电光装置、其制造方法和电子设备的制作方法

专利名称：：电光装置、其制造方法和电子设备的制作方法
技术领域：
：本发明涉及在外围电路中使用与构成扫描线或数据线不同的导电层，实现设计外围电路时的自由度的提高等的电光装置及其制造方法以及在显示部分中使用该电光装置的电子设备。
背景技术：
：一般地说，电光装置例如把液晶用做电光物质进行规定的显示的液晶装置的构成是把液晶夹持在一对基板之间。其中，例如用3端式开关器件驱动象素电极的有源矩阵式的液晶装置的构成如下。就是说，在一对基板之内，在一方的基板上把多条扫描线和数据线设置为彼此进行交叉，同时，在每一个交叉部分上都设置以被称之为薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，以下，叫做‘TFT’)为代表的3端式开关器件和象素电极的对。在这里，TFT是这样一种器件当供给到与交叉部分对应的扫描线上的扫描信号变成为有效电平时就变成为ON，把正在加在对应的扫描线上的图象信号供给象素电极。此外，在另一方的基板上，设置与象素电极相向的透明的相向电极。另一方面，驱动这些扫描线或数据线的驱动电路，由扫描线驱动电路、数据线驱动电路、采样电路等构成。其中，扫描线驱动电路，是以规定的定时供给扫描信号的电路，而数据线驱动电路则是以规定的定时供给采样信号的电路，此外，采样电路用在每一条数据线上都具备的采样开关，把通过图象信号线供给的图象信号，根据采样信号进行采样后供给给数据线的电路。此外，人们还开发出了在一方的基板上把这些驱动电路本身设置到排列象素电极的区域的周边上的外围电路内置式的电光装置。在这种类型的电光装置中，从使制造工艺高效率化等的观点来看，构成驱动电路的有源器件可以用与连接到象素电极上的开关器件共通的工艺形成。例如，在上边所说的液晶装置中，构成驱动电路的器件就是与连接到象素电极上的开关器件用同一工艺形成的TFT。这样的外围电路内置式的电光装置，与外加驱动电路的类型的电光装置比较，在装置整体的小型化和降低价格方面是有利的。然而，在近些年来，不限于电光装置，在所有的显示装置中，例如，就象XGA(1024×768点)或SXGA(1365×1024点)、UXGA(1600×1200点)等那样，高精细化的要求日益高涨起来。但是，当企图在高精细化的同时实现装置的小型化时，就与之对应地要求扫描线的排列节距和数据线的排列节距变得非常狭窄的技术。就是说，由于扫描线驱动电路，是向每一条扫描线供给扫描信号的电路，构成扫描线驱动电路的单位电路(锁存电路)等，就必须要收纳于扫描线的排列节距之内。同样，由于数据线驱动电路是对设置在每一条扫描线上的采样开关按照顺序供给采样信号的电路，故构成数据线驱动电路的单位电路等，必须收纳于数据线的排列节距或其整数倍的节距内。如上所述，当企图在外围电路内置式的电光装置中进行高精细化和小型化时，由于必须把扫描线驱动电路和数据线驱动电路中的单位电路形成为收纳于极其有限的空间内，故存在着其设计将变得非常困难的问题。
发明内容本发明就是有鉴于上边所说的问题而发明的。目的是提供实现外围电路中的设计自由度的提高等的电光装置及其制造方法以及在显示部分中使用该电光装置的电子设备。为了实现上述目的，本申请的发明1的电光装置，其特征是具备多条扫描线和多条数据线；与上述扫描线和数据线的交叉部分对应地设置的开关器件和象素电极的对；把上述开关器件和与之对应的象素电极之间电连接起来的中间导电膜；包含由与构成上述中间导电膜的导电层同一层构成的布线，具备用来驱动上述每一个开关器件的外围电路。倘采用该构成，则虽然在排列象素电极的区域(显示区域)中，开关器件和象素电极之间的连接可以使用中间导电膜，但是，结果变成为在外围电路中也可以使用由与该中间导电膜为同一导电层构成的布线。就是说，在本发明中，把本来在显示区域中使用的中间导电膜，也用做外围电路的布线的一部分。为此，由于结果就变成为在外围电路中，要增加新的布线层，故结果变成为与将该层的增加相对应地提高设计的自由度。于是，在本发明中，理想的构成是，上述中间导电膜通过与开关器件的电极对应地设置的第1接触孔进行电连接，另一方面，上述象素电极通过第2接触孔进行电连接。在该构成的情况下，开关器件的驱动电极通过第2接触孔电连接到中间导电膜上。为此，中间导电膜，由于在把象素电极连接到开关器件的另一端上时起着势垒膜的作用，故可以减少在接触孔经过长距离的情况下产生的不合格。此外，在本发明中，理想的是作成为这样的构成每一个象素电极都具有一端连接到上述象素电极上，另一端进行共通连接的存储电容，上述中间导电膜形成构成上述存储电容的电极的一部分。倘采用该构成，虽然借助于存储电容可以改善象素电极的电压保持特性，但是结果却变成为这时中间导电膜作为构成存储电容的电极的一部分发挥作用。再有，在本发明中，也可以作成为这样的构成上述中间导电膜具有遮光性，在上述象素电极中透过或反射的光的一部分，由该中间导电膜进行控制。倘采用该构成，则在光的透过或反射区域之内，在由中间导电膜控制的部分中，由于至少可以省略专用的遮光膜，故构成得以与该省略相对应地简化。同样，为了实现上边所说的目的，本申请的发明2的电光装置，是一种其构成为按照顺序形成第1、第2、第3导电层，上述第3导电层与上述第1导电层比是低电阻的层的电光装置，其特征是具备由第1导电层构成的多条扫描线；由上述第3导电层构成，并形成为对于上述多条扫描线彼此进行交叉的多条数据线；与上述扫描线和上述数据线的交叉部分对应地设置的开关器件和象素电极的对；由第2导电层构成，把上述开关器件和对应的象素电极之间电连接起来的中间导电膜；分别具备由上述第1、第2和第3导电层构成的布线，用来驱动上述每一个开关器件的外围电路。倘采用该构成，则在显示区域中，开关器件和象素电极之间的连接可以使用中间导电膜，但是，结果变成为在外围电路中也可以使用由与该中间导电膜为同一导电层构成的布线。就是说，在本发明中，把本来在显示区域中使用的中间导电膜，在外围电路中也用做布线的一部分。为此，由于结果就变成为在外围电路中，要增加一层的量的新的布线层，故结果变成为与将该层的增加量相对应地提高设计的自由度。于是，在本发明中，理想的构成是，上述中间导电膜通过与开关器件的电极对应地设置的第1接触孔进行电连接，另一方面，上述象素电极通过第2接触孔进行电连接。在该构成的情况下，开关器件的驱动电极通过第2接触孔电连接到中间导电膜上。为此，中间导电膜，由于在把象素电极连接到开关器件的另一端上时起着势垒膜的作用，故可以减少在接触孔经过长距离的情况下产生的不合格。然而，在本发明中，由于第3导电层与第1导电层比是低电阻的，故理想的是，用第3导电层形成全部布线。但是，由于外围电路必然具有布线的交叉部分或分枝部分等，故要用第3导电层形成全部布线是不可能的。于是，在本发明中，在必须使用由例如高电阻的第1导电层构成的布线的情况下，上述外围电路的构成，理想的是具有使由上述第1导电层构成的布线与由上述第2导电层构成的布线并联连接的并联布线。这样一来，当使用使由上述第1导电层构成的布线与由上述第2导电层构成的布线并联连接的并联布线时，与单独使用由第1或第2导电层构成的布线的情况下比较，可以把其布线电阻抑制得更低。作为应该使用这样的并联布线的部分，例如，可以考虑既是从由上述第3导电层构成的布线分枝出来分枝布线，又是与该布线不同的布线进行交叉的部分。这是因为这样的分枝布线，虽然应该是由本身就是低电阻的第3导电层构成的布线，但是，既是从由上述第3导电层构成的布线分枝出来分枝布线，又是与该布线不同的布线进行交叉的部分，不可能用同一个第3导电层形成的缘故。此外，上述外围电路，具备由上述第3导电层构成，与h(设h为2以上的整数)条的数据线对应地供给图象信号的h条的图象信号线、和与上述每一条数据线对应地设置向上述h条图象信号线供给的图象信号之内，根据规定的采样信号对对应的信号进行采样，供给对应的数据线的采样开关的情况下，作为应该使用并联布线的部分，可以考虑从上述图象信号线分枝出来的上述采样开关的布线的至少一部分。这是因为这样的布线，由于是供给加到象素电极上的图象信号的布线，故虽然应该是由本身就是低电阻的第3导电层构成的，但是由于要与别的图象信号线交叉，故不可能由同一个第3导电层形成的缘故。在本发明中，在要形成并联布线的情况下，可以考虑以下2种构成。第1构成在上述并联布线之内由上述第2导电层构成的布线，使在该并联布线之内由上述第1导电层构成的布线分别露出来的第3和第4接触孔之间导通，把由上述第3导电层构成的布线设置在与上述第3或第4接触孔一致的位置上，并电连接到使由第2导电层构成的布线露出来的第5接触孔上；第2构成在上述并联布线之内由上述第2导电层构成的布线，使在该并联布线之内由上述第1导电层构成的布线分别露出来的第3和第4接触孔之间导通，把由上述第3导电层构成的布线设置在与上述第3及第4接触孔不同的位置上，并电连接到使由第1导电层构成的布线露出来的第6接触孔上。于是，在给第2导电层加上有由挠曲等形成的应力的情况下，当设置使得由第2导电层构成的布线露出来的那种接触孔时，有时候会发生裂纹，但是，在第2构成的情况下，由于可以不设置使第2导电层露出来的接触孔，故可以减少因裂纹的产生所伴生的不合格。再有，在第1或第2构成中，理想的是，在上述并联布线之内，由上述第2导电层构成的布线，即便是在在上述第1或第2接触孔之间设置的一个或多个接触孔中，也与由上述第1导电层构成的布线导通。借助于此，在并联布线的情况下，结果变成为即便是在第3和第4接触孔以外的接触孔中也进行并联连接。在本发明中，上述外围电路也可以构成为在其一部分的区域中具备由上述第1、第2、第3导电层构成的布线。倘采用该构成，由于可以在同一区域内布置不同的3层布线，故可以实现空间的缩小化。此外，在本发明中，理想的构成是，一端连接到上述象素电极上的一方，在每一个象素电极上都具备共通连接的存储电容，上述中间导电膜成为构成上述存储电容的电极的一部分。倘采用这样的构成，虽然可以用存储电容改善象素电极中的电压保持特性，但是，这时结果变成为中间导电膜作为构成存储电容的电极的一部分发挥作用。这样的存储电容理想的构成是，具有第1电容，其构成为借助于上述开关器件的电极和由上述第2导电层构成的电容线夹持上述开关器件的栅极氧化膜；第2电容，其构成为借助于上述中间导电膜和上述电容线夹持第1层间绝缘膜。倘采用该构成，由于结果变成为存储电容具有第1电容和第2电容，故与单一电容的构成比较，可以增大电容。在本发明中，第1导电层，理想的是由多晶硅构成。这是因为若用金属薄膜或金属硅化物形成扫描线，则在之后的高温工艺中会招致发生剥离等的缺憾的缘故。此外，在本发明中，上述第3导电层，理想的是用铝构成。借助于此，第3导电层的低电阻化将变得容易起来。此外，在本发明中，上述第2导电层，理想的是由材料熔点比构成上述第3导电层的材料熔点还高的材料构成。这是因为必须防止因形成了第2导电层后的高温工艺而产生熔融或剥离的缘故。另外，作为这样的高熔点的材料，除多晶硅外，可以举出Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)或Pb(铅)的单体或它们的合金、金属硅化物等。其次，为了实现上边所说的目的，本申请的发明3的电光装置。其特征是具备多条的扫描线和多条的数据线；与上述扫描线和数据线的交叉部分对应地设置的开关器件和象素电极的对；把上述开关器件和对应的象素电极之间电连接起来的中间导电膜；用来驱动上述每一个开关器件的外围电路；由与构成连接到上述外围电路上的中间导电膜的导电层同一导电层构成的布线。在本发明中，用与在开关器件与象素电极之间的连接中使用的中间导电膜同一的导电层形成连接到外围电路上的布线。为此，由于可以作为新的布线层利用，故将会提高设计的自由度。在这里，在本发明中，其特征是上述布线，对于与构成上述数据线的导电层同一的导电层构成的象素信号线在下层进行交叉。在该构成的情况下，对于象素信号线进行交叉的布线，可以把与中间导电膜同一的导电层作为布线利用。此外，上述象素信号线的特征是配设多条象素信号线，与各条象素信号线对应地连接上述布线，各个布线的大小大体上是相同的。倘采用该构成，则可以使连接到象素信号上的各条布线的电阻值相等，可以防止因各条布线的电阻差产生的象素信号的不均一，可以进行良好的显示。此外，在本发明中，其特征是具有由与构成上述布线的导电层同一层构成的的第1导电层，和由与构成上述数据线的导电层同一层构成，且在与上述第1导电层离开的位置上形成的第2导电层，由与上述开关器件的半导体层同一层构成的第3导电层，通过接触孔电连接到上述第1导电层和上述第2导电层上。倘采用该构成，就可以把由与开关器件的半导体层同一层构成的第3导电层形成为旁路。此外，在本发明中，上述布线的特征是通过接触孔电连接到上述第3导电层上。倘采用该构成，由于布线与第3导电层并联地连接，故可以把布线作成为电阻。此外，在本发明中，上述第3导电层的特征是由多晶硅构成。倘采用该构成，即便是用高熔点金属形成布线，由于布线通过接触孔电连接到多晶硅的第3导电层上，故也不会在布线上产生裂纹。第3导电层虽然可以通过接触孔电连接到第1导电层和上述第2导电层上，但是，由于是用多晶硅形成的，故在多晶硅上不会产生裂纹。此外，在本发明中，把上述布线和上述第3导电层电连接起来的接触孔的特征是至少具有3个。倘采用该构成，由于在布线与第3导电层之间可以形成冗长布线，故可以防止在布线或第3导电层上发生裂纹等引起的布线与第3导电层之间进行短路。此外，在本发明中，其特征是在上述第1导电层与上述第2导电层之间，配置由与构成上述数据线的导电层同一层构成的图象信号线。倘采用该构成，则可以配置由与构成上述数据线的导电层同一层构成的图象信号线而不会与第1导电层和第2导电层进行干涉。此外，本申请的电子设备，由于具备上边所说的电光装置，故结果变成为特别是会提高外围电路的设计时的自由度。此外，本申请的投影仪，其特征是具备由上述电光装置构成的光阀；使光射到所述光阀的光源；以及对从所述光阀射出的光进行投射的投射透镜。其次，为了实现上述目的，本申请的发明4的电光装置的制造方法，是一种与多条扫描线和与该多条扫描线之间的交叉部分对应地具备开关器件和象素电极的对的电光装置的制造方法，其特征是具备在上述扫描线和上述数据线应该进行交叉的部分上形成开关器件的工序；分别由同一导电层形成连接到上述开关器件上的中间导电膜，和在用来驱动上述每一个开关器件的外围电路中使用的布线的工序；形成连接到上述中间导电膜上的象素电极的工序。倘采用该制造方法，由于与上述发明1同样，在外围电路上增加了新的布线层，故可以与该增加的层的量相对应地提高设计的自由度。此外，为了实现上述目的，本申请的发明5的电光装置的制造方法，是一种与多条扫描线和与该多条扫描线之间的交叉部分对应地具备开关器件和象素电极的对的电光装置的制造方法，其特征是具有在分别由第1导电层形成了上述扫描线和在用来驱动上述每一个开关器件的外围电路中使用的布线之后，而且是在上述扫描线和上述数据线应该交叉的部分上形成了开关器件之后，由第2导电层分别形成在上述中间导电膜和上述外围电路中使用的布线的工序；由第3导电层分别形成在在上述数据线和上述外围电路中使用的布线的工序；形成连接到上述中间导电膜上的象素电极的工序。倘采用该制造方法，与上述发明2同样，结果变成为在外围电路上增加了新的布线层，故可以与该增加的层的量相对应地提高设计的自由度。图1(a)的透视图示出了本发明的实施形态的电光装置的液晶面板的构成，图1(b)是图1(a)的A-A’线剖面图。图2的框图示出了同上液晶面板的电气方面的构成。图3示出了同上液晶面板的显示区域中的等效电路。图4是用来说明同上液晶面板的动作的时序图。图5是用来说明同上液晶面板的动作的时序图。图6的平面图示出了同上液晶面板的显示区域中的象素的详细构成。图7(a)是图6中的B-B’线的剖面图，图7(B)是图5中的C-C’线的剖面图，图7(c)的等效电路示出了同上液晶面板中的存储电容的构成。图8(a)的平面图示出了同上液晶面板的采样电路附近的构成，图8(b)是其D-D’线剖面图。图9(a)的平面图示出了同上液晶面板的扫描线驱动电路的一部分构成，图9(b)是其电气方面的构成。图10(1)～(3)的剖面图分别示出了液晶面板中的器件基板的制造工艺。图11(4)～(6)的剖面图分别示出了液晶面板中的器件基板的制造工艺。图12(7)～(9)的剖面图分别示出了液晶面板中的器件基板的制造工艺。图13(10)～(12)的剖面图分别示出了液晶面板中的器件基板的制造工艺。图14(13)和(14)的剖面图分别示出了液晶面板中的器件基板的制造工艺。图15(a)和(b)的剖面图分别示出了本发明的变形例的电光装置的策源地了附近的构成。图16的平面图示出了作为使用实施形态的电光装置的电子设备的一个例子的投影仪的构成。图17的透视图示出了作为同上电子设备的一个例子的个人计算机的构成。图18的透视图示出了同上电子设备的移动电话的构成。具体实施例方式以下，参看附图对本发明的实施形态进行说明。<电光装置的概略构成>首先，对本实施形态的电光装置进行说明。该电光装置，作为电光材料使用液晶，借助于该电光上的变化进行规定的显示。图1(a)的透视图示出了该电光装置之内除去了外部电路之外的液晶面板100的构成，图1(b)是图1(a)中的A-A’线剖面图。如这些图所示，液晶面板100的构成为使已形成了各种器件或象素电极118等的器件基板101和设置有相向电极108等的相向基板102用具有衬垫(未画出来)的密封材料104保持恒定间隙地使电极形成面彼此相向地粘贴起来，同时，向该间隙内作为电光物质封入例如TN(TwistedNematic，扭曲向列)式液晶105。在这里，器件基板101虽然可以使用玻璃或半导体、石英等，但相向基板则可以使用玻璃。另外，在把不透明的基板用做器件基板101的情况下，结果变成为不是用做透过式而是用做反射式。此外，密封材料104，虽然可以沿着相向基板102的周边形成，但是，为了封入液晶105，一部分要形成开口。为此，在封入了液晶105之后，该开口部分要用密封材料106密封上。其次，在既是器件基板101的相向面又是密封材料104的外侧一边的区域104a上，形成后边要讲的数据线驱动电路，变成为输出采样信号的构成。此外，也可以形成为在要在该一边上形成密封材料104的附近的区域上，形成图象信号线或采样电路等。另一方面，在该一边的外周部分上，形成多个装配端子107，变成为从外部电路(未画出来)输入各种信号的构成。此外，在与该一边相邻的2边的区域130a上，分别形成扫描线驱动电路，变成为从两侧驱动扫描线的构成。另外，只要供往扫描线的扫描信号的延迟没有问题，也可以是在一侧仅仅形成1个扫描线驱动电路的构成。然后，在剩下的一边的区域160a上，也可以形成后边要讲的预充电电路，再在外侧形成在2个扫描线驱动电路中共用的布线等。另一方面，在相向基板102上设置的相向电极108，在与器件基板101之间的粘贴部分中的4个拐角之内，至少在一个地方，变成为用导通材料与器件基板101电连接的构成。此外，虽然没有特别地画出来，在相向基板102上，在与象素电极108相向的区域上，根据需要可以设置着色层(滤色片)。但是，如后边要讲的多板式的投影仪所示，在应用于色光调制的情况下，就没有必要在相向基板102上形成着色层。另外，以往，在相向基板102中，为了与最上层的设置与否无关地防止由光的漏泄形成对比度的降低，虽然在与象素电极118相向的区域以外的部分上设置有遮光膜，但是在本实施形态中，就如后边要讲的那样，由于在器件基板101一侧象素部分处的遮光区域受到限制，故省略了在相向基板102上设置的遮光膜。此外，在器件基板101和相向基板102的相向面上，如后述那样，设置被进行研磨处理以使得液晶105中的分子的长轴方向在两个基板间大约连续地扭曲90度的配向膜(在图1中被省略)，同时，在其背面一侧则分别设置有与配向方向对应的偏振片(未画出来)。另外，在图1(b)中，虽然使相向电极108或象素电极118、装配端子107等具有厚度，但是，这不过是为了表明形成位置的一种方便的举措，实际上对于基板来说该厚度薄到了可以充分地忽略的程度。<电气方面的构成>其次说明上边所说的液晶面板100之内器件基板101的电器方面的构成。图2是示出了其构成的概略图。如该图所示，在器件基板101上，为了输入来自外部电路的各种信号，设置有多个装配端子107。变成为通过这些装配端子107输入进来的信号，可以通过各种布线供给各个部分的构成。于是，决定简单地对这些信号进行说明。第1，VID1～VID6，如图4所示，把与象点时钟DCLK同步地供给的1个系统的图象信号VID分配给6个系统的同时，在时间轴上伸长到6倍，并通过6条象素信号线122供给给采样电路150。另外，该象素信号VID1～VID6，可以借助于外部电路进行适当的极性反转。在这里，本实施形态中的所谓极性反转，指的是以加在相向电极108上的电压LCcom为基准使正极性和负极性电压电平交互地进行反转，但究竟是否进行极性反转，一般地说，要根据向数据线上施加象素信的施加方式究竟是①扫描线单位的极性反转，②数据线单位的极性反转，③象素单位的极性反转，还是④帧单位的极性反转来决定，其反转周期被设定为1个水平扫描期间、象点时钟DCLK或1个垂直扫描期间的周期。但是，在本实施形态中，虽然是为了便于说明起见，以①扫描线单位的极性反转的情况为例进行的说明，但是，并不是要把本发明限定于此。第2，VssY和VssX，分别是扫描线驱动电路130和数据线驱动电路140中的电源的低位一侧电压(接地电压)。此外，VddY和VddX分别是扫描线驱动电路130和数据线驱动电路140中的电的高位一侧电压。这些之内，电源的低位一侧VssY由于已变成为后边要讲的存储电容的接地电位，故也通过电容线175供给给各个象素。第3，LCcom，是加到相向电极108上的电压信号。为此，供给电压信号的2个电极109，分别设置在相当于相向基板102之间的粘贴时使用的密封材料104(参看图1)的拐角的地点上。因此，当器件基板101实际上被粘贴到相向基板102上时，就变成为电极109和相向电极108通过导通材料进行连接，把电压信号LCcom加到相向电极108上的构成。另外，信号LCcom，是对于时间轴恒定的电压，外部电路变成为以该信号LCcom为基准，把图象信号VID1～VID6中的每一个水平扫描期间分成高位一侧和低位一侧，进行交流驱动的构成。此外，可以设置电极109的地点，虽然在本实施形态中是2个地方，由于设置该电极109的理由是通过导通材料给相向电极108施加信号LCcom，故可以设置电极109的地点只要至少有1个地方就足够了。为此，可以设置电极109的地点，1个地方也行，3个地方以上也行。第4，如图4所示，DY是在1个垂直有效扫描期间的最初供给的传送开始脉冲，CLY是在扫描线驱动电路130中使用的时钟信号。另外CLYinv是使时钟信号CLY进行了电平反转的时钟信号。第5，如图4所示，DX是在1个水平有效扫描期间的最初供给的传送开始脉冲，CLX是在数据线驱动电路140中使用的时钟信号。另外CLXinv是使时钟信号CLX进行了电平反转的时钟信号。此外，ENB1、ENB2，如后所述，是为了把在数据线驱动电路140中的移位寄存器的各个输出信号调节为规定的脉冲宽度而使用的允许信号。此外，NRG是预充电控制信号，NRS是预充电电压信号，详细情况将在后边讲述。在器件基板101的显示区域100a中，多条扫描线112沿着行(Y)方向平行地排列，此外，多条数据线114则沿着列(X0方向平行地排列，与它们的交叉部分对应地设置象素。详细地说，如图3所示，在扫描线112和数据线114交叉的部分上，把作为用来控制象素的开关器件的TFT116的栅极连接到扫描线112上，而把TFT116的源极连接到数据线114上，同时，把TFT116的漏极连接到矩形形状的透明的象素电极118上。如上所述，在液晶面板100中，由于把液晶105夹持在器件基板101与相向基板102之间的电极形成面之间，故结果变成为各个象素的液晶电容由象素电极118、相向电极108和夹持在这两个电极间的液晶105构成。在这里。为了便于说明起见，设扫描线112的总条数为‘m’，设数据线114的总条数为‘6n’(m、n分别为整数)，象素结果变成为与扫描线112和数据线114之间的各个交叉部分对应地m行×6n列的矩阵状。此外，在显示区域100a上，除此之外对于每一个象素还设置有用来防止液晶电容的漏泄的存储电容119。该存储电容119的一端，连接到象素电极118(TF116的漏极)上，而其另一端则借助于电容线进行共通连接。为此，存储电容119，由于变成为与液晶电容电并联，故液晶电容的保持特性得以改善，结果就变成为可以实现高对比度的显示。另外，在本实施形态中，虽然变成为把电源的低位一侧电压VssY加到电容线175上的构成，但是，在这里由于只要加上在时间上恒定的电压即可，故也可以是加上电源的高位一侧电压VddY或电压Lccom等的构成。此外，关于具备存储电容119的象素的详细构成，决定在后边讲述。在这里，再次返回到图2进行说明。扫描线驱动电路130，是在每一个水平扫描期间1H内把按照顺序变成为有效电平的扫描信号G1、G2、…、Gm，在1个垂直扫描期间内向各条扫描线112输出的电路。至于详细的构成，由于与本发明没有直接关连，故予以省略，但是可以由移位寄存器和多个逻辑电路(或否定逻辑电路)构成。其中，移位寄存器，如图3所示，使在1个垂直扫描期间的最初供给的传送开始脉冲DY，每当时钟信号CLY(和反转时钟信号CLYinv)的电平进行迁移时(在上升边和下降边的双方处)就依次进行移位，变成为G1’、G2’、G3’、…、Gm’输出，各个逻辑电路，在信号G1’、G2’、G3’、…、Gm’之内，求相邻的信号间的逻辑积信号，变成为扫描信号G1、G2、G3、…、Gm输出。此外，数据线驱动电路140，是在一个水平有效扫描期间内输出将依次变成为有效电平的采样信号S1、S2、…、Sn的电路。至于详细的构成，由于与本发明没有直接关连故予以省略，但是可以由移位寄存器和多个逻辑电路(或否定逻辑电路)构成。其中，移位寄存器，如图4所示，使在1个水平扫描期间的最初供给的传送开始脉冲DX，每当时钟信号CLX(和反转时钟信号CLXinv)的电平进行迁移时(在上升边和下降边的双方处)就依次进行移位，变成为S1’、S2’、S3’、…、Sn’输出，各个逻辑电路，在用允许信号ENB1或ENB2，使信号S1’、S2’、S3’、…、Sn的脉冲宽度在期间SMPa内变窄以便使得相邻的脉冲彼此间不进行重叠地变成为采样信号S1、S2、S3、…、Sn输出。接着，采样电路150，由设置在每一条数据线114上的采样开关151构成。另一方面，每6条数据线114形成为一个块，在图2中，从左开始数，属于第j(j为1、2、3、…、n)块的6条数据线114之内，连接到位于最左的数据线114的一端上的采样开关151的构成为，在采样信号Sj变成为有效期间内，对通过图象信号线122供给的图象信VID1进行采样，供给给该数据线114。此外，同样，属于第i(i为1、2、3、…、n)块的6条数据线114之内，连接到位于第2号最左的数据线114的一端上的采样开关151的构成为，在采样信号Sj变成为有效期间内，对通过图象信号线122供给的图象信VID1进行采样，供给给该数据线114。以下同样，在属于第j块的6条数据线114之内，连接到位于第3、4、5、6号数据线114的一端上的采样开关151中每一个的构成为，在采样信号Sj变成为有效期间内，对通过图象信号线122供给的图象信VID3、VDI4、VID5、VID6中的每一个进行采样，供给给该数据线114。就是说，其构成为当采样信号Sj变成为有效电平时，属于第I块的6条数据线中的每一条同时分别对图象信号VID1～VID6进行采样。另一方面，在显示区域100a夹持在中间，在与数据线驱动电路140相反的一侧，具备预充电电路160。该预充电电路160，由在每一条数据线114上设置的预充电开关161构成，各个预充电开关161的构成为在通过预充电控制线163供给的预充电控制信号NRG已变成为有效电平的情况下，向对应的数据线114预充电通过预充电信号线165供给的预充电电压信号NRS。在这里，预充电控制信号NRG，如图5所示，是在1个水平回扫期间之内，在从其时间上的前后端隔绝的期间内变成为有效电平的信号。此外，预充电电压信号NRS，如同图所示，是在每一个水平扫描期间1H内，以电压DCcom为基准用电压Vg+、Vg-进行电平反转的信号。另一方面，电压DCcom，如上所述，是施加到相向电极108上的时间上恒定的电压，是图象信号VID1～VID6的振幅中心电压。此外，电压Vg+、Vg-是对电压LCcom的实效值变成为彼此同一(绝对值相等)的电压，与电压LCcom比，分别是高位一侧电压和低位一侧电压。在这里，在本实施形态是在未加电压的状态下进行白色显示的常态白色模式的情况下，把为了在正极一侧、负极一侧进行黑色显示而应当加上的象素电压设为Vb+、Vb-时，电压Vg+被设定为电压Vb+与电压DCcom之间的中间电压，而电压Vg-则被设定为电压Vb-与电压DCcom之间的中间电压。就是说，电压Vg+、Vg-分别相当于正极一侧、负极一侧的写入中的中间(灰色)电压。倘采用这样的构成的预充电电路160，则在比在供给采样信号S1、S2、S3、…、Sn的1个水平有效显示期间之前的1个水平回扫期间内，由于各条数据线114被预先充电为电压Vg+、Vg-，故结果变成为在紧接在在其后边的1个水平有效显示期间内可以减轻把图象信号VID1～VID6采样到数据线114上时的负载。另外，这些扫描线驱动电路130或数据线驱动电路140、采样电路150、预充电电路160等，由于与制造完成后用来判别有无缺陷的检查电路一起，在显示区域100a的外围形成，故被称之为外围电路。但是，对于检查电路，由于与本申请没有直接关连，故其说明予以省略。<电光装置的动作>其次，对上边所说的构成的电光装置的动作进行说明。首先，把注意力集中于扫描信号G1变成为有效电平的1个水平扫描期间1H。另外，在该1个水平扫描期间1H内，若为了便于说明起见设进行正极一侧的写入，则图象信号VID1～VID6对于要加到相向电极108上的电压DCcom将变成为高位一侧。此外，在此之前，预充电控制信号NRG，如图5所示，在从其回扫期间的前后端隔绝的期间内将变成为有效电平。这时，预充电电压信号NRS将与正极一侧的写入对应地变成为电压Vg+。为此，结果就变成为在该期间内所有的数据线114都被预充电至电压Vg+。其次，当1个水平回扫期间结束，变成为1个水平有效显示期间时，在其最初传送开始信号DX，如图5所示，被供给给数据线驱动电路140。该传送开始信号DX，就变成为每当时钟信号CLX的电平进行迁移时就依次进行移位的信号S1’、S2’、S3’、…、Sn’输出。接着，该信号S1’、S2’、S3’、…、Sn的各个脉冲宽度，在期间SMPa内变窄以便使得相邻的脉冲彼此间不进行重叠地变成为采样信号S1、S2、S3、…、Sn输出。另一方面，1个系统的图象信号VID，借助于外部电路，如图4所示，在分配给6个系统的同时，在时间轴上伸长到6倍，供给给液晶面板100。在这里，当在扫描信号G1变成为有效电平的期间内采样信号S1变成为有效电平时，在图2中从上边开始数，第1条的TFT116全都将变成为ON，同时，图象信号VID1～VID6，分别被采样到属于从左开始第1个块的6条数据线114上。这样一来，结果就变成为被采样的图象信号VID1～VID6，借助于与该第1条扫描线112和该6条数据线114进行交叉的象素TFT116，分别被加到对应的象素电极118上。之后，当采样信号S2变成为有效电平时，这回，图象信号VID1～VID6，分别被采样到属于第2个块的6条数据线114上，这些图象信号VID1～VID6，借助于与该第1条扫描线112和该6条数据线114进行交叉的象素TFT116，分别被加到对应的象素电极118上。以下，与此同样，当采样信号S3、S4、…、Sn变成为有效电平时，图象信号VID1～VID6，分别被采样到属于第3个、第4个、…、第n个块的6条数据线114上，这些图象信号VID1～VID6，借助于与相应的第1条扫描线112和相应的第6条数据线114进行交叉的象素TFT116，分别被加到对应的象素电极118上。借助于此，结果就变成为完成了对第1行的所有的象素的写入。接着，对扫描信号G2变成为有效电平的期间进行说明。在本实施形态中，如上所述，由于进行扫描线单位的极性反转，故结果变成为在该1个水平扫描期间内进行负极一侧的写入。为此，图象信号VID1～VID6对于要加到相向电极108上的电压DCcom将变成为低位一侧。在此之前，由于预充电控制信号NRG的电压将变成为Vg-，故结果将变成为在预充电控制信号NRG已变成为有效电平的情况下，所有的数据线114都被预充电至电压Vg-。至于其它的动作是同样的，采样信号S1、S2、S3、…、Sn依次变成为有效电平，结果变成为完成了对第2行的所有的象素的写入。以下同样地，扫描信号G3、G4、…、Gm变成为有效，结果变成为进行第3行、第4行、…、第m行的象素的写入。借助于此，结果变成为对于第奇数行的象素来说进行正极一侧的写入，对于偶数行来说进行负极一侧的写入，在该1个垂直扫描期间内完成从第1行到第m行的所有的象素的写入。接着，虽然对于其次的1个垂直扫描期间，也可以进行同样的写入，但是，这时要改换对各行的象素的写入极性。就是说，在其次的1个垂直扫描期间内，结果变成为对于第奇数行的象素来说进行负极一侧的写入，对于偶数行来说进行正极一侧的写入。如上所述，由于对于每1个垂直扫描期间都改换写入极性，故加在液晶105上的直流成分消失，因而其劣化得以防止。此外，在这样的动作的情况下，与对每次一条地驱动数据线114的方式比较，由于借助于各个采样开关151使对图象信号进行采用的时间变成为6倍，故可以充分地确保各个象素中的写入时间。为此，结果变成为可以得到高对比度。此外数据线驱动电路140中的移位寄存器的级数，和时钟信号CLX的频率，由于可以分别降低到1/6，故结果变成为可以减少级数的同时，还可以实现低功耗化。此外，采样信号S1、S2、…、Sn的有效期间变窄为比时钟信号CLX的半个周期还窄，被限制在期间SMPa内，故可以事前防止相邻的采样信号间的重叠。为此，可以防止应该被采用到属于某一块的6条数据线114上的图象信号VID1～VID6，也同时被采样到属于与之相邻的块的6条数据线114上的事态的发生，因而可以进行高品位的显示。<象素的详细构成>其次，参看图6和图7，说明象素的细节。图6的平面图示出了象素部分的详细构成，图7(a)是图6中的B-B’的剖面图。另外，在图6中，对于作为最上导电层的象素电极118来说，为了便于理解说明，决定用虚线仅仅表明其轮廓。首先，如图7(a)所示，在作为器件基板101的基材的基板10上，通过基底绝缘膜40设置由多晶硅构成的半导体层30，其表面已被用热氧化形成的绝缘膜32被覆起来。另一方面，如图6所示，数据线114在Y方向上延伸，扫描线112在X方向上延伸。此外，电容线175虽然与扫描线112靠近地被设置为平行，但是在与数据线114进行交叉的部分处，则使得与数据线114进行重叠那样地被形成为向前一级一侧(在图6中为上侧)突出出来。在这里，半导体层30被形成为使得从数据线114与电容线175进行交叉的部分开始，向电容线175的延伸方向(在图6中为右方向)、数据线114的下层的电容线175的突出方向(同图，上方向)及其相反的方向(同图，下方向)的合计3个方向上延伸，大致上成T形状，而且还被这些布线被覆起来。再有，在半导体层30之内，与扫描线112重叠的部分，变成为沟道区域30a。换句话说，在扫描线112之内与半导体层30交叉的部分，可以用做栅极电极116G。另外，含有栅极电极116G的扫描线112和电容线175，如后所述，可以用例如多晶硅等形成。此外，在半导体层30中，在沟道区域30a的源极一侧，设置低浓度(英译用lightlydoped(轻掺杂)表现)源极区域30b、高浓度(英译用heavilydoped(重掺杂)表现)源极区域116S，而在漏极一侧则设置低浓度漏极区域30c、高浓度漏极区域116D，变成为所谓的LDD(LightlyDopedDrain，轻掺杂漏极)构造。其中，高浓度源极区域116S，借助于对绝缘膜32、第1层间绝缘膜41和第2层间绝缘膜42进行开孔的接触孔52，连接到由铝等构成的数据线114上。另一方面，高浓度漏极区域116D，则借助于对绝缘膜32、第1层间绝缘膜41进行开孔的接触孔51，连接到由高熔点金属或多晶硅等等构成的中间导电膜181的一端上。另一方面，该中间导电膜181的另一端，借助于对第1层间绝缘膜41和第3层间绝缘膜43进行开孔的接触孔53，连接到象素电极118上。就是说，象素电极118，通过中间导电膜181连接到TFT116的高浓度漏极区域116D上。在这里，之所以作成为不直接地把象素电极118连接到高浓度漏极区域116D上，而是通过中间导电膜181间接地进行连接的构成，是出于以下的理由。就是说，象素电极118，由于是用来给液晶电容加上电压的电极，故可以在接近液晶105的部分上形成，相反，半导体层30则可以在离液晶105远的部分上形成。再有，在半导体层30与象素电极118之间，如本实施形态所示，若TFT116是平面式，由于扫描线112或数据线114等的布线层可以通过层间绝缘膜进行叠层，故半导体层30与象素电极118之间的距离必然增大。为此，在使象素电极118直接连接到高浓度漏极区域116D上的构成的情况下，就必须用例如干法刻蚀形成具有比较深的深度的接触孔。但是，在形成具有这样的深度的接触孔时，若过剩地进行刻蚀，则将会发生捅破半导体层30这样的缺憾。特别是在半导体层30与绝缘膜之间的选择比没有什大的差别，再加上半导体层30的膜厚与应该进行刻蚀的绝缘膜的厚度比较极其之薄这样的事情，使得要设置这样的接触孔更加困难。于是，第1，在与高浓度漏极区域116D的对应位置上设置接触孔116D，对绝缘膜32和第1层间绝缘膜41进行开孔，第2，形成通过该接触孔进行电连接的中间导电膜181，使该中间导电膜181作为高浓度漏极区域116D的势垒膜发挥作用。借助于此，在象素电极118形成前在开接触孔53时，采用把中间导电膜181用做刻蚀阻挡层的办法，防止因过刻蚀引起的半导体层30的捅破。该中间导电膜181，特别是如图6所示，在相邻的数据线114之间，在大体上被覆电容线175的同时，其一部分搭接到扫描线112上(但是电绝缘)。此外，未形成象素电极118的区域，在Y方向上被数据线114被覆起来，在X方向上则被扫描线112和中间导电膜181被覆起来。在这里，作为中间导电膜181，既可以使用多晶硅，也可以使用Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)或Pb(铅)的单体或它们的合金、金属硅化物等。因此，在象素部分处的遮光区域，由于完全由数据线114、扫描线112和中间导电膜118控制，故可以省略在相向基板102上另外设置的遮光膜。除此之外，半导体层30，由于已被数据线114、扫描线112、电容线175和中间导电膜被覆起来，故结果变成为可以防止来自基板的上侧的光进入到TFT116。此外，也可以在既是半导体层30的下侧，又是基板10和基底绝缘膜40之间形成遮光膜。借助于此，由于可以防止来自基板的下侧的光进入到TFT116，故可以防止因光折射而引起的TFT116的特性变化。其次，用图6和图7(a)，再加上图7(b)和图7(c)，说明存储电容119的详细构成。在这里，图7(b)是图6中的C-C’线的剖面图，图7(c)则示出了存储电容119的等效电路。首先，在半导体层30之内，借助于高浓度的掺杂使与高浓度漏极区域116D相邻的区域30f低电阻化，从平面上看，在电容线175的下层，变成为大体上的L形状。另一方面，中间导电膜181，则被形成为与电容线175之间中间存在着第1层间绝缘膜41，而且，如上所述，在X方向上把电容线175被覆起来。因此，存储电容119，如图7(b)或图7(c)所示，变成为使2个电容并联化的电容。详细地说，存储电容119，用把区域30f当作一方的电极，把电容线175当作另一方的电极，把在半导体层30的表面上形成的绝缘膜32夹持起来构成的第1电容，和把中间导电膜181当作一方的电极，把电容线175当作另一方的电极，把第1层间绝缘膜41夹持起来构成的第2电容之间的并联构成。为此，存储电容119，由于与由单一的电容构成的情况比较电容增加，故结果变成为可以改善液晶电容的保持特性，可以实现显示的高品位化。另外，在最上层(就是说，与液晶108接连的面)的整个面上，形成由聚酰亚胺等的有机膜构成的配向膜61，在与相向基板102粘贴在一起之前施行研磨处理。<外围电路的详细构成>其次，以采样电路150的一部分区域、扫描线驱动电路130的一部分区域为例分别说明外围电路的详情。另外，构成外围电路的有源器件或布线，如在后边的制造工艺中要详述的那样，可以用共通工艺形成显示区域中的TFT116和扫描线112(和电容线175)、中间导电膜181、数据线114。其中，在显示区域101a中，由于布线以扫描线112(和电容线175)、中间导电膜181、数据线114的顺序形成，故在以下的说明中，决定把外围电路中的布线内由与构成扫描线112的导电层同一层构成的布线叫做第1层布线，把由与构成中间导电膜181的导电层同一层构成的的布线叫做第2层布线，把由与构成数据线114的导电层同一层构成的布线叫做第3层布线。另外，构成中间导电膜181的导电层，由于在现有技术中，在外围电路区域这没有使用，故结果变成为本实施形态中的第3层布线相当于现有技术的电光装置中的第2层布线。如上所述，若在外围电路中使用从第1层到第3层的3层的布线，则设计外围电路时的自由度，与只使用2层布线的现有技术比，显著地提高。此外采用如下所述那样地使用第2层布线的办法，就可以实现布线电阻的斤秒年个第毫和电路形成区域的缩小。<采样电路的附近区域>首先，参看图8(a)和图8(b)说明采样电路150的一部分区域。另外，在这里，决定以从左开始与第j个块对应地输出的采样信号Sj，与从6条图象信号线122到属于该块的6条数据线114为止的路径之间的关系为中心进行说明。另外，j与图2的说明同样，是用来使块一般化地进行说明的量，在本实施形态中，是从‘1’到‘n’为止的任意的整数。图8(a)的平面图示出了该区域的详细构成。首先，从数据线驱动电路114输出的采样信号Sj由第3层布线391、下层布线191、第3层布线393和6条第1层布线412这样的路径供给。在这里，各条布线间通过接触孔进行连接，此外，第1层布线412原状不变地变成为构成采样开关151的TFT的栅极电极。另一方面，图象信号VID1～VID6之内，图象信号VID1用其次的路径供往采样开关151。就是说，图象信号VID1通过第3层布线122、下层布线193、第3层布线395、下层布线195和第3层布线397这样的路径供往构成采样开关151的源极区域。至于其它的图象信号VID2～VID6，也通过同样的路径供往构成各个采样开关151的TFT的漏极区域。于是，在构成各个采样开关151的TFT的漏极区域上，分别连接有第3层布线114。如上所述，在采样电路150的各条布线上，虽然作为原则使用第3层布线，但是，与该第3层布线进行交叉的部分和用做栅极电极的部分，作为例外可以使用下层布线。在这里，参看图8(b)说明图8(a)中的D-D’线的剖面构造。如该图所示，从供给图象信号VID1的图象信号线122分枝出来，与其它的图象信号线122在下层进行交叉的布线193，变成为使第1层布线112b与第2层布线181b并联连接的并联布线。详细地说，布线181b通过在其两端在第1形成绝缘膜1上形成开孔的接触孔551、561，与布线112b进行并联连接。此外供给图象信号VID1的图象信号线122，通过设置在与接触孔551同一位置上的接触孔552，与布线181b进行连接，而布线395则通过设置在与接触孔561同一位置上的接触孔562，与布线181b连接。另外，对于从供给图象信号VDI1之外的其它的图象信号VID2～VID6的图象信号线122分枝出来的布线193，同样，也成为使第1层布线112b与第2层布线181b进行并联连接的并联布线。再有，除去从图象信号线122分枝、交叉的布线193之外，对于用来与供给采样信号Sj的布线393进行交叉的布线195，同样，也变成为使第1层布线112c与第2层布线181c进行并联连接的并联布线。在这里，在采样电路150中，布线193、195使用第1层布线和第2层布线之间的并联布线的理由如下。就是说，图象信号VID2～VID6，由于是最终要加在象素电极118上且直接控制显示状态的模拟信号，故其供给路径，理想的是不论多少低一点的低电阻。为此，对于图象信号线122来说，虽然可以使用由铝构成的第3层，但是，对于从这里分枝出来的布线来说，无论如何一部分也要使用第3层以外的层。为此，在现有技术中，该部分使用的是由构成扫描线112的导电层构成的布线，就是说使用第1层布线。但是，第1层，如上所述，由于是多晶硅等，故与构成第3层的铝等比较，是电阻高得多的高电阻。为此，哪怕是第1层布线非常短，由电阻值产生的影响也将大到不能忽视。于是，在本实施形态中，在图象信号VID2～VID6的供给路径之内，在必须使用由第3层构成的布线的部分中，在外围电路区域中也使用原本在显示区域中使用的第2层的同时，还要使由该第2层构成的布线与第1层布线进行并联连接。为此，该部分的电阻值，与由单一层的布线构成的情况进行比较，结果变成为可以降低到大约一半左右。因此，在本实施形态中，图象信号VID2～VID6除去可以防止供给路径中的波形钝化或电压降低等之外，由于被供给到数据线114上，故良好的显示成为可能。另外，从图象信号线122分枝出来的并联布线193，如图8(a)所示，连接到图象信号VID2～VID6中的每一个上，变成为大体上同一长度和同一宽度。这是因为在本实施形态中，布线193尽管由第1层布线112b与第2层布线181b之间的并联连接构成，其布线电阻已经降低，但是若与第3层布线比较，电阻值依然大，故是一种用来使布线193的电阻值在遍及图象信号VID2～VID6中的每一个的范围内彼此相等的举措。此外，虽然从图象信号VID2～VID6偏离开来，但是对于为了使采样信号Sj与图象信号线12进行交叉而供给的布线191，也同样地变成为使第1层布线与第2层布线进行并联连接。这是因为从防止因采样信号Sj的波形钝化等引起的延迟的观点来看，对于采样信号Sj的供给路径也要求多少要低一点的低电阻的缘故。如上所述，在本实施形态中，采样电路150的各种布线，作为原则可以使用低电阻的第3层布线，而必须与第3层布线进行教交叉的部分，则可以使用第1层布线与第2层布线之间的并联布线。在这里，从全体外围电路来看，如上所述那些应该使用并联布线的部分，除去采样电路150中的布线191、193、195之外，还有许多。例如，在图2中的预充电控制线163，虽然必须对构成各个预充电开关161的TFT的栅极电极进行分枝，但是在分枝后，仍存在着必须与预充电电压信号线165进行交叉的部分。此外，电容线175，在显示区域100a内，虽然是与扫描线112相同的第1层布线，但是在除此之外的区域内出于要从装配端子引绕出来进行共通连接的关系，必须用第3层布线构成。对于这样的电容线175、预充电控制线163、预充电电压信号线165，如图2所示，存在着必须进行交叉的部分。再有，在扫描线驱动电路130中，在构成移位寄存器的单位电路中，与电源电压VddY、VssY一起，还必须供给时钟信号CLY和反转时钟信号CLYinv。为此，对于从时钟信号CLY和反转时钟信号CLYinv分枝出来的布线来说，至少存在着必须与供给电源电压VddY、VssY进行交叉的部分。同样，对于数据线驱动电路140来说，必须对构成移位寄存器的单位电路供给时钟信号CLY和反转时钟信号CLYinv，对各个逻辑电路供给ENB1、ENB2。为此对于从时钟信号CLY和反转时钟信号CLYinv的基干布线分枝出来的布线和从允许信号ENB1、ENB2的基干布线分枝出来的布线来说，存在着至少必须与供给电源电压VddY、VssY的布线进行交叉的部分。如上所述，采用把使第1层布线和第2层布线进行并联连接的并联布线用做必须与第3层布线进行交叉的部分的办法，就可以实现相应的部分的低电阻化。<扫描线驱动电路的一部分区域>接着，参看图9(a)和图9(b)说明扫描线驱动电路130的一部分区域。在这里，图9(a)的平面图示出了扫描线驱动电路130的一部分区域的构成，图9(b)则示出了其等效电路。另外，图中所示的区域，是在构成扫描线驱动电路130的移位寄存器之内，部分地抽出用来根据时钟信号CLY和反转时钟信号CLYinv传送传送开始脉冲DY的电路的区域。如图9(a)所示，扫描线驱动电路130可以使用第1层、第2层、第3层布线。这样一来，虽然作为原则在该区域中也可以使用第3层布线，但是作为例外，在与第3层布线进行交叉的部分和作为栅极电极使用的部分，使用第1层布线，而在从一方的TFT的源极电极到另一方的TFT的漏极电极的布线的一部分，则使用第2层布线181d。特别是在区域132中，中间存在着层间绝缘膜(未画出来)地彼此进行叠层形成第1层布线112d、第2层布线181d和第3层布线114d。在这里，在扫描线驱动电路130中，与上边所说的采样电路150不同，单独使用第2层布线181d，同时在同一区域内形成3层的布线，其理由如下。就是说，数据线驱动电路130，由于要分别对6条数据线114中的每一条供给采样信号S1、S2、…、Sn，故对于构成数据线驱动电路130的移位寄存器的单位电路或逻辑电路来说，只要能收纳于图8(a)中的数据线节距的6倍的节距内即可。对此，扫描线驱动电路130，由于必须分别对m条扫描线112中的每一条供给扫描信号G1、G2、…、Gm，故对于构成扫描线线驱动电路140的移位寄存器的单位电路或逻辑电路来说，必须收纳于与图9(a0中的扫描线节距等倍的节距内。就是说，在扫描线驱动电路130的情况下，与数据线驱动电路140比较，必须在更为狭窄的区域内形成其单位电路或逻辑电连接。在这里假定在不使用第2层布线181d而仅仅用第1层和第3层形成3个布线的情况下，虽然必须用第1层形成1个布线，用第3层形成剩下的2个布线，但是在这种情况下，在同一区域中，要只使2个重叠起来形成第3层布线是不可能的。为此，由于只能在不同的区域内并排地形成第3层布线，故结果就变成为需要与与之相对应的宽度宽的区域。因此，在这样的构成的情况下，结果就变成为与必须在更为狭窄的区域内形成构成扫描线驱动电路130的单位电路或逻辑电连接的要求反其道而行之。对此，在本实施形态的情况下，采用单独使用第2层布线181d，在同一区域132中，使第1层布线112d、第2层布线181d和第3层布线114d(出于通过层间绝缘膜进行绝缘的考虑)彼此重叠地形成的办法，结果就变成为可以减小电路形成所需要的区域的宽度。另外，在扫描线驱动电路130中，既是不要求电路形成所需要的区域的宽度狭窄的部分，又是必须与第3层布线进行交叉的部分，当然也可以使用第1层布线与第2层布线之间的并联布线。<制造工艺>其次，以器件基板101的显示区域和外围电路区域为中心，对本实施形态的电光装置的制造工艺，进行说明。另外，作为在此所说的外围电路区域，在图8(b)中例示的是从某一条图象信号线122分枝出来，与别的图象信号线122进行交叉的布线193的附近区域。首先，如图10(1)所示，例如在石英基板、玻璃基板、硅基板等的基板10的表面上，形成基底绝缘膜40。详细地说，基底绝缘膜40。例如用常压法或减压CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相淀积)法等，由NSG(非掺杂硅玻璃)或PSG(磷硅玻璃)、BSP(硼硅玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)等的高绝缘性的玻璃，或氧化硅膜、氮化硅膜等，以大约50～1500nm的厚度，理想的是以大约600～800nm的厚度形成。接着，采用在基底绝缘膜40的整个上表面上，用减压CVD法等，以大约100nm的厚度形成无定形硅层，借助于热处理等使之进行固相生长的部分，形成多晶硅层。这时，在要形成N沟型的TFT的情况下，采用很少量地离子注入Sb(锑)或As(砷)、P(磷)等的办法掺进V族元素的杂质，而在要形成p沟型TFT的情况下，则同样，借助于离子注入等掺进很少一点的Al(铝)或B(硼)、Ga(镓)等的III族元素。接着，如同图(2)所示，借助于光刻或刻蚀等使多晶硅层图形化，岛状地形成显示区域中的TFT116的半导体层30。另外，这时，在全体外围电路中对于构成扫描线驱动电路130、数据线驱动电路140、采样电路150、预充电电路160的TFT的半导体层，也同样地形成。此外，在TFT116的半导体层30之内，对于要形成电容线175的区域30f来说，也可以以高浓度掺进P(磷)等的杂质，预先使之低电阻化。此外，如图10(3)所示，热氧化处理半导体层30的表面，在该半导体层30的表面上形成栅极绝缘膜32。借助于该工序，半导体层30最终变成为厚度约30～150nm，理想的是变成为35～45nm的厚度，而栅极绝缘膜32的厚度则变成为60～150nm，理想的是变成为约30nm的厚度。其次，在栅极绝缘膜32和基底绝缘膜40的上表面上，用减压CVD法等淀积多晶硅层。接着，如图11(4)所示，借助于光刻或刻蚀等使该多晶硅层图形化在显示区域中形成兼用做TFT116的栅极电极的扫描线112，在存储电容119中形成成为另一方的电极的电容线175，此外，在外围电路区域内形成并联布线193之内的一方的布线112b。就是说，在全体外围电路中，包括栅极电极在内形成第1层布线。接着，如图11(5)所示，向半导体层30内掺进合适的杂质。详细地说，在要把显示区域中的TFT116作成为N沟型的情况下，在源、漏区域之内，对与沟道区域30a相邻的区域，以本身就是扫描线112的一部分的栅极电极为扩散掩模，以低浓度掺杂P等的V族元素的杂质。同时，对于全体外围电路中的n沟型TFT，也同样地以本身就是第1层布线的一部分的栅极电极为扩散掩模，以低浓度进行掺杂。接着，形成比栅极电极宽度还宽的光刻胶，以之为掩模，以高浓度同样地掺杂P等的V族元素的杂质。借助于此，N沟型TFT，在沟道区域30a的源极一侧，设置低浓度源极区域30b、高浓度源极区域116S，而在漏极一侧，设置低浓度漏极区域30c、高浓度漏极区域116D，变成为LDD构造。另外，虽然未画出来，但是在用光刻胶把这些n型TFT的半导体层30掩盖起来之后，对于全体外围电路中的p沟型TFT也是一样，对于与沟道区域相邻的区域，以本身就是第1层布线的一部分的栅极电极为掩模掺进例如B(硼)等的III族元素的杂质形成低浓度区域，接着，以宽度比该栅极电极还宽的光刻胶为掩模，同样地掺进B(硼)等的III族元素的杂质，形成高浓度区域。此外，也可以不把各个沟道型TFT形成为LDD构造，而是作成为补偿(offset)构造的TFT，此外，还可以作成为仅仅是自对准型(自整合型)的TFT。其次，如图11(6)所示，用例如CVD法等淀积第1层间绝缘膜41，使得把扫描线112、第1层布线112b、半导体层30、基底绝缘膜40等被覆起来。另外，作为第1层间绝缘膜41的材质，与基底绝缘膜40同样，可以举出NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等。此外，如图12(7)所示，借助于干法刻蚀等，在显示区域中形成接触孔51，在外围电路区域中形成分别用来与第1层布线112b进行连接的接触孔551、561。说得详细点，接触孔51在与TFT116的高浓度漏极区域116D对应的位置上，被形成为使得对第1层间绝缘膜41和栅极绝缘膜32进行开孔，而接触孔551、561，在第1层布线112b的两端位置上，分别被形成为使得对第1层间绝缘膜41开孔。另外，在全体外围电路中，在要使第1层布线与第2层布线实现导通的情况下，可以与该导通部分对应起来同样地形成接触孔(未画出来)。其次，在第2层间绝缘膜41上边，用溅射法等，以大约50～500nm的厚度，理想的是以约200nm的厚度淀积由高熔点金属、金属硅化物或多晶硅等构成的导电层。不言而喻，导电层也可以多层地形成高熔点金属、金属硅化物或多晶硅。借助于此，就可以实现导电层的应力缓和或接触孔的低电阻化。接着，该导电层，如同图(8)所示，借助于光刻或刻蚀等图形化，在显示区域中形成为连接到TFT116的高浓度漏极区域116D上的中间导电膜181，而在外围电路区域中，则形成并联布线之内另一方的布线181b。就是说，在全体外围电路中形成第2层布线。接着，如同图(9)所示，用CVD法等把第2层间绝缘膜42淀积为约500～1500nm的厚度，使得把中间导电膜181、第2层布线18b、第1层间绝缘膜41被覆起来。另外，作为第2层间绝缘膜42的材质，与基底绝缘膜40或第1层间绝缘膜41同样，可以举出NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等。其次，如图13(10)所示，在显示区域中形成接触孔52，在外围电路区域中形成分别用来与第2层布线181b进行连接的接触孔552、562。说得详细点，接触孔52在与TFT116的高浓度源极区域116S对应的位置上，被形成为使得对第2层间绝缘膜42、第1层间绝缘膜41和栅极绝缘膜32进行开孔，而接触孔552、562，在第2层布线181b的两端位置上，分别被形成为使得对第2层间绝缘膜42开孔。另外，在全体外围电路中，在要使第2层布线与第3层布线实现道通的情况下，可以与该导通部分对应起来同样地形成接触孔(未画出来)。此外，在已经形成了接触孔52、552、562的第2层间绝缘膜42上边，用溅射法等，以大约50～500nm的厚度，淀积由铝等低电阻金属构成的导电层。接着，如同图(11)所示，借助于光刻或刻蚀等图形化，在显示区域中，把该导电层，形成为兼用做TFT116的源极电极的数据线114，而在外围电路区域中则把该导电层形成为布线391和图象信号线122。就是说，在全体外围电路中形成第3层布线。接着，如同图(12)所示，用CVD法等把第3层间绝缘膜43淀积为约500～1500nm的厚度，使得把数据线114、图象信号线122等的第3层布线被覆起来。另外，作为第2层布线的材质，与基底绝缘膜40或第1层间绝缘膜41、第2层间绝缘膜42同样，可以举出NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等。其次，如图14(13)所示，用干法刻蚀等，在中间导电膜181中的规定的位置上把接触孔53形成为使得对第3层间绝缘膜43和第2层间绝缘膜42进行开孔。接着，在已经形成了接触孔53的第3层间绝缘膜42的表面上，用溅射法等把ITO等的透明导电膜形成为约50～200nm的厚度之后，用光刻或刻蚀等图形化为规定的形状，如同图(14)所示，形成象素电极118。对于之后的工序虽然省略了图示，但是要把聚酰亚胺等的有机溶液涂敷、烧结到在基板10中成为相向面的象素电极118和第3层间绝缘膜43的整个面上。借助于此，形成配向膜61。另外，对该配向膜61要在规定的方向上进行研磨处理。然后，这样地形成的器件基板101，和在旋转大约90度的方向上进行了研磨处理的相向基板102，在用密封材料104粘贴起来之后，封入液晶105并进行密封，变成为图1所示的那样的电光装置。另外，在器件基板101中，虽然在整个面上都要形成配向膜61，但在液晶密封后借助于等离子体处理，在外围电路区域中，要除去在从相向基板102突出出来的部分上形成的配向膜。为此，外围电路区域中的最上层，变成为第3层间绝缘膜而不是配向膜61。倘采用这样的制造方法，则在显示区域中，把与过去作为对TFT116的高浓度漏极区域116D的势垒膜使用的中间导电膜181同一层的导电膜用做外围电路中的第2层布线成为可能，而无须追加特别的工艺。此外，采用使用3层布线的办法，还可以显著地提高外围电路的设计中的自由度。除此之外，采用与第1层布线一起并联连接的办法，可以实现该布线的低电阻化，此外，采用单独使用第2层布线的办法，可以在同一区域中形成3层布线。<实施例>另外，在上边所说的实施形态中，在第3层布线连接到第1层布线和第2层布线之间的并联布线上的情况下，该第3层布线就变成为连接到第2层布线上的构成。例如，在图8(b)中，图象信号线122，就变成为连接到并联布线183之内第2层布线181b上的构成。如上所述，在第2层的导电层由易于发生应力(易于挠曲)的高熔点金属构成的情况下，当在这样的高熔点金属的布线181b上形成用来进行连接的接触孔的开孔552、562时，就有可能会因开孔所伴生的应力集中而在第2层间绝缘膜42上发生裂纹。此外，当用接触孔552、562，使第2层布线181b露出来时，就变成为因杂质从该布线181b发散出来而成为不合格的原因。于是，在把第3层布线连接到第1层布线112b与第2层布线181b之间的并联布线193的一端上的情况下，例如，如图15(a)所示，人们认为理想的是，通过若干内侧的接触孔571、581连接到第1层布线112b上使之变成为并联布线193，同时，通过外侧的接触孔572或582把第3层布线连接到第1层布线112b上。在该构成的情况下，在形成了第2层间绝缘膜42之后，第2层布线181b不会露出来。为此，由于不会发生因接触孔的开孔而伴生的应力集中，故结果变成为可以防止在第2层间绝缘膜42上的裂纹的产生，还可以防止杂质从该布线181b发散出来。再有，并联布线193的构成，虽然是仅仅在第1布线112b和第2布线181b的两端实现连接，但是如图15(b)所示，也可以在两端以外的1个以上的地点设置接触孔58、59，在该地点也进行连接，变成为使两端的连接更为确实的构成。另外，即便是在象这样地通过两端以外的1个以上的接触孔来实现第1布线112b与第2布线181b之间的连接的构成中，也可以通过外侧的接触孔把第3层布线连接到第1层布线112b上。<其它>此外，在上边所说的实施形态中，虽然其构成为把6条数据线114汇总成1个块，同时采样已变换成6个系统的图象信号VID1～VID6，供往属于1个块的6条数据线114，但是，变换数和同时施加的数据线条数(就是说构成1个块的数据线条数)并不限于‘6’。例如，如果采样电路150中的采样开关151的应答速度足够地高，则也可以构成为在一条图象信号线中并行传送，使得对每一条数据线114按照象点顺序进行采样而无须把图象信号变换成并行。另外，若是这样的构成的话，由于必须以与数据线节距等倍来形成构成数据线驱动电路140的移位寄存器或逻辑电路，故与扫描线驱动电路130同样，说不定必须单独使用第2层布线。此外，也可以作成为这样的构成使变换或同时施加的数据线的条数变成为‘3’或‘12’、‘24’等，同时把进行了3系统变换、12系统变换、24系统变换等的图象信号供往3条、12条、24条等的数据线。另外作为变换数或同时施加的数据线条数，出于与彩色图象信号由3原色的信号构成之间的关系考虑，理想的是，作成为3的倍数，在简化控制和电路等方面是理想的。但是，就如后述的投影仪那样，在仅仅是光调制的用途的情况下，就不需要作成为3的倍数。此外还可以作成为这样的构成不是同时控制多个采样开关，而是使已进行了并行变换的图象信号VID1～VID6按照顺序进行移位后供给，按照顺序地控制采样开关151。此外，在上边所说的实施形态中，是一种从上往下对扫描线112进行扫描，同时从左向右对块进行选择的构成，但是既可以用与上述相反的方向进行选择的构成，也可以是使得可以根据用途选择任何一种方向的构成。再有，在上边所说的实施形态中，虽然在器件基板101是形成的是平面型的TFT116等，但是在本发明中，并不限于此。例如，也可以用背栅型构成TFT116。此外，也可以用半导体基板构成器件基板101，同时，在这里形成场效应晶体管来取代TFT116。再有，还可以使用SOI(SiliconOnInsulator，绝缘体上边的硅)，在蓝宝石、石英、玻璃等的绝缘性基板上形成硅单晶，在其上边制作各种器件，制作成器件基板101。但是在器件基板101不具有透明性的情况下，则必须用铝形成象素电极118，或另外形成反射层等，使液晶面板100变成为反射式使用。此外，在上边所说的实施形态中，作为液晶虽然使用的是TN型的液晶，但是也可以使用BTN(Bi-stableTwistedNematic，双稳定扭曲向列)型、强介电型等的具有存储性的双稳定型或高分子色散型，以及使在分子的长轴方向和短轴方向上具有可见光的吸收性的染料(宾)溶解到恒定的分子排列的液晶(主)中，使染料分子排列成与液晶分子平行的宾主式等的液晶。此外，既可以作成为在不加电压时，液晶分子在对于两个基板垂直的方向上排列。而在加上电压时，液晶分子排列在对于两个基板水平的方向上的垂直配向(homeotoropic)的构成，也可以作成为在不加电压时，液晶分子在对于两个基板平行的方向上排列。而在加上电压时，液晶分子排列在对于两个基板垂直的方向上的平行(水平)配向(homogeneous配向)的构成。如上所述，在本发明中，作为液晶或配向方式，可以使用种种的方式。除此之外，作为电光装置，除去液晶装置之外，还可以在使用电致发光(EL)、等离子体发光或电子发射等产生的荧光等，借助于其电光效应进行显示的种种的电光装置中使用。这时，作为电光物质，将是EL、反射镜装置、气体、荧光体等。另外，在作为电光物质使用EL的情况下，在器件基板101中，由于结果变成为EL存在于象素电极118与透明导电膜的相向电极108之间，故不再需要相向基板102。如上所述，本发明可以在具有与上边所说的构成类似的构成的所有的电光装置中使用。<电子设备>其次对使用上边所说的实施形态的电光装置的若干电子设备进行说明。<其1投影仪>首先，对把上边所说的液晶面板100用做光阀的投影仪进行说明。图16的平面图示出了该投影仪的构成。如该图所示，在投影仪2100内部，设置有由卤素灯泡等的白色光源构成的灯泡单元2102。从该灯泡单元2102射出的投射光，用配置在内部的3块反光镜2106和2块分色镜2108分离成RGB这3原色，与各色对应的光阀100R、100G和100B的构成，与上边所说的实施形态的液晶面板100是同样的，分别用从输入图象信号的处理电路(未画出来)供给的R、G、B的原色信号进行驱动。此外B色的光，与别的R色或G色的光比较，由于光路长，为防止其损耗可以通过由入射透镜2122、中继透镜2123和出射透镜2124构成的中继透镜系统2121导入。分别用光阀110R、100G、100B进行了调制的光，从3个方向向分色镜2112入射。然后，在该分色镜2112中，R色和B色的光向90度折射，而G色的光直线行进。因此，结果就变成为在合成了各色的图象之后，用透镜2114向屏幕2120上投射彩色图象。另外，由于与R、G、B的各个原色对应的光，借助于分色镜2108，向光阀100R、100G、100B入射，故没有必要如上所述那样地设置滤色片。此外，相对于光阀100R、100B的透过象在用分色镜2112反射之后才进行投射，由于光阀100G的透过象保持原状不变地进行投射，故变成为使由光阀100R、100B形成的显示象对于由光阀100G形成的显示象进行左右反转的构成。<其2便携式计算机>其次，对把上边所说的液晶面板100应用于便携式个人计算机的例子进行说明。图17的透视图示出了该个人计算机的构成。在图中，计算机2200具备具有键盘2202的主机部分2204、作为显示部分使用的液晶面板100。另外，在该液晶面板100的背面上，设有用来提高观看性的背光源单元(未画出来)。<其3移动电话>此外对把上边所说的液晶面板100应用于移动电话的显示部分的例子进行说明。图18的透视图示出了该移动电话的构成。在图中，移动电话2300，除去多个操作按键2300之外，与受话口2304、送话口2306一起，具有上边所说的液晶面板100。另外，在该液晶面板100的背面也设有用来提高观看性的背光源单元(未画出来)。另外，作为电子设备，除参看图16、图17和图18说明的设备之外，还可以举出液晶电视、取景器式监视直视式的录象机、汽车导航装置、寻呼机(pager)、电子笔记本、便携计算器、文字处理器、工作站、电视电话、POS终端、数字静物摄象机、具备触摸式面板的设备等等。对于这些各种的电子设备，实施形态和实施例的电光装置理所当然地可以使用。如上所述，倘采用本发明，由于可以使用由与在显示区域中的开关器件的另一端与象素电极之间的连接中使用的中间导电膜同一的层构成的的布线，故可以提高在设计外围电路时的自由度。权利要求1.一种电光装置，具备多条扫描线和多条数据线；与上述扫描线和数据线的交叉部分对应地设置的开关器件和象素电极的对；把上述开关器件和对应的象素电极之间电连接起来的中间导电膜；用来驱动上述每一个开关器件的外围电路；连接到上述外围电路上的、由与构成上述中间导电膜的导电层同一层构成的布线，其特征是上述布线，对于由与构成上述数据线的导电层同一层构成的图象信号线进行交叉。2.权利要求1所述的电光装置，其特征是上述图象信号线，由多条图象信号线形成，与各条图象信号线对应地连接上述布线，各个布线的大小相同。3.一种电光装置，具备多条扫描线和多条数据线；与上述扫描线和数据线的交叉部分对应地设置的开关器件和象素电极的对；把上述开关器件和对应的象素电极之间电连接起来的中间导电膜；用来驱动上述每一个开关器件的外围电路；连接到上述外围电路上的、由与构成上述中间导电膜的导电层同一层构成的布线；其特征是，具有由与构成上述数据线的导电层同一层构成的第1导电层，和由与构成上述数据线的导电层同一层构成，且在与上述第1导电层离开的位置上形成的第2导电层，通过接触孔对上述第1导电层和上述第2导电层作电连接的第3导电层。4.权利要求3所述的电光装置，其特征是上述布线，通过接触孔电连接到上述第3导电层上。5.权利要求4所述的电光装置，其特征是上述第3导电层，由多晶硅构成。6.权利要求4所述的电光装置，其特征是把上述布线和上述第3导电层电连接起来的接触孔，至少具有3个。7.一种电光装置，具备多条扫描线和多条数据线；与上述扫描线和数据线的交叉部分对应地设置的开关器件和象素电极的对；把上述开关器件和对应的象素电极之间电连接起来的中间导电膜；用来驱动上述每一个开关器件的外围电路；连接到上述外围电路上的、由与构成上述中间导电膜的导电层同一层构成的布线；其特征是，具有由与构成上述数据线的导电层同一层构成的第1导电层，和由与构成上述数据线的导电层同一层构成，且在与上述第1导电层离开的位置上形成的第2导电层，通过接触孔对上述第1导电层和上述第2导电层作电连接的第3导电层；在上述第1导电层和上述第2导电层之间配置由与构成上述数据线的导电层同一层组成的图像信号线。8.一种投影仪，其特征是，具备由权利要求1到7中的任何一项所述的电光装置构成的光阀；使光射到上述光阀的光源；以及对从上述光阀射出的光进行投射的投射透镜。全文摘要6条图象信号线(122)是第3层布线。使从某一条图象信号线(122)分枝出来并与别的图象信号线(122)进行交叉的布线(193)，与第1层布线(112b)和第2层布线(181b)并联连接起来使用。布线(112b)是由与扫描线同一层构成的布线，布线(181b)是由TFT的势垒膜同一层构成的布线，借助于进行并联连接就可以实现低电阻化。单独使用第2层布线，提高设计时的自由度，或降低外围电路的布线电阻。文档编号H01L23/52GK1624753SQ20041009827公开日2005年6月8日申请日期2001年5月18日优先权日2000年5月19日发明者村出正夫申请人:精工爱普生株式会社