专利名称：：高分子基电路保护装置及其制法的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种高分子基电路保护装置的结构及其制法，尤指一种表面安装型的高分子基电路保护装置的结构及其制法。其利用高导电复合材料，作为装置内部金属电极间的电流导通媒介，制成热敏电阻装置结构与其制法。热敏电阻装置已被广泛应用于温度检测、安全控制、温度补偿等领域。以往，热敏电阻装置主要是以陶瓷为材料，但陶瓷需要较高温度制造，制造温度多在摄氏九百度以上，需要消耗大量的能源，工艺也比较复杂。而后，高分子基的热敏电阻装置被开发出来，由于高分子基材的热敏阻抗装置，制造温度在摄氏三百度以下，加工、成型比较容易，能源消耗较少，工艺简单，成本低廉，因此应用领域日渐宽广。美国Raychem公司利用导电填充材填充的高分子复合材料，制成一系列的可恢复型正温度系数热敏电阻装置(ResettablePolymericPositiveTemperatureCoefficieniDevice，以下简称PPTC)。PPTC装置在常温时为低电阻状态，当流经PPTC装置的电流过大造成PPTC装置的温度达到一定切换温度(SwitchingTemperature，Ts)时，PPTC装置的电阻迅速上升，而可以应用于电流过载保护装置以及温度开关装置的设计。这是因为PPTC装置中的导电填充材填充的高分子复合材料，在常温时，高分子复合材料中的导电填充粒子，处于相互连通的导电状态。当PPTC装置温度升高至切换温度Ts以上时，因高分子复合材料中的树脂基材体积膨胀，使高分子复合材料中的导电填充材由相互连通状态，撑断变成不连续的状态，造成PPTC装置电阻的迅速上升，从而切断电流，达到电流过载保护以及温度控制开关的目的。为配合PPTC装置应用于印刷电路板表面安装(surfacemount)组装的需要，PPTC装置亦朝表面安装型装置(SurfaceMountDevice，以下简称SMD)来发展。SMD型PPTC装置和传统插件型不同的地方，在于SMD型PPTC必须把装置的电极都制作在PPTC装置的同一平面上，使SMD型PPTC装置能够直接将PPTC的表面，安装至印刷电路板上。Ravchem公司利用印刷电路板镀穿孔法(Plate-Through-Hole)将PPTC装置上下两面的电极导引至同一平面，再利用印刷电路板的工艺，制作同一面电极间的阻绝层。Littelfuse公司则提出另一种SMD型PPTC装置结构及工艺。利用电镀的方法使PPTC装置两侧形成上下导通的端电极，再使用印刷电路板工艺，来制作同一平面电极间的阻绝层。上述两种结构所形成的SMD型PPTC装置，在上下层金属电极之间的导通，都是经由电镀方式形成的金属导电层。这种电镀金属导电层的热膨胀系数，与正温度系数导电复合材料的热膨胀系数，两者差异太大。在电流过载，造成PPTC装置发热膨胀时，上下金属电极间的电镀金属导电层，很容易被PPTC导电复合材料膨胀撑开而断裂破坏。再则，当PPTC装置因电流过载或受热膨胀时，由于上下层金属电极间的电镀金属导通层的热膨胀系数，远小于PPTC装置的导电复合材料的热膨胀系数，因此电镀金属导通层，会限制到导电复合材料基板部分的热膨胀，使导电复合材料无法完全自由膨胀，达到最高的电阻状态，影响了SMD型PPTC装置电流过载时的断电特性。本发明目的之一，在于提供一种高分子基电路保护装置及其制法，使其在电流过载或因外界加热而膨胀时，使热敏阻抗特性的导电复合材料基材能充分膨胀，让相连接的导电填充粒子得以撑断成为不连通的断电或是高阻抗的状态，发挥保护电路的最大效能。本发明的另一目的，在于提供一种高分子基电路保护装置及其制法，其于二金属电极间，使用二种不同导电系数的材料制成，而该二种导电材料，具有相近膨胀系数，在电流过载、造成PPTC装置发热膨胀时，上下金属电极间的导电层，不易因正温度系数导电复合材料膨胀而撑开断裂。本发明的再一目的，在于提供一种高分子基电路保护装置及其制法，其使装置的制作加工更为简单。为达到上述目的，本发明所提供的高分子基电路保护装置，包括一具有PTC(PositiveTemperatureCoefficient)特性的导电性复合材料构件，及一第一高导电性复合材料构件。该第一高导电性复合材料与该具有PTC特性的导电性复合材料构件，构成一基材，而该第一高导电复合材料构件的导电性，为该具有PTC特性的导电性复合材料构件的导电性至少二十倍。在该基材的一第一表面上，设有一第一电极，该第一电极包括不连续的第一部份与第二部份，而且，该第一电极第一部份，与该第一高导电性复合材料构件构成电连接。另外，该基材的一第二表面上，设有一第二电极，且该第二电极，与该第一高导电性复合材料构件构成电连接。而该第一电极的第一部份与该第二部份的不连续部份，设有绝缘层阻隔。本发明所提供的高分子基电路保护装置制法，包括下述步骤首先制作一基材，该基材包含一具有PTC特性的第一导电性材料部，及一第二导电性材料部，且该第二导电性材料部的导电性，大于第一导电性材料部二十倍以上。而后，在该基材上的一第一表面上设一第一电极，以及在该基材第二表面上，设置第二电极，覆盖该基材。在该第一电极上，设一第一部份及第二部份，使该第一电极的第一部份，以覆盖于该第一电极下方的第二导电性材料部，与该第二电极连接。去除该第一电极的第一部份与该第二部份以外的部份，使该第一部份与该第二部份，形成不导电的不连续部份。再于该第一电极第一部份与该第一电极第二部份的该不连续部份，设绝缘层阻隔。由于本发明第一电极与第二电极，是设于导电复合材料二个表面之间，在电流过载或因外界加热而膨胀时，使具有热敏阻抗特性的导电复合材料基材，能充分膨胀，不会受限，让树脂基材之间的导电填充粒子，得以撑断成为不连通的断电或是高阻抗的状态，发挥保护电路的最大效能。而且，本发明第一电极与第二电极之间的基材，是使用二种导电复合材料，二者的热膨胀系数接近，得以使保护电路装置在电流过载、PPTC装置发热膨胀时，上下金属电极间的导电层，不易因PTC导电复合材料膨胀而破坏断裂。再则，本发明所提供的高分子基电路保护装置制法，使用高导电复合材料，取代传统导通的电镀金属导电层，不需要钻孔、电镀制作二金属电极之间的导电层，使得装置的制作加工，更为简单。以下仅以实施例，说明本发明的特征及其他功效如下图面的简单说明图1为本发明第一实施例复合材料的平面图；图2为图1沿A-A’线所得复合材料的剖面图；图3为本发明第一实施例的三明治结构板材的剖面图；图4为本发明第一实施例的电路保护装置的一制作过程剖面图；图5为本发明第一实施例的电路保护装置的另一制作过程剖面图；图6为本发明第一实施例的电路保护装置的再一制作过程剖面图；图7为本发明第一实施例的电路保护装置的剖面图；图8为本发明第二实施例的电路保护装置的一制作过程剖面图；图9为本发明第二实施例的电路保护装置的另一制作过程剖面图；图10为本发明第二实施例的电路保护装置的剖面图；图11为本发明第三实施例复合材料的平面图；图12为图11沿B-B’线所得复合材料的剖面图；图13为本发明第三实施例的三明治结构板材的剖面图；图14为本发明第三实施例的电路保护装置的一制作过程剖面图；图15为本发明第三实施例的电路保护装置的另一制作过程剖面图；图16为本发明第三实施例的电路保护装置的再一制作过程剖面图案；图17为本发明第三实施例的电路保护装置的剖面图；图18为本发明第四实施例复合材料和沟槽的平面图；图19为图18沿C-C’线所得复合材料和沟槽的剖面图；图20为本发明第四实施例的复合材料的剖面图；图21为本发明第四实施例的三明治结构板材的剖面图22为本发明第四实施例的电路保护装置的一制作过程剖面图；图23为本发明第四实施例的电路保护装置的另一制作过程剖面图；图24为本发明第四实施例的电路保护装置的再一制作过程剖面图；图25为本发明第四实施例的电路保护装置的剖面图；图26为本发明第五实施例的电路保护装置的一制作过程剖面图；图27为本发明第五实施例的电路保护装置的另一制作过程剖面图；图28为本发明第五实施例的电路保护装置的剖面图。附图中附图标记的简单说明1、附图中附图标记10本发明第一实施例具有PTC特性的高分子复合材料。2、附图中附图标记11本发明第一实施例高导电复合材料。3、附图中附图标记13本发明第一实施例第一电极。4、图式中编妈15本发明第一实施例第二电极。5、附图中附图标记17本发明第一实施例三明治结构板材。6、附图中附图标记13a，13b本发明第一实施例第一电极第一部份与该第一电极第二部份。7、附图中附图标记130本发明第一实施例第一电极第一部份与该第一电极第二部份隔离槽。8、附图中附图标记15a，15b本发明第一实施例第二电极第一部份与该第二电极第二部份。9、附图中附图标记150本发明第一实施例第二电极第一部份与该第二电极第二部份隔离槽。10、附图中附图标记19a本发明第一实施例第一电极第一部份与该第一电极第二部份间绝缘层。11、附图中附图标记190a，190c本发明第一实施例绝缘层隔离槽孔。12、附图中附图标记19b本发明第一实施例第二电极第一部份与该第二电极第二部份间绝缘层。13、附图中附图标记190b，190d本发明第一实施例绝缘层隔离槽孔。14、附图中附图标记21a，21c本发明第一实施例第一电极表面安装用金属焊点。15、附图中附图标记21b，21d本发明第一实施例第二电极表面安装用金属焊点。16、附图中附图标记100第一实施例的电路保护装置。17、附图中附图标记29a本发明第二实施例第一电极第一部份与该第一电极第二部份间绝缘层。18、附图中附图标记290本发明第二实施例绝缘层隔离槽孔。19、附图中附图标记29b本发明第二实施例第二电极第一部份与该第二电极第二部份间绝缘层。20、附图中附图标记23a，23b本发明第二实施例第一电极表面安装用金属焊点。21、附图中附图标记200本发明第二实施例的电路保护装置。22、附图中附图标记30本发明第三实施例具有PTC特性高分子复合材料。23、附图中附图标记31本发明第三实施例高导电性复合材料。24、附图中附图标记33本发明第三实施例第一电极。25、附图中附图标记35本发明第三实施例第二电极。26、附图中附图标记37本发明第三实施例三明治结构板材。27、附图中附图标记33a，33b本发明第三实施例第一电极第一部份与该第一电极第二部份。28、附图中附图标记330本发明第三实施例第一电极第一部份与该第一电极第二部份隔离槽。29、附图中附图标记39a本发明第三实施例第一电极第一部份与该第一电极第二部份间绝缘层。30、附图中附图标记390本发明第三实施例绝缘层隔离槽孔。31、附图中附图标记39b本发明第三实施例第二电极绝缘层。32、附图中附图标记38a，38b本发明第三实施例第一电极表面安装用金属焊点。33、附图中附图标记300第三实施例电路保护装置300。34、附图中附图标记40本发明第四实施例具有PTC特性高分子复合材料。35、附图中附图标记46本发明第四实施例条型沟槽。36、附图中附图标记41本发明第四实施例高导电复合材料。37、附图中附图标记43本发明第四实施例第一电极。38、附图中附图标记45本发明第四实施例第二电极。39、附图中附图标记47本发明第四实施例三明治结构板材。40、附图中附图标记43a，43b本发明第四实施例第一电极第一部份与该第一电极第二部份。41、附图中附图标记430a，430b本发明第四实施例第一电极第一部份与该第一电极第二部份隔离槽。42、附图中附图标记45a，45b本发明第四实施例第二电极第一部份与该第二电极第二部份。43、附图中附图标记450a，450b本发明第四实施例第二电极第一部份与该第二电极第二部份隔离槽。44、附图中附图标记49a本发明第四实施例第一电极第一部份与该第一电极第二部份间绝缘层。45、附图中附图标记490a本发明第四实施例绝缘层隔离槽孔。46、附图中附图标记49b本发明第四实施例第二电极第一部份与该第二电极第二部份间绝缘层。47、附图中附图标记490b本发明第四实施例绝缘层隔离槽孔。48、图式中编妈48a，48c本发明第四实施例第一电极金属表面安装用金属焊点。49、附图中附图标记48b，48d本发明第四实施例第二电极金属表面安装用金属焊点。50、附图中附图标记400第四实施例电路保护装置。51、附图中附图标记59a本发明第五实施例第一电极第一部份与该第一电极第二部份间绝缘层。52、附图中附图标记59b本发明第五实施例第二电极第一部份与该第二电极第二部份间绝缘层。53、附图中附图标记590a本发明第五实施例绝缘层隔离槽孔。54.附图中附图标记590b本发明第五实施例绝缘层隔离槽孔。55.附图中附图标记58a，58c本发明第五实施例第一电极表面安装用金属焊点。56.附图中附图标记58b，58d本发明第五实施例第二电极表面安装用金属焊点。57.附图中附图标记500第五实施例电路保护装置。请参考图1至图7，为本发明第一实施例的制作程序图。请参考图1，为本发明第一实施例的基材，其是由一具有PTC特性的导电性复合材料10(为具有正温度系数热敏阻抗特性、并有导电填充物填充的高分子复合材料)，及一第一高导电性复合材料构件11所构成。该第一高导电复合材料11的导电性，为该导电性复合材料10的导电性二十倍以上，更佳为五十倍以上。在本实施例中，该导电性复合材料，是为聚乙烯(PE)PetrotheneLB832(此为美国Equistar公司商品)和碳黑Raven450(此为美国Columbian公司商品)以重量比例一比一混练而成板状材料。而该第一高导电复合材料11，则为重量百分比占15％的PELH606(此为台湾聚合公司商品)掺入重量百分比占85％的导电金属镍粉混练而成的板状材料。将该导电性复合材料10，及第一高导电性复合材料构件11，两种复合材料板状材料，依序堆排成一整块板材，如图1所示。若将该整块板材，沿AA’线剖开，可得剖面图如图2。请参阅图3，在该复合材料板材上面及下面，各加上金属铜箔13及15作为元件的电极。亦可以使用其他金属箔如镍箔等作为元件的电极。经过热压成型(压合)，得到上下层为铜箔、中间层为PTC特性复合材料10及高导电复合材料11的三明治结构板材17。将该三明治结构板材17，使用剂量为20Mrads的钴六十伽玛射线照射交联，使三明治结构板材17中间层的PTC特性复合材料10及高导电的复合材料11具有形状记忆性。请参考图4，对三明治结构板材17上下两层的金属铜箔电极层13及15，利用印刷电路板蚀刻工艺，对该金属铜箔电极层13及15，进行曝光、微影、蚀刻，做出上层电极13a及13b、上层隔离槽130、下层电极15a及15b，以及下层隔离槽150的形状。此一使用印刷电路板工艺，对金属铜箔电极层进行曝光、微影、蚀刻，以得到所欲的形状，对于本领域技术人员而言，是属于已知技术，在此即不予赘述。请参考图5，对蚀刻好的三明治结构板材17，利用印刷电路板工艺分别印上防焊绿漆(SolderMask，亦可使用厚膜陶瓷绝缘材料，其目的在于电绝缘)，作为上层金属电极13a、13b之间，以及下层金属电极15a、15b之间的绝缘层19a、19b，其盖住上层隔离槽130，及下层隔离槽150，并空出绝缘层槽190a、190b、190c、190d。请参考图6，再经由无电解电镀、电镀以及上焊锡工艺，在绝缘层槽190a、190b、190c、190d位置，制作表面安装用的金属焊点21a、21b、21c、21d。请参考图7，最后，使用钻石刀在金属焊点21a、21b、21c、21d位置，将元件裁切成PPTC装置100。而使用时，可用金属焊点21a、21c，或是金属焊点21b、21d，作为接点，而得到两面皆可使用的表面安装型高分子基电路保护装置。请参阅图8至图10，其为本发明第二实施例。其是承续图1至图4的工艺后，修改而得。在图4中，三明治结构板材17的上下电极层已分得出上层电极13a及13b、上层隔离槽130、下层电极15a及15b，以及下层隔离槽150的形状。而后，接续至图8的工艺。请再参图8，对蚀刻好的三明治结构板材17，利用印刷电路板工艺分别印上防焊绿漆(SolderMask)，作为上层金属电极13a、13b之间，以及下层金属电极15a、15b之间的绝缘层29a、29b，其盖住上层隔离槽130，及下层隔离槽150，并在上方空出绝缘层槽290。请参阅图9，经由无电解电镀、电镀以及上焊锡工艺，在绝缘层槽290位置，制作表面安装用的金属焊点23。请参阅图10，最后，使用钻石刀在金属焊点23位置，将元件裁切成PPTC装置200。由于作为端电极的金属焊点23a、23b在同一面上，此即为单面型的表面安装型高分子基电路保护装置。图11至图17，为本发明第三实施例。请参阅图11，在此实施例中，使用聚乙烯(PE)PetrotheneLB832(此为美国Equistar公司商品)和碳黑Raven450(此为美国Columbian公司商品)，以重量比例一比一混练，作成具有PTC特性的板状导电性复合材料30。同时，使用重量百分比占15％的PELH606(此为台湾聚合公司商品)掺入重量百分比占85％的导电金属镍粉混练，作为板状高导电复合材料31。将该导电性复合材料30，及高导电性复合材料构件31，两种复合材料板状材料，置入模具中，并予以交错排列，使之形成基材，如图11所示。将该整块板材，沿BB’线剖开，可得复合材料拼板剖面图如图12。请参阅图13，在复合材料拼板上面及下面各加上一片金属铜箔33及35，作为电极。经由热压成型为上下层为铜箔，中间层为PPTC特性导电性复合材料30，以及高导电复合材料31，构成三明治结构板材37。使用剂量为20Mrads的钴六十伽玛射线照射交联三明治结构板材37，使三明治结构板材37中间层的PPTC特性导电复合材料30及高导电复合材料31具有形状记忆性。请参阅图14，对三明治结构板材上层金属铜箔电极层33，使用印刷电路板蚀刻工艺，进行曝光、微影、蚀刻，做出上层电极33a，33b及上层隔离槽330的形状。请参阅图15，对蚀刻好的三明治结构板材37的上表面与下表面，使用印刷电路板工艺，分别印上防焊绿漆(SolderMask)，制作上层金属电极33a与33b之间的绝缘层39a、上层绝缘层隔离孔390，以及下层金属电极的绝缘层39b。请参阅图16，再经由无电解电镀、电镀及上焊锡工艺，在上层绝缘层隔离孔390及上层绝缘层的相对位置上，制作出上层金属电极表面安装用的金属焊点38a，38b。请参阅图17，最后再经由钻石刀，裁切金属焊点，成为表面安装型电路保护装置300。请参考图18至图25，其为本发明第四实施例的制法程序图。在图18中，具有PTC特性的高分子复合材料40，为聚乙烯(PE)PetrotheneLB832(此为美国Equistar公司商品)和碳黑Raven450(此为美国Columbian公司商品)，以重量比例一比一混练而成的板状材料，并冲压成适当宽度的条型沟槽46。图19则为图18的板状材料在CC’方向的剖面示意图。使用重量百分比占15％的PELH606(此为台湾聚合公司商品)，掺入重量百分比占85％的导电金属镍粉，混练而成复合材料，制成高导电复合材料41，并将此高导电复合材料41嵌入条型沟槽46中，成为如图20所示的剖面示意图。请参阅图21，在该复合材料嵌板上面及下面，各加上一片金属铜箔43及45。并经由热压成型为上下层为铜箔，而中间层为PPTC特性复合材料40及高导电复合材料41的三明治结构板材47。再使用剂量为20Mrads的钴六十伽玛射线，照射交联三明治结构板材47，使三明治结构板材中间层的复合材料40及高导电的复合材料41，具有形状记忆性。请参阅图22，对三明治结构板材上下两层的金属铜箔电极层43及45，利用印刷电路板蚀刻工艺，做出上层电极43a、43b及上层隔离槽430a、430b和下层电极45a、45b及下层隔离槽450a、450b的形状。请参阅图23，对蚀刻好的三明治结构板材47，利甲印刷电路板工艺，分别印上防焊绿漆(SolderMask)制作上层金属电极间的绝缘层49a、绝缘层隔离孔490a、下层金属电极的绝缘层49b，以及绝缘层隔离孔490b。请参阅图24，再经由无电解电镀、电镀及上焊锡工艺制作上层金属电极表面安装用的金属焊点48a，48c和下层金属电极表面安装用的金属焊点48b，48d。最后使用钻石刀，裁切金属焊点48a、48b、48c、48d，成为表面安装型电路保护装置400，如图25所示。在此实施例中，金属接点48a、高导电复合材料41部份，以及金属接点48b，不在同一线上。图26至图28，为本发明第五实施例。此实施例承续图18至图22的工艺，然后，接著图26的制法程序。请参阅图26，本实施例对蚀刻好的三明治结构板材47，利用印刷电路板工艺，分别印上防焊绿漆，制作上层金属电极间的绝缘层59a、绝缘层隔离孔590a、下层金属电极的绝缘层59b，以及绝缘层隔离孔590b。请参考图27，再使用无电解电镀，电镀及上焊锡工艺，制作上层金属电极表面安装用的金属焊点58a，58c，以及下层金属电极表面安装用的金属焊点58b，58d。请参考图28，最后再经由钻石刀裁切430b及450b成为表面安装型电路保护装置500。在此实施例中，金属接点58c、高导电复合材料41部份，以及金属接点58d，是在同一线上。而本发明还可改变关键元件材料，得出不同特性的元件。例如，在第一实施例中，具有PTC特性的高分子复合材料10，选用重量百分比占55％的聚乙烯LH606(台湾聚合公司产品)与重量百分比占45％的碳黑Raven420(美国Columbian公司产品)混练而成的板状材料。而高导电复合材料11则选重量百分比13％的环氧树脂与重量百分比占87％的金属银粉，混合成半固化型(B-stage)混合物板材。其中环氧树脂配方为100份重量比的环氧树脂Epon1001(ShellChemical公司产品)，加4份重量比的二氰胺硬化剂(Dicyanodiamide，Merck公司产品)，再加0.2份重量比的苄基二甲胺促进剂(Benzyldimetliylamine，Merck公司产品)。再则，本发明还可使用重量百分比占55％的聚乙烯(PE)LH606(台湾聚合公司产品)，与重量百分比占45％的碳黑Raven420(美国Columbian公司产品)混练而成的板状材料，作为具有PTC特性的高分子复合材料10(请再参考第一实施例)。而使用重量百分比45％的环氧树脂，与重量百分比占45％的镀银中空玻璃球Conduct-O-FilSH400S33(美国Potters公司产品)，以及重量百分比占10％的碳黑XC-72(美国Cabot公司产品)，混合成半固化型(B-stage)混合物板材，作为高导电复合材料11，得出不同特性的元件。其中环氧树脂配方为100份重量比的环氧树脂Epon1001(ShellChemical公司产品)加4份重量比的二氰胺硬化剂(Dicyanodiamide，Merck公司产品)再加0.2份重量比的苄基二甲胺促进剂(Benzyldimethylamine，Merck公司产品)。虽然本发明以上述的实施例作说明，但并不表示本发明的保护范围以上述的说明为限。对于本领域技术人员而言，可进行各种修改，例如，改变选择的的高分子材料，或添加不同的导电粒子，或是改变组成重量比率，而可达到相同的功效。但此类修改，应未超出本发明的精神，仍属于本发明的保护范围内。本发明的保护范围，仍应视权利要求所述为主。权利要求1.一种高分子基电路保护装置结构的制法，包括下述步骤提供一具有PTC特性的导电性复合材料，及一高导电性材料，而该高导电性材料的导电性，大于该导电性复合材料至少二十倍；将该导电性复合材料与该高导电性材料置入模具中，并予以交错排列，使之形成基材；在该基材一第一表面及一第二表面，分别设有第一导电层与第二导电层，而该高导电性材料，介于该第一导电层与该第二导电层之间，可导通第一导电层与第二导电层；对该第一导电层、该第二导电层、该导电性复合材料及该高导电性材料进行压合、交联；利用印刷电路板工艺，对该第一导电层与该第二导电层，进行曝光、微影、蚀刻，使该第一导电层与该第二导电层，分别形成第一不连续部份与第二不连续部份；而第一导电层分为第一导电层第一部份、第一导电层第二部份；且第二导电层分为第二导电层第一部份与第二导电层第二部份；而该第一导电层第一部份，以该高导电性材料与该第二导电层第一部份连接；在该第一导电层、该第二导电层、该第一不连续部份及该第二不连续部份的外侧，设置绝缘层，并于该第一导电层第一部份与该第一导电层第二部份，分别空出接点区；在该第一导电层第一部份与该第一导电层第二部份的接点区，分别设置导电接点。2.如权利要求1的高分子基电路保护装置结构的制法，其中该导电性复合材料是由聚乙烯与碳黑所构成。3.如权利要求1的高分子基电路保护装置结构的制法，其中该导电性复合材料是百分之五十与百分之五十之重量比的聚乙烯与碳黑。4.如权利要求1的高分子基电路保护装置结构的制法，其中该第一表面与该第二表面是上表面与下表面。5.如权利要求1的高分子基电路保护装置结构的制法，其中该第一不连续部份是一沟槽。6.如权利要求1的高分子基电路保护装置结构的制法，其中该绝缘层是防焊绿漆。7.一种高分子基电路保护装置，包括一具有PTC特性的导电性复合材料构件；一第一高导电性复合材料构件，与该具有PTC特性的导电性复合材料构件，构成一基材；而该第一高导电复合材料构件的导电性，至少为该具有PTC特性的导电性复合材料构件的导电性的二十倍；该基材的一第一表面上，设有一第一电极，该第一电极包括不连续的第一部份与第二部份；而且，该第一电极第一部份与该第一高导电性复合材料构件构成电连接；该基材的一第二表面上，设有一第二电极，且该第二电极与该第一高导电性复合材料构件构成电连接；而该第一电极的第一部份与该第二部份的不连续部分，设有绝缘层阻隔。8.如权利要求1的高分子基电路保护装置，其中还包括一第二高导电复合材料构件；而该第二电极包括不连续的第二电极第一部份与第二电极第二部份，且该第一电极第二部份，以该第二高导电复合材料构件，与该第二电极第二部份电连接。9.如权利要求1的高分子基电路保护装置，其中该第二电极包括不连续的第二电极第一部份与第二电极第二部份，而该第一电极第一部份，以被该一电极第一部份覆盖于下方的第一高导电复合材料构件，与该第二电极第一部份连接，且该第一电极第一部份与该第一电极第二部份，分别设有接点；同时，第一电极第一部份上的接点，与第一高导电复合材料构件，位于同一线上。10.如申请专利范围第九项的高分子基电路保护装置，其中该第二电极第一部份与该第二电极第二部份，分别设有接点，且第一电极第一部份上的接点、第一高导电复合材料构件以及第二电极第一部份上的接点，位于同一线上。11.一种高分子基电路保护装置结构，包括一基材，包含一第一导电性材料部及一第二导电性材料部；该第一导电性材料为具有PTC特性的导电性复合材料，且该第二导电性材料部的导电性，大于第一导电性材料部二十倍以上；该基材的第一表面与第二表面上，分别设有一第一电极及一第二电极，覆盖该基材；该第一电极上，设有不连续的第一电极第一部份及第一电极第二部份，而该第一电极第一部份，以被该第一电极第一部份覆盖于下方的第二导电性材料部，与该第二电极连接；且该第一电极第一部份与该第一电极第二部份的该不连续部份，设有绝缘层阻隔。12.如权利要求11的高分子基电路保护装置结构，其中该第二电极包括不连续的第二电极第一部份与第二电极第二部份，而该第一电极第一部份，以被该第一电极第一部份覆盖于下方的第二导电性材料部，与该第二电极第一部份连接。13.如权利要求12的高分子基电路保护装置结构，其中该第一电极第二部份，以被该第一电极第二部份覆盖于下方的第二导电性材料部，与该第二电极第二部份连接。14.如权利要求11的高分子基电路保护装置结构，其中该第一导电性材料部是聚乙烯与碳黑的混合物。15.如权利要求11的高分子基电路保护装置结构，其中该基材的第一表面与第二表面是上表面与下表面。16.如权利要求11的高分子基电路保护装置结构，其中该第二电极包括不连续的第二电极第一部份与第二电极第二部份，而该第一电极第一部份，以被该第一电极第一部份覆盖于下方的第二导电性材料部，与该第二电极第一部份连接，且该第一电极第一部份与该第一电极第二部份，分别设有接点；同时，第一电极第一部份上的接点，与被该第一电极第一部份覆盖于下方的第二导电性材料部，位于同一线上。17.如权利要求11的高分子基电路保护装置结构，其中该第二电极包括不连续的第二电极第一部份与第二电极第二部份，而该第一电极第一部份，以被该第一电极第一部份覆盖于下方的第二导电性材料部，与该第二电极第一部份连接，且该第一电极第一部份与该第一电极第二部份，分别设有接点；同时，第一电极第一部份上的接点，与被该第一电极第一部份覆盖于下方的第二导电性材料部，不在同一议上。全文摘要本发明一种高分子基电路保护装置及其制法。其利用高导电复合材料,与具有正温度系数热敏阻抗特性的导电复合材料,堆排成一板状复合材料,上下贴合金属箔作为电极,压合成三明治积层材料。再经由交联反应,将复合材料层中的树脂基材交联。再利用印刷电路板工艺,蚀刻电极沟槽及网印绿漆制作绝缘层,将装置上同一侧的不同电极隔离。而高导电复合材料的导电度,比导电复合材料的导电度高二十倍以上,以确保内部板状复合材料连通的电极间电流传导,主要经由高导电复合材料部分。文档编号H01B1/20GK1387201SQ0111572公开日2002年12月25日申请日期2001年5月21日优先权日2001年5月21日发明者林建荣,陈瑞盈,黄仁豪,张志夷申请人:宝电通科技股份有限公司