专利名称：陶瓷电子部件烘焙用放置架的制作方法
技术领域：
本发明涉及对陶瓷电容器，压电元件，铁氧体等的陶瓷电子部件进行烘焙时所采用的放置架。
另外，在该放置架中，在烘焙时，其组成成分作用于被烘焙体，不使制品性能退化，通过该放置架的放置面，抑制被烘焙体中的粘接剂的挥发，这些方面均要求将不产生烘焙不均匀的情况作为重要的特性。
在过去，作为着眼于这样的特性的放置架等，公开有在基材表面上形成喷镀层的支架(JP特公平4-21330号文献)，以及下述电子部件烘焙用支架(JP特开2001-200378号文献)，其中在基材表面上具有喷镀层，就放置被烘焙体的面的表面粗糙度来说，十点平均粗糙度在150～1000μm的范围内。
这些支架通过形成于基材表面上的喷镀层，防止与被烘焙体的反应。另外，在后者的支架中，由于通过具有规定的表面粗糙度的喷镀层，与被烘焙体的接触面积减小，故被烘焙体中的粘接剂由支架的存在而完全不受到抑制，实现挥发，获得监狱的烘焙体。
但是，对于这些支架，在表面粗糙度较大的类型中，在烘焙后，即使在使该放置架倾斜等情况下，被烘焙体仍挂于支架表面的凹部，照原样残留在放置架上。为此，形成将一次烘焙的电子部件还供给到烘焙步骤等的，自动化处理方面的问题之一。特别是，近年来，在陶瓷电容器中，其尺寸越来越微小，主要尺寸从1.6mm×0.8mm，1.0mm×0.5mm等的尺寸，转移到0.6mm×0.3mm的尺寸，在采用过去的支架，烘焙该尺寸的陶瓷电容器的场合，目前的情况是该被烘焙体以较高的比例，挂于支架表面的凹部。
用于解决课题的技术方案即，本发明提供一种陶瓷电子部件烘焙用放置架，其中在基材表面上，具有涂敷层，其特征在于该涂敷层具有算术平均粗糙度(Ra)与被烘焙体的厚度的比在1/20～1/65的范围内的表面粗糙度。
另外，本发明提供一种陶瓷电子部件烘焙用放置架，其中在基材表面上，具有涂敷层，其特征在于上述涂敷层具有下述表面粗糙度，其中十点平均表面粗糙度(Rz)与被烘焙体的厚度的比在1/3.5～1/11.0的范围内，并且凸凹部的平均间距(Sm)与被烘焙体的长度的比在1/1.3～1/10.0的范围内。
在这里，算术平均粗糙度(Ra)和十点平均粗糙度(Rz)均为按照JIS规格B0601，在评价长度为12.5mm，切断值为2.5mm的条件下测定的值，凸凹部的平均间距(Sm)为在基准长度为0.8mm的条件下测定的值。
在本发明中，为了可应对0.6mm(长度)×0.3mm(厚度)的被烘焙体，在前者的陶瓷电子部件烘焙用放置架中，最好该涂敷层具有算术平均粗糙度(Ra)在5～15μm的范围内的表面粗糙度，在后者的陶瓷电子部件烘焙用放置架中，最好该涂敷层具有十点平均表面粗糙度(Rz)在27～86μm的范围内，并且凸凹部的平均间距(Sm)在60～461μm的范围内的表面粗糙度。
在本发明中，也可通过单个的表层，形成这样的表面粗糙度的涂敷层，但是最好通过中间层和表层，形成上述涂敷层，实质上，通过该中间层的表面粗糙度，限定该涂敷层的表面粗糙度。此时，最好，就算术平均粗糙度(Ra)来说，上述中间层的表面粗糙度与上述涂敷层的表面粗糙度的比控制在0.3～2.4倍的范围内。另外，最好，就中间层的表面粗糙度来说，算术平均粗糙度(Ra)在5～20μm的范围内，为了可应对0.6mm(长度)×0.3mm(厚度)的被烘焙体，特别是最好，上述算术平均粗糙度(Ra)在5～15μm的范围内。
此外，为了象上述那样按照中间的表面粗糙度，对涂敷层的表面粗糙度进行控制，最好表层的平均厚度在20～200μm的范围内。
在本发明的陶瓷电子部件烘焙用放置架中，由于象上述那样，就上述涂敷层的表面粗糙度来说，算术平均粗糙度(Ra)为被烘焙体的厚度的比在1/20～1/65的范围内，或，就该涂敷层的表面粗糙度来说，十点平均表面粗糙度(Rz)与被烘焙体的厚度的比在1/3.5～1/10.0的范围内，并且凸凹部的平均间距(Sm)与被烘焙体的长度的比在1/1.3～1/10.0的范围内，故显然，在烘焙时，该放置架的组成成分不与被烘焙体发生反应，被烘焙体中的粘接剂容易从被烘焙体的放置面挥发，获得均匀的烘焙体，并且在于烘焙后，进行使该放置架倾斜等的操作，收集陶瓷电子部件时，全部的电子部件不会挂于放置架凹部上，可顺利地收集。
在本发明的陶瓷电子部件烘焙用放置架(下面将其简称为“放置架”)中，在基材表面上，具有涂敷层，该涂敷层具有特定范围的表面粗糙度。下面针对各组成元件，进行具体描述。
本发明的基材的材质没有特别的限制，可由作为放置架而通常适用的陶瓷形成。另外，对于制作基材的方法，没有特别的限制，比如，可在通过冲压等方式对陶瓷化原料成形后，对其烘焙，对其进行制作。
就本发明的涂敷层的表面粗糙度来说，算术平均粗糙度(Ra)与被烘焙体的厚度的比在1/20～1/65的范围内，最好与被烘焙体的厚度的比在1/25～1/62的范围内。
如果就涂敷层的表面粗糙度来说，算术平均粗糙度(Ra)小于被烘焙体的厚度的1/65，则抑制被烘焙体中的粘接剂的挥发，无法获得均匀的烘焙体，根据情况，放置架的组成成分还与被烘焙体发生反应。如果就涂敷层的表面粗糙度来说，算术平均粗糙度(Ra)超过被烘焙体的厚度的1/20，则在通过放置架的倾斜等操作，收集烘焙后的电子部件时，多数情况是电子部件挂于放置面的凹部，该电子部件照原样残留。
具体来说，比如，在制造1.6mm(长度)×0.8mm(厚度)的尺寸的电子部件的场合，最好，涂敷层具有算术平均粗糙度(Ra)在12～40μm的范围内的表面粗糙度。另外，比如，在制造1.0mm(长度)×0.5mm(厚度)的尺寸等的那样的，小于1.6mm(长度)×0.8mm(厚度)的尺寸的电子部件的场合，最好，涂敷层具有算术平均粗糙度(Ra)在5～20μm的范围内的表面粗糙度。特别是在制造正在转为主要尺寸的0.6mm(长度)×0.3mm(厚度)的尺寸的陶瓷电容器的场合，最好，具有算术平均粗糙度(Ra)在5～15μm的范围内的表面粗糙度。因此，象已描述的那样，在过去的放置架中，无法完全地应对该尺寸的电子部件，构成妨碍烘焙的自动化的原因。
另外，最好就本发明的涂敷层的表面粗糙度来说，十点平均表面粗糙度(Rz)为被烘焙体的厚度的1/3.5～1/11.0，并且凸凹部的平均间距(Sm)为被烘焙体的长度的1/1.3～1/10.0，特别是最好，十点平均表面粗糙度(Rz)为被烘焙体的厚度的1/4.0～1/10.0，并且凸凹部的平均间距(Sm)为被烘焙体的长度的1/1.5～1/8.5。
如果就本发明的涂敷层的表面粗糙度来说，十点平均表面粗糙度(Rz)小于被烘焙体的厚度的1/11.0，由于在被烘焙体与放置架之间，无法确保充分的空间，故抑制粘接剂的挥发，容易产生烘焙不均匀。如果就本发明的涂敷层的表面粗糙度来说，十点平均表面粗糙度(Rz)超过被烘焙体的厚度的1/3.5，则在通过放置架的倾斜等操作，收集烘焙后的电子部件时，多数情况是电子部件挂于放置面的凹部，其照原样残留。
此外，由于就涂敷层的表面粗糙度来说，凸凹部的平均间距(Sm)小于被烘焙体的长度的1/10.0，或超过1/1.3，在被烘焙体与放置架之间，无法确保充分的空间，故粘接剂的挥发受到抑制，容易产生烘焙不均匀。
具体来说，比如，最近，在制造正在转为主要尺寸的0.6mm(长度)×0.3mm(厚度)的尺寸的陶瓷电容器的场合，最好，就涂敷层的表面粗糙度来说，十点平均表面粗糙度(Rz)在27～86μm的范围内，凸凹部的平均间距(Sm)在60～461μm的范围内。
另外，涂敷层可采用覆盖基材的放置部分的类型，但是如果在烘焙时，炉内的气体与基材之间发生反应，则具有基材发生变形的危险性，故最好，还在其它的部分，形成涂敷层。
此外，涂敷层既可为由单独表层形成的类型，也可为由中间层和表层形成的类型。
显然，在由中间层和表层形成涂敷层的场合，最好，实质上，按照中间层的表面粗糙度，限制涂敷层的表面粗糙度。
在这样的涂敷层中，可通过难于获得上述所需的表面粗糙度的等离子喷镀等的方法，形成表层。
还有，在此场合，就中间层的表面粗糙度来说，其算术平均粗糙度(Ra)最好为涂敷层表面粗糙度的0.3～2.4倍，最好为0.5～2.0倍。
就中间层的表面粗糙度来说，其算术平均粗糙度(Ra)与涂敷层的表面粗糙度的比在上述范围内，由于表层的厚度基本上是均匀的，涂敷层的性能退化均匀地发生，故该表层难于剥离。
具体来说，针对每种被烘焙体的尺寸，最好，形成与上述涂敷层的表面粗糙度基本上相同的表面粗糙度，比如，在制造大于0.6mm(长度)×0.3mm(厚度)的尺寸的陶瓷电容的场合，最好，就中间层的表面粗糙度来说，其算术粗糙度(Ra)在5～20μm的范围内。另外，在制造0.6mm(长度)×0.3mm(厚度)的尺寸的陶瓷电容的场合，最好，就中间层的表面粗糙度来说，算术平均粗糙度(Ra)在5～15μm的范围内。
还有，在涂敷层由中间层和表层形成的场合，表层的平均厚度最好在20～200μm的范围内，特别是最好在20～100μm的范围内。当表层的平均厚度小于20μm时，具有表层不附着于中间层的一部分上，中间层露出的情况，放置架的组成成分容易与被烘焙体发生反应。如果表层的平均厚度大于200μm，难于通过中间层的表面粗糙度，对涂敷层的表面粗糙度进行控制。另外，中间层的厚度没有特别的限制，但是，最好其最好在70～300μm的范围内。
在本发明中，在由单个表层形成涂敷层的场合，也可通过喷涂，或伴随表面粗糙化处理的喷镀的方式，形成该表层。此时，在喷涂中，对原料粒径，浆液浓度，涂敷条件等进行控制，可形成所需的表面粗糙度，对于伴随表面粗糙化处理的喷镀，可对原料，原料投放条件，形成所需的表面粗糙度。
同样在由中间层和表层形成涂敷层的场合，与上述相同，比如，可通过喷涂，或伴随表面粗糙化处理的喷镀的方式，形成该中间层。另外，比如，可通过喷涂，或伴随表面粗糙化处理的喷镀的方式，形成该表层。
另外，在通过喷涂，形成表层时，可对原料粒径，浆液浓度，涂敷条件等进行控制，形成所需的表面粗糙度，在通过喷镀，形成表层时，可选择和控制喷镀方法，原料粒径和原料投放位置等，形成所需的表面粗糙度。
作为喷镀，可例举有比如，通过加热的方法，采用燃烧火炎的气体喷镀，采用电弧的电弧喷镀，采用等离子体喷射的等离子喷镀等，但是从可以良好的精度，形成平均厚度在20～250μm的层的方面来说，最好通过等离子喷镀，形成表层。另外，作为等离子喷镀，可例举水稳定处理的等离子喷镀，气体等离子喷镀等方式，从可相对中间层，形成紧密贴合性较高的表层的方面来说，最好气体等离子喷镀的平均厚度在20～50μm的范围内，以便形成较薄的表层，可由放置面的表面粗糙度更加直接地反映中间层的表面粗糙度。
此外，在本发明中，中间层和表层的材质没有特别的限制，放置架通常可由进行了涂敷处理的放置架形成。
实施例下面根据实施例，对本发明进行更加具体的描述。但是，本发明完全不限于这些实施例。
(评价方法)
①表面粗糙度对算术平均粗糙度(Ra)，十点平均表面粗糙度(Rz)，凸凹部的平均间距(Sm)进行评价。该评价按照JIS规格B0601进行，算术平均粗糙度(Ra)，以及十点平均表面粗糙度(Rz)均是在评价长度为12.5mm，切割值为2.5mm的条件下测定的，凸凹部的平均间距(Sm)是在评价长度为4.0mm，基准长度为0.8mm的条件下测定的。
②厚度比例(1)该比例指尺寸为0.6mm(长度)×0.3mm(厚度)的制品作为被烘焙体时的，各实施例和各比较实例的放置架的算术平均粗糙度(Ra)相对被烘焙体的厚度的比。
③厚度比例(2)该比例指尺寸为0.6mm(长度)×0.3mm(厚度)的制品作为被烘焙体时的，各实施例和各比较实例的放置架的十点平均粗糙度(Rz)相对被烘焙体的厚度的比。
④长度比例该比例指尺寸为0.6mm(长度)×0.3mm(厚度)的制品作为被烘焙体时的，各实施例和各比较实例的放置架的凸凹部的平均间距(Sm)相对被烘焙体的长度的比。
⑤钩挂频率以钛酸钡为原料，制作尺寸为0.6mm(长度)×0.3mm(厚度)的，与市场上销售的陶瓷电容器形状相同的试样。另外，在将该试样放置于通过各实施例和比较实例获得的放置架上后，在使该放置架倾斜30°的状态，施加振动，观察试样的移动，收集状态，进行评价。
在该评价中，将全部的试样不挂于涂敷层的凹部，而将全部的试样收集的场合评价为○，将一部分试样挂于上述凹部的同时，将全部试样收集的场合评价为△，将挂于凹部，未将全部的试样收集的场合评价为×。
⑥粘接剂挥发性采用以钛酸钡为主原料，采用包含作为粘接剂的，丙烯酸系粘接剂30％的原料，通过刮片法，制作层片，接着，进行压接，切断处理，按照0.6mm(长度)×0.3mm(厚度)的尺寸，将与市场上销售的陶瓷电容器形状相同的制品制作为试样。另外，将该试样放置于通过各实施例和比较实例获得的放置架上，在N2气氛下，在300℃的温度下对其加热2个小时，按照加热前后减少的重量，对挥发的粘接剂量进行评价。
在该评价中，以理论上的重量减少量作为100％，将80～100％评价为○，将50～80％评价为△，将小于50％评价为×。
⑦剥离性在通过各实施例和各比较实例获得的放置架上，涂敷作为介电质的钛酸钡溶液，然后，反复5次地进行在1350℃的温度下，对其烘焙2个小时的操作，确认是否涂敷层与基材剥离。
在评价中，将完全确认没有涂敷层的剥离的制品评价为○，将在涂敷层的20％以下的部分确认有剥离的制品评价为△，将在涂敷层的20％以上的部分确认有剥离的制品评价为×。
⑧表层附着性切断形成有中间层和表层的各实施例和各比较实例的放置架，通过显微镜，观察切断面，将没有未粘接部分的场合评价为○，将有未粘接部分的场合评价为×。
⑨对中间层的涂敷层的表面粗糙度的控制性针对中间性，涂敷层(表层)，测定算术平均算术平均值(Ra)，将中间层的算术平均算术平均值(Ra)为涂敷层(表层)的算术平均粗糙度(Ra)的0.3～2.4倍的场合评价为○，将此场合以外的场合评价为×。
(第1实施例)将作为基材，由Al2O3含量为80重量％，SiO2的含量为19重量％，其它的材料为1重量％形成的材料进行挤压成形，然后，对其进行烘焙，制作Al2O3-SiO2的组分的，尺寸为纵150mm×横150mm×厚度5mm的板状体的制品。
接着，将60重量％的，平均粒径为2μm的Al2O3，40重量％的，平均粒径为20μm的Al2O3混合，调制固体成分，接着，相对30重量份的水，混合67重量份的上述的固体成分，3重量份的粘接剂，调制浆液。接着，按照5kg/cm2的空气压力，采用喷枪，将该浆液喷涂于基材的表面上，然后，在1450℃的温度下，对其进行烧接处理2个小时，形成Al2O3成分的，厚度为100μm的，算术平均粗糙度为(Ra)为5μm的中间层。
然后，采用平均粒径为80umm的氧化锆颗粒，对基材的表面进行等离子喷镀处理，形成ZrO2成分的，厚度为100μm的，算术平均粗糙度(Ra)为15μm的表层，制造陶瓷电子部件用放置架。其特性和评价汇总于表1中。
(第2～4实施例和第1～3比较实例)分别采用平均粒径为60μm，50μm，40μm，110μm，80μm，或30μm的氧化锆颗粒，进行等离子喷镀处理，分别形成算术平均粗糙度(Ra)为12μm，8μm，5μm，20μm，16μm，或4μm的表层，除此以外，按照与第1实施例相同的方式，制造放置架。其特性和评价汇总于表1中。
(评价)象表1所示的那样，在算术平均粗糙度(Ra)在5～15μ的范围内，厚度比例(1)在1/20.0～1/60.0的范围内的第1～4实施例的陶瓷电子部件用放置架中，如果使该放置架倾斜30°，则顺利地将全部的放置的试样收集，粘接剂的挥发性也良好。
与此相对，在算术平均粗糙度(Ra)分别为20μm，15μm，厚度比例(1)较大而分别为1/15.0，1/18.8的第1，2比较实例的陶瓷电子部件用放置架中，虽然粘接剂的挥发性均良好，但是如果使该放置架倾斜30°，则放置的试样以较高的比例发生钩挂。在算术平均粗糙度(Ra)为4μm，厚度比例(1)较小而为1/75.0的第3比较实例的陶瓷电子部件用放置架中，如果使该放置架倾斜30°，虽然顺利地将全部的放置的试样收集，但是对于粘接剂的挥发性来说，确认有重量减少量小于80％的制品。
表1
(第5～10和第4～7比较实例)分别采用平均粒径为50μm的氧化锆颗粒，调整喷涂枪和基材之间的距离，进行等离子喷涂处理，分别形成规定的表面粗糙度的表层，除此以外，与第1实施例相同，制造放置架。
(评价)象表2所示的那样，在厚度比例(2)在1/4.0～1/10.0的范围内，长度比例在1/1.5～1/8.0的范围内的第5～10实施例的陶瓷电子部件用放置架中，如果使该放置架倾斜30°，则顺利地将全部的放置的试样收集，粘接剂的挥发性也良好。
与此相对，在厚度比例(2)为1/7.0，而长度比例较大而为1/1.2的第4比较实例，以及的长度比例较小而为1/12.0的第5比较实例的陶瓷电子部件用放置架中，如果使该放置架倾斜30°，虽然顺利将全部放置的试样收集，但是对于粘接剂的挥发性来说，确认有重量减少量小于50％的制品。
另外，在长度比例为1/3.0，但是厚度比例(2)较大而为1/3.0的第6比较实例的陶瓷电子部件用放置架中，虽然粘接剂的挥发性良好，但是如果使该放置架倾斜30°，则放置的试样以较高的比例发生钩挂。另外，在长度比例为1/3.0，而厚度比例较小而为1/12.0的第7比较实例的陶瓷电子部件用放置架中，如果使该放置架倾斜30°，虽然顺利将全部放置的试样收集，但是对于粘接剂的挥发性来说，在几乎所有的试样中，重量减少量小于50％。
表2
(第11～14实施例和第8～10比较实例)分别采用平均粒径为30μm，50μm，60μm，90μm，25μm，120μm，或150μm的氧化锆颗粒，对形成中间层的基材，进行等离子喷镀处理，分别形成算术平均粗糙度(Ra)为2.5μm，8.0μm，10.0μm，16μm，1.5μm，17.0μm，或20.0μm的表层，制造陶瓷电子部件用放置架，除此以外，与第1实施例相同，制造放置架。
(评价)象表3所示的那样，在表面粗糙度比在0.313～2.381的范围内的第11～14实施例的陶瓷电子部件用放置架中，完全未确认有涂敷层的剥离。
与此相对，在表面粗糙度比较大而为3.333的第8比较实例和表面粗糙度比较小而为0.294的第9比较实例的陶瓷电子部件用放置架中，在涂敷的一部分中，确认有剥离。另外，在表面粗糙度更小而为0.250的第10比较实例的陶瓷电子部件用放置架中，在涂敷层的几乎整个部分，确认有剥离。
表3
(第15～18实施例和第11，12比较实例)首先，将60重量％的，平均粒径为2μm的Al2O3，40重量％的，平均粒径为20μm的Al2O3混合，调制固体成分，接着，相对25重量份的水，混合72重量份的上述的固体成分，3重量份的粘接剂，调制浆液。
接着，与第1实施例相同，对按照与第1实施例相同的方式制作的基材表面，进行喷涂上述浆液，接着对其进行烧接处理2个小时，形成算术平均粗糙度(Ra)为20.0μm的中间层。
然后，采用平均粒径为110umm的氧化锆颗粒，对基材的表面进行等离子喷镀处理，分别按照20.0μm，50.0μm，100.0μm，200.0μm，15.0μm，或250.0μm的厚度，形成ZrO2的表层，制造陶瓷电子部件用放置架。
(评价)象表4所示的那样，在表层厚度在20.0～200.0μm的范围内的第15～18实施例的陶瓷电子部件用放置架中，在中间层与表层之间，完全未确认有未粘接部分，中间层的算术平均粗糙度(Ra)与涂敷层(表层)的算术平均粗糙度(Ra)的比在0.3～2.4倍的范围内。
与此相对，在表层厚度为15.0μm的第11比较实例的陶瓷电子部件用放置架中，在中间层与表层之间，在一部分，确认有未粘接部分。另外，在表层厚度为250.0μm的第12比较实例的陶瓷电子部件用放置架中，涂敷层(表层)与中间层的算术平均粗糙度(Ra)的差值较大，中间层的涂敷层的表面粗糙度的控制不充分。
表4
本发明的效果象上面描述的那样，按照本发明的陶瓷电子部件烘焙用放置架，可获得在烘焙时，组成几乎不与被烘焙体反应，不抑制烘焙体中的粘接剂的挥发的，均匀的烘焙体。另外，在自动化的烘焙步骤中，在收集烘焙后的制品时，完全没有收集不良，可应对烘焙自动化处理。
权利要求
1.一种陶瓷电子部件烘焙用放置架，其中在基材表面上，具有涂敷层，其特征在于该涂敷层具有算术平均粗糙度(Ra)与被烘焙体的厚度的比在1/20～1/65的范围内的表面粗糙度。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件烘焙用放置架，其特征在于上述涂敷层具有算术平均粗糙度(Ra)在5～15μm的范围内的表面粗糙度。
3.一种陶瓷电子部件烘焙用放置架，其中在基材表面上，具有涂敷层，其特征在于上述涂敷层具有下述表面粗糙度，其中十点平均表面粗糙度(Rz)与被烘焙体的厚度的比在1/3.5～1/11.0的范围内，并且凸凹部的平均间距(Sm)与被烘焙体的长度在1/1.3～1/10.0的范围内。
4.根据权利要求3所述的陶瓷电子部件烘焙用放置架，其特征在于上述涂敷层具有十点平均表面粗糙度(Rz)在27～86μm的范围内，并且凸凹部的平均间距(Sm)在60～461μm的范围内的表面粗糙度。
5.一种陶瓷电子部件烘焙用放置架，其中在基材表面上，具有涂敷层，其特征在于上述涂敷层由中间层和表层形成，实质上，根据该中间层的表面粗糙度，限定该涂敷层的表面粗糙度。
6.根据权利要求5所述的陶瓷电子部件烘焙用放置架，其特征在于就算术平均粗糙度(Ra)来说，上述中间层的表面粗糙度为上述涂敷层的表面粗糙度的0.3～2.4倍。
7.根据权利要求5或6所述的陶瓷电子部件烘焙用放置架，其特征在于上述表层的平均厚度在20～200μm的范围内。
8.根据权利要求7所述的陶瓷电子部件烘焙用放置架，其特征在于就上述中间层的表面粗糙度来说，算术平均粗糙度(Ra)在5～20μm的范围内。
全文摘要
本发明的课题在于提供一种陶瓷电子部件烘焙用放置架，其中在烘焙时，组成成分不与被烘焙体反应，并且也容易从放置架放置面侧使被烘焙体中的粘接剂挥发，可获得均匀的烘焙体，另外在自动化的烘焙步骤中，在收集烘焙后的制品时，不产生收集不良。本发明涉及在基材表面上具有涂敷层的陶瓷电子部件烘焙用放置架。该涂敷层具有算术平均粗糙度(Ra)与被烘焙体的厚度的比在1/20～1/65的范围内的表面粗糙度。
文档编号H01G4/12GK1434470SQ0214629
公开日2003年8月6日 申请日期2002年10月21日 优先权日2002年1月23日
发明者森博, 二本松浩明, 森笹真司 申请人:日本碍子株式会社, Ngk阿德列克株式会社