专利名称：半导体处理系统中的基板支持机构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种在半导体处理系统中，用于与搬送臂协作来移动半导体晶片等的被处理基板的支持机构。而且，这里，所谓的半导体处理，是指通过在半导体晶片或者LCD基板等被处理基板上以规定图案来形成半导体层、绝缘层、导电层等，为了在该被处理基板上制造半导体器件和包含与半导体器件连接的布线、电极等的构造物而实施的各种处理。
背景技术：
为了制造半导体集成电路，要对晶片进行成膜、蚀刻、氧化、扩散等各种处理。在这种处理中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求提高生产率和成品率。由此观点，已知将进行相同处理的多个处理装置或者进行不同处理的多个处理装置，通过共同的搬送室相互结合，不把晶片暴露在大气中而可连续处理各种工序的、所谓集束工具型的半导体处理系统。集束工具型半导体处理系统例如在特开2000-208589号公报、特开2000-299367号公报等中公开。
在集束工具型半导体处理系统内，为了搬送半导体晶片，设置多个搬送臂。各个搬送臂构成为能够屈伸、旋转或者水平移动。晶片通过在这些搬送臂之间顺序交接，可从晶片盒向处理装置侧，或者相反地进行搬送。
通常情况下，搬送臂之间的晶片的交接，不直接在搬送臂间进行，而是通过在搬送臂间设置的、升降晶片的支持机构或者具有该支持机构的缓冲台进行的。晶片通过一个搬送臂向支持机构或者缓冲台上搬送，通过另一个搬送臂从支持机构或者缓冲台上搬送。
根据晶片的处理方式，在搬送途中设置的搬送室内，也具有使晶片暂时等待，将另外的晶片优先搬送的情况。在这样的情况下，也能够在搬送室内设置并且使用上述支持机构和缓冲台。这样的支持机构和缓冲台，例如在特开平4-69917号公报、特开平9-223727号公报、特开2001-176947号公报等中公开。
在处理半导体晶片的情况下，如果以成膜处理为例，则处理完的晶片，无论在其表面还是其里面都附着薄膜。这种情况下，如果使升降销等直接接触其里面，从而对未处理的晶片进行处理，则由于附着在升降销等上的膜片等，会污染未处理的晶片。
另外，对于上述各公报中所公开的支持机构，具有用于升降晶片的两个升降台，同时使用两个升降台来搬送晶片。为此，在这些支持机构中，难于根据情况高自由度地使用。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种半导体处理系统中的基板支持机构，其能够根据情况择一使用该两个保持部，而且具有紧凑的构造。
本发明的观点在于提供一种支持机构，用于在半导体处理系统中，与搬送臂协作来移动被处理基板，具有分别能够升降且相对所述搬送臂能够接收基板的第一和第二保持部，所述第一和第二保持部可在空间中相互不干扰地在垂直方向相对移动，保持具有实质相同水平坐标位置的基板；分别升降所述第一和第二保持部的第一和第二驱动部；以及控制所述第一和第二驱动部的控制部，所述控制部控制所述第一和第二驱动部，使得利用所述第一和第二保持部来择一地保持基板。
图1是表示本发明的第一实施方式的具有基板支持机构的半导体处理系统的概略平面图。
图2是表示安装了图1所示的支持机构的具有负载锁定功能的中转室的截面图。
图3是图1所示的支持机构的立体图。
图4是图1所示的支持机构的平面图。
图5是表示图1所示的支持机构中的往复杆的安装部的部分放大图。
图6是示意性表示本发明的第二实施方式的支持机构的致动器的配置的图。
图7是表示图6所示的支持机构的升降销的配置的平面图。
图8是表示本发明的第三实施方式的支持机构的底座的平面图。
图9是表示本发明的第四实施方式的支持机构的立体图。
图10是图9所示的支持机构的平面图。
图11是表示本发明的第五实施方式的支持机构的立体图。
图12是图11所示的支持机构的平面图。
图13是表示本发明的第六实施方式的支持机构的立体图。
图14是图13所示的支持机构的平面图。
图15是表示第六实施方式的变形例的支持机构的图。
具体实施例方式
下面参照附图来说明本发明的实施方式。而且，在下面的说明中，对于具有大致相同的功能和构成的构成元件，赋予相同的符号，仅在需要的情况下进行重复说明。
(第一实施方式)图1是表示本发明的第一实施方式的具有基板支持机构的半导体处理系统的大致平面图。
如图1所示那样，处理系统2具有多个、例如四个处理装置4A、4B、4C、4D；大致六角形的共同搬送室6；具有负载锁定功能的第一和第二中转室(负载锁定室)8A、8B；细长的导入侧搬送室10。在各个中转室8A、8B内，配设基板支持机构12A、12B。而且，共同搬送室6及第一和第二中转室8A、8B是能够真空排气的气密室。
具体地说，在大致六角形的共同搬送室6的四个边上连接各个处理装置4A～4D，在另外的两个边分别连接第一和第二中转室8A、8B。即，处理系统2以共同搬送室6为中心，成为处理装置和中转室连接的集束工具型的构造。在第一和第二中转室8A、8B中，共同连接导入侧搬送室10。各个处理装置4A～4D及第一和第二中转室8A、8B，对于共同搬送室6，通过各个气密的可开闭的闸门阀G1～G4和G5、G6来连接。第一和第二中转室8A、8B，相对于导入侧搬送室10，通过各个气密的可开闭的闸门阀G7、G8来连接。
设置四个处理装置4A～4D，使得在真空大气内对作为被处理基板的半导体晶片W进行同种或者不同种的处理。在共同搬送室6内，在能够接近两个中转室8A、8B和四个处理装置4A～4D的位置，配设由能够屈伸和旋转的多关节臂所构成的第一搬送部件14。第一搬送部件14具有能够相互向相反方向独立屈伸的两个拾取器14A、14B，能够一次取得两个晶片。而且，作为第一搬送部件14，也能够使用仅具有一个拾取器的搬送部件。
导入侧搬送室10由循环N2气等惰性气体或清洁空气的横长的箱体所形成。在该横长的箱体的一侧，配设载置盒子容器的一个到多个图示例子中是3个的盒子台16A、16B、16C。在各个盒子台16A、16B、16C上，每个能够载置盒子18A～18C中的一个。
在各个盒子18A～18C内，能够等间距地多层载置并收容最多例如25个晶片W。各个盒子18A～18C内部是例如由充满N2气的密闭构造。能够通过与各个盒子台16A～16C对应而配设的闸门20A、20B、20C，向导入侧搬送室10内搬出搬入晶片。
在导入侧搬送室10内，配设用于沿着其长度方向搬送晶片W的第二搬送部件22。第二搬送部件22可滑动移动地支持在导轨24上，该导轨24配设为使得沿着长度方向从导入侧搬送室10内的中心部延伸。在导轨24内，内置作为移动机构的例如线性马达，通过该线性马达，第二搬送部件22沿着导轨24向X方向移动。
在导入侧搬送室10的端部，配设作为进行晶片定位的定位装置的定位器(オリエンタ)26。定位器26具有在载置晶片W的状态下通过驱动马达(未图示)来旋转的旋转台28。在旋转台28的外周，配设用于检测晶片W的周缘部的光学传感器30。通过光学传感器30检测晶片W的槽口或定位平面的位置方向和位置偏差。
第二搬送部件22具有配置成上下两段的多关节形状的两个搬送臂32、34。在各个搬送臂32、34的前端分别安装两股状的拾取器32A、34A，各个晶片W被直接保持在拾取器32A、34A上。各个搬送臂32、34由其中心向着半径方向的R方向屈伸自由，各个搬送臂32、34的屈伸操作能够个别控制。另外，搬送臂32、34能够向着作为相对基台36的旋转方向的θ方向整体旋转。
下面，说明在各个中转室8A、8B内配设的支持机构12A、12B。这两个支持机构12A、12B全部同样地形成，所以这里以一个支持机构，例如支持机构12A为例子来说明。
图2是表示安装了图1所示的支持机构的具有负载锁定功能的搬送室的截面图。图3和图4是图1所示的支持机构的立体图和平面图。
如图2到图4所示，支持机构12A具有数字“7”那样弯曲成形的薄的、例如铝制成的或者陶瓷制成的多个，在图示例子中为两个的底座38、40。两个底座38、40在平面上看不重叠地配置，使得它们向上下方向移动时不相互冲突干扰。如图3和图4所示，两个底座38、40彼此相对，而且具有超过相互的前端部延伸到另一个底座的缺口内的延长部39、41。
从各个底座38、40上分别向着上方立起配设多个，在图示例子中分别是三个升降销38A～38C和40A～40C。升降销38A～38C和40A～40C是例如由Al2O3等陶瓷构成。晶片W以其里面直接接触升降销38A～38C和40A～40C的上端的状态被支持。
也如图4所示那样，各个组的升降销38A～38C和40A～40C配置为在同一圆周42上在每个组中等间距(大致120度间隔)。升降销在一个底座38或40上分别至少配设三个。而且，两个组的升降销38A～38C和40A～40C，也可以在每个组中配置在不同的圆周上。
在中转室8A的底部44(参照图2)的下方，对应于两个底座38、40，配设两个致动器46、48。各个致动器46、48的往复杆50、52，贯通在底部44上形成的贯通孔54、56，其前端安装固定到各个底座38、40的下面。各个底座38、40，通过驱动致动器46、48，能够分别独立地向上下方向升降。
而且，由致动器46、48致动的升降销38A～38C和升降销40A～40C的升降冲程彼此相同。另外，升降销38A～38C的上端的最上和最下位置设定为与升降销40A～40C的上端的最上和最下位置实质上相同。即升降销38A～38C和升降销40A～40C，相对第一搬送部件14或者第二搬送部件22的接收晶片W的位置实质上相同。但是，即使上述两个升降冲程和两个最上和最下位置互相不相等，通过第一和第二搬送部件14、22的各个升降操作，也能够进行晶片W的接收。
在相对各个往复杆50、52的底部44的贯通部，配设例如金属制成的可伸缩的由皱纹管形成的波纹管58、60。具体地说，也如图5所示，各个往复杆50、52贯通在各个波纹管58、60内。各个波纹管58、60的上端，分别以气密状态安装到底座38、40的下面。各个波纹管58、60的下端，通过密封部件62和安装环64，通过螺钉66维持气密性地安装固定到底部44的下面。
通过安装波纹管58、60，能够维持中转室8A内的气密性且可升降往复杆50、52。各个致动器46、48通过例如由微型计算机等构成的升降控制部68来控制其操作。
在各个中转室8A、8B的例如底部，形成N2气体等惰性气体导入口70和与真空系统(未图示)连接的排气口72。通过这样，能够在真空大气和大气压大气之间根据需要来设定各个中转室8A、8B内的压力。
下面，说明关于图1所示的半导体处理系统的操作，晶片W的大致流程。
从三个盒子台16A～16C内的任何一个盒子台，例如盒子台16C上的盒子容器18C中取出未处理的晶片W。此时，例如通过驱动第二搬送部件22的任何一个搬送臂，例如搬送臂32，由拾取器32A取出保持来自盒子容器18C内的晶片W。接着，将第二搬送部件22向X方向移动，将晶片W搬送到定位器26上。
接着，将在定位器26定位的未处理的晶片W从旋转台28上取出，将旋转台28空出。为此，通过驱动空状态的其它搬送臂34，可利用拾取器34A从旋转台28上接收保持晶片W。
接着，将保持在搬送臂32的拾取器32A上的未处理的晶片载置到处于空状态的旋转台28上。该晶片被定位在此直到其它的未处理晶片被搬送来。接着，通过向着X方向移动第二搬送部件22，将利用另外的搬送臂34从旋转台28上取出的未处理的晶片，移动到两个中转室8A、8B中任何一个中转室，例如8A。
接着，通过打开闸门阀G7，开放已经调整压力的中转室8A。而且，在中转室8A内的任何一组升降销，例如升降销40A～40C上，支持在处理装置内已进行了规定的处理，例如成膜处理或者蚀刻处理等处理结束的晶片，进行等待。
接着，驱动空状态的搬送臂32，利用拾取器32A取出在升降销40A～40C上等待的已处理过的晶片W。接着，驱动另一个搬送臂34，将保持在拾取器34A上的未处理的晶片W移动到另外一组的升降销38A～38C上。接着，通过第二搬送部件22将处理结束的晶片返回到原始盒子中。
另一方面，如果向升降销38A～38C上移动未处理的晶片W，就关闭闸门阀G7，将中转室8A密闭。接着，对中转室8A进行真空排气，调整压力，之后，开放闸门阀G5，由此与预先成为真空环境的共同搬送室6内连通。接着，通过共同搬送室6内的第一搬送部件14接收未处理的晶片W。由于第一搬送部件14具有两个拾取器14A、14B，所以在第一搬送部件14保持处理结束的晶片的情况下，可进行该处理结束的晶片和未处理的晶片的置换。
接着，例如在各个处理装置4A～4D中，对未处理的晶片W按顺序进行需要的处理。如果结束需要的处理，就将该处理完的晶片W通过所述相反的路线返回到原始盒子中。这种情况下，可以通过两个中转室8A、8B内的任何一个。另外，在各个中转室8A、8B内保持处理结束的晶片W的情况下，由与保持未处理的晶片W的组不同的组的升降销40A～40C来保持。由此，能够尽可能地抑制未处理的晶片W被薄膜等污染物所污染。
接着，具体说明中转室8A内的晶片W的交接。而且，在另外一个中转室8B内也进行同样的晶片交接。
在本实施方式中，如上述那样，未处理的晶片W和处理结束的晶片W使用不同组的升降销来防止晶片W的污染。例如，利用一个底座38上所配设的三个升降销38A～38C来专门地支持未处理的晶片W，利用在另一个底座40上所配设的三个升降销40A～40C来专用地支持处理结束的晶片W。以下，以从导入侧搬送室10导入未处理的晶片W，将处理完的晶片W和未处理的晶片W进行更换的情况为例来进行说明。
首先，使支持处理完的晶片W的一个底座40的升降销40A～40C上升，使另一个底座38的空的升降销38A～38C下降。在这种状态下，空的拾取器32A向着中转室8A内沿着水平方向进出，将其插入处理完的晶片W的下方(晶片W和底座40之间)。接着，通过使升降销40A～40C下降，将处理完的晶片W向拾取器32A侧转移。接着，拾取器32A后退，从中转室8A内撤离。
接着，使保持未处理晶片W的另一拾取器34A向中转室8A内沿着水平方向进出。接着，使一直处于下降状态的另一底座38上升，通过升降销38A～38C将未处理的晶片W从其下方向上突出支持。接着，使空的拾取器34A从中转室8A后退。这样，能够更换处理完的晶片W和未处理的晶片W。而且，即使在共同搬送室6和中转室8A之间移换晶片W的情况下，也基本上与上述相同地操作。
在上述操作中，升降销38A～38C从第二搬送部件22接收未处理的晶片W之后，直到向第一搬送部件14交接同一晶片W，持续地支持该同一晶片W。其间，升降销40A～40C不支持晶片W。另一方面，升降销40A～40C在从第一搬送部件14接受处理完的晶片W之后，直到向第二搬送部件22交接同一晶片W，持续地支持同一晶片W。其间，升降销38A～38C不支持晶片W。即，升降销38A～38C和升降销40A～40C择一地支持晶片W。关于这一点，后面描述的各个实施方式也相同。而且，将升降销38A～38C和升降销40A～40C这两组的哪一组用于未处理的晶片W或者用于处理完的晶片W，能够任意设定。
在第一实施方式中，在多个例如两个底座38、40上分别配设例如三个升降销38A～38C、40A～40C。一组的升降销38A～38C专门用于未处理的晶片W，另一组的升降销40A～40C专门用于处理完的晶片W。为此，能够防止未处理的晶片W由薄膜物质或者微粒所污染。
另外，万一一个底座或者致动器发生故障，通过连续升降另一个底座，能够进行与上述相同的晶片W的移换。因此，能够成为自由度大的使用方式。
而且，在第一实施方式中，配设两个底座38、40，但还可设置与两个底座38、40不干扰的第三或者三个以上的底座，也可以在其上同样地配设使用升降销。
在所述背景技术中所示的各个公报中所公开的支持机构具有用于升降晶片的两个升降台，同时使用两个升降台来搬送晶片。为此，在这些支持机构中，难于根据情况高自由度地使用。具体地说，例如特开平9-223727号公报中所公开的支持机构具有独立操作的两组被处理基板的支持部件(支持销)。该两组支持部件，协作地同时支持一个被处理基板，或者使得一个支持部件支持处理前的被处理基板，同时另一个支持部件支持处理后的被处理基板。
与此相对，利用第一实施方式的基板支持机构，为了将具有实质相同的水平坐标位置的被处理基板W在搬送装置之间移动，且支持它们，配设不相互干扰的两组(多个)被处理基板的支持部件(这里，对应两个底座38、40)。该两组(多个)被处理基板的支持部件择一地支持被处理基板(同时仅一个支持部件支持被处理基板)。即，在一个支持部件支持被处理基板时，另一个支持部件不支持被处理基板。因此，第一实施方式的支持机构为与上述现有技术构造完全不同的构成。关于这一点，后面所述的各个实施方式也同样。
(第二实施方式)在第一实施方式中，在多个例如两个底座上，分别配设多个例如三个升降销38A～38C、40A～40C。代替它们，能够对各个升降销38A～38C和40A～40C一对一地配设致动器。图6是示意性表示基于该观点的本发明的第二实施方式的支持机构的致动器的排列的图。图7是表示图6所示的支持机构中的升降销的排列的平面图。
如图6所示，各个升降销38A～38C和40A～40C分为两个组，即第一组的升降销38A～38C和第二组的升降销40A～40C。在各个升降销的下方，对应于各个升降销配设致动器80A～80C和82A～82C。
如图7所示，各个致动器80A～80C和82A～82C配置在同一圆周上，在图6中为了容易理解，平面地表示。而且，也可以将一组的致动器80A～80C和另外一组的致动器82A～82C配置到不同的同心圆上。各个升降销38A～38C和40A～40C与各个致动器80A～80C和82A～82C的各个往复杆84A～84C和86A～86C的前端分别连接。
各个致动器80A～80C和82A～82C通过升降控制部68来控制升降操作。而且，在各个往复杆84A～84C和86A～86C的与中转室底部44相对的贯通部，配设各个波纹管88。
与一组内的升降销38A～38C连接的致动器80A～80C同步地升降。同样的，与另一组内的升降销40A～40C连接的致动器82A～82C同步地升降。致动器80A～80C的组和致动器82A～82C的组能够分别独立地控制升降操作。
在第二实施方式的情况下，也能够对一组升降销的每个，即升降销38A～38C的每个或者升降销40A～40C的每个，同步控制其升降操作。通过这样，能够发挥与所述第一实施方式的情况相同的作用效果。例如，能够将一组升降销38A～38C专用于未处理的晶片W的移动，另外一组的升降销40A～40C专用于处理结束的晶片W的移动。
(第三实施方式)在第一实施方式中，在例如两个的多个底座上配设例如三个的多个升降销38A～38C、40A～40C。代替这种形式，也可以全部省略升降销38A～38C和40A～40C，使底座38、40有作为保持板的功能，晶片W的里面直接与其上面接触并且支持。图8是表示基于此观点的本发明的第三实施方式的支持机构的底座(保持板)的平面图。
如图8所示，在两个底座38、40的表面上不配设升降销。底座38、40与晶片W的里面直接接触，支持晶片W。但是，这里应该注意的是，在晶片转移时，两个底座38、40与拾取器，例如拾取器32A不干扰。为此，图8所示的底座38、40的尺寸设定得比图3所示的第一实施方式的底座38、40的尺寸小。在这种情况下，也能够发挥与所述第一实施方式相同的作用效果。
(第四实施方式)在第二实施方式中，不配设底座，而使升降销与往复杆直接接触，在第三实施方式中，不配设升降销，由底座直接支持晶片。可将这两者的特征组合使用。图9是表示基于此观点的本发明的第四实施方式的支持机构的立体图。图10是图9所示的支持机构的平面图。
如图9和图10所示那样，关于与升降销38A、40A相关的构造，为与图6和图7所示的构造相同的构造。即，两个升降销38A、40A直接与各个致动器80A的往复杆84A和致动器82A的往复杆86A连接。与此相对，不配设其它的升降销38B、38C和40B、40C(参照图3)，该部分的功能由与图8的第三实施方式中所说明的相同的底座38、40来补充。即，利用底座38、40的里面直接支持晶片W的里面。但是，在这种情况下，各个底座38、40不是图4所示那样的数字“7”那样的形状，而是成为削除支持升降销38A、40A的部分那样的，例如“コ”字的形状。
这种情况下，一个升降销38A和底座38成为一组并且同步升降。另外，另外一个升降销40A和底座40成为一组并且同步升降。在这种情况下，也能够发挥与所述第一实施方式的情况相同的作用效果。
(第五实施方式)在第一到第四各个实施方式中，通常仅能处理一个晶片，不能同时处理两个晶片。但是，也可以另外配设辅助性的支持晶片的部分，使得能够同时处理例如两个的多个晶片。图11是表示基于此观点的本发明的第五实施方式的支持机构的立体图。图12是图11所示的支持机构的平面图。
如图11和图12所示那样，在中转室8A的中央部，配设第一到第四实施方式的支持机构的任何一个。在由该支持机构升降晶片W的升降区域的外侧配设一对往复杆90、92。各个往复杆90、92配置在与配设在中转室8A两侧的各个闸门阀G5、G7成90度的不同方向，使得在晶片搬出搬入时，插入的拾取器14A、14B和32A、34A不干扰。而且，在图11和图12中，表示了在中转室8A的中央部配设第一实施方式的支持机构的情况。在往复杆90、92的中转室底部44的贯通部，分别设置保持该室内的气密性且允许往复杆90、92的升降的波纹管94、96。
在两个往复杆90、92的下部，分别配设升降它们的致动器(未图示)，两者同步升降。两个往复杆90、92以比各个往复杆50、52还大的冲程来升降。而且，能够连接往复杆90、92的下端部而仅使用一个致动器。
在各个往复杆90、92的上端部，分别安装固定向着中转室8A的中心沿水平方向延伸的、例如陶瓷制成的支持板98、100。各个支持板98、100，在本实施方式中形成“T”字形，其上面与晶片W的里面直接接触，保持分别由第一和第二搬送部件14、22所转移的晶片W。而且，另一个中转室8B的支持机构也构成为与上述中转室8A的支持机构相同。
这样构成的第五实施方式，也如图11所示那样，例如将未处理的晶片W通过一对支持板98、100保持，在把它向上方抬高的状态，利用升降销38A～38C和40A～40C，能够进行第一实施方式所说明的那样的操作。即，在由支持板98、100抬高特定的晶片W而等待的状态下，能够在下方进行其它晶片的搬出搬入。因此，能够提高被处理基板的处理自由度。
(第六实施方式)在上述各个实施方式中，在使用多个具体地说两个底座38、40的情况下，将它们配置为在平面上看不重合。代替它们，为了减少平面的占有空间，将两个底座38、40配置为使得在平面上看重合，即，在上下方向重合也可。图13是表示基于该观点的本发明的第六实施方式的支持机构的立体图。图14是图13所示的支持机构的平面图。
如图13和图14所示，第一底座38位于第二底座40的上方，使得第一底座38和第二底座40在上下方向重叠。第一底座38通过其中央部的第一往复杆，例如杆50来支持。第二底座40通过其中央部的第二往复杆，例如杆52来支持。第一和第二往复杆50、52为同轴构造，能够相互向上下方向个别进行升降。而且，也可以不将两个杆50、52形成同轴构造，配置成相互平行。
第一往复杆50的下端，与第一致动器，例如致动器46(参照图2)连接。第二往复杆52的下端，与第二致动器，例如致动器48(参照图2)连接。在第一底座38和第二底座40之间，设置可伸缩的第一波纹管110，以覆盖第一往复杆50。在第二底座40和搬送室的底部(未图示)之间，设置可伸缩的第二波纹管112，以覆盖第二往复杆52。
第二底座40形成大致圆板状，配设从其周缘部立起的多个在示例中是三个的升降销40A～40C。升降销40A～40C的上端也从第一底座38向上方延伸，利用其上端来支持晶片W。升降销40A～40C以向着圆周方向大致相等的间隔配置在第二底座40的周缘部。
与此相对，第一底座38具有例如将正三角形的各个边向着中心侧弯曲而形成的变形三角形状，使得三个升降销40A～40C不干扰。第一底座38利用其上面与晶片W直接接触来支持它们。在第六实施方式中，在下方的第二底座40的升降销40A～40C的上端支持晶片W时，上升到第一底座38的上方。
在该第六实施方式的情况下，能够进行与第一实施方式所说明的相同的操作。即，利用第一底座38的上面和在第二底座40上配设的升降销40A～40C，能够择一地支持晶片W。
另外，由于将两个底座38、40配置为在上下方向重叠，可减小各个底座38、40且减小其所占有平面的区域。结果，在转移晶片时，即使使用前端开口较小的拾取器，拾取器与底座38、40也不干扰。另外，在晶片转移时，容易进行支持机构的升降控制。
而且，在第六实施方式中，利用第一底座38的上面来支持晶片，但也能够在第一底座38上配设升降销。图15是表示基于此观点的第六实施方式的变形例的支持机构的图。如图15所示，在第一底座38的周缘部立起配设多个，在图示例子中是三个的升降销38A～38C。升降销38A～38C利用它们的上端来支持晶片W。
而且，在以上各个实施方式中，在作为可真空排气的气密室的中转室8A、8B中配设支持机构。代替它们，也可以在导入侧搬送室10内的空闲空间或者共同搬送室6内的空闲空间内设置支持机构，作为晶片的临时等待场所来使用。
另外，在以上各个实施方式中，在由底座38、40或者支持板98、100来支持晶片的情况下，由它们的上面与晶片W的里面直接接触来支持晶片W。代替它们，也可以在它们的上面配设高度1mm左右、直径5mm左右的多个凸部，由这些凸部来支持晶片的里面。另外，也可以在它们的上面配设凹部，将晶片W收容到凹部内来支持。
另外，在以上各个实施方式中，控制部进行控制，使得由一个升降销或者底座来支持未处理的晶片W，由另外的升降销或者底座来支持处理完的晶片。代替这样，也可以对应于对晶片W进行的处理的种类(成膜、蚀刻等)，或者对应于晶片W的温度(晶片W的加热前后或者冷却前后)，或者对应于其它的晶片W的状态，分别使用多个升降销或者底座(在共同搬送室6等中使用各实施方式的支持机构的情况也考虑)。
另外，在以上各个实施方式中，各个升降销或者底座的材料相同。代替这样，对应于所支持的晶片的状态，对于每个升降销或者底座，也可以分别使用材料(例如耐热性的某种材料、导热性好的材料)。
另外，能够操作控制部，使得各个升降销或者底座所支持的晶片的个数大致相等。通过这样，能够延长晶片接触部的清洗周期，能够延长波纹管等支持机构的部件的寿命。另外，也可以在本发明的支持机构上附加使晶片W旋转的机构。
另外，在以上的各个实施方式中，作为被处理基板以半导体晶片为例子进行了说明，但不限于此，也能够将本发明适用于玻璃基板、LCD基板等。
权利要求
1.一种支持机构，用于在半导体处理系统中，与搬送臂协作来移送并载置被处理基板，其特征在于，具有分别能够升降且相对于所述搬送臂能接收基板的第一和第二保持部，所述第一和第二保持部配置为可在空间中彼此不干扰地在垂直方向上相对移动，保持具有实质相同的水平坐标位置的基板；使所述第一和第二保持部分别升降的第一和第二驱动部；以及控制所述第一和第二驱动部的控制部，所述控制部控制所述第一和第二驱动部，使得由所述第一和第二保持部来择一地保持基板。
2.根据权利要求1所述的支持机构，其特征在于，所述第一和第二保持部分别具有多个升降销，在它们的上端载置基板。
3.根据权利要求1所述的支持机构，其特征在于，所述第一和第二保持部分别具有保持板，在其上面载置基板。
4.根据权利要求1所述的支持机构，其特征在于，所述第一和第二保持部的一个具有多个升降销，在它们的上端载置基板，所述第一和第二保持部的另一个具有保持板，在其上面载置基板。
5.根据权利要求1所述的支持机构，其特征在于，所述第一和第二保持部分别具有升降销和保持板，在所述升降销的上端和保持板的上面载置基板。
6.根据权利要求2所述的支持机构，其特征在于，所述第一和第二保持部分别具有底座，所述多个升降销在所述底座上立起。
7.根据权利要求6所述的支持机构，其特征在于，所述第一和第二保持部的所述底座配置为从平面上看互相不重叠，并且具有彼此相对且超过相互的前端部而延伸的延长部，在所述延长部的前端部附近支持一个升降销。
8.根据权利要求6所述的支持机构，其特征在于，所述第一和第二保持部的所述底座上下重叠地配置，并且通过驱动杆而分别升降。
9.根据权利要求3所述的支持机构，其特征在于，所述保持板具有彼此相对且超过相互的前端部而延伸的延长部，使得在平面上看相互不重叠。
10.根据权利要求4所述的支持机构，其特征在于，所述多个升降销配置为包围所述保持板的中心轴。
11.根据权利要求10所述的支持机构，其特征在于，所述多个升降销被配置在所述保持板下方的底座所支持，所述保持板和所述底座通过驱动杆而分别升降。
12.根据权利要求8或11所述的支持机构，其特征在于，所述驱动杆形成同轴构造。
13.根据权利要求2所述的支持机构，其特征在于，所述多个升降销通过属于所述第一和第二驱动部的任一个的、与所述升降销相同数量的致动器来分别驱动。
14.根据权利要求2所述的支持机构，其特征在于，所述多个升降销实质上在相同圆周上实质等间隔地配置。
15.根据权利要求1所述的支持机构，其特征在于，还具有一对可升降的辅助保持部，其夹着所述第一和第二保持部而配设，用于保持基板，所述一对辅助保持部在比所述第一和第二保持部保持基板的位置更靠上方的位置来保持基板。
16.根据权利要求1所述的支持机构，其特征在于，所述第一和第二保持部配设在可真空排气的气密室内，所述第一和第二驱动部配置在所述气密室外，且通过驱动杆与所述第一和第二保持部分别连接，在所述驱动杆贯通所述气密室的部分，配设为了保持所述气密室内的气密性而能够伸缩的波纹管。
17.根据权利要求1所述的支持机构，其特征在于，所述控制部控制所述第一和第二驱动部，使得由所述第一和第二保持部所支持的基板个数大致相同。
18.根据权利要求1所述的支持机构，其特征在于，所述控制部控制所述第一和第二驱动部，使得通过所述第一保持部来支持处于第一状态的多个基板，通过所述第二保持部来支持处于第二状态的多个基板。
全文摘要
在半导体处理系统中，支持机构(12A)用于与搬送臂(32)协作来移送被处理基板(W)。支持机构包括分别能升降且相对搬送臂能够接收基板的第一和第二保持部(38A～38C、40A～40C)。第一和第二保持部配置为能够在空间中相互不干扰地在垂直方向相对移动，保持具有实质相同水平坐标位置的基板。支持机构还包括分别升降第一和第二保持部的第一和第二驱动部(46、48)，以及控制第一和第二驱动部的控制部(68)，所述控制部控制第一和第二驱动部，使得利用所述第一和第二保持部来择一地保持基板。
文档编号H01L21/677GK1639855SQ0380458
公开日2005年7月13日 申请日期2003年1月29日 优先权日2002年2月25日
发明者广木勤, 佐伯弘明 申请人:东京毅力科创株式会社