平整表面的组合物及方法

专利名称：平整表面的组合物及方法
技术领域：
本发明关于平整化或抛光表面，如半导体表面的组合物及方法。
背景技术：
用于平整化或抛光基材表面的组合物在技术上是为人所熟知的。抛光泥浆一般包含磨蚀粒子于水溶液中，因此可通过表面与经泥浆组合物饱和的抛光垫接触而将其应用在该表面上。典型的磨蚀物质包括二氧化硅、氧化铈、氧化铝、氧化锆及氧化锡。例如，美国专利5,527,423描述一种以化学-机械方式通过由金属层表面与水性媒介中含有高纯度细金属氧化物粒子的抛光泥浆接触以抛光该金属层的方法。
惯用的抛光组合物一般在平整化半导体硅片上不完全令人满意。特别是抛光泥浆的抛光速率远低于理想值，而且用于以化学-机械方式抛光半导体表面时可能获得较差的表面品质。因为半导体硅片的成效直接与其表面的平整性有关，使用一种具有高抛光效率、均匀度及去除率并留下最少表面缺陷的高品质抛光的抛光组合物是重要的。
制造一种供半导体硅片用的有效抛光组合物的困难度是源自于该半导体硅片的复杂性。半导体硅片一般包含一基材，该基材上已形成许多晶体管。集成电路是通过由基材上的区域及基材上的薄层图案化以利用化学及物理方式连接至基材。为了制造可使用的半导体硅片并将硅片的产量、成效及可信赖度提高至最大，希望能抛光所选的硅片表面而对下层结构或地形无不利影响。事实上，若此程序步骤无法在经适当平整化的硅片表面上完成时，会发生许多半导体制造上的问题。
已有许多研究曾尝试改善惯用抛光剂的抛光效率及均匀度并将经抛光表面的缺陷及对下层结构或地形的损害减至最低。例如，美国专利5,264,010描述一种含有氧化铈、发烟硅石及烟雾状硅石的抛光组合物，其意味着产生优选去除率及抛光效率。
但是，对抛光及平整化基材过程中可呈现出理想的平整效率、均匀度及去除率，并减少缺陷，如抛光及平整化基材的过程中表面不完整性及下层结构和地形的损害等的组合物及方法仍有需求。本发明寻求提供此种组合物及方法。由在此所提供的发明描述将可了解本发明这些及其它优点。
发明概述本发明关于一种平整化或抛光表面的组合物。本发明抛光组合物包含(a)液态载体及(b)包含约5-90重量％发烟金属氧化物及约10-95重量％磨蚀粒子的固体，其中约90％或更多磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径不超过100毫微米。本发明也提供一种平整化或抛光表面的方法，其包括该表面与本发明组合物接触。
附图简介

图1是各种抛光组合物的堆积密度相对于去除率所作的图。
优选具体实施方案的描述本发明提供于一种组合物，其包含(a)液态载体及(b)包含约5-90重量％发烟金属氧化物及约10-95重量％磨蚀粒子的固体，其中约90％或更多磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径不超过100毫微米。此组合物可用于平整化或抛光表面。本发明组合物可以最少缺陷，如最少下层结构及地形上的场损失达到高表面抛光效率、均匀度及去除率。
总固体可以任一适合浓度存在于本发明组合物中。该固体的存在浓度最好为约0.1重量％或更高(如约0.1-40重量％)。优选是组固体浓度占该组合物约0.1-30重量％(如约1-30重量％)。
本发明组合物的固体包含约5-90重量％发烟金属氧化物及约10-95重量％磨蚀粒子(即磨蚀粒子至少约占总固体的10重量％)。组合物中的固体最好包含约10-85重量％(如约15-75重量％)发烟金属氧化物及约15-90重量％(如约25-85重量％)磨蚀粒子(即磨蚀粒子至少约占总固体的15重量％(如至少约25重量％))。优选是该固体包含约15-60重量％(如约20-50重量％)发烟金属氧化物及约40-85重量％(如约50-80重量％)磨蚀粒子(即磨蚀粒子至少约占总固体的40重量％(如至少约50重量％))。
本发明组合物的发烟金属氧化物可为任一的发烟(热解)金属氧化物。适合的发烟金属氧化物包括，例如发烟氧化铝、发烟氧化硅、发烟氧化钛、发烟氧化铈、发烟氧化锆、发烟氧化锗、发烟氧化镁、其共形成产物、其共发烟产物及其混合物。优选是本发明组合物的发烟金属氧化物发烟氧化硅。
任何适合的磨蚀粒子可存在于本发明组合物中。理想的磨蚀粒子是金属氧化物。适合的金属氧化物包括氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化铈、氧化锆及氧化镁。也适合用于该组合物中的是根据美国专利5,230,833所制得的磨蚀粒子及各种商业上可取得的产品，如Akzo-Nobel Bindzil 50/80产品及Nalco1050、2327及2329产品以及其它可由杜邦、拜耳、应用研究、Nissan化学及Clariant等公司取得的类似产品。本发明组合物的磨蚀粒子最好是一种缩合聚合而成的金属氧化物，如缩合聚合而成的氧化硅。缩合聚合氧化硅一般可通过缩合Si(OH)4以形成胶体粒子而制得。
本发明组合物的磨蚀粒子是为约90％或更多磨蚀粒子(以数目为基准)具有不大于100毫微米的粒径。优选是此磨蚀粒子是至少为约95％、98％或甚至几乎全部(或实际全部)磨蚀粒子(以数目为基准)具有不大于100毫微米的粒径。这些磨蚀粒子的优选粒径(即因此至少约90％、95％、98％、几乎全部及全部的磨蚀粒子(以数目为基准)是不超过一特定磨蚀粒子尺寸)也适合其它粒径，如95毫微米、90毫微米、85毫微米、80毫微米、75毫微米、70毫微米及65毫微米。
相同地，本发明组合物的磨蚀粒子可至少为约90％、95％、98％或甚至几乎全部(或实际全部)磨蚀粒子(以数目为基准)具有不小于5毫微米的粒径。这些磨蚀粒子的优选粒径(即因此至少约90％、95％、98％、几乎全部及全部的磨蚀粒子(以数目为基准)是不小于一特定磨蚀粒子尺寸)也适合其它粒径，如7毫微米、10毫微米、15毫微米、25毫微米、及30毫微米。
本发明组合物的磨蚀粒子的粒径分布实际上为约30-70％(如约50％)的磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径是在约30-50毫微米范围及约30-70％(如约50％)的磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径是在约70-90毫微米范围所构成的双模态分布。优选是此磨蚀粒子的粒径分布实际上为约30-70％(如约50％)的磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径是在约35-45毫微米范围及约30-70％(如约50％)的磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径是在约75-85毫微米范围所构成的双模态分布。
在此用以描述磨蚀粒子的粒径性质的百分比值是为″以数目为基准″的百分比，而非重量百分比，除非另外指定。磨蚀粒子的粒径是相当于该粒子的直径。此粒径可通过任一适合技术测得。在此所表示的粒径值是以目测，特别是以统计上有意义的磨蚀粒子样品，优选是至少200个粒子的传递电子显微照相术(TEM)为基准。
磨蚀粒子的粒径分布可以几何数目标准偏差，相当于σ-g(σg)表示其特征。此σg值可通过(a)84％磨蚀粒子(以数目为基准)不超过的直径值除以(b)16％磨蚀粒子(以数目为基准)不超过的直径值(即σg＝d84/d16)获得。单分散磨蚀粒子的σg值是约1。当此磨蚀粒子变成多分散时(即包含尺寸差异变大的粒子)，磨蚀粒子的σg值增加至1以上。此磨蚀粒子的σg值一般约为2.5或更低(如约2.3或更低)。此磨蚀粒子的σg值最好为至少约1.1(如约1.1-2.3(如1.1-1.3))，优选是σg值为至少约1.3(如约1.5-2.3或甚至约1.8-2.3)。
本发明组合物也可以堆积密度为特征。此堆积密度为1减掉所有混合在一起的组合物成份的沉降体积除以各个组合物成份的个别沉降体积总合。因此，堆积密度(PD)为1-(V总和/(Vfmo+Vap))，其中Vfmo是发烟金属氧化物的体积(磨蚀粒子不存在)，Vap是磨蚀粒子的体积(发烟金属氧化物不存在)及V总和是发烟金属氧化物与磨蚀粒子混合在一起的体积。这些单独发烟金属氧化物的体积、单独磨蚀粒子的体积及这两种物质在混合状态下的混合体积是在任一适当重力下通过持续离心样品一段可测得体积的时间而测得，其中该段时间是等于物质中最小粒子的1.2×斯托充(stoke)沉降时间。
希望此组合物的堆积密度值至少为约0.1，优选是堆积密度值至少为约0.15。更特别地，此组合物的堆积密度值至少为约0.2。特佳地，本发明的组合物是具有至少约0.3(例如约0.3-0.6)甚至至少约0.4(例如约0.4-0.6或约0.5-0.6)的堆集密度值。本发明组合物的堆积密度值一般为约0.7或更低(如约0.65或更低，或甚至约0.6或更低)。
本发明组合物可另外包含一或多种其它成份。此其它成份可包括界面活性剂、聚合物稳定剂或其它界面活性分散剂、pH调整剂、调节剂或缓冲溶液、抛光加速剂及类似物。适合的界面活性剂可包括，例如阳离子界面活性剂、阴离子界面活性剂、非离子界面活性剂、两性界面活性剂、氟化界面活性剂、其混合物及类似物。适合的聚合物稳定剂或其它界面活性分散剂可包括，例如磷酸、有机酸、锡氧化物、有机膦酸盐、其混合物及类似物。适合的pH调整剂、调节剂或缓冲溶液可包括，例如氢氧化钠、碳酸钠、硫酸、氢氯酸、硝酸、磷酸、柠檬酸、磷酸钾、其混合物及类似物。
适合的抛光加速剂可包括，例如氧化剂、鳌合或配合剂、催化剂及类似物。适合的氧化剂可包括，例如经氧化的卤化物(如氯酸盐、溴酸盐、碘酸盐、过氯酸盐、过溴酸盐、过碘酸盐、其混合物及类似物)。适合的氧化剂也包括，例如过硼酸、过硼酸盐、过碳酸盐、硝酸盐、过硫酸盐、过氧化物、过氧酸(如过醋酸、过苯甲酸、间-氯过苯甲酸、其盐类、其混合物及类似物)、过锰酸盐、铬酸盐、铈化合物、铁氰化物(如铁氰化钾)、混合物及类似物。适合的鳌合或配合剂可包括，例如羰基化合物(如乙酰丙酮酸盐及类似物)、简单羧酸盐(如醋酸盐、芳基羧酸盐及类似物)、含有一或多个羟基的羧酸盐(如羟乙酸盐、乳酸盐、葡糖酸盐、没食子酸及其盐类和类似物)、二-、三-及多-羧酸盐(如草酸盐、邻苯二甲酸盐、柠檬酸盐、丁二酸盐、酒石酸盐、苹果酸盐、乙二胺四乙酸盐(如EDTA二钠)、其混合物及类似物)、含有一或多个磺酸基及/或膦酸基的羧酸盐和类似物。适合的鳌合或配合剂也包括，例如二-、三-或多-元醇(如乙二醇、邻苯二酚、连苯三酚、单宁酸及类似物)和含胺化合物(如氨基酸、氨基醇、二-、三-及聚胺和类似物)。适合的抛光加速剂也可包括，例如硫酸盐、卤化物(即氟化物、氯化物、溴化物及碘化物)和类似物。
须了解许多上述化合物可以盐(如金属盐、铵盐或类似物)、酸或部份盐的形式存在。例如，柠檬酸盐包括柠檬酸以及其单-、二-及三-盐类；苯二甲酸盐包括苯二甲酸及其单-盐类(如苯二甲酸氢钾)及其二-盐类(即过氯酸)以及其盐类。再者，特定化合物或试剂可完成不止一个功能。例如，一些化合物可作为鳌合剂及氧化剂(如一些铁硝酸盐及类似物)。
任何适合载体(如溶剂)皆可用于本发明组合物中。载体可用于帮助发烟金属氧化物及磨蚀粒子涂覆在适合基材的表面上。一种优选的载体是水。
本发明组合物的pH值被维持在适合其预期最终用途的范围内。此组合物的pH最好在约2-12，优选是3-10。
本发明也提供一种平整化或抛光表面的方法。此方法包括表面与如在此所描述的组合物接触。表面可通过任一适合技术以该组合物进行处理。例如，通过由抛光垫的使用将此组合物涂覆在表面上。
本发明组合物可以相当快的速度平整化或抛光基材，如以相当快的速度从层状基材上除去二氧化硅层。再者，本发明组合物极适合用于平整化或抛光许多硬质加工品，如内存或硬盘、金属(如贵金属)、ILD层、微电机械是统、铁电子、磁头、聚合物膜及低和高介电常数膜。此组合物也可用于集成电路及半导体的制造中。本发明组合物在抛光及平整化基材的过程中，呈现出理想的平整化效率、均匀度、去除率及低缺陷。
实施例下面实施例进一步说明本发明但，当然不应被解释成于任何方面限制其范围。
参考下列实施例，除了一个实施例(即实施例2)以外，所有实施例的硅片皆为阶高(step height)近9000埃的覆盖膜。
各硅片皆是利用一应用材料Mirra1270μm(50密耳)IC1000抛光垫平整的。利用93rpm的桌速、87rpm的头速及500毫升/分钟的泥浆流速抛光这些硅片约120秒。每60秒抛光至这些硅片一次。
硅去除率是利用Tencor SurfscanUV 1050机直接测量抛光前后硅片的阶高而测得。
参考实施例2的内存或硬盘是商业上可取得的内存或硬盘，其是获自Seagate技术公司。此内存或硬盘是具有铝基材的涂有(镀有)镍-黄磷的涂层。此内存或硬盘在被用于下列实施例的前，先经过一预抛光程序，而且各内存或硬盘的表面粗糙度为30-50埃。
利用一种Streuers(俄亥俄州西湖市)公司所制造的桌上型抛光机抛光此内存或硬盘。此桌上型抛光机是利用一个Rotopol 31底座及Rotoforce 3下力单位。实施例2中所用的抛光垫是Rodel所制造直径为30.48厘米(12英时)的Polytex Hi垫。此内存或硬盘每侧是以150rpm的平整速度、150rpm的抛光载体速度及100毫升/分钟的泥浆流速抛光10分钟。所用的抛光力为50牛顿。
实施例2中的镍-黄磷去除率可由称量抛光前及抛光后干净的干内存或硬盘算得。利用镍-黄磷密度为8.05克/立方厘米，可将重量损失转化成内存或硬盘厚度的损失。
实施例1此实施例说明表面的平整化均匀度的提高，其可根据本发明利用一种发烟金属氧化物与磨蚀粒子的混合物而达到。
分别以10种组合物抛光硅片(A)两种总固体量为约12重量％的组合物，其中该固体是由100重量％发烟氧化硅所组成，(B)两种总固体量为约25重量％的组合物，其中该固体是由100重量％缩合聚合而成的氧化硅所组成，(C)两种总固体量为约25重量％的组合物，其中该固体是由25重量％发烟氧化硅及75重量％缩合聚合而成的氧化硅所组成，(D)两种总固体量为约25重量％的组合物，其中该固体是由47重量％发烟氧化硅及53重量％缩合聚合而成的氧化硅所组成，(E)两种总固体量为约25重量％的组合物，其中该固体是由37重量％发烟氧化硅及63重量％缩合聚合而成的氧化硅所组成。该发烟氧化硅是以Cab-O-SperseSS-25形式加入组合物中，其为一种Cab-O-SilL-90发烟氧化硅(Cabot公司)的水性分散液。该缩合聚合而成的氧化硅是Bindzil 50/80(Akzo-Nobel)，其中约90％或更多其粒子(以数目为基准)的粒径不超过100毫微米，而且约90％或更多其粒子(以数目为基准)的粒径不低于5毫微米。使用抛光组成物的后，通过沿着硅片的直径但排除硅片边缘部份(边缘排除宽度＝6厘米)测量各硅片在抛光后的氧化物厚度可获得各组合物的平整化均匀度值。从各硅片的最高记录厚度值减去最低记录厚度值可获得表1中所示的各组合物的平整化均匀度值。较低平整化均匀度值反应较低厚度变化率，因此此硅片具有较大平整化均匀度。
表1
由表1中所示数据可了解固体是由发烟氧化硅与缩合聚合成的氧化硅的混合物组成的组合物(组合物1C、1D及1E)所表现出的平整化均匀度大于固体只由发烟氧化硅或只由缩合聚合成的氧化硅组成的组合物(组合物A及B)的平整化均匀度。这些结果证明发烟金属氧化物与磨蚀粒子的组合以及发烟金属氧化物相对于磨蚀粒子的比例对本发明组合物可获得的平整化均匀度的重要性，其中该磨蚀粒子具有在此所描述的粒径特征。
实施例2此实施例说明本发明组合物中发烟金属氧化物相对于磨蚀粒子的比例对最大化表面去除率的重要性。
分别以总固体浓度为4重量％的五种不同的组合物抛光镀有镍-黄磷的内存或硬盘，其中该固体包含不同相对浓度的发烟氧化硅(即0重量％、25重量％、50重量％、75重量％及100重量％)及缩合聚合成的氧化硅(即100重量％、75重量％、50重量％、25重量％及0重量％)(测得的平均粒径为约20毫微米，σg＝2.26)。该发烟氧化硅是以Cab-O-SperseSC-E发烟氧化硅水性分散液(Cabot公司)的形式加入组合物中。该缩合聚合而成的氧化硅是Bindzil 50/80(Akzo-Nobel)，其中约90％或更多其粒子(以数目为基准)的粒径不超过100毫微米，而且约90％或更多其粒子(以数目为基准)的粒径不超过5毫微米。使用抛光组成物的后，测量各组合物的去除率，结果数据是表示于表2中。
表2
从表2中所示数据可知固体是由约25-50重量％发烟氧化硅与50-75重量％缩合聚合成的氧化硅组成的组合物(组合物B及C)所表现出的去除率大于固体是由100重量％发烟氧化硅或100重量％缩合聚合成的氧化硅组成的组合物(组合物A及E)的去除率。这些结果证明发烟金属氧化物与磨蚀粒子的组合以及发烟金属氧化物相对于磨蚀粒子的比例对本发明组合物可获得的去除率的重要性，其中该磨蚀粒子具有在此所描述的粒径特征。
实施例3此实施例说明本发明组合物中磨蚀粒子的粒径分布及堆积密度在平整化或抛光表面的过程中对最大化该表面的去除率的重要性。
制备十种不同的组合物，所有组合物的总固体浓度皆为28重量％，其中该固体是由固定浓度的发烟氧化硅(8重量％的组合物或28.57重量％的总固体)及固定浓度的缩合聚合而成的氧化硅(20重量％的组合物或71.43重量％的总固体)，而且该缩合聚合成的氧化硅具有不同相对浓度的名义20毫微米、40毫微米及80毫微米的缩合聚合成的氧化硅粒子(即0重量％、23.57重量％、47.50重量％及71.43重量％的总固体)。该发烟氧化硅是以Cab-O-SperseSS-25形式加入组合物中，其为一种Cab-O-Sil L-90发烟氧化硅(Cabot公司)的水性分散液。该20毫微米、40毫微米及80毫微米的缩合聚合而成的氧化硅分别是1050、PR-4291及2329产品(Nalco)。名义20毫微米的缩合聚合而成的氧化硅粒子具有约25毫微米的平均粒径及1.20的σg值。名义40毫微米的缩合聚合而成的氧化硅粒子具有约46毫微米的平均粒径及1.22的σg值。名义80毫微米的缩合聚合而成的氧化硅粒子具有约78毫微米的平均粒径及1.16的σg值。该缩合聚合而成的氧化硅是商业上可取得的物质，其中约90％或更多其粒子(以数目为基准)的粒径不超过100毫微米，而且约90％或更多其粒子(以数目为基准)的粒径不低于5毫微米。
如上述般个别测得十种组合物的堆积密度。特别地，利用Fisher ScientificMarathon离心机及国际Labnet型号为220.72 Vo4摇出旋转轴在5000rpm下离心此组合物的成份约5小时的后，可测得计算组合物的堆积密度时所用的成份体积。
分别以十种不同的组合物抛光硅片并测量各组合物的去除率，其结果数据是表示于表3中。
表3
从表3中所示数据可知堆积密度较高的组合物所表现出的去除率明显大于堆积密度较低的组合物所表现出的去除率。堆积密度相对于去除率的图形是描绘于图1中并进一步说明这两个特征的间的关是。这些结果说明本发明组合物中磨蚀粒子的粒径分布影响该组合物可获得的去除率。
实施例4此实施例说明本发明组合物中磨蚀粒子的例径分布在平整化或抛光表面的过程中对最大化该表面的去除率的重要性。
分别以不同的组合物抛光硅片，所有组合物的总固体浓度皆为28重量％，其中该固体是由不同浓度的发烟氧化硅(0重量％、6重量％及12重量％的组合物，或各为0重量％、21.43重量％及42.86重量％的总固体)及不同浓度的缩合聚合而成的氧化硅(16重量％、22重量％及28重量％的组合物，或各为57.14重量％、78.57重量％及100重量％的总固体)，而且该缩合聚合成的氧化硅具有不同相对浓度的名义20毫微米、40毫微米及80毫微米的缩合聚合成的氧化硅粒子(即0重量％、18.93重量％、28.57重量％、33.33重量％、39.29重量％、50.00重量％、57.14重量％、78.57重量％及100重量％的总固体)。该发烟氧化硅是以Cab-O-Sperse SS-25形式加入组合物中，其为一种Cab-O-Sil L-90发烟氧化硅(Cabot公司)的水性分散液。该20毫微米、40毫微米及80毫微米的缩合聚合而成的氧化硅分别是1050、PR-4291及2329产品(Nalco)。名义20毫微米的缩合聚合而成的氧化硅粒子具有约25毫微米的平均粒径及1.20的σg值。名义40毫微米的缩合聚合而成的氧化硅粒子具有约46毫微米的平均粒径及1.22的σg值。名义80毫微米的缩合聚合而成的氧化硅粒子具有约78毫微米的平均粒径及1.16的σg值。该缩合聚合而成的氧化硅是商业上可取得的物质，其中约90％或更多其粒子(以数目为基准)的粒径不超过100毫微米，而且约90％或更多其粒子(以数目为基准)的粒径不低于5毫微米。使用抛光组成物的后，测量各组合物的去除率，结果数据是表示于表4中。
表4
从表4中所示数据可知固体是由发烟氧化硅与缩合聚合成的氧化硅的混合物组成的组合物(组合物4E-4N)所表现出的去除率可与固体是只由缩合聚合成的氧化硅组成的组合物(组合物4A-4D)所表现出的去除率相提并论，而且在一些实施例中明显大于之。从表4中所示数据也可了解固体是由发烟氧化硅与缩合聚合成的氧化硅的混合物组成的组合物所表现出的去除率明显随缩合聚合成的氧化硅的粒径而变化。这些结果证明本发明组合物中磨蚀粒子的粒径分布影响该组合物可获得的去除率。
因此将所有在此所引用的参考数据，包括专利、专利申请案及刊物整个并入以作为参考。
当以强调优选具体实施例的方式描述本发明时，本领域普通技术人了解可使用优选具体实施例的变化体而且本发明可以不同于在此特地描述的方式实行本发明。因此本发明包含所有下列申请专利范围所定义的本发明精神及范围内所涵盖的变化。
权利要求
1.一种平整或抛光表面的组合物，其包含(a)液态载体及(b)包含约5-90重量％发烟金属氧化物及约10-95重量％磨蚀粒子的固体，其中约90％或更多磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径不超过100毫微米。
2.根据根椐权利要求1的组合物，其中该固体的堆积密度至少为约0.1。
3.根据根椐权利要求2的组合物，其中该固体的堆积密度至少为约0.3。
4.根据根椐权利要求1-3中任一项的组合物，其中该固体的堆积密度为约0.7或更低。
5.根据根椐权利要求1-4中任一项的组合物，其中该固体包含约10-85重量％发烟金属氧化物及约15-90重量％磨蚀粒子。
6.根据根椐权利要求5的组合物，其中该固体包含约15-75重量％发烟金属氧化物及约25-85重量％磨蚀粒子。
7.根据根椐权利要求1-6中任一项的组合物，其中该发烟金属氧化物为发烟氧化硅。
8.根据根椐权利要求1-7中任一项的组合物，其中该磨蚀粒子为缩合聚合而成的金属氧化物粒子。
9.根据根椐权利要求1-8中任一项的组合物，其中约95％或更多磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径不超过100毫微米。
10.根据根椐权利要求9的组合物，其中约98％或更多磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径不超过100毫微米。
11.根据根椐权利要求10的组合物，其中几乎所有磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径不超过100毫微米。
12.根据根椐权利要求1-11中任一项的组合物，其中约90％或更多磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径不低于5毫微米。
13.根据根椐权利要求12的组合物，其中约95％或更多磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径不低于5毫微米。
14.根据根椐权利要求13的组合物，其中约98％或更多磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径不低于5毫微米。
15.根据根椐权利要求14的组合物，其中几乎所有磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径不低于5毫微米。
16.根据根椐权利要求1-15中任一项的组合物，其中该磨蚀粒子的粒径分布的特征在于几何数目标准偏差(σg)至少为约1.3。
17.根据根椐权利要求1-16中任一项的组合物，其中该固体的存在浓度约为该组合物的0.1-40重量％。
18.根据根椐权利要求1-17中任一项的组合物，其中该载体为水。
19.一种平整化或抛光表面的方法，其包括表面与根椐权利要求1-18中任一项的组合物接触。
全文摘要
提供一种平整或抛光表面的组合物及以该组合物平整或抛光表面的方法。此组合物包含约5－90重量%发烟金属氧化物及约10－95重量%磨蚀粒子,其中约90%或更多磨蚀粒子(以数目为基准)的粒径不超过100毫微米。本发明组合物可以高抛光效率、均匀度及去除率和最少缺陷,如最少下层结构及地形上的场损失用于平整或抛光表面。
文档编号H01L21/02GK1390248SQ00815721
公开日2003年1月8日 申请日期2000年11月15日 优先权日1999年11月15日
发明者布赖恩·L·米勒, 詹姆斯·A·德克森 申请人:卡伯特微电子公司