专利名称：平板显示器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种平板显示器，更具体地，本发明涉及一种有机电致发光显示器及其制造方法。
背景技术：
有机电致发光显示器(以下称之为OLED)是发射式显示器，其通过对荧光有机化合物进行电激发而发光。OLED可以根据驱动N×M(这里N和M是整数)像素阵列的方法分为无源阵列类型和有源阵列类型。有源阵列OLED要比无源阵列OLED耗能低且具有较高的分辩率，因此被应用于具有大显示面积的显示装置中。
图1是平面图，其示出传统有源阵列OLED所用的单位像素区域。
参考图1，扫描线125形成在基底上并且以某一方向定向。数据线135和平行的公共电源线131跨过所述扫描线125。所述数据线135和所述公共电源线131都与扫描线125绝缘。
每个单位像素区域都包括开关TFT(薄膜晶体管)140，其根据施加到所述扫描线125上的信号切换施加到所述数据线135的数据信号；电容145，将通过所述开关TFT140施加的数据信号保持一段特定的时间；像素驱动TFT150，其通过经所述开关TFT140施加的数据信号使电流流向像素电极170。在所述像素电极170上形成发射层(未示出)，并在所述发射层上形成相对的电极(未示出)。结果，形成有机发光二极管，其具有像素电极170、发射层和相对的电极。
图2是沿图1中线1-1截取的剖视图，示出用于制造所述OLED的传统方法。
参考图2，在基底100上形成缓冲层105。使用第一掩模在所述缓冲层105上形成半导体层110。在已经形成有半导体层110的基底的整个表面上形成栅极绝缘层115，使用第二掩模在所述栅极绝缘层115上形成栅极120。
接下来，在已经形成有栅极120的基底的整个表面上形成中间层125，使用第三掩模形成在所述中间层125中形成源/漏接触孔125a，以露出半导体层110的两端。随后使用第四掩模在中间层125上形成源/漏极130a、数据线135和公共电源线131。所述源/漏极130a分别通过所述源/漏接触孔125a连接到半导体层110的两端。
在包括源/漏极130a的整个表面上形成通孔绝缘层160，使用第五掩模在所述通孔绝缘层160中形成通孔160a，以露出源/漏极130a中的一个。随后使用第六掩模在通孔绝缘层160上形成像素电极170。像素电极170通过通孔160a连接到露出的源/漏极130a上。形成像素限定层175，以覆盖像素电极170，使用第七掩模在像素限定层175中形成开口175a，以露出像素电极170。
然后，在包括露出于开口175a中的像素电极170的基底整个表面上形成有机发射层200，并且在有机发射层200形成相对的电极220，从而制造出所述OLED。
因此，根据现有技术需要7个掩模来制造所述OLED。另外，需要形成将像素电极170连接到源/漏极130a的通孔160a和形成通孔绝缘层160的过程。这种复杂的过程增加了制造掩模的成本以及生产成本。
发明内容
发明提供一种平板显示器及其制造方法，其减少了制造所需的掩模数量并且简化了制造过程。
根据本发明的一实施例，提供一种平板显示器，包括基底和多个设置在所述基底上并且彼此交叉的信号线。通过每个信号线的交叉布置限定出的单位像素区域具有像素驱动电路区域和发射区域。像素驱动TFT被定位在所述像素驱动电路区域中并且包括具有第一端和第二端的半导体层，与所述半导体层的预定部分相对应的栅极形成在与信号线相同的层上。像素电极被电连接到所述像素驱动TFT，并且定位在所述发射区域中。
所述像素驱动TFT还包括源/漏极，其同时连接到所述半导体层的第二端以及所述信号线的任何一个上。连接到所述源/漏极的所述信号线可以是公共电源线。
为了提供到所述像素驱动TFT的电连接，所述像素电极可直接连接到所述半导体层的第一端。所述像素电极和所述源/漏电极可由相同材料形成。另外，所述像素电极和所述源/漏电极可具有一个传导层的层叠结构。
所述像素驱动TFT还进一步包括低阻抗电极，其同时连接到所述半导体层的第一端和所述像素电极上，所述像素电极可以通过所述低阻抗电极电连接到所述像素驱动TFT上。所述低阻抗电极和所述源/漏电极可由相同材料制成。另外，所述低阻抗电极和所述源/漏电极可由从包括铝、铝合金、钼和钼合金的组中所选择的一种材料制成。
所述栅极可位于所述半导体层上，所述平板显示器可进一步包括设置在半导体层和所述栅极之间的栅极绝缘层和位于所述栅极上以覆盖栅极和信号线的中间层。所述中间层可以是有机层、无机层以及有机和无机复合层中的一个。
所述平板显示器还进一步包括具有下电极和上电极的电容，下电极定位在与所述半导体层相同的层上，上电极定位在与所述栅极相同的层上。
在所述信号线的交叉区域中，所述信号线中的第一信号线包括多个第一信号图案，其分开在第二信号线的两侧上；以及，分别连接到第一信号图案且与第二信号线绝缘的互连线。
所述平板显示器可进一步包括有机功能层，其位于所述像素电极上且具有至少一个有机发射层。
根据本发明的另一个实施例，提供一种制造平板显示器的方法。该方法用于制造平板显示器，在该平板显示器中由多个信号线的交叉设置限定出单位像素区域，该方法包括设置具有单位像素区域的基底，在该单位像素区域中有像素驱动电路区域和发射区域。所述方法还进一步包括在所述像素驱动电路区域上形成具有第一端和第二端的半导体层；形成覆盖所述半导体层的栅极绝缘层；以及将栅极材料沉积在所述栅极绝缘层上。然后对所述栅极材料布图，从而形成对应于半导体层预定部分的栅极。在一个实施例中，同时形成所述信号线。
所述方法可进一步包括形成用于覆盖栅极和信号线的中间层；分别形成露出中间层中的所述半导体层的第一端和第二端的第一和第二接触孔；以及将像素电极材料沉积在包括接触孔的基底上。所述方法还进一步包括对像素电极材料进行布图，从而同时形成像素电极和源/漏极，其中，所述像素电极位于中间层上并且通过第一源/漏接触孔与所述半导体层的第一端相连，所述源/漏极通过第二源/漏接触孔与所述半导体层的第二端相连。
或者，该方法还可以包括形成覆盖所述栅极和信号线的中间层；形成分别漏出中间层中的所述半导体层的第一端和第二端的第一和第二源/漏接触孔；以及将低阻抗材料沉积在已经形成有所述接触孔的基底上。所述方法可进一步包括对所述低阻抗材料布图从而同时形成低阻抗电极和源/漏电极的步骤，所述低阻抗电极通过第一源/漏接触孔连接到半导体层的第一端，所述源/漏电极通过第二源/漏接触孔连接到半导体层的第二端。所述方法还进一步包括以下步骤将像素电极材料沉积在所述低阻抗电极和已经形成有所述源/漏电极的所述基底上；以及对所述像素电极布图以形成连接到低阻抗电极上的像素电极。
对本领域技术人员来说，通过结合附图对本发明优选实施例的详细说明会使本发明的上述和其它特点及优势更加显而易见。
图1是平面图，其示出传统有源阵列OLED；图2是其沿图1中线1-1的剖视图，示出根据现有技术的制造所述OLED的方法；图3示出根据本发明第一和第二实施例的OLED的平面图；图4A和图4B是沿图3中线1-1的剖视图，其示出根据本发明第一实施例的OLED及其制造方法；图5A和图5B是沿图3中线1-1的剖视图，其示出根据本发明第一实施例的OLED及其制造方法；图6A和图6B是沿图3中线1-1的剖视图，其示出根据本发明第二实施例的OLED及其制造方法；图7A和图7B是沿图3中线1-1的剖视图，其示出根据本发明第二实施例的OLED及其制造方法。
具体实施例方式
下面将结合示出本发明优选实施例的附图更全面地对本发明进行说明。虽然本发明可用不同的方式来实施，可是本发明不应受限于这里所述的实施例。而是，所提供的这些实施例会使得这种说明更加全面和完整，并且会向本领域技术人员传达本发明的范围。在附图中，当形容一个层形成在另一层或某一基底上时，这意味着所述层可能形成在所述另一层或所述基底上，或者一第三层被夹置在所述层和所述另一层或所述基底之间。在整个说明书中相同的附图标记指示相同的元件。
图3示出根据本发明第一和第二实施例的OLED的单位像素区域的平面图。
参考图3，单位像素区域由信号线所限定，所述信号线在基底上交叉设置。这些信号线包括以某一方向设置的数据线325，与所述数据线分开预定距离并且平行于数据线325设置的公共电源线327，以及一扫描线328，其跨过所述数据线325和所述公共电源线327。在所述扫描线328和数据线325或在所述扫描线328和所述公共电源线327之间的交叉区域中，所述扫描线328包括位于所述数据线325或所述公共电源线327两侧的扫描线图案329，从而彼此分开，以及通过线路接触孔330d连接到所述扫描线图案329且与所述数据线325或公共电源线327绝缘的互连线347。所述扫描线328选择一个单位像素进行驱动，并且所述数据线325向所选择的单位像素施加数据信号。
所述单位像素区域包括发射区域A和像素驱动电路区域B。有机发射二极管形成在所述发射区域A中。另外，开关TFT445、电容443和像素驱动TFT441形成在所述像素驱动电路区域B中，其中开关TFT445用于根据施加到所述扫描线的信号切换施加到所述数据线325的数据信号，电容443用于将通过所述开关TFT445施加的数据信号保持一段预定的时间，像素驱动TFT441用于通过经由所述开关TFT445施加的数据信号的方式向有机发光二极管施加驱动信号。
所述有机发光二极管包括像素电极350、具有形成在所述像素电极350上的有机发射层的有机功能层(未示出)和相对的电极(未示出)。所述像素驱动TFT441包括半导体层310、栅极320以及源/漏极345。所述像素电极350延伸至所述像素驱动电路区域B，该区域通过第一源/漏接触孔330a被连接到所述半导体层310的第一端。另外，所述源/漏极345通过连接接触孔330c连接到所述公共电源线327并且通过第二源/漏接触孔330b同时连接到半导体层310的第二端。
或者，所述像素驱动TFT441可包括所述半导体层310、所述栅极320、低阻抗电极(未示出)以及所述源/漏极345。在这个实施例中，所述低阻抗电极定位在所述像素电极350下面且连接到所述像素电极350和所述半导体层310的第一端。
所述电容443包括连接到所述像素驱动TFT441的栅极320的上电极321，以及下电极311。所述下电极311通过所述接触孔和电容互连线341电连接到所述公共电源线327。所述开关TFT445包括连接到扫描线的栅极323；半导体层313；通过接触孔分别连接到所述电容443的上电极321和半导体层313一端的源/漏极349；以及；通过接触孔分别连接到数据线325和和半导体层313另一端的源/漏极348。
图4A和图4B是沿图3中线1-1的剖视图，其示出根据本发明一实施例的制造OLED的方法。图5A和图5B是沿图3中线1-1的剖视图，其示出根据本发明一实施例的制造OLED的方法。
参考图4A和图5A，所提供的基底300包括发射区域A，像素驱动电路区域B，以及除发射区域A和像素驱动电路区域B之外的信号线区域。所述基底300可由玻璃或塑料形成。缓冲层305形成在所述基底300上。所述缓冲层305保护在后续过程中形成的TFT不受从所述基底300流出的诸如碱离子的杂质的影响，并且可由二氧化硅层或氮化硅层形成。
优选的是，将无定形硅层沉积在所述像素驱动电路区域B的缓冲层305上并且使其结晶，从而形成多晶硅层。使用第一掩模对所述多晶硅层进行布图，从而形成具有第一端310a和第二端310b的半导体层310以及下电极311。然后，在包括所述半导体层310和下电极311的整个表面上形成栅极绝缘层315。所述无定形硅层可通过受激准分子激光退火(ELA)、顺序横向固化(SLS)、金属诱发结晶(MIC)或金属诱发横向结晶(MILC)结晶。
然后，用第二掩模在所述栅极绝缘层315上沉积栅极材料并对其进行布图，从而形成对应于所述半导体层310的预定部分的栅极320。形成所述栅极320时形成对应于所述下电极311的上电极321。另外，在所述信号线区域上形成数据线325、公共电源线327和扫描线图案329。结果，所述栅极320和信号线、即所述数据线325，所述公共电源线327和所述扫描线图案329形成在相同的层中。所述栅极材料优选地是从包括铝、铝合金、钼和钼合金的组中所选择的一种材料。更优选地是，所述栅极材料是钼钨合金(Mo-W)。
然后，形成中间层330以覆盖所述栅极320、上电极321、数据线325、公共电源线327和扫描线图案329。所述中间层330可由有机层、无机层或有机和无机复合层而形成。所述中间层330优选地通过将有机层叠加在无机层上而构成的有机和无机复合层形成。所述有机层优选的是BCB(苯并环丁烯)层，所述无机层优选的是二氧化硅层或氮化硅层。
然后，通过第三掩模在所述中间层330和所述栅极绝缘层315中形成第一源/漏接触孔330a和第二源/漏接触孔330b，从而分别露出出半导体层310的第一端310a和第二端310b。同时，在所述中间层330中形成用于露出信号线区域的公共电源线327的连接接触孔330c以及用于露出位于所述数据线325两侧处的扫描线图案329的线接触孔330d。
像素电极材料被沉积在形成有所述接触孔330a，330b，330c和330d的基底上，并且使用第四掩模对其进行布图以形成像素电极350、源/漏极345和互连线347。像素电极350被定位在发射区域A的中间层330上并且延伸到所述像素驱动电路区域B，从而通过第一源/漏接触孔330a直接连接到半导体层310的第一端310a。所述源/漏极345被定位在所述像素驱动电路区域B的中间层330上，从而使其通过第二源/漏接触孔330b连接到半导体层310的第二端310b并且同样延伸到通过所述接触孔330c连接到所述公共电源线327的信号线区域。结果，形成像素驱动TFT，其包括半导体层310、栅极320、所述像素驱动电路区域B的像素电极350以及源/漏电极345。
所述互连线347被定位在所述信号线区域上的所述中间层330上，且分别与数据线325绝缘，以及通过线接触孔330c被连接到扫描线图案329。
所述像素电极材料可以是铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。另外，所述像素电极材料可以是镁，钙，铝，银，钡或所述金属的合金。在这种情况下，所述像素电极350和所述源/漏极345可形成为一种导电层的叠结构。或者，所述像素电极材料包括第一像素电极材料和层叠在第一像素电极材料上的第二像素电极材料。在这种情况下，所述像素电极350和所述源/漏极345由两个传导层的层叠结构形成。所述第一像素电极材料优选的是AlNd，第二像素电极材料优选的是ITO或IZO。或者，所述像素电极350和所述源/漏电极345可通过将不少于三种材料的像素电极材料顺序沉积而形成为具有三层或更多层的传导层的层叠结构。
参考图4B和图5B，优选地，形成覆盖所述像素电极350、所述源/漏极345和所述中间层347的像素限定层375。该像素限定层375可从包括BCB、丙烯酸基聚合体(acrylic based polymer)和聚酰亚胺(polyimide)的组中所选择的一种形成。
接下来，使用第五掩模形成开口375a，以在像素限定层375中露出所述发射区域A的像素电极350。随后形成有机功能层400，以包括至少在所述开口375a中露出的像素电极350上的有机发射层。所述有机功能层400优选包括从由孔注射层(HIL，hole injection layer)、孔传输层(HTL，holetransporting layer)、孔阻挡层(HBL，hole blocking layer)、电子传输层(ETL，electron transporting layer)和电子注射层(EIL，electron injection layer)组成的组中选取的至少一个。然后在所述有机功能层400上形成相对的电极420。结果，制成有机发光二极管440，其具有所述像素电极350、所述相对电极420和设置在所述像素电极和所述相对电极之间的有机功能层400。
在上述的实施例中，总共使用五个掩模用来制备所述OLED。另外，所述像素电极350形成为通过第一源/漏接触孔330a直接地连接到所述像素驱动TFT的半导体层310，这就排除了形成通孔(图2中的160a)的过程和形成设置有通孔106a的通孔绝缘层(图2中的160)的过程。
图6A和图6B是沿图3中线1-1的剖视图，其示出根据本发明第二实施例的一种制造所述OLED的方法；图7A和图7B是沿图3中线1-1的剖视图，其示出根据本发明第二实施例的一种制造所述OLED的方法。
参考图6A和图7A，提供的基底300包括发射区域A，像素驱动电路区域B，以及除发射区域A和像素驱动电路区域B以外的信号线区域。所述基底300可由玻璃或塑料形成。缓冲层305形成在所述基底300上。所述缓冲层305保护在后续过程中形成的TFT不受从所述基底300流出的诸如碱离子的杂质的影响，并且可由二氧化硅层或氮化硅层形成。
优选地，将无定型硅层沉积在所述像素驱动电路区域B的缓冲层305上且使其结晶，从而形成多晶硅层。利用第一掩膜对所述多晶硅层进行布图，以形成具有第一端310a和第二端310b和下电极311的半导体层。然后，在包括半导体层310和下电极311的整个表面上形成栅极绝缘层315。所述无定形硅层可通过受激准分子激光退火(ELA)、顺序横向固化(SLS)、金属诱发结晶(MIC)或金属诱发横向结晶(MILC)结晶。
随后，栅极材料被沉积在所述栅极绝缘层315上且使用第二掩模对其进行布图，从而使形成的栅极320对应于半导体层310的预定部分，所述栅极320形成时形成对应于下电极311的上电极321。另外，数据线325，公共电源线327和扫描线图案329形成在信号线区域上。结果，所述栅极320和所述信号线，即所述数据线325，所述公共电源线327和所述扫描线图案329形成在相同的层中。所述栅极材料优选地是从包括铝、铝合金、钼和钼合金的组中所选择的一种材料。更优选地是，所述栅极材料是钼钨合金(Mo-W)。
然后形成中间层330，以覆盖所述栅极320、上电极321、数据线325、公共电源线327和扫描线图案329。所述中间330可由有机层、无机层或有机和无机复合层形成。所述中间层330优选地通过将有机层叠加在无机层上而构成的有机和无机复合层形成。所述有机层优选的是BCB(苯并环丁烯)层，以及所述无机层优选的是二氧化硅层或氮化硅层。
然后，通过第三掩模在所述中间层330和所述栅极绝缘层315中形成第一源/漏接触孔330a和第二源/漏接触孔330b，从而分别露出半导体层310的第一端310a和第二端310b。同时，在所述中间层330中形成露出信号线区域的公共电源线327的连接接触孔330c和用于露出位于所述数据线325两侧处的扫描线图案329的线接触孔330d。
低阻抗材料被沉积在形成所述接触孔330a、330b、330c和330d的基底上，并且使用第四掩模对其进行布图，从而形成低阻抗电极346、源/漏极345和互连线347。所述低阻抗电极346被定位在所述像素驱动电路区域B的中间层上，从而使其通过第一源/漏接触孔330a连接到半导体层310的第一端310a。另外，所述低阻抗电极346可形成为延伸到所述发射区域A的中间层330上。所述源/漏极345被定位在所述像素驱动电路区域B的中间层330上，其通过第二源/漏接触孔330b连接到所述半导体层310的第二端310b，并同时延伸到所述信号线区域，用于通过所述连接接触孔330c与所述公共电源线327相连。结果，制成像素驱动TFT，其包括半导体层310、栅极320、低阻抗电极346和源/漏极345。
所述互连线347形成在所述信号线区域的所述中间层330上并且与数据线325绝缘，还通过线接触孔330c连接到扫描线图案329。
所述低阻抗电极材料具有低于ITO的特定阻抗，且优选的是由从包括铝、铝合金、钼和钼合金的组中所选择的一种材料。更优选地是，所述低阻抗材料是钼钨合金(Mo-W)。同样地，所述低阻抗电极346，所述源/漏极345和所述互连线347使用上述低阻抗材料形成，这就使接触阻抗和互连阻抗相对于第一实施例减少。
接下来，使用第五掩模在发射区域A的中间层330上形成像素电极350。所述像素电极350可通过使用荫罩板(即第五掩模)将像素电极材料真空沉积在所述基底的整个表面上或通过将所述像素电极材料层叠在所述基底的整个表面上而形成，并且通过光掩膜(即第五掩模)对其进行布图。所述像素电极350被形成为连接到中间层330上的下位阻抗电极346。当所述下位阻抗电极346延伸到所述发射区域A时，所述像素电极350可优选地形成在所述下位阻抗电极346上。
所述像素电极材料可以是铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。另外，所述像素电极材料可以是镁，钙，铝，银，钡或所述金属的合金。在这种情况下，所述像素电极350可形成为一种传导层的层叠结构。或者，所述像素电极材料包括第一像素电极材料和层叠在第一像素电极材料上的第二像素电极材料。在这种情况下，所述像素电极350形成为两个传导层的层叠结构。所述第一像素电极材料优选的是AlNd，所述第二像素电极材料优选的是ITO或IZO。
参考图6B和图7B，优选的是形成用于覆盖所述像素电极350、所述低阻抗电极346、所述源/漏极345和互连线347的像素限定层375。该像素限定层375可从包括BCB、丙烯酸基聚合体和聚酰亚胺的组中所选择的其中一种形成。
接下来，使用第六掩模形成开口375a，以在像素限定层375中露出所述发射区域A的像素电极350。随后形成有机功能层400，其包括至少一个位于在所述开口375a中露出的像素电极350上的有机发射层。所述有机功能层400优选包括孔注射层(HIL)、孔传输层(HTL)、孔阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注射层(EIL)组中的至少一个。然后在所述有机功能层400上形成相对的电极420。结果，制成有机发光二极管440，其具有所述像素电极350、所述相对电极420、以及夹置在所述像素电极350和所述相对电极420之间的有机功能层400。
在本实施例中，总共使用六个掩模用来制备所述OLED。另外，所述像素电极350被形成为与中间层330上的低阻抗电极346相连，这就排除了形成通孔(图2中的160a)的过程和形成设置有通孔106a的通孔绝缘层(图2中的160)的过程。
根据上面所述的本发明，平板显示器可用减少数量的掩模制成。另外，可以排除形成将所述像素电极电连接到所述像素驱动TFT的通孔的过程以及形成设置有通孔的通孔绝缘层的过程。
本申请要求2003年11月28日提交的韩国专利申请No.2003-85845的优先权，该申请的公开内容被本申请引用作为参考。
权利要求
1.一种平板显示器，包括基底；设置在基底上彼此交叉的多个信号线；由信号线的交叉设置所限定并且具有像素驱动电路区域和发射区的单位像素区域；定位在所述像素驱动电路区域中的像素驱动TFT，所述像素驱动TFT包括具有第一端和第二端的半导体层，和对应于所述半导体层的预定区域的栅极，其中所述栅极与所述信号线形成在相同的层中；以及电连接到所述像素驱动TFT并且定位在所述发射层中的像素电极。
2.根据权利要求1所述的平板显示器，其中，所述信号线是数据线和公共电源线其中之一。
3.根据权利要求1所述的平板显示器，其中，所述像素驱动TFT还包括同时连接到所述半导体层的第二端和任何一个信号线的源/漏极。
4.根据权利要求3所述的平板显示器，其中，连接到源/漏极的所述信号线是公共电源线。
5.根据权利要求1所述的平板显示器，其中，所述像素电极直接连接到所述半导体层的第一端从而与所述像素驱动TFT电连接。
6.根据权利要求5所述的平板显示器，其中，所述像素驱动TFT进一步包括同时连接到所述半导体层的第二端和任何一个信号线的源/漏极。
7.根据权利要求6所述的平板显示器，其中，连接到源/漏极的所述信号线是公共电源线。
8.根据权利要求6所述的平板显示器，其中，所述像素电极和所述源/漏电极是由相同材料形成的。
9.根据权利要求6所述的平板显示器，其中，所述像素电极和所述源/漏极具有至少一种传导层的层叠结构。
10.根据权利要求1所述的平板显示器，其中，所述像素驱动TFT进一步包括低阻抗电极，其同时连接到所述半导体层的第一端和所述像素电极，并且所述像素电极通过低阻抗电极电连接到所述像素驱动TFT。
11.根据权利要求10所述的平板显示器，其中，所述像素驱动TFT进一步包括源/漏极，其同时连接到所述半导体层的第二端和任何一个信号线。
12.根据权利要求11所述的平板显示器，其中，连接到源/漏极的所述信号线是公共电源线。
13.根据权利要求11所述的平板显示器，其中，所述低阻抗电极和所述源/漏极由相同材料形成。
14.根据权利要求13所述的平板显示器，其中，所述低阻抗电极和所述源/漏极由从包括铝、铝合金、钼和钼合金的组中所选择的一种材料形成。
15.根据权利要求1所述的平板显示器，其中，所述栅极定位在所述半导体层上；以及所述平板显示器还包括；在所述半导体层和所述栅极之间的栅极绝缘层；以及设置在所述栅极上以覆盖所述栅极和所述信号线的中间层。
16.根据权利要求15所述的平板显示器，其中，所述中间层是有机层，无机层，以及有机和无机复合层其中之一。
17.根据权利要求16所述的平板显示器，其中，所述有机和无机复合层被构造成使所述无机层和有机层顺序层叠在一起。
18.根据权利要求16所述的平板显示器，其中，所述无机层是氧化硅层或氮化硅层。
19.根据权利要求16所述的平板显示器，其中，所述有机层是BCB(苯并环丁烯)层。
20.根据权利要求1所述的平板显示器，进一步包括电容，该电容包括下电极和上电极，下电极定位在与所述半导体层相同的层中，上电极定位在与栅极相同的层中。
21.根据权利要求1所述的平板显示器，其中，所述信号线中的第一信号线包括分开在第二信号线两侧上的多个第一信号图案；以及在所述信号线交叉区域中的互连线，所述互连线连接到第一信号图案，该图案分开在所述第二信号线的两侧上且与第二信号线绝缘。
22.根据权利要求1所述的平板显示器，进一步包括定位在所述栅极且具有至少一个有机发射层的有机功能层。
23.一种平板显示器，包括基底；设置在所述基底预定区域上且具有第一端和第二端的半导体层；设置在所述半导体层上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的栅极；设置在与所述栅极相同层中的多个信号线，所述信号线是数据线和公共电源线其中之一；用于覆盖所述栅极和所述信号线的中间层，该中间层具有第一源/漏接触孔以露出所述半导体层的第一端；以及设置在所述中间层上且通过第一源/漏接触孔电连接到所述半导体层第一端的像素电极。
24.根据权利要求23所述的平板显示器，进一步包括通过所述连接接触孔连接到所述信号线且通过第二源/漏接触孔连接到所述半导体第二端的源/漏极，其中中间层进一步包括用于露出所述半导体层第二端的第二源/漏接触孔，以及用于露出任何一个信号线的连接接触孔。
25.根据权利要求23所述的平板显示器，其中，所述像素电极通过所述第一源/漏接触孔直接地连接到所述半导体层的第一端。
26.根据权利要求23所述的平板显示器，进一步包括设置在所述像素电极下且通过第一源/漏接触孔直接连接到所述半导体层第一端的低阻抗电极，其中所述像素电极通过低阻抗电极与所述半导体层的第一端相连接。
27.一种制造平板显示器的方法，其单位像素区域由多个信号线的交叉设置限定，所述方法包括设置基底，所述基底具有单位像素区域，在所述单位像素区域中形成有像素驱动电路区域和发射区域；在所述像素驱动电路区域上形成具有第一端和第二端的半导体层；形成用于覆盖所述半导体层的栅极绝缘层；以及将栅极材料沉积在所述栅极绝缘层上并对其进行布图，从而同时形成对应于所述半导体层的预定部分的栅极和所述信号线。
28.根据权利要求27所述的方法，进一步包括形成用于覆盖所述栅极和所述信号线的中间层；在所述中间层中形成分别露出所述半导体层的第一端和第二端的第一和第二源/漏接触孔；将像素电极材料沉积在包括所述接触孔的所述基底上；并且对所述像素电极材料进行布图，从而同时形成像素电极和源/漏极，所述像素电极定位在所述中间层上且通过第一源/漏接触孔连接到所述半导体层的第一端，以及所述源/漏极通过所述第二源/漏接触孔连接到所述半导体层的第二端。
29.根据权利要求27所述的方法，进一步包括形成用于覆盖所述栅极和所述信号线的中间层；在中间层中分别形成露出所述半导体层第一端和第二端的第一和第二源/漏接触孔；将低阻抗材料沉积在已经形成有所述接触孔的所述基底上；以及对将所述低阻抗材料进行布图，从而同时形成低阻抗电极和源/漏极，其中低阻抗电极通过第一源/漏接触孔连接到所述半导体层的第一端，源/漏极通过第二源/漏接触孔连接到所述半导体层的第二端；以及将像素电极材料沉积在已经形成有所述低阻抗电极和源/漏极的所述基底上；以及对像素电极材料进行布图，将其形成低阻抗电极。
全文摘要
本发明公开一种平板显示器及其制造方法。所述平板显示器包括基底。信号线以阵列形式设置在所述基底上，由所述信号线的交叉设置所限定的单位像素区域具有像素驱动电路区域和发射区域。定位在所述像素驱动电路区域中的像素驱动TFT包括半导体层和对应于所述半导体层预定部分的栅极。所述栅极与所述信号线形成在相同的层中。电连接到所述像素驱动TFT的像素电极被定位在所述发射区域中。
文档编号H01L21/84GK1622716SQ20041009582
公开日2005年6月1日 申请日期2004年11月26日 优先权日2003年11月28日
发明者金得钟, 黄义勋 申请人:三星Sdi株式会社