的自然数；所述控制器确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；所述控制器在确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i+Ι个驱动脉冲，其中，所述第i+Ι个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值；所述控制器确定所述读取装置在所述第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；所述控制器确定所述第i+Ι个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最小驱动强度。且由于本发明实施例已经确定了磁畴移动的最小驱动强度，因此可以使所述控制器根据确定的最小驱动强度向磁性存储轨道发送驱动强度驱动脉冲，从而可以精确地驱动磁畴移动，提高磁性存储设备工作的准确性。
【附图说明】
[0055]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0056]图1是本发明实施例的第一方案第一实施方式提供的一种驱动脉冲的确定方法的流程图；
[0057]图2是本发明实施例的第一方案第二实施方式提供的一种驱动脉冲的确定方法的流程图；
[0058]图3是本发明实施例的第二方案第一实施方式提供的一种驱动脉冲的确定方法的流程图；
[0059]图4是本发明实施例的第二方案第二实施方式提供的一种驱动脉冲的确定方法的流程图；
[0060]图5是本发明实施例的第三方案实施方式提供的一种控制器的框图；
[0061]图6是本发明实施例的第四方案实施方式提供的一种控制器的框图；
[0062]图7是本发明实施例的第五方案实施方式提供的一种磁性存储设备的示意图。
【具体实施方式】
[0063]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0064]请参阅图1，本发明实施例第一方案第一实施方式提供了一种驱动脉冲的确定方法。该方法应用于磁性存储设备的控制器中以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲。其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置。所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲。所述方法包括以下步骤。
[0065]步骤101、所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i个驱动脉冲。其中，所述i是不为O的自然数。
[0066]步骤102、所述控制器确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据。
[0067]需要说明的是，在本实施方式中，i可以为自然数1，且使所述控制器第一次发送的驱动脉冲的驱动强度足够小，以无法驱动所述磁畴移动，从而使得所述读取装置无法读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据。所述驱动脉冲可以为电流脉冲或电场脉冲。
[0068]步骤103、所述控制器在确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i+Ι个驱动脉冲。其中，所述第i+Ι个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值。
[0069]其中，在本实施方式中，所述第一预设强度值为所述第i个驱动脉冲的驱动强度的十分之一。即若第i个驱动脉冲的驱动强度为H1,则所述第i+Ι个驱动脉冲的驱动强度为H1+1 =氏+Dl。其中，Dl为第一预设强度值。所述Dl =氏/10。当然，在Dl = Η,/1中，分母“10”可以根据实际需要进行调整。当需要精确性较高时，则分母可以设置较大。即在其他实施方式中，所述第一预设强度值也可以为所述第i个驱动脉冲的驱动强度的百分之
O
[0070]步骤104、所述控制器确定所述读取装置在所述第i+Ι个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据。
[0071]需要说明的是，所述控制器通过确定所述读取装置是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据来确定所述磁畴是否移动了 Ibit位置，从而确定选择的驱动强度是否是确保所述磁性存储设备不发生读写错误的驱动强度。当所述控制器确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中的一个磁畴数据时，表明所述磁畴未被移动Ibit位置，需要增加再次发送的驱动脉冲的驱动强度，直至所述控制器确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了 Ibit位置为止。
[0072]步骤105、所述控制器确定所述第i+Ι个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。
[0073]需要说明的是，当确定了所述磁畴的最小驱动强度后，所述控制器只要发送驱动强度等于或略大于所述最小驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动Ibit位置，从而确保所述磁性存储设备不发生读写错误。
[0074]在本实施方式中，所述驱动脉冲的确定方法通过控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i个驱动脉冲，其中，所述i是不为O的自然数；确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；在确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i+Ι个驱动脉冲，其中，所述第i+Ι个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值；确定所述读取装置在所述第i+Ι个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，即表示所述磁畴移动了 Ibit位置；确定所述第i+Ι个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。因此，本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最小驱动强度的目的。且由于本发明实施例已经确定了磁畴移动的最小驱动强度，因此可以使所述控制器发送驱动强度等于或略大于所述最小驱动强度的驱动脉冲便可精确地驱动磁畴移动ibit位置，确保了磁性存储设备不发生读写错误。
[0075]请继续参阅图2，本发明实施例第一方案第二实施方式提供一种驱动脉冲的确定方法。所述第二实施方式提供的驱动脉冲的确定方法与所述第一实施方式提供的驱动脉冲的确定方法相似，两者之区别在于:在第二实施方式中，所述驱动脉冲的确定方法还包括如下步骤。
[0076]步骤201、所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j个驱动脉冲。其中，第j个驱动脉冲的驱动强度大于所述最小驱动强度，j为大于i+Ι的自然数。
[0077]步骤202、所述控制器确定所述读取装置在所述第j个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据。
[0078]需要说明的是，所述控制器通过确定所述读取装置是否读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据来确定所述磁畴是否移动了至少2bit位置。若确定所述读取装置读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度过大导致所述磁畴移动了至少2bit位置，从而会导致所述磁性存储设备发生读写错误。若确定所述读取装置未读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度未驱动所述磁畴移动了至少2bit位置。其中，所述控制器确定读取装置获得所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据的表现形式之一是获得的数据在预定时间内发生变化(即所述磁畴的阻态在预设时间发生改变)。
[0079]步骤203、所述控制器在确定所述读取装置未读取所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j+ι个驱动脉冲，其中，所述第j+1个驱动脉冲的驱动强度比第j个驱动脉冲的驱动强度增加第二预设强度值。
[0080]其中，在本实施方式中，所述第二预设强度值为所述第j个驱动脉冲的驱动强度的十分之一。即若第j个驱动脉冲的驱动强度为H,，则所述第j+Ι个驱动脉冲的驱动强度为Hj+1 = _2。其中，D2为第二预设强度值。所述D2 = H/10。当然，在D2 = H/10中，分母“10”可以根据实际需要进行调整。当需要精确性较高，则分母可以设置较大。即在其他实施方式中，所述第二预设强度值也可以为所述第j个驱动脉冲的驱动强度的百分之一。所述第二预设强度值也可以与第一预设强度值相等。
[0081]步骤204、所述控制器确定所述读取装置在所述第j+Ι个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据。
[0082]其中，若所述控制器确定所述读取装置未读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度还未达到可以驱动所述磁畴移动Ibit位置的极限，需要增加再次发送的驱动脉冲的驱动强度，直至所述控制器确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了 2bit位置为止。
[0083]步骤205、所述控制器确定第j个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
[0084]需要说明的是，当所述控制器确定第j + Ι个驱动脉冲的驱动强度使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了 2bit位置，而第j个驱动脉冲的驱动强度未使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则第j个驱动脉冲的驱动强度为确保所述磁畴移动Ibit位置的最大驱动强度。
[0085]因此，所述控制器只要发送驱动强度等于或大于所述最小驱动强度且小于或等于所述最大驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动Ibit位置，从而确保所述磁性存储设备不发生读写错误。
[0086]请参阅图3，本发明实施例第二方案的第一实施方式提供了一种驱动脉冲的确定方法。该方法应用于磁性存储设备的控制器中以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲。其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置，所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲。所述方法包括以下步骤。
[0087]步骤301、所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k个驱动脉冲。其中，所述k是不为O的自然数。
[0088]步骤302、所述控制器确定所述读取装置在所述第k个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据。
[0089]需要说明的是，在本实施方式中，k可以为自然数1，且使所述控制器第一次发送的驱动脉冲的驱动强度足够大，以驱动所述磁畴移动至少2bit位置，从而使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中至少两个磁畴的数据。所述驱动脉冲可以为电流脉冲或电场脉冲。
[0090]步骤303、所述控制器在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k+Ι个驱动脉冲。其中，第k+