专利名称：静电放电防护结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，特别是一种薄膜晶体管液晶显示器的静电放电防护结构。
背景技术：
在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的制造过程中，静电放电防护(Electro-Static Discharge，ESD)一直是不可轻忽的课题，一不小心，将造成难以想象的不合格损失。静电放电防护(ESD)观念的产生，主要是因为显示器的基板是以玻璃为主要材质，而玻璃是一绝缘物质(其导电率仅为10-14S/cm)，换言之，静电消除速度(Decay Rate)相当的慢。当玻璃基板表面因连串的制程步骤(如干式蚀刻)以及基板的运送过程中，基板表面上将累积不少静电荷的存在，除非有适当的放电通道，否则静电荷会一直停留在玻璃基板表面上。在显示器朝更大面板尺寸的目标迈进时，基板上积累的静电荷只会越来越多，如何以静电放电防护的措施解决基板带电的问题，将会是制程中非常重要的课题。
如图1所示，是习知技术中于制作有画素阵列的玻璃基板上的静电防护设计示意图。如图所示，画素阵列是由多个画素单元10所组成，请同时参考图2，是单一画素单元的组成组件示意图，该画素单元10是包含一薄膜晶体管(TFT)101、一储存电容102以及一液晶层103。阵列中各画素单元10的薄膜晶体管的闸极，是连接至阵列上的扫描线(scan line)12，漏极则连接至阵列上的信号线(data line)16。
其中，阵列上关于静电放电防护的设计有二一是制作于扫描线12一侧的第一梳形金属带14；另一个则是制作于信号线16一侧的第二梳形金属带18。两者的防护设计是同样的原理，以信号线16一侧的第二梳形金属带18为例，各信号线16的末端是制作成尖锐状，并与第二梳形金属带18的各短边18a的尖锐末端成相对之势。末端制作成尖锐状的作用是可将玻璃基板上存在的静电荷，通过电荷易于尖端处产生放电效应，藉此将静电荷自玻璃基板处放电出来，而达到静电放电防护的效果。
上述习知的做法仅能被动的做静电放电防护，且各列扫描线12与各行信号线16和对应梳形金属带的尖端放电现象并不易发生(一般来说要累积到7kV的高电压，才有可能发生放电现象)。请同时参考图3，是区域19中关于信号线16与第二梳形金属带18的一短边18a末端的结构剖面图，其中信号线16与第二梳形金属带18的一短边18a末端制成尖锐状的结构，是利用尖端处易积聚大量的静电荷，再藉由绝缘层24的雪崩(breakdown)达成放电的结果，但是绝缘层24的材质通常为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，其导电性普遍很差，导致尖端放电现象不易发生，而使静电放电防护效果不佳。
此外，依据经验法则，静电放电伤害事件多半发生在画素阵列的边缘处，以上述习知技术而言，画素阵列的边缘处仍是显示区域20的一部分，这将导致显示区域20边缘的多个画素单元10将遭遇静电放电伤害事件，进而影响显示器的整体显像品质。有鉴于此，本发明提供一种静电放电防护的设计，让静电荷能有固定的放电路径，不使发生在显示器的显示区域内。
发明内容
本发明的目的为提供一种静电放电防护的结构。
本发明的又一目的为提供一种静电放电防护结构，其中藉由空置画素单元、空置信号线或空置扫描线的制作，即使发生静电放电事件，也不致影响显示器的显像品质。
本发明的再一目的为提供一种静电放电防护结构，其中藉由非晶硅层的雪崩放电现象，让静电放电防护有较佳的效果。
本发明的另一目的为提供一种静电放电防护结构，其中藉由放电电容的设计，增加静电放电防护的效果。
本发明的上述目的是由如下技术方案来实现的。
一种静电放电防护结构，是制作于薄膜晶体管液晶显示器的玻璃基板上，该玻璃基板上于显示区域范围内具有由多个画素单元所组成的一画素阵列、多个扫描线以及多个信号线，其中每个该画素单元的薄膜晶体管的闸极是连接至对应列的每个该扫描线，每个该画素单元的薄膜晶体管的漏极则连接至对应行的每个该信号线，该静电放电防护结构的特征是包含一第一梳形金属带，是制作于显示区域外，其中该第一梳形金属带的多个短边是各自正对于该多个信号线，且每个该短边的末端与对应的每个该信号线的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷；以及一非晶硅层，是制作于该第一梳形金属带的一特定短边与对应的该信号线的下方，用以电性连接该特定短边与该对应信号线，通过该特定短边与该对应信号线的尖锐末端的尖端放电效应，造成该非晶硅层的雪崩放电，让静电荷得以耗散。
所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含多个空置画素单元，是制作于显示区域外，其中每个该空置画素单元的薄膜晶体管的闸极是连接至对应列的每个该扫描线，每个该空置画素单元的薄膜晶体管的漏极则连接至对应行的每个该信号线，用以做为诱发静电放电发生的区域。
所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一空置信号线，是制作于显示区域外，用以做为诱发静电放电发生的区域。
所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一第二梳形金属带，是制作于显示区域外，其中该第二梳形金属带的多个短边是各自正对于该多个扫描线，且每个该短边的末端与对应的每个该扫描线的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷。
所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一放电电容，是由该第二梳形金属带、该第一梳形金属带与一绝缘层所组成，其中该第二梳形金属带与该第一梳形金属带的长边末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷，当积聚的静电荷到达一定量时，藉由该绝缘层的雪崩放电，达成静电放电防护。
一种静电放电防护结构，是制作于薄膜晶体管液晶显示器的玻璃基板上，该玻璃基板上于显示区域范围内具有由多个画素单元所组成的一画素阵列、多个扫描线以及多个信号线，其中每个该画素单元的薄膜晶体管的闸极是连接至对应列的每个该扫描线，每个该画素单元的薄膜晶体管的漏极则连接至对应行的每个该信号线，该静电放电防护结构至少包含多个空置画素单元，每个该空置画素单元的薄膜晶体管的闸极是连接至对应列的每个该扫描线，每个该空置画素单元的薄膜晶体管的漏极则连接至对应行的每个该信号线，用以做为诱发静电放电发生的区域；一第一梳形金属带，是制作于显示区域外，其中该第一梳形金属带的多个短边是各自正对于该多个信号线，且每个该短边的末端与对应的每个该信号线的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷；以及一非晶硅层，是制作于连接有该空置画素单元的信号线与该第一梳形金属带的对应短边的下方，用以电性连接该信号线与该对应短边，通过该信号线与该对应短边的尖锐末端的尖端放电效应，造成该非晶硅层的雪崩放电，让静电荷得以耗散。
所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一第二梳形金属带，是制作于显示区域外，其中该第二梳形金属带的多个短边是各自正对于该多个扫描线，且每个该短边的末端与对应的每个该扫描线的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷。
所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一放电电容，是由该第二梳形金属带、该第一梳形金属带与一绝缘层所组成，其中该第二梳形金属带与该第一梳形金属带的长边末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷，当积聚的静电荷到达一定量时，藉由该绝缘层的雪崩放电，达成静电放电防护。
一种静电放电防护结构，是制作于薄膜晶体管液晶显示器的玻璃基板上，该玻璃基板上于显示区域范围内具有由多个画素单元所组成的一画素阵列、多个扫描线以及多个信号线，其中每个该画素单元的薄膜晶体管的闸极是连接至对应列的每个该扫描线，每个该画素单元的薄膜晶体管的漏极则连接至对应行的每个该信号线，该静电放电防护结构至少包含一空置信号线，是制作于显示区域外，且平行于最外侧的该信号线，用以做为诱发静电放电发生的区域；一第一梳形金属带，是制作于显示区域外，其中该第一梳形金属带的多个短边是各自正对于该多个信号线与该空置信号线，且每个该短边的末端与对应的每个该信号线与该空置信号线的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷；以及一非晶硅层，是制作于该空置信号线与该第一梳形金属带的对应短边的下方，用以电性连接该空置信号线与该对应短边，通过该空置信号线的尖锐末端与该对应短边的尖锐末端的尖端放电效应，造成该非晶硅层的雪崩放电，让静电荷得以耗散。
所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一第二梳形金属带，是制作于显示区域外，其中该第二梳形金属带的多个短边是各自正对于该多个扫描线，且每个该短边的末端与对应的每个该扫描线的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷。
所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一放电电容，是由该第二梳形金属带、该第一梳形金属带与一绝缘层所组成，其中该第二梳形金属带与该第一梳形金属带的长边末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷，当积聚的静电荷到达一定量时，藉由该绝缘层的雪崩放电，达成静电放电防护。
一种静电放电防护结构，是包含一基板；一绝缘层，是制作于该基板的上；
一非晶硅层，是制作于该绝缘层的上；一第一金属层，是制作于该非晶硅层上，其中在该第一金属层中具有一开口，用以裸露该非晶硅层；以及一保护层，是制作于该第一金属层与该非晶硅层的上；其中藉由该非晶硅层的雪崩放电，使得该第一金属层积聚的静电荷得以耗散。
所述的的静电放电防护结构，其特征是其中上述的第一金属层与该非晶硅层之间更包含一n型参杂层，用以降低该第一金属层与该非晶硅层间的肖基势垒。
所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一第二金属层，是制作于该基板与该绝缘层之间，该第二金属层中更具有一开口，用以裸露该基板，其中该第一金属层与该第二金属层之间是形成一电容结构，用以积聚静电荷。
所述的的静电放电防护结构，其特征是其中上述的第一金属层是用做一信号线与一第一梳形金属带的用。
所述的的静电放电防护结构，其特征是其中上述的第二金属层是用做一扫描线与一第二梳形金属带的用。
本发明的静电防护设计具有如下的优点1、本发明藉由非晶硅层的雪崩放电现象，较习知技术以绝缘层做为放电媒介，将有较佳的放电效果。
2、本发明通过制作于显示区域外侧的空置画素单元、空置信号线或空置扫描线，做为诱发静电放电的发生区域，使得即使发生静电放电事件，仍不致影响显示器的显像品质。
3、本发明增加放电电容结构，将使静电放电防护的效果更加完备。
4、本发明的静电放电防护结构，可于各层结构完成时，就具备静电放电防护的效果，可实时预防静电放电事件的发生。
藉由以下对具体实施例并结合附图的详细描述，将可轻易明了上述内容及此项发明的诸多优点。
图1为根据习知技术的静电伤害防护设计示意图；图2为单一画素单元的组成组件示意图，图3为根据习知技术于信号线与第二梳形金属带的结构剖面图；图4为根据本发明第一实施例的静电伤害防护设计的局部示意图；图5为根据本发明第一实施例于信号线与第一梳形金属带的结构剖面图；图6为根据本发明第一实施例的放电电容的结构剖面图；图7为根据本发明第二实施例的静电伤害防护设计的局部示意图；以及图8为根据本发明第二实施例于扫描线与第二梳形金属带的结构剖面图。
具体实施例方式
本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示器的静电放电防护结构，在本发明中，通过制作于显示区域外的空置(dummy)画素单元、空置信号线或空置扫描线，做为诱发静电放电发生的区域；再藉由金属尖端处得以积聚大量静电荷及非晶硅层的较佳雪崩放电现象，让显示器基板上存在的静电荷得以宣泄；另外更具有一放电电容结构，同样可以积聚静电荷并由一绝缘层达到放电的目的。因此，藉由上述三种结构将使静电放电防护的效果更为完备，且能同时维持显示器的显像品质。以下兹列举二较佳实施例以说明本发明，然熟悉此项技艺者皆知此仅为举例，而并非用以限定发明本身。有关此二较佳实施例之内容详述如下。
第一实施例请参考图4，是根据本发明第一实施例的静电放电防护设计的局部示意图。在本发明实施例中，关于静电放电防护的设计有三一是空置(dummy)画素单元32的制作；二是以非晶硅层38做为雪崩放电的媒介；三是于区域44的放电电容结构。
首先说明空置画素单元32的部分，是制作于显示区域30外侧周围，其中每个空置画素单元32(画素单元的组成组件可同时参考图2所示)的薄膜晶体管101的闸极是连接至所在位置对应列的扫描线35，其漏极则连接至所在位置对应行的信号线34或341。其作用在于诱发静电放电发生的区域，依据经验法则，静电放电事件发生的位置通常是在画素阵列的边缘区域，因此，在本发明实施例中，是以相同的制程条件于显示区域30外侧，制作空置画素单元32，让即使发生静电放电事件也不致影响到显示区域30的画素单元10，进而维持显示器的显像品质。另外，也可以相同概念制作空置(dummy)信号线与空置(dummy)扫描线，将在接下来的实施例说明的。
在本发明实施例中，关于静电放电防护结构的设计尚有以非晶硅层38做为雪崩放电的媒介，如图4所示，是于显示区域30外信号线34与信号线341的一侧，制作一第一梳形金属带36，其中该第一梳形金属带36的多个短边36a与361，是各自正对于信号线34与信号线341，且各短边36a与361的末端与对应的信号线34与信号线341的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷。其中在该第一梳形金属带36的一特定短边361与对应的信号线341的下方，更制作有一非晶硅层38用以电性连接该特定短边361与该对应信号线341，通过该特定短边361与该对应信号线341的尖锐末端的尖端放电效应，造成该非晶硅层38的雪崩放电，让静电荷得以耗散。
图5所示，是根据区域40的结构剖面图，用以说明该非晶硅层38的雪崩放电现象，该结构包含一基板41、一绝缘层43、一非晶硅层38、一n型参杂层45、一信号线341与第一梳形金属带36的短边361以及一保护层48。其中在制作信号线341与第一梳形金属带36的短边361时，是以同一金属层形成，故又以第一金属层命名的，并于制作时，使该第一金属层中具有一开口，用以裸露该非晶硅层38，使得信号线341与第一梳形金属带36的短边361同时完成。而第一金属层与该非晶硅层38之间的n型参杂层45，是为了降低该第一金属层与该非晶硅层38间的肖基势垒(schottky barrier)。
当上述结构完成后，藉由该非晶硅层38的雪崩放电，使得该信号线341与第一梳形金属带36的短边361尖端积聚的静电荷得以耗散，达到静电放电防护的效果。
最后，在本发明实施例的静电放电防护设计，关于放电电容的结构的部分，更包含于显示区域30外、扫描线35的一侧制作一第二梳形金属带42，其中该第二梳形金属带42的多个短边42a是各自正对于该扫描线35，且每个该短边42a的末端与对应的每个该扫描线35的末端是呈尖锐状，且该第二梳形金属带的长边42b末端与该第一梳形金属带的长边36b末端同样呈尖锐状，用以积聚静电荷。
如图6所示，是为区域44的结构剖面图，当第二梳形金属带的长边42b末端与第一梳形金属带的长边36b末端积聚大量静电荷时，由于上述两层结构间存在一绝缘层43，使得此一结构有如一电容结构(于本发明实施例是以放电电容命名的)。当积聚的静电荷到达一定量时，藉由该绝缘层43的雪崩放电，同样可以达到静电放电防护的效果。
第二实施例请参考图7，是根据本发明第二实施例的静电放电防护设计，在本发明实施例中，是于显示区域50的外侧且平行信号线52处，更制作一空置(dummy)信号线521，其中空置信号线521与信号线52之间距，仍须维持与制作有画素单元10的信号线的等同间距，用以做为诱发静电放电发生的区域。接着，与第一实施例相同的是，同样制作有一第一梳形金属带56与一第二梳形金属带58，且同样通过非晶硅层60的雪崩放电，达到静电放电防护的效果。另外，亦通过第一梳形金属带的长边56b与一第二梳形金属带的长边58b的尖锐末端重叠处，形成放电电容的结构，让静电放电防护的效果更为完备。
同样如图7所示，在本发明第二实施例中，在显示区域50外侧且平行扫描线54处，更制作一空置(dummy)扫描线541，增加此一空置扫描线541的作用在于，欲在此空置扫描线541与第二梳形金属带的短边581的尖锐末端处，同样制作一非晶硅层62，以增加静电放电防护的效果，但是空置扫描线541与第二梳形金属带的短边581的位置，与空置信号线521与第一梳形金属带的短边561的位置并不相同，所以空置扫描线541与第二梳形金属带的短边581的上方，须另行制作一金属层(第一金属层)，才能藉由非晶硅层62做雪崩放电。
请同时参考图8，是根据此区域68的结构剖面图，空置扫描线541与第二梳形金属带的短边581是制作于基板70的上，其中在制作空置扫描线541与第二梳形金属带的短边581时，是以同一金属层形成，故以第二金属层命名的，并于制作时，使该第二金属层中具有一开口，用以裸露该基板70，使得空置扫描线541与第二梳形金属带的短边581同时完成。接着依序形成绝缘层72与非晶硅层62。随后的金属层64与金属层66，是先形成一第一金属层于该非晶硅层62的上，再使该第一金属层中具有一开口，以裸露该非晶硅层62，使得金属层64与金属层66同时完成，最后再形成一保护层76于此结构的上方。
此外，金属层64与金属层66以及非晶硅层62间，更具有一n型参杂层74，是为了降低该金属层64与金属层66以及该非晶硅层74间的肖基势垒(schottky barrier)。由上述结构可知，金属层64与第二梳形金属带的短边581可形成一电容结构，同样地，金属层66与空置扫描线541可形成另一电容结构，上述电容结构可积聚静电荷，另外，金属层64与金属层66的尖锐末端亦有积聚静电荷的效果。因此，当电荷到达一定量时，一方面静电荷可藉由非晶硅层62的雪崩放电；另一方面，绝缘层72亦同时具有雪崩放电的效果，让静电放电防护的效果更为完备。
本发明虽以较佳实例阐明如上，然其并非用以限定本发明精神与发明实体仅止于上述实施例。是以，在不脱离本发明的精神与范围内所作的修改，均应包含在下述申请专利范围内。
权利要求
1.一种静电放电防护结构，是制作于薄膜晶体管液晶显示器的玻璃基板上，该玻璃基板上于显示区域范围内具有由多个画素单元所组成的一画素阵列、多个扫描线以及多个信号线，其中每个该画素单元的薄膜晶体管的闸极是连接至对应列的每个该扫描线，每个该画素单元的薄膜晶体管的漏极则连接至对应行的每个该信号线，该静电放电防护结构的特征是包含一第一梳形金属带，是制作于显示区域外，其中该第一梳形金属带的多个短边是各自正对于该多个信号线，且每个该短边的末端与对应的每个该信号线的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷；以及一非晶硅层，是制作于该第一梳形金属带的一特定短边与对应的该信号线的下方，用以电性连接该特定短边与该对应信号线，通过该特定短边与该对应信号线的尖锐末端的尖端放电效应，造成该非晶硅层的雪崩放电，让静电荷得以耗散。
2.根据权利要求1所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含多个空置画素单元，是制作于显示区域外，其中每个该空置画素单元的薄膜晶体管的闸极是连接至对应列的每个该扫描线，每个该空置画素单元的薄膜晶体管的漏极则连接至对应行的每个该信号线，用以做为诱发静电放电发生的区域。
3.根据权利要求1所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一空置信号线，是制作于显示区域外，用以做为诱发静电放电发生的区域。
4.根据权利要求1或2所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一第二梳形金属带，是制作于显示区域外，其中该第二梳形金属带的多个短边是各自正对于该多个扫描线，且每个该短边的末端与对应的每个该扫描线的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷。
5.根据权利要求4所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一放电电容，是由该第二梳形金属带、该第一梳形金属带与一绝缘层所组成，其中该第二梳形金属带与该第一梳形金属带的长边末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷，当积聚的静电荷到达一定量时，藉由该绝缘层的雪崩放电，达成静电放电防护。
6.一种静电放电防护结构，是制作于薄膜晶体管液晶显示器的玻璃基板上，该玻璃基板上于显示区域范围内具有由多个画素单元所组成的一画素阵列、多个扫描线以及多个信号线，其中每个该画素单元的薄膜晶体管的闸极是连接至对应列的每个该扫描线，每个该画素单元的薄膜晶体管的漏极则连接至对应行的每个该信号线，该静电放电防护结构至少包含多个空置画素单元，每个该空置画素单元的薄膜晶体管的闸极是连接至对应列的每个该扫描线，每个该空置画素单元的薄膜晶体管的漏极则连接至对应行的每个该信号线，用以做为诱发静电放电发生的区域；一第一梳形金属带，是制作于显示区域外，其中该第一梳形金属带的多个短边是各自正对于该多个信号线，且每个该短边的末端与对应的每个该信号线的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷；以及一非晶硅层，是制作于连接有该空置画素单元的信号线与该第一梳形金属带的对应短边的下方，用以电性连接该信号线与该对应短边，通过该信号线与该对应短边的尖锐末端的尖端放电效应，造成该非晶硅层的雪崩放电，让静电荷得以耗散。
7.根据权利要求6所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一第二梳形金属带，是制作于显示区域外，其中该第二梳形金属带的多个短边是各自正对于该多个扫描线，且每个该短边的末端与对应的每个该扫描线的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷。
8.根据权利要求7所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一放电电容，是由该第二梳形金属带、该第一梳形金属带与一绝缘层所组成，其中该第二梳形金属带与该第一梳形金属带的长边末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷，当积聚的静电荷到达一定量时，藉由该绝缘层的雪崩放电，达成静电放电防护。
9.一种静电放电防护结构，是制作于薄膜晶体管液晶显示器的玻璃基板上，该玻璃基板上于显示区域范围内具有由多个画素单元所组成的一画素阵列、多个扫描线以及多个信号线，其中每个该画素单元的薄膜晶体管的闸极是连接至对应列的每个该扫描线，每个该画素单元的薄膜晶体管的漏极则连接至对应行的每个该信号线，该静电放电防护结构至少包含一空置信号线，是制作于显示区域外，且平行于最外侧的该信号线，用以做为诱发静电放电发生的区域；一第一梳形金属带，是制作于显示区域外，其中该第一梳形金属带的多个短边是各自正对于该多个信号线与该空置信号线，且每个该短边的末端与对应的每个该信号线与该空置信号线的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷；以及一非晶硅层，是制作于该空置信号线与该第一梳形金属带的对应短边的下方，用以电性连接该空置信号线与该对应短边，通过该空置信号线的尖锐末端与该对应短边的尖锐末端的尖端放电效应，造成该非晶硅层的雪崩放电，让静电荷得以耗散。
10.根据权利要求9所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一第二梳形金属带，是制作于显示区域外，其中该第二梳形金属带的多个短边是各自正对于该多个扫描线，且每个该短边的末端与对应的每个该扫描线的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷。
11.根据权利要求10所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一放电电容，是由该第二梳形金属带、该第一梳形金属带与一绝缘层所组成，其中该第二梳形金属带与该第一梳形金属带的长边末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷，当积聚的静电荷到达一定量时，藉由该绝缘层的雪崩放电，达成静电放电防护。
12.一种静电放电防护结构，是包含一基板；一绝缘层，是制作于该基板的上；一非晶硅层，是制作于该绝缘层的上；一第一金属层，是制作于该非晶硅层上，其中在该第一金属层中具有一开口，用以裸露该非晶硅层；以及一保护层，是制作于该第一金属层与该非晶硅层的上；其中藉由该非晶硅层的雪崩放电，使得该第一金属层积聚的静电荷得以耗散。
13.根据权利要求12所述的的静电放电防护结构，其特征是其中上述的第一金属层与该非晶硅层之间更包含一n型参杂层，用以降低该第一金属层与该非晶硅层间的肖基势垒。
14.根据权利要求12所述的的静电放电防护结构，其特征是更包含一第二金属层，是制作于该基板与该绝缘层之间，该第二金属层中更具有一开口，用以裸露该基板，其中该第一金属层与该第二金属层之间是形成一电容结构，用以积聚静电荷。
15.根据权利要求12所述的的静电放电防护结构，其特征是其中上述的第一金属层是用做一信号线与一第一梳形金属带的用。
16.根据权利要求12所述的的静电放电防护结构，其特征是其中上述的第二金属层是用做一扫描线与一第二梳形金属带的用。
全文摘要
一种静电放电防护结构，其是制作于液晶显示器的基板上，并于显示区域范围内具有多个画素单元所组成的一画素阵列、多条扫描线与多条信号线，此静电放电防护结构包含一第一梳形金属带与一非晶硅层。此第一梳形金属带是制作于显示区域外，其中第一梳形金属带的短边是各自正对于信号线，且短边的末端与对应信号线的末端是呈尖锐状，用以积聚静电荷。一非晶硅层，是制作于第一梳形金属带的一特定短边与对应信号线下方，用以电性连接特定短边与对应信号线，通过短边与信号线的尖端放电，造成非晶硅层的雪崩放电，让静电荷得以耗散。
文档编号H01L21/00GK1529197SQ20031010195
公开日2004年9月15日 申请日期2003年10月17日 优先权日2003年10月17日
发明者罗长诚, 洪泓杰 申请人:友达光电股份有限公司