液晶显示装置及其制造方法

专利名称：液晶显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明关于具有彩色图像显示功能的液晶显示装置，尤其是有关有源型的液晶显示装置。
现有技术近年来，随着微细加工技术、液晶材料技术及高密度安装技术等技术的进步，5～50cm对角尺度的液晶显示装置的电视图像或各种图像显示器大量供应于商用领域。同时，在构成液晶面板的两片玻璃基板的一方，通过事先形成RGB着色层也比较容易实现彩色显示。特别是在每个像素内设置开关元件的所谓有源型液晶面板上，可以保证获得串扰(crosstalk)较少而且具有反应速度较快且对比度高的图像。
这些液晶显示装置(液晶面板)，虽然是以200～1200条扫描线，以300～1600条左右的信号线的矩阵编组为最常见的构成，但是最近，正同时进行着对应于显示容量增大的大画面化及高精细化。


图17表示液晶面板的安装状态，构成液晶面板1的一方的透明性绝缘基板，例如，通过使用导电性粘着剂来连接对形成在玻璃基板2上的扫描线的电极端子群5提供驱动信号的半导体集成电路芯片3的COG(Chip On Glass)方式，或例如以聚醯亚胺树脂薄膜作为基层，把具有镀金或电镀焊锡的铜箔端子(未图示)的TCP薄膜4，以包含导电性媒质的适当粘着剂压接固定在信号线的电极端子群6的TCP(Tape Carrier Package)方式等安装手段，将电信号提供到图像显示部分。在此虽然同时图示两种安装方式，但是实际上是可以适当选择任意一种方式。
7、8是连接位于液晶面板1大致中央部分的图像显示部分内的像素，和扫描线及信号线的电极端子5、6之间的布线，电极端子群5、6不一定以相同导电材料来构成。9是在相对面上具有共通于所有液晶单元的透明导电性的相对电极的另一片透明性绝缘基板的相对玻璃基板或彩色滤光片。
图18是表示以在每个像素配置绝缘栅极型晶体管10的有源型液晶显示装置来作为开关元件的等效电路图，11(在图17上为7)为扫描线，12(在图17上为8)为信号线，13为液晶单元，液晶单元13在电路上被当作电容元件。实线所描绘的元件，是形成在构成液晶面板的一片玻璃基板2上，以虚线所描绘的所有液晶单元13所共通的相对电极14是形成在另一片玻璃基板9的相对的主面上。
在绝缘栅极型晶体管10的OFF电阻或液晶单元13的电阻较低的场合或重视显示图像灰阶性的场合，可设法增加电路设置，把为了增大作为负载的液晶单元13的时间常数而增设的补助电容15并联在液晶单位13等电路上。
图19是表示液晶显示装置的图像显示部分的主要部位剖面图，构成液晶面板1的两片玻璃基板2、9，是通过树脂性纤维，粒子或形成在彩色滤光片9上的柱状间隔物等间隔材料(未图示)，间隔数μm左右的特定距离而形成，并且其间隙(间隔)，是在玻璃基板9的周缘部分，通过有机性树脂所构成的密封材料及封口材料(都没有图示)形成密封的密闭空间，在此密闭空间填充液晶17。
实现彩色显示时，在玻璃基板9的密闭空间覆盖称为着色层18的染料或颜料的任意一种或两者的厚度1～2μm左右的有机薄膜，而提供颜色显示功能，在此时玻璃基板9又被称为彩色滤光片(简称CF)。而且，按照液晶材料17的性质不同，在玻璃基板9的上面或是玻璃基板2的下面的任意一面或是在两面上都贴附偏光板，使液晶面板1作为光电元件而发挥功能。现在，在市面上所销售的大部分液晶面板，使用TN(扭转向列性)液晶，偏光板19通常需要两片。虽然未图示，但是透过型液晶面板，是配置有背面光源来作为光源，从下方照射白色光。
与液晶17接触而形成在两片玻璃基板2、9上的例如厚度0.1μm左右的聚醯亚胺薄膜20，是使液晶分子配向在特定方向的配向膜。21是连接绝缘栅极型晶体管10的漏极和透明导电性的像素电极22的漏极电极(布线)，多半与信号线(源极线)12同时形成。位于信号线12与漏极电极21之间的是半导体层23，将在后面详述。在彩色滤光片9上，形成在相邻接的着色层18边界的厚度0.1μm左右的Cr薄膜层24是用于防止外部光射入至半导体层23和扫描线11及信号线12的光遮蔽部件，这就是属于公知技术的所谓的黑矩阵(简称为BM)。
在此，说明有关作为开关元件的绝缘栅极型晶体管的构造与制造方法。绝缘栅极型晶体管目前常用的有两种，以其中一种作为常规例(称为蚀刻截止型)而加以介绍。图20表示构成传统液晶面板的有源基板(用于显示装置的半导体装置)的单位像素的平面图，图21表示图20(e)A-A’、B-B’及C-C’线上的剖面图，以下简单说明其制造工序。
首先，如图20(a)及图21(a)所示作为耐热性与耐药品性及透明性高的绝缘性基板而选用的厚度0.5～1.1μm左右的玻璃基板2，例如(康宁CORNING)公司所制造的品名1737的一个主面上，使用SPT(溅镀)等真空制膜装置选择性地形成例如Cr、Ta、Mo等或是覆盖这些合金或金属硅化合物的膜厚0.1～0.3μm左右的第一金属层，而通过微细加工技术，选择性形成也兼作栅极电极11A的扫描线11和储存电容线16。扫描线的材料最好是综合考虑耐热性和耐药品性和耐氟酸性及导电性而加以选择。
为了适应液晶面板的大画面化或高精细化而降低扫描线的电阻值，虽然以使用铝来做为扫描线的材料较为合理，但是铝在单体状态，由于耐热性较低，因此层叠上述耐热金属如Cr、Ta、Mo或是这些金属的金属硅化物，或是在表面上以阳极氧化附加氧化层(Al2O3)等做法都属于现在的现有技术。也就是说，扫描线11是由一层以上的金属层所构成的。
其次，在玻璃基板2的整个面上，使用PCVD装置分别以0.3μm-0.5μm-μm左右的膜厚依序覆盖作为栅极绝缘层的第一SiNx(氮化硅)层30，和不含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第一非晶硅(a-Si)层31，及作为保护通道的绝缘层的第二SiNx层32等三种薄膜层，如图20(b)与图21(b)所示，通过微细加工技术使得栅极电极11A的第二SiNx层32选择性地残留比栅极电极11A宽度更细的作为32A，而露出第一非晶硅层31。
其次，使用相同的PCVD装置在整个面上覆盖0.05μm左右膜厚的包含杂质例如磷的第二非晶硅层33之后，如图20(c)与图21(c)所示，使用SPT等真空制膜装置依序覆盖0.1μm左右的Ti、Cr、Mo等耐热金属薄膜层34来作为耐热金属层，膜厚0.3μm左右的铝薄膜层35作为低电阻布线层，膜厚0.1μm左右的钛薄膜层36作为中间导电层，通过微细加工技术，选择性形成由作为源极、漏极布线材料的这三种薄膜34A、35A、36的叠层所构成的绝缘栅极型晶体管的漏极电极21，和兼作源极电极的信号线12。该选择性图案的形成方式，是将用于形成源极、漏极布线的感光性树脂图案作为掩膜，依序蚀刻Ti薄膜层36、铝薄膜层35、及Ti薄膜层34之后，去除源极、漏极电极12，21间的第二非晶硅层33，而露出第二SiNx层32A，同时，也在其他区域上去除第一非晶硅层31，露出栅极绝缘层30而形成的。如此，因为存在通道保护层的第二SiNx层32A，所以第二非晶硅层33的蚀刻会自动结束，因此该制造方法被称为蚀刻截止制造方法。
为使绝缘栅极型晶体管不成为偏压(offset)构造，源极、漏极电极12、21，是与栅极电极11A部份(数μm)平面性重叠而形成。由于该重叠具有寄生电容的电学性作用，所以越小越好，但因为通常是以曝光机的对准精度和掩膜板的精度和玻璃基板的膨胀系数及曝光时的玻璃基板温度等所决定，所以实用的数值最大为2μm。
接着，在玻璃基板2的整个面上，与栅极绝缘层同样使用PCVD装置，覆盖作为透明性绝缘层的膜厚0.3μm左右的SiNx层而作为钝化(passivation)绝缘层37，如图20(d)与图21(d)所示，通过微细加工技术选择性去除钝化绝缘层37，而在漏极电极21、形成开口部分62、和在图像显示部分外的区域形成扫描线11的电极端子5的位置上形成开口部分63，和在形成扫描线12的电极端子6的位置上形成开口部分64，而露出漏极电极21，和扫描线11与信号线12的一部份。在储存电容线16(将平行聚集的电极图案)上，形成开口部分65而露出储存电容线16的一部分。
最后，使用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚0.1～0.2μm左右的例如ITO(铟锡氧化物)或是IZO(铟锌氧化物)来作为透明导电层，如图20(e)与图21(e)所示，通过微细加工技术包含开口部分62而在钝化绝缘层37上，选择性形成像素电极22，完成有源基板2。以开口部分63内露出的扫描线11的一部份作为电极端子5，以开口部分64内露出的信号线12的一部份作为电极端子6也是可以的，如图所示，包含开口部分63、64而在钝化绝缘层37上，选择性形成由ITO所形成的电极端子5A、6A也是可以的，但是通常也同时形成连接在电极端子5A、6A之间的透明导电性短路线40。其理由是虽未图示但通过使电极端子5A、6A与短路线40之间形成为细长的条纹状而高电阻化，可以作为防静电措施用的高电阻。同样地，包含开口部分65而形成储存电容线16的电极端子。
当信号线12的布线电阻不会造成问题时，则不一定需要由铝形成的低电阻布线层35，这种情况下，若选择Cr、Ta、Mo等耐热金属材料时，可以将源极、漏极布线12、21单层化而简化。另外，有关绝缘栅极型晶体管的耐热性，已详细记载于现有例子的特开平7-74368号公报。同时，在图20(c)中，储存电容线16与漏极电极21中间夹着栅极绝缘层30而重叠的区域50(左上往右下的斜线)，虽然形成储存电容15，但是在此省略其详细说明。
以上所叙述的五道掩膜板工艺，虽然省略其详细描述，但这是属于半导体层的岛化工序与接触形成工序被削减一道工序的结果，所以当初需要7～8道左右的工序，也通过引入干法蚀刻技术，现在减少到五道而有助于工艺成本的大幅削减。为了降低液晶显示装置的生产成本，在有源基板的制作工序降低工艺成本，而在面板组装工序与模块安装工序降低部件成本是属于有效方式，这是众所周知的开发目标。为了降低工艺成本，也有采用缩短工艺的工序削减时，与廉价的工艺开发或替换工艺，但在此举出以四道掩膜板制得有源基板的四道掩膜板工艺作为工序削减的例子而加以说明。四道掩膜板工艺是引入半色调(halftone)曝光技术，而削减照相蚀刻工序，因此图22为对应于四道掩膜板工艺的有源基板的单位像素平面图，图23为表示图22(e)的A-A’、B-B’及C-C’线的剖面图。如先前所叙述的，绝缘栅极型晶体管现在常使用的有两种，在此采用通道蚀刻型绝缘栅极型晶体管。
首先，与五道掩膜板工艺相同，在玻璃基板2的主面上使用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚0.1～0.3μm左右的第一金属层，如图22(a)与图23(a)所示，通过微细加工技术选择性形成兼作栅极电极11A的扫描线11与储存电容线16。
其次，在玻璃基板2的整个面上使用PCVD装置分别依序覆盖膜厚0.3μm-0.2μm-0.5μm的将作为栅极绝缘层的SiNx层30，几乎不含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第一非晶硅层31，及包含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的源极、漏极的第二非晶硅层33等三种薄膜层。接着，使用SPT等真空制膜装置依序覆盖例如膜厚0.1μm左右的Ti薄膜层34作为耐热金属层35，膜厚0.3μm左右的例如铝薄膜层35作为低电阻布线层，膜厚0.1μm左右的例如Ti薄膜层36作为中间导电层，也就是依序覆盖源极、漏极布线材料，通过微细加工技术选择性形成兼作绝缘栅极型晶体管的漏极电极21和源极电极的信号线12，其最大特点是当形成该选择图案时，通过半色调(halftone)曝光技术，如图22(b)和图23(b)所示，源极、漏极布线间的通道形成区域80C(左下往上的斜线部分)的膜厚，例如为1.5μm，形成比源极、漏极布线形成区域80A、80B的膜厚3μm更薄的感光性树脂图案80A～80C。
如此形成的感光性树脂图案80A～80C，在用于液晶显示装置的基板的制作时通常使用正型感光性树脂，因此源极、漏极布线形成区域80A，80B为黑色，也就是说，形成Cr薄膜，通道区域80C为灰色，例如形成宽度0.5～1μm左右的线条空行间隔(Line And Space)的Cr图案，其他区域为白色，也就是说，使用去除Cr薄膜的掩膜板即可。灰色区域因为曝光机的分辨率不足，因此不会成像出线条及空行(Line And Space)，且来自光源的对掩膜板的照射光可透过大约一半左右，因此根据正型感光性树脂的残膜特性而可获得具有如图23(b)所示的剖面形状的感光性树脂图案80A～80C。
以上述感光性树脂图案80A～80C作为掩膜，如图22(b)和图23(b)所示，依序蚀刻Ti薄膜层36、Al薄膜层35、Ti薄膜层34、第二非晶硅层33及第一非晶硅层31，而露出栅极绝缘层30之后，如图22(c)和图23(c)所示，通过氧气等离子等灰化手段使得感光性树脂图案80A～80C的膜厚，例如从3μm减少1.5μm以上，81A、81B、80C消失而露出通道区域。在此，将削减薄膜的感光性树脂图案80A～80C作为掩膜，再次依序蚀刻源极、漏极布线间(通道形成区域)的Ti薄膜层36A、Al薄膜层35A、Ti薄膜层34A、第二非晶硅层33A及第一非晶硅层31A，第一非晶硅层31A被蚀刻至残留0.05～0.1μm左右。被称为通道蚀刻的理由是如此蚀刻成为通道的半导体所形成的。而且，在上述氧气等离子处理上为了抑制图案尺寸的各向异性最好是增强各向异性。其理由将在后面介绍。
而且，去除上述感光性树脂图案81A、81B之后，五道掩膜板工艺同样如图22(d)和图23(d)所示，在玻璃基板2的整个面上覆盖膜厚0.3μm左右的SiNx层作为透明性绝缘层，在形成漏极电极21和扫描线11和信号线12的电极端子5、6形成的区域分别形成开口部分62、63、64，而去除开口部分内的钝化绝缘层37与栅极绝缘层30。
最后，使用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚0.1～0.2μm左右的例如ITO或IZO来作为透明导电层，如22(e)和图23(e)所示，通过微细加工技术使得在钝化绝缘层37上，包含开口部分62选择性形成透明导电性的像素电极22而完成有源基板2。关于电极端子，在此包含开口部分63、64而在钝化绝缘层37上选择性形成由ITO所形成的电极端子5A、6A。
如此，在五道掩膜板工艺与四道掩膜板工艺中，由于通往漏极电极21与扫描线11的接触孔形成工序同时进行，因此对应于该开口部分62、63内的绝缘层厚度与种类不同。钝化绝缘层37比栅极绝缘层30的制膜温度低且膜质差，在通过氟酸系氧的蚀刻液蚀刻时，蚀刻速度分别为数千埃(A)/分与数百埃(A)/分，相差一个数量级，漏极电极21上的开口部分62的剖面形状，由于上部产生过度蚀刻而无法控制孔径，因此采取利用氟系气体的干法蚀刻(干法蚀刻)。
即使采用干法蚀刻，漏极电极21上的开口部分62，由于仅为钝化绝缘层37，因此与扫描线的开口部分63相比，无法避免过度蚀刻，随着材料不同，中间导电层36A有时会因蚀刻气体而减薄。此外，当蚀刻结束后去除感光性树脂图案时，首先为了去除被氟化的表面的聚合物，以氧气等离子灰化将感光性树脂图案的表面削减0.1～0.3μm左右，其后，一般使用有机剥离液，譬如东京应化公司制造的剥离液106等的药液来处理，但是当中间导电层36A被削薄而露出基底铝层35A的状态时，以氧气等离子灰化处理而在铝层35A的表面形成绝缘体Al2O3，在与像素电极22之间将无法获得欧姆接触。于是，为了使中间导电层36A即使膜厚削减时也没有妨碍，其膜厚例如设定成0.2μm的较厚的膜厚来避免此问题。或者，形成开口部分62～65时，去除铝层35A而从露出基底耐热金属层的薄膜层34A之后再形成像素电极22的回避问题的方法也是可以的，在这种情况下，有从一开始就不需要中间导电层36A的好处。
但是，在前面的措施上，当该薄膜的膜厚的面内均匀性不好时，该配合未必会起有效作用，此外蚀刻速度的面内均匀性不好时，也是完全相同。在后面的措施中，虽然无须中间导电层36A，但是却增加去除铝层35A的工序，而且当开口部分62的剖面控制不充分时，可能引起像素电极22的断线。
另外，在通道蚀刻型的绝缘栅极型晶体管中，通道区域不含杂质的第一非晶硅层31，如果不事先覆盖成较厚(在通道蚀刻型通常为0.2μm以上)时，对玻璃基板的面内均匀性将有很大影响而使得晶体管的特性，特别是截止电流会出现参差不齐的倾向。这对PCVD的运转率和灰尘产生状况将产生颇大的影响，从生产成本的观点来看也是非常重要的事项。
另外，在四道掩膜板工艺中所适用的通道形成工序，由于选择性去除源极、漏极布线12、21间的源极、漏极布线材料和半导体层，因此是决定大幅影响绝缘栅极型晶体管的导通(ON)特性的通道长度(在目前的量产产品为4～6μm)的工序。该通道长度的变动，由于大幅改变绝缘栅极型晶体管的导通电流值，因此通常要求严格的制造管理，但是通道长度，也即决定于半色调(halftone)曝光区域的图案尺寸，受到曝光量(光源强度和掩膜板的图案精度，尤其是线条与空行尺寸)、感光性树脂的涂布厚度、感光性树脂的显像处理，及在该蚀刻工序的感光性树脂的膜削减量等诸多参数的影响，而且，所述诸多量的面内均匀性也彼此相关，不一定能提高产率且稳定生产，与传统的制造管理相比，需要更严格的制造管理，目前仍不能称作已经达到高水准。尤其通道长度为6μm以下时其倾向更为明显。
本发明是由于有鉴于现状而完成的，不仅避免共通于传统的五道掩膜板工艺或四道掩膜板工艺的接触孔形成时的问题，而且采用制造误差容限较大的半色调(halftone)曝光技术而实现制造工序的减少。同时，实现液晶面板的低价格化，为了逐渐适应于需求增加而需要更精心追求制造工序的削减的必要性是容易理解的，通过简化或低成本化其他主要制造工序的技术，更加提高本发明的价值。

发明内容
在本发明中，首先是将半色调(halftone)曝光技术适用于图案精度管理较为容易的蚀刻停止层的形成工序与接触孔形成工序而实现制造工序的削减。其次，为了仅仅将源极、漏极布线有效钝化，融合了公开在现有技术的特开平2-216129号公报的在铝所形成的源极、漏极布线的表面形成绝缘层的阳极氧化技术，而实现工艺合理化及低温化。再将经过合理化的公开在现有技术的特愿平5-268726号公报的像素电极的形成工序适用于本发明。为了更加削减工序，在源极、漏极布线的阳极氧化层形成时，也采用半色调(halftone)曝光技术而合理化电极端子的保护层形成工序。
在权利要求1所述的绝缘栅极型晶体管，其特征是在通道上具有保护绝缘层，以包含由不同于源极、漏极布线材料的导电性材料所形成的源极布线的电连接区域的一部份而形成的源极、漏极布线上，形成有感光性有机绝缘层的底部栅极型绝缘栅极型晶体管，其感光性有机绝缘层发挥钝化保护功能，因此无须提供SiNx等保护绝缘层，液晶显示装置的相关关系已在权利要求5及第二实施例上明确说明。
在权利要求2所述的绝缘栅极型晶体管，其特征是在通道上具有保护绝缘层，除源极布线的电连接区域之外，仅在源极布线上，形成感光性有机绝缘层的底部栅极型绝缘栅极型晶体管，其感光性有机绝缘层由于发挥钝化功能，因此无须提供SiNx等保护绝缘层，且与液晶显示装置的相关关系已在权利要求6，8、10及第三、五、七实施例上明确说明。
在权利要求3所述的绝缘栅极型晶体管，其特征是在通道上具有保护绝缘层，以可阳极氧化的金属层构成源极、漏极布线，同时，除源极布线的电连接区域以外，在源极、漏极布线上，形成阳极氧化层的底部栅极型绝缘栅极型晶体管，其阳极氧化层由于发挥钝化功能，因此无须提供SiNx等保护绝缘层，且关于液晶显示装置已在权利要求4、7、9、11及第一、四、六、八实施例上明确说明。
在权利要求4所述的绝缘栅极型晶体管，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与兼作源极布线的信号线、和连接在漏极布线的像素电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和在与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或是彩色滤光片之间，填充液晶而成的液晶显示装置；其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的金属层所构成的扫描线；在栅极电极上夹着一层以上的栅极绝缘层而不含杂质的第一半导体层被形成为岛状；在栅极电极上的第一半导体层上，形成比前述栅极宽度更细的保护绝缘层；在前述保护层的一部份上和第一半导体层上，形成由包含杂质的第二半导体层与可阳极氧化的金属层的叠层所构成的源极、漏极布线；在前述漏极布线的一部份上与栅极绝缘层上，在透明导电性的像素电极与像素显示部分外的区域，在信号线上，形成透明导电性的电极端子；除与前述漏极布线的像素电极重叠的区域和信号线的电极端子区域以外，在源极、漏极布线的表面，形成阳极氧化层。
通过此构造，在源极、漏极间的通道上形成保护绝缘层，而在保护通道的同时，也在信号线与漏极布线的表面形成绝缘性的阳极氧化层的五氧化钽(Ta2O5)，或氧化铝(Al2O3)而提供钝化功能。因此，在玻璃基板的整个表面无须覆盖钝化绝缘层，因此绝缘栅极型晶体管的耐热性不再成问题。而可获得具有透明导电性电极端子的TN型液晶显示装置。
权利要求5所述的液晶显示装置，其特征是同样在至少第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由透明导电层与第一金属层的叠层所构成的扫描线和透明导电性的像素电极与相同的信号线电极端子；在栅极电极上夹着等离子保护层与栅极绝缘层岛状地形成不包含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比前述栅极电极宽度更细的保护绝缘层；在前述像素电极上的等离子保护层和栅极绝缘层形成开口部分；在前述保护绝缘层的一部份和第一半导体层上及信号线的电极端子的一部份上，形成由包含杂质的第二半导体层，与一层以上的第二金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线，和在前述保护层的一部份与第一半导体层上及前述开口部分内的像素电极一部份上，同样形成漏极布线；在前述源极、漏极布线上，形成感光性有机绝缘层。
通过此构造，在源极、漏极间的通道上形成保护绝缘层而在保护通道的同时，在信号线与漏极布线的表面，形成感光性有机绝缘层而提供钝化功能。因此，在玻璃基板的整个面上无须覆盖钝化绝缘层，因此绝缘栅极型晶体管的耐热性不再成为问题。而可获得具有透明导电性电极端子的TN型液晶显示装置。
权利要求6所述的液晶显示装置，其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成夹着通过透明导电层与第一金属层的叠层所形成的扫描线和透明导电性的像素电极；在栅极电极上夹着等离子保护层与栅极绝缘层被岛状形成不含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比在前述栅极电极宽度更细的保护绝缘层；在前述像素电极上的等离子保护层和栅极绝缘层形成开口部分；在前述保护绝缘层的一部份和第一半导体层上，形成由包含杂质的第二半导体层与一层以上的第二金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线，和在前述保护层的一部份上与第一半导体层上及前述开口部分内的像素电极的一部份上，同样形成漏极布线；除信号线的电极端子以外在信号线上形成感光性有机绝缘层。
通过此构造，在源极、漏极间的通道上形成保护绝缘层而在保护通道的同时，在信号线的表面，形成感光性有机绝缘层而提供钝化功能。因此，在玻璃基板的整个面上无须覆盖钝化绝缘层，因此绝缘栅极型晶体管的耐热性不再成为问题。从而可以获得具有与信号线相同金属性电极端子的TN型液晶显示装置。
权利要求7所述的液晶显示装置，其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由透明导电层与金属层的叠层所构成的扫描线和透明导电性的像素电极；在栅极电极上夹着等离子保护层与栅极绝缘层岛状地形成不含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比前述栅极电极宽度更细的保护绝缘层；在前述像素电极上的等离子保护层和栅极绝缘层形成开口部分；在前述保护绝缘层的一部份上和第一半导体层上，形成包含杂质的第二半导体层，与可阳极氧化的金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线，和在前述保护层的一部份和第一半导体层上和第一透明性绝缘基板上及前述开口部分内的像素电极的一部份上，同样形成漏极布线；除信号线的电极端子以外，在源极.漏极布线表面，形成阳极氧化层。
通过此构造，在源极、漏极间的通道上，形成保护绝缘层而在保护通道的同时，也在信号线与漏极布线的表面，形成绝缘性阳极氧化层的五氧化钽(Ta2O5)，或氧化铝(Al2O3)而提供钝化功能。因此，在玻璃基板的整个面上无须覆盖钝化绝缘层，因此绝缘栅极型晶体管的耐热性不再成为问题。从而可以获得具有与信号线相同金属性的电极端子的TN型液晶显示装置。
权利要求8所述的液晶显示装置，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与兼作源极布线的信号线、和连接在前述源栅极型晶体管的漏极的像素电极、和与前述像素电极间隔特定距离而形成的相对电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间，填充液晶而成的液晶显示装置；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的金属层所形成的扫描线和相对电极；在栅极电极上夹着一层以上的栅极绝缘层岛状地形成不含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比前述栅极电极宽度更细的保护绝缘层；在前述保护层的一部份上和第一半导体层上，形成由包含杂质的第二半导体层与一层以上的第二金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线，和漏极布线(像素电极)；除信号线的电极端子以外，在信号线上形成感光性有机绝缘层；扫描线的电极端子，在图像显示部分外的区域，由包含形成在扫描线上的栅极绝缘层的开口部分而形成的第二金属层。
通过此构造，在源极、漏极间的通道上，形成保护绝缘层而在保护通道的同时，也在信号线与漏极布线的表面，形成绝缘性的阳极氧化层的五氧化钽(Ta2O5)，或氧化铝(Al2O3)而提供钝化功能。因此，在玻璃基板的整个面上无须覆盖钝化绝缘层，因此绝缘栅极型晶体管的耐热性不再成为问题。从而可以获得具有与信号线相同金属性的电极端子的IPS型液晶显示装置。
权利要求9所述的液晶显示装置，其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的金属层所构成的扫描线和相对电极；在栅极电极上夹着一层以上的栅极绝缘层岛状地形成不含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比前述栅极电极宽度更细的保护绝缘层；在前述保护层的一部份和第一半导体层上，形成由包含杂质的第二半导体层与可阳极氧化的金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线，和漏极布线(像素电极)；除信号线的电极端子以外，在源极、漏极布线表面形成阳极氧化层；扫描线的电极端子，在图像显示部分外的区域，由包含形成在扫描线上的栅极绝缘层的开口部分而形成的可阳极氧化的金属层所构成。
通过此构造，在源极、漏极间的通道上，形成保护绝缘层而在保护通道的同时，也在信号线与漏极布线的表面，形成绝缘性阳极氧化层的五氧化钽(Ta2O5)，或氧化铝(Al2O3)而提供钝化功能。因此，在玻璃基板的整个面上无须覆盖钝化绝缘层，因此绝缘栅极型晶体管的耐热性不再成为问题。从而可以获得具有与信号线相同金属性的电极端子的IPS型液晶显示装置。
在权利要求10所述的液晶显示装置，其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的金属层所构成的扫描线和相对电极；在栅极电极上夹着一层以上的栅极绝缘层岛状地形成不含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比前述栅极宽度更细的保护绝缘层；在前述保护层的一部份上和第一半导体层上，形成由包含杂质的第二半导体层与一层以上的第二金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线和漏极布线(像素电极)；除信号线的电极端子以外，在信号线上形成感光性有机绝缘层；扫描线的电极端子，是在图像显示部分外的区域，由包含形成在扫描线上的栅极绝缘层的开口部分而构成的第二金属层，与第二金属层的叠层所形成的。
通过此构造，是与权利要求8所述的液晶显示装置大致为相同构造，同时可以获得制造工序较少的IPS型液晶显示装置。
权利要求11所述的液晶显示装置，其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的金属层所构成的扫描线和相对电极；在栅极电极上夹着一层以上的栅极绝缘层岛状地形成不含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比前述栅极电极宽度更细的保护绝缘层；在前述保护层的一部份上和第一半导体层上，形成由包含杂质的第二半导体层与可阳极氧化的金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线和漏极布线(像素电极)；除信号线的电极端子以外，在源极.漏极布线表面，形成阳极氧化层；扫描线的电极端子，是在像素显示部分外的区域，由包含形成在扫描线上的栅极绝缘层的开口部分而形成第二半导体层和可阳极氧化的金属层的叠层所构成的。
通过此构造，是与权利要求9所述的液晶显示装置大致为相同的构造，同时也可获得制造工序较少的IPS型的液晶显示装置。
权利要求12，是权利要求4所述的液晶显示装置的制造方法。其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的金属层所构成的扫描线的工序；依序覆盖一层以上的栅极绝缘层，和不含杂质的第一非晶硅层，和保护绝缘层的工序；在扫描线的电极端子形成区域上，形成具有开口部分而栅极电极上的保护绝缘层形成区域的膜厚比其他区域还要厚的感光性树脂图案的工序；去除前述开口部分内的保护绝缘层和第一非晶硅层及栅极绝缘层，而露出扫描线的电极端子形成区域的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出保护绝缘层的工序；在栅极电极上，残留宽度比栅极电极还要细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；去除前述感光性树脂图案之后，全面覆盖含杂质的第二非晶硅层的工序；以与前述保护层部份重叠的方式，形成由第二非晶硅层与一层以上的可阳极氧化的金属层的叠层所构成的源极(信号线)、漏极布线的工序；在栅极绝缘层与前述漏极布线的一部份上，在透明导电性的像素电极与图像显示部分外的区域，在信号线上形成透明导电性的电极端子的工序；将用于前述像素电极与电极端子的选择性图案形成的感光性树脂图案，作为掩膜，保护像素电极与电极端子，同时，使源极、漏极布线阳极氧化的工序。
通过此构造，使用一道掩膜板可以处理蚀刻截止层的形成工序与半导体层的岛化工序，而实现削减摄影蚀刻工序数。而且，在形成像素电极时，可阳极氧化源极、漏极布线而不需形成钝化绝缘层的削减制造工序的结果是使用四道掩膜板即可制造TN型液晶显示装置。
权利要求13，是权利要求5所述的液晶显示装置的制造方法。其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由透明导电层与第一金属层的叠层所构成的扫描线及信号线的模拟电极端子及模拟像素电极的工序；依序覆盖等离子保护层与栅极绝缘层与不含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在扫描线与信号线的电极端子形成区域上与模拟像素电极上，形成具有开口部分而栅极电极上的保护绝缘层形成区域的膜厚，比其他区域还要厚的感光性树脂图案的工序；去除前述开口部分内的保护绝缘层与第一非晶硅层及栅极绝缘层与等离子保护层与第一金属层，而与透明导电性的扫描线与信号线的电极端子形成区域相同露出像素电极的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出保护绝缘层的工序；在栅极电极上，残留比栅极电极宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；去除前述感光性树脂图案之后，全面覆盖含杂质的第二非晶硅层的工序；覆盖一层以上的第二金属层之后，形成由第二非晶硅层与一层以上的第二金属层的叠层所构成而与前述保护绝缘层部分重叠地包含信号线的电极端子形成区域而在其表面具有感光性有机绝缘层的源极布线(信号线)相同的像素电极，而形成漏极布线的工序。
通过此构造，可使用一道掩膜板而削减处理像素电极与扫描线的摄影蚀刻工序数，和可使用一道掩膜板而处理蚀刻截止层的形成工序与半导体层的岛化工序，进而实现削减摄影蚀刻工序数。此外，在形成源极、漏极布线时削减所使用的感光性有机绝缘层维持残留使不再需要形成钝化绝缘层的制造工序的削减，结果可以使用三道掩膜板制作TN型液晶显示装置。
权利要求14，是权利要求6所述的液晶显示装置的制造方法。其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由透明导电层与第一金属层的叠层所构成的扫描线及模拟像素电极的工序；依序覆盖等离子保护层与栅极绝缘层与不含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在扫描线的电极端子形成区域上，与模拟像素电极上，形成具有开口部分而电极上的保护绝缘层形成区域的膜厚，比其他区域还要厚的感光性树脂图案的工序；去除前述开口部分内的保护绝缘层与第一非晶硅层及栅极绝缘层与等离子保护层与第一金属层，而与透明导电性的扫描线的电极端子形成区域相同露出像素电极的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出保护绝缘层的工序；在栅极电极上，残留比栅极电极宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；去除前述感光性树脂图案之后，全面覆盖含杂质的第二非晶硅层的工序；覆盖一层以上的第二金属层之后，分别对应于与前述保护绝缘层部份重叠的源极布线(信号线)，及与前述保护绝缘层部份重叠的包含像素电极的漏极布线，及包含透明导电性的扫描线的电极端子形成区域的扫描线的电极端子，以及由信号线的一部份所构成的信号线的电极端子，而形成四种信号线的膜厚比其他区域更厚的感光性有机绝缘层图案的工序；将前述感光性有机绝缘层图案作为掩膜，而选择性去除第二金属层与第二非晶硅层与第一非晶硅层，而形成扫描线与信号线的电极端子与源极、漏极布线的工序；减少前述感光性有机绝缘层图案的膜厚，而露出扫描线与信号线的电极端子与漏极布线的工序。
通过此构造，可使用一道掩膜板而降低处理像素电极与扫描线的摄影蚀刻工序数，使用一道掩膜板而处理蚀刻截止层的形成工序与半导体层的岛化工序，进而实现削减摄影蚀刻工序数。此外，在形成源极、漏极布线时，使用半色调(halftone)曝光技术而仅在信号线上，选择性残留感光性有机绝缘层而不需形成钝化绝缘层的制造工序削减的结果是可以使用三道掩膜板来制作TN型液晶显示装置。
权利要求15，是权利要求7所述的液晶显示装置的制造方法。其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由透明导电层与金属层的叠层所构成的扫描线及模拟像素电极的工序；依序覆盖等离子保护层与栅极绝缘层与不含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在扫描线的电极端子形成区域上，与模拟像素电极上，形成具有开口部分而保护绝缘层形成区域的膜厚比其他区域更厚的感光性树脂图案的工序；去除前述开口部分内的保护绝缘层与第一非晶硅层及栅极绝缘层与等离子保护层与金属层，而露出与透明导电性的扫描线的电极端子形成区域相同的像素电极的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出保护绝缘层的工序；在栅极电极上残留比栅极电极宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；去除前述感光性树脂图案之后，全面覆盖含杂质的第二非晶硅层的工序；覆盖一层以上可阳极氧化的金属层之后，分别对应于与前述保护绝缘层部份重叠的源极布线(信号线)，及相同含像素电极的漏极布线，及包含透明导电性的扫描线的电极端子形成区域的扫描线的电极端子，以及由信号线的一部份所构成的信号线的电极端子，而分别形成扫描线与信号线的电极端子的膜厚比其他区域更厚的感光性树脂图案的工序；将前述感光性树脂图案作为掩膜，而选择性去除可阳极氧化的金属层与第二非晶硅层与第一非晶硅层，而形成扫描线与信号线的电极端子与源极、漏极布线的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出源极、漏极布线的工序，和保护前述电极端子，且阳极氧化源极、漏极布线的工序。
通过此构造，可使用一道掩膜板而削减处理像素电极与扫描线的摄影蚀刻工序数，和可使用一道掩膜板而处理蚀刻截止层的形成工序与半导体层的岛化工序，进而实现削减摄影蚀刻工序数。此外，在形成源极、漏极布线时，使用半色调(halftone)曝光技术而仅在源极、漏极布线上，选择性形成阳极氧化层而不需形成钝化绝缘层的制造工序的削减结果是可以使用三道掩膜板来制作TN型液晶显示装置。
权利要求16，是权利要求8所述的液晶显示装置的制造方法。其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的第一金属层所构成的扫描线及相对电极的工序；依序覆盖一层以上的栅极绝缘层与不含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在栅极电极上，残留比栅极电极宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；全面覆盖包含杂质的第二非晶硅层之后，在扫描线的电极端子形成区域上，形成开口部分而去除前述开口部分内的第二非晶硅层与第一非晶硅层及栅极绝缘层，而露出扫描线一部份的工序；覆盖一层以上的第二金属层之后，分别对应于与前述保护绝缘层部份重叠的源极布线(信号线)、漏极布线(像素电极)，及包含前述开口部分的扫描线的电极端子，与由信号线的一部份所构成的信号线的电极端子，而分别形成信号线上的膜厚比其他区域更厚的感光性有机绝缘层图案的工序；将前述感光性有机绝缘层图案作为掩膜，而选择性去除第二金属层与第二非晶硅层与第一非晶硅层，而形成扫描线与信号线的电极端子与源极、漏极布线的工序；减少前述感光性有机绝缘层图案的膜厚，而露出扫描线与信号线的电极端子与漏极布线的工序。
通过此构造，在形成源极、漏极布线时，使用半色调(halftone)曝光技术而仅在信号线上，选择性残留感光性有机绝缘层而不需形成钝化绝缘层的制造工序的削减，可以使用四道掩膜板制造IPS型液晶显示装置。
权利要求17，是权利要求9所述的液晶显示装置的制造方法。其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一主面上，形成由一层以上的第一金属层所构成的扫描线及相对电极的工序；依序覆盖一层以上的栅极绝缘层与不含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在栅极电极上残留比栅极电极宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；全面覆盖包含杂质的第二非晶硅层之后，在扫描线的电极端子形成区域上形成开口部分而去除前述开口部分内的第二非晶硅层与第一非晶硅层及栅极绝缘层，而露出扫描线的一部份的工序；覆盖一层以上的可阳极氧化的金属层之后，分别对应于与前述保护绝缘层部份重叠的源极布线(信号线)、漏极布线(像素电极)，与含前述开口部分的扫描线的电极端子，与信号线的一部份所形成的信号线的电极端子，而分别形成扫描线与信号线的电极端子上的膜厚比其他区域更厚的感光性树脂图案的工序；以前述感光性树脂图案作为掩膜，而选择性去除可阳极氧化的金属层与第二非晶硅层与第一非晶硅层，而形成扫描线与信号线的电极端子与源极、漏极布线的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出源极、漏极布线的工序；保护前述电极端子上同时阳极氧化源极、漏极布线的工序。
通过此构造，在形成源极、漏极布线时，使用半色调(halftone)曝光技术而在源极、漏极布线上，选择性形成阳极氧化层而不需形成钝化绝缘层的制造工序的削减，可以使用四道掩膜板制造IPS型液晶显示装置。
权利要求18，是权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法。其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的第一金属层所构成的扫描线及相对电极的工序；依序覆盖一层以上的栅极绝缘层与不含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在扫描线的电极端子形成区域上，形成具有开口部分，而栅极电极上的保护绝缘层形成区域的膜厚比其他区域更厚的感光性树脂图案的工序；去除前述开口部分内的保护绝缘层与第一非晶硅层及栅极绝缘层，而露出扫描线一部份的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出保护绝缘层的工序；在栅极电极上残留比栅极电极宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；去除前述感光性树脂图案之后，全面覆盖包含杂质的第二非晶硅层的工序；覆盖一层以上的第二金属层之后，分别对应于与前述保护绝缘层部份重叠的源极布线(信号线)、漏极布线(像素电极)，及包含开口部分内的第二非晶硅层的扫描线的电极端子，及由信号线的一部份所构成的信号线的电极端子，分别形成信号线上的膜厚比其他区域更厚的感光性有机绝缘层图案的工序；将前述感光性有机绝缘层图案作为光掩膜，而选择性去除第二金属层与第二非晶硅层与第一非晶硅层，而形成扫描线与信号线的电极端子与源极、漏极布线的工序；减少前述感光性有机绝缘层图案的膜厚，而露出扫描线与信号线的电极端子与漏极布线的工序。
通过此构造，可使用同一道掩膜板来处理蚀刻截止层的形成工序与栅极绝缘层的开口部分形成工序，进而实现削减摄影蚀刻工序数。此外，在形成源极、漏极布线时，使用半色调(halftone)曝光技术而仅在信号线上，选择性残留感光性有机绝缘层而不需形成钝化绝缘层的制造工序的削减，可以使用三道掩膜板制造IPS型液晶显示装置。
权利要求19，是权利要求11所述的液晶显示装置的制造方法。其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的第一金属层所构成的扫描线及相对电极的工序；依序覆盖一层以上的栅极绝缘层与不含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在扫描线的电极端子形成区域上，形成具有开口部分而栅极电极上的保护绝缘层形成区域的膜厚比其他区域更厚的感光性树脂图案的工序；去除前述开口部分内的保护绝缘层与第一非晶硅层及栅极绝缘层，而露出扫描线一部份的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出保护绝缘层的工序；在栅极电极上残留比栅极电极宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；去除前述感光性树脂图案之后，全面覆盖包含杂质的第二非晶硅层的工序；覆盖一层以上的可阳极氧化的金属层之后，分别对应于与前述保护绝缘层部份重叠的源极布线(信号线)、漏极布线(像素电极)，及包含开口部分内的第二非晶硅层的扫描线的电极端子，及由信号线的一部份所构成的信号线的电极端子，而分别形成扫描线与信号线的电极端子上的膜厚比其他区域更厚的感光性树脂图案的工序；以前述感光性树脂图案作为掩膜选择性去除可阳极氧化的金属层与第二非晶硅层与第一非晶硅层，而形成扫描线与信号线的电极端子与源极、漏极布线的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出源极、漏极布线的工序；保护前述电极端子上同时阳极氧化源极、漏极布线的工序。
通过此构造，可使用同一道掩膜板而处理蚀刻截止层的形成工序与栅极绝缘层的开口部分形成工序，进而实现削减摄影蚀刻工序数。此外，在形成源极、漏极布线时，使用半色调(halftone)曝光技术而仅在源极、漏极布线上，选择性形成阳极氧化层而不需形成钝化绝缘层的制造工序的削减，可以使用三道掩膜板制造IPS型液晶显示装置。
图式简单说明图1是表示本发明第一实施例的用于显示装置的半导体装置的平面图；图2是表示本发明第一实施例的用于显示装置的半导体装置的制造工序剖面图；图3是表示本发明第二实施例的用于显示装置的半导体装置的平面图；图4是表示本发明第二实施例的用于显示装置的半导体装置的制造工序剖面图；图5是表示本发明第三实施例的用于显示装置的半导体装置的平面图；图6是表示本发明第三实施例的用于显示装置的半导体装置的制造工序剖面图；图7是表示本发明第四实施例的用于显示装置的半导体装置的平面图；图8是表示本发明第四实施例的用于显示装置的半导体装置的制造工序剖面图；
图9是表示本发明第五实施例的用于显示装置的半导体装置的平面图；图10是表示本发明第五实施例的用于显示装置的半导体装置的制造工序剖面图；图11是表示本发明第六实施例的用于显示装置的半导体装置的平面图；图12是表示本发明第六实施例的用于显示装置的半导体装置的制造工序剖面图；图13是表示本发明第七实施例的用于显示装置的半导体装置的平面图；图14是表示本发明第七实施例的用于显示装置的半导体装置的制造工序剖面图；图15是表示本发明第八实施例的用于显示装置的半导体装置的平面图；图16是表示本发明第八实施例的用于显示装置的半导体装置的制造工序剖面图；图17是表示液晶面板的安装状态斜视图；图18是表示液晶面板的等效电路图；图19是表示常规液晶面板的剖面图；图20是表示常规例子的有源基板平面图；图21是表示常规例子的有源基板的制造工序剖面图；图22是表示合理化的有源基板的剖面图；图23是表示合理化的有源基板的制造工序剖面图。
实施方式基于图1至图16来说明本发明的实施例。图1是表示本发明第一实施例的用于显示装置的半导体装置(有源基板)的平面图，图2是表示图1的A-A’线上和B-B’线上及C-C’线上的制造工序的剖面图。相同地，第二实施例、第三实施例、第四实施例、第五实施例、第六实施例、第七实施例、第八实施例将各以图3与图4、图5与图6、图7与图8、图9与图10、图11与图12、图13与图14、图15与图16，来表示有源基板的平面图与制造工序的剖面图。此外，对与现有例子相同的部位分配相同的符号而省略其详细说明。
第一实施例说明有关本发明的第一实施例。第一实施例现有例子相同，首先，如图1(a)与图2(a)所示，在玻璃基板2的一个主面上，使用SPT(溅镀)等真空制膜装置，以例如Cr、Ta、Mo等或是覆盖这些金属的合金或金属硅化物来形成膜厚0.1～0.3μm左右的第一金属层，通过微细加工技术选择性形成兼作栅极电极11A的扫描线11与共通电容线16。更详细的说明将在以后说明，在本发明中，扫描线材料将几乎没有限制。
其次，在玻璃基板2的整个面上，使用PCVD装置而依序覆盖例如膜厚0.3μm左右的将作为栅极绝缘层的第一SiNx(氮化规)层30，和膜厚0.5μm左右的几乎不含杂质且作为绝缘栅极型晶体管的通道的第一非晶硅(a-Si)层31，及膜厚0.1μm左右的作为保护通道的绝缘层的第二SiNx层31的三种薄膜层，而且，如图1(b)与图2(b)所示，在图像显示部分外的区域，在扫描线11的电极端子形成区域上通过半色调曝光技术形成具有开口部分63A(在共通电容线16的电极端子形成区域上为开口部分65A)，同时，保护绝缘层形成区域，也就是说，栅极电极11A上的区域82A的膜厚，例如为2μm比其他区域82B的膜厚1μm还要厚的感光性树脂图案82A、82B，以感光性树脂图案82A、82B作为掩膜，而选择性去除开口部分63A(与开口部分65A)内的通道保护层的第二SiNx层32，和第一非晶硅层31与栅极绝缘层的第一SiNx层30而露出扫描线11(与共通电容线16)的一部份72。扫描线11的电极端子的间距最大只到用于驱动LSI的电极间隙的一半左右，由于通常具有20μm以上的大小，因此形成开口部分63A(白色区域)的掩膜板的制作，及完成尺寸的精度管理极为容易。
其次，通过氧化等离子等灰化手段将上述感光性树脂图案82A、82B削减膜厚1μm以上时，感光性树脂图案82B消失，如图1(c)与图2(c)所示，在第二SiNx层32露出的同时，可以仅在保护绝缘层形成区域上选择性形成感光性树脂图案82C。而且，在上述氧气等离子处理，为了控制图案尺寸变化最好是加强各向异性，但是在图案精度较低时没有其必要性。感光性树脂图案82C，也就是说，蚀刻截止层的图案宽度，是在源极、漏极布线间的尺寸，加上掩膜板配合精度，因此源极、漏极布线间为4～6μm，及配合精度为±3μm时，尺寸精度为10～12μm，尺寸精度要求并不严格。但是，从光阻图案82A转换成82C时，光阻图案均匀等向地削减1μm时，尺寸不仅缩小2μm，且形成源极、漏极布线时的掩膜板配合精度，缩小为1μm而成为±2μm，与前者相比，后者的影响对工艺的要求更严格。因此，在上述氧气等离子处理中，为了控制图案尺寸的变化，最好加强各向异性。具体而言，最好是通过RIE(反应离子蚀刻，Reactive Ion Etching)方式，或是具有高密度等离子源的ICP(Inductive Coupled Plasama)方式或TCP(TransferCoupled Plasama)方式的氧气等离子处理。而且，如图1(d)与图2(d)所示，以感光性树脂图案82C作为掩膜，而将第二SiNx层32蚀刻至比栅极电极11A宽度更细，成为第二SiNx层32A，同时，露出第一非晶硅层31。保护绝缘层形成区域，也就是说，感光性树脂图案82C(黑色区域)的大小，即使是最小尺寸也有10μm大小，将黑色区域和白色区域以外的区域作为半色调(halftone)曝光区域不仅掩膜板制作较为容易，而且与通道蚀刻型的绝缘栅极晶体管相比，决定绝缘栅极型晶体管的起动电流的是通道保护绝缘层32A的尺寸，而不是源极、漏极布线12、21间的尺寸，因此更易于工艺管理。具体而言，例如在通道蚀刻型的源极、漏极布线间的尺寸为5±1μm，在蚀刻停止型的保护绝缘层尺寸为10±1μm，在相同显影条件下，导通电流的变化量大约减半。此时，曝光的扫描线11一部份72由于是曝露于保护绝缘层32A的蚀刻气体或药品，因此随着扫描线11的材料不同，需要注意产生扫描线11的一部份72的膜厚削减，但即使有例如铝合金露出的情况，如果在最下层选择Ti来作为源极、漏极布线材料，可容易避免氧化的影响。其他，如在现有例子所说明的，也可以采用例如事先把扫描线11做成铝/钛/铝的叠层，即使上层的钛消失，也可以采用除去铝而使下层的钛露出的制作方法。
当去除前述感光性树脂图案82C之后，使用PCVD装置在玻璃机板2的整个面上例如以0.05μm左右的膜厚覆盖例如含磷作为杂质的第二非晶硅层33之后，使用SPT等真空制膜装置，依序覆盖例如膜厚0.1μm左右的作为可阳极氧化的耐热金属层的Ti、Ta等耐热金属薄膜层34；以及膜厚0.3μm左右的相同作为可阳极氧化的低电阻布线层的铝薄膜层35；以及膜厚0.1μm左右的相同作为可阳极氧化的中间导电层的Ta等耐热金属薄膜层36。接着，通过微细加工技术，使用感光性树脂图案而依序蚀刻由这三层薄膜所构成的源极、漏极布线材料，和第二非晶硅层33与第一非晶硅层31，而露出栅极绝缘层30，如图1(e)与图2(e)所示，选择性形成由叠层34A、35A、36A所构成的绝缘栅极型晶体管的漏极电极21与兼作源极的信号线12。而且，通常，在形成源极、漏极布线12、21时，也包含扫描线的一部份72地同时形成扫描线电极端子5，但是随着源极、漏极布线的材料不同，也存在如图所示在此处不形成电极端子的可能性。若电阻值的限制较为宽松的话，可以简化源极、漏极布线12、21的构造而作成Ta单层，此外在添加Nd的铝合金其上化学电位下降而在碱性溶液中与ITO的化学腐蚀反应被抑制，因此在此情况下，无须中间导电层36，可使源极、漏极布线12、21的叠层构造做成双层构造，源极、漏极布线12、21的构造多少被简化。
形成源极、漏极布线12、21之后，在玻璃基板2的整个面上使用SPT等真空制膜装置覆盖例如ITO形成0.1～0.2μm左右的透明导电层，如图1(f)和图2(f)所示，通过微细加工技术使得包含漏极电极21的中间导电层36A的一部份而在栅极绝缘层30上选择性形成像素电极22。此时，在扫描线的一部份72(或电极端子5)和图像显示部分外的信号线12上，也形成透明导电膜而成为透明导电性的电极端子5A、6A。而且，在此，与现有例子设置透明导电性的短路线40相同，通过使电极端子5A、6A和短路线40之间形成为细长条状使其高电阻化而易于作为防静电对策用的高电阻。
其次，如图1(g)和图2(g)所示，将用于选择性地形成像素电极22图案的感光性树脂图案83作为光掩膜，照射光同时阳极氧化源极、漏极布线12、21而在其表面形成氧化层。在源极、漏极布线12、21的上面露出Ta，且在侧面露出Ta、Al、Ti，第二非晶硅层33A及第一非晶硅层31A的叠层，通过阳极氧化使得第二非晶硅层33A变质为含杂质的氧化硅层(SiO2)66，使第一非晶硅层31A变质为不含杂质的氧化硅层(SiO2)67，使Ti变质为属于半导体的氧化钛(TiO2)68，使AL变质为绝缘层的氧化铝(AL2O3)69，且使Ta变质为在绝缘层的五氧化钽(Ta2O5)70。氧化钛层68虽然不是绝缘层，其膜厚极薄且露出面积也小，因此原则上对钝化不会造成问题，但是耐热金属薄膜层34A最好事先选择Ta。然而，由于Ta不同于Ti，其欠缺吸收基底的表面积氧化层而使易于欧姆接触功能的特性必须加以注意。
在漏极布线21上，为了形成良好膜质的阳极氧化层，要在照射光的同时实施阳极氧化，这是阳极氧化工序的重点，已在现有例子种公开。具体而言，照射1万勒克斯(lux)左右充分强的光而绝缘栅极型晶体管的漏电流若超过μA的话，从漏极电极21的面积计算可得，10m/cm2左右的阳极氧化是可以获得良好膜质的电流密度。但是，漏极布线21上的阳极氧化层的膜质即使不充分，一般而言也可获得充分可信赖性，其理由是施加在液晶单元的驱动信号，基本上为交流，以使相对电极14与像素电极22(漏极电极21)之间的直流电压成分减少的方式，在图像检查时调整相对电极14的电压(降低闪烁调整)，基本原理上以仅在信号线12上无直流成分电流的方式事先形成绝缘层即可。
以阳极氧化所形成的五氧化钽70、氧化铝69、氧化钛68、氧化硅层66、67的各氧化层以0.1～0.2μm左右的膜厚来作为布线的钝化就很充分了，使用乙二醇等反应液而施加的电压以相同超过100V即可实现。源极、漏极布线12、21的阳极氧化时的应注意事项，虽未图示但所有信号线12必须被形成为电学并联或串联，在之后的制造工序的某一处如果不解除该串/并联时，不仅有源基板2的电气检查有问题，连作为液晶显示装置实际工作时也有障碍。作为解除手段可通过雷射光照射导致蒸散，或是通过划线器进行所产生的机械性切除是较为简易的方法，这里省略详细说明。
以感光性树脂图案83事先覆盖像素电极22不仅无须阳极氧化像素电极22，经由绝缘栅极型晶体管流入漏极电极21的反应电流不用保证必须的大小以上即可解决。
最后，去除前述感光性树脂图案83，如图1(h)与图2(h)所示，完成有源基板2(用于显示装置的半导体装置)。将如此所得的有源基板2和彩色滤光片贴合而使液晶面板化，完成本发明的第一实施例。关于储存电容15的构造，如图1(h)所示，示出储存电容16与像素电极22中夹着栅极绝缘层30平面性重叠(左上往右下的斜线部分)所构成的例子，但是储存电容15的构造并不限于此，在像素电极22与前段扫描线11之间，也可以夹着包含栅极绝缘层30的绝缘层的构造。此外，其他构造亦可，但省略其说明。同样地，由于具有扫描线的接触孔形成工序，因此使用透明导电层以外的导电性材料或半导体层也易于进行防静电措施。
第一实施例中，在扫描线的接触孔形成工序和通道保护层(蚀刻截止层或保护绝缘层)的形成工序这种较低图案精度的层适用半色调(halftone)曝光技术而进行摄影蚀刻工序被削减，以四道掩膜板制作有源基板，但是由于以一道掩膜板处理像素电极与扫描线的形成，可以再削减工序而可以用三道掩膜板制作有源基板，因此作为第二至第四实施例而加以详细说明。
第二实施例在第二实施例中，首先，在玻璃基板2的一个主面上，使用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚0.1～0.2μm左右的透明导电层91例如ITO，和覆盖膜厚0.1～0.3μm左右的第一金属层92，如图3(a)和图4(a)所示，通过微细加工技术选择性形成由透明导电层91A与第一金属层92A的叠层所构成，也兼作栅极电极11A的扫描线11，和由透明导电层91B与第一金属层92B的叠层所构成的模拟像素电极93，和由透明电极91C与第一金属层92C的叠层所构成的信号线的模拟电极端子94。例如选择Cr、Ta、Mo等高熔点金属或是这些金属的合金或金属硅化物来作为第一金属层。中间夹着栅极绝缘层而改善与信号线的绝缘耐压，为了提高成品率，该电极，最好通过千法蚀刻(dry etch)进行剖面形状的斜面控制，但是ITO的干法蚀刻技术在蚀刻气体使用HI(碘化氢)或溴化氢(HBr)的技术已被开发，但在排气系统的反应生成物的堆积量太大，没有达到实用化的程度，因此目前采用的是使用Ar(氩气)的喷溅、蚀刻即可。
其次，在玻璃基板2的整个面上，以0.1μm左右的膜厚覆盖作为等离子保护层的透明绝缘层例如TaOx或SiO2而形成71。此等离子保护层71是为了防止在由后述的PCVD装置形成栅极绝缘层的SiNx时，露出在扫描线11与模拟像素电极93的边际部分的透明导电层91A、91B被还原，而使SiNx的膜质改变所必要的，详细内容参照现有例子的特开昭59-9962号公报。
覆盖等离子保护层71之后，与第一实施例相同，使用PCVD装置依序形成以0.2μm-0.05μm-0.1μm左右膜厚的作为栅极绝缘层的第一SiNx层30，和几乎不含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第一非晶硅层31，及作为保护通道的绝缘层的第二SiNx层32等三种薄膜层，在模拟像素电极93上，在开口部分74与图像显示部分外的区域，在扫描线11的电极端子形成区域上具有开口部分63A，和在模拟电极端子94上，具有开口部分64A，同时，保护绝缘层形成区域，也就是，栅极电极11A上的区域84A的膜厚，例如2μm比其他区域84B的膜厚1μm还厚的感光性树脂图案84A、84B，是通过半色调(halftone)曝光技术形成的。在此，栅极绝缘层因为成为等离子保护层与第一SiNx层的叠层，第一SiNx可形成为比以前还要薄。以感光性树脂图案84A、84B作为掩膜，如图3(b)与图4(b)所示，依序蚀刻上述开口部分内的第二SiNx层32，第一非晶硅层31，栅极绝缘层30，等离子保护层71，以及第一金属层92，露出扫描线11一部份的透明导电层，而作成扫描线的电极端子5A，同样地，露出模拟电极端子94的透明导电层而作成信号线的电极端子6A，露出模拟像素电极93的透明导电层91B而作成像素电极22。
其次，通过氧气等离子等灰化手段，使上述感光性树脂图案84A、84B削减膜厚1μm以上时，去除感光性树脂图案84B，如图3(b)与图4(b)所示，可以在露出第二SiNx层32B的同时，仅在保护绝缘层形成区域上选择性形成感光性树脂图案84C。在上述氧气等离子处理上，为了不降低后述的源极、漏极布线形成工序的掩膜配合精度，因此最好加强异方性(各向异性)，而抑制图案尺寸的变化。且如图3(d)与图4(d)所示，以感光性树脂图案84C作为掩膜，而选择性蚀刻第二SiNx层32B，形成比栅极电极11A的图案宽度更细的第二SiNx层32A，同时也露出第一非晶硅层31B。此时，露出在上述开口部分63A内的透明导电性的扫描线的电极端子5A，和信号线的电极端子6A及像素电极22，虽然暴露于第二SiNx层32B的蚀刻气体，但是使用氟系蚀刻气体并不会产生减少这些透明导电层的膜厚，或改变电阻值，或改变透明度等瑕疵问题，因此非常适合。
接着，去除前述感光性树脂图案84C之后，使用PCVD装置在玻璃基板2的整个面上，依序覆盖例如0.05μm左右膜厚的例如含磷作为杂质的第二非晶硅层33，使用SPT等真空制膜装置，覆盖膜厚0.1μm左右的例如Ti、Ta等耐热金属薄膜层34来作为耐热金属层，以及覆盖膜厚0.3μm左右的铝薄膜层35作为低电阻布线层。接着，将这两层膜厚所形成的源极、漏极布线材料，和第二非晶硅层33及第一非晶硅层31B等，通过微细加工技术，使用感光性树脂图案85依序蚀刻而露出栅极绝缘层30A，如图3(e)和图4(e)所示，选择性地形成包含像素电极22的一部份而由34A和35A的叠层所形成的绝缘栅极型晶体管的漏极电极21，与包含信号线的电极端子6A的一部份，也兼作源极电极的信号线12。扫描线的电极端子5A，和信号线的电极端子6A，在结束源极、漏极布线12、21的蚀刻时，露出在玻璃基板2上。而且，如果电阻值的限制不严格时，源极、漏极布线12、21的构造可简化为Ta、Cr、Mo等的单层。
如此进行，将所得到的有源基板2和彩色滤光片贴合而使液晶面板化，完成本发明的第二实施例。在第二实施例中，感光性树脂图案85由于接触液晶，因此感光性树脂图案85并非采用以酚酸清树脂为主要成分的普通感光性树脂，而是使用纯度高、主要成分使用含聚丙烯酸树脂或聚醯亚胺树脂的耐热性较高的感光性有机绝缘层是很重要的，随材料不同有些可通过加热而使流动化，而覆盖源极、漏极布线12、21的侧面的方式来构成，这种情况下，更加改善液晶面板的可信赖性。关于储存电容15的构成，如图3(e)所示，以源极、漏极布线12、21，和包含像素电极22的一部份所形成的储存电极73，和设置在前段扫描线11的突起部分等，中间夹着等离子保护层71A，与栅极绝缘层30A，而平面性重叠的构成已有例子来示出(左上往右下的斜线部分52)，但储存电容15的构造并不限于此，如同第一实施例，也可以采用在扫描线与同时形成的共通电容线16及像素电极22之间，中间夹着包含栅极绝缘层30A的绝缘层的构成。此外，其他构造也是可以的，但省略其详细说明。
在第二实施例中，扫描线的电极端子和信号线的电极端子都有必须是透明导电层的装置构成上的限制，但是，解除其限制的装置、工艺也可以施行，将此作为第三、第四实施例而加以说明。
第三实施例在第三实施例中，如图5(d)和图6(d)所示，到接触形成工序和通道保护层(蚀刻截止层)的形成工序，是以大致与第二实施例相同的工艺进行的。但是，由于后述的理由，不一定需要用到模拟电极端子94。其后，去除感光性树脂图案84C，使用PCVD装置而在玻璃基板2的整个面上例如以0.05μm左右的膜厚覆盖包含杂质例如磷的第二非晶硅层33之后，在源极、漏极布线的形成工序上，使用SPT等真空制膜装置，依序覆盖膜厚0.1μm左右的例如Ti、Ta等耐热金属薄膜层34来作为耐热金属层，膜厚0.3μm左右的铝薄膜层35作为低电阻布线层。接着，这两层薄膜所构成的源极、漏极布线材料，和第二非晶硅层33与第一非晶硅层31B，通过微细加工技术，使用感光性树脂图案86依序蚀刻，而露出栅极绝缘层30A，如图5(e)与图6(e)所示，选择性形成含像素电极22的一部份而由34A和35A的叠层所构成的绝缘栅极型晶体管的漏极电极21，和也兼作源极布线的信号线12，在形成源极、漏极布线12、21时，也同时包含露出的扫描线电极端子形成区域5A而形成扫描线的电极端子5与由信号线的一部份所构成的电极端子6。也就是说，如第二实施例，不一定需要用到模拟电极端子94。此时，信号线12上的86A的膜厚，例如为3μm，比漏极电极21上与电极端子5、6上，及储存电极73上的86B的膜厚1.5μm还要厚的感光性树脂图案86A、86B通过半色调(halftone)曝光技术事先形成，这是第三实施形态的重要特征。对应于电极端子5，6的86B的最小尺寸为数十μm，比较大；掩膜板制作及制作尺寸管理虽然也极为容易，但是由于对应于信号线12区域86A的最小尺寸为4～8μm，尺寸精度要求较高，因此有必要采用较细间隙的图案来作为半色调(halftone)区域。但是，如现有例子所说明的，与以一次曝光处理与二次蚀刻处理而形成的源极、漏极布线12、21相比，本发明的源极、漏极布线12、21，只要以一次曝光处理与一次蚀刻处理即可形成，因此影响图案宽度变动的因素较少，并且源极、漏极布线12、21的尺寸管理，以及源极、漏极布线12、21间，也就是通道长度的尺寸管理也比从前的半色调(halftone)曝光技术更容易进行图案精度的管理。此外，与通道蚀刻型之绝缘栅极晶体管相比，决定绝缘栅极型晶体管的导通电流的是通道保护绝缘层32A的尺寸，而不是源极、漏极布线12、21间的尺寸，因此可以理解其更易于进行工艺管理。
形成源极、漏极布线12，21之后，通过氧气等离子等灰化手段将上述感光性树脂图案86A、86B削减膜厚1.5μm以上时，感光性树脂图案86B消失，如图5(f)与图6(f)所示，可在漏极电极21与电极端子5，6露出的同时，仅在信号线12上，选择性形成感光性树脂图案86C，以上述氧气等离子处理使感光性树脂图案86C的图案宽度变细时，露出信号线12的上表面而降低可信赖性，因此最好要强化异方性(各向异性)，抑制图案尺寸的变化。此外，如果电阻值的限制不严格时，源极、漏极布线12、21的构造可简化为Ta、Cr、Mo等单层。
将如此进行所得到的有源基板2和彩色滤光片贴合而使液晶面板化，完成本发明的第三实施例。即使在第三实施例中，感光性树脂图案86C由于接触到液晶，因此感光性树脂图案86C并不采用以酚酸清树脂为主要成分的普通感光性树脂，而采用纯度高、主要成分使用含聚丙烯酸树脂或聚醯亚胺树脂的耐热性较高的感光性有机绝缘层是很重要的，随着材料不同有些可通过加热而使流动化，而覆盖源极、漏极布线12、21的侧面的方式来构成，这种情况下更加改善液晶面板的可信赖性。关在储存电容15的构成，如图5(f)所示，源极、漏极布线12、21，和包含像素电极22的一部份所形成的储存电极73，和设置在前段扫描线11的突起部分等，中间夹着等离子保护层71A与栅极绝缘层30A，而平面性重叠的构成已有例子示出(左上往右下的斜线部分52)。此外，连接形成在电极端子形成区域5A和信号线12下的透明导电性图案6A(模拟电极端子91C)，和短路线40的透明导电层图案，通过将其形状作成细长线状，可作为防静电措施的高电阻布线，但当然也可以采用使用了其他导电性部件的防静电措施。
在本发明的第三实施例中，是仅在信号线12上形成有机绝缘层而漏极电极21在保持导电性的状态下露出，即使如此也可以获得充分可信赖性的理由，是因为施加在液晶单元的驱动信号基本上为交流信号，以相对电极14与像素电极22(漏极电极21)之间的直流电压成分减少的方式，在图像检查时调整相对电极14的电压(降低闪烁的调整)，因此，以使仅在信号线12上有直流成分的方式事先形成绝缘层即可。
在本发明的第二与第三实施例中，分别仅在源极、漏极布线上以及信号线上形成有机绝缘层，而推动制造工序的删减，但有机绝缘层的厚度通常为1μm以上，因此在使用研磨布的配向膜的配向处理时，其高低可能造成非配向状态或者可能出现妨碍液晶单元的间隙精度的确保。于是，在第四实施例以追加最小限度的工序数而使其具备改变为有机绝缘层的钝化(passivation)技术。
第四实施例在第四实施例中，如图7(d)和图8(d)所示，至接触形成工序与通道保护层(蚀刻截止层)的形成工序为止，是以大致与第三实施例相同的工艺进行的。去除感光性树脂图案84C之后，使用PCVD装置在玻璃基板2的整个面上，覆盖例如0.05μm左右膜厚的含杂质例如磷的第二非晶硅层33，在源极、漏极布线形成工序，使用SPT等真空制膜装置，依序覆盖膜厚0.1μm左右的例如Ti、Ta等耐热金属薄膜层34来作为可阳极氧化的耐热金属层，及膜厚0.3μm左右的铝薄膜层35来作为相同的可阳极氧化的低电阻布线层。接着，通过微细加工技术使用感光性树脂图案87依序蚀刻这两层薄膜所构成的源极、漏极布线材料，和第二非晶硅层33与第一非晶硅层31B，而露出栅极绝缘层30A，如图7(e)与图8(e)所示，选择性形成含像素电极22的一部份而由34A和35A的叠层所构成的绝缘栅极型晶体管的漏极电极21，和也兼作源极布线的信号线12；包含在同时形成源极、漏极布线12、21的同时露出的扫描线电极端子形成区域5A，也形成扫描线的电极端子5与由信号线的一部份所构成的电极端子6。此时，电极端子5、6上的87A的膜厚(黑色区域)例如为3μm，比对应于源极、漏极布线12，21和储存电极73的区域87B(灰阶区域)的膜厚1.5μm还要厚的感光性树脂图案87A，87B通过半色调(halftone)曝光技术事先形成，这是第四实施例的重要特征。
形成源极、漏极布线12、21之后，通过氧气等离子等灰化手段将上述感光性树脂图案87A、87B削减膜厚1.5μm以上时，感光性树脂图案87B消失，露出源极、漏极布线12、21和储存电极73，同时可仅在电极端子5、6上选择性形成感光性树脂图案87C。在上述氧气等离子处理即使感光性树脂图案87C的图案宽度变细，仅在具有较大图案尺寸的电极端子5、6周围形成阳极氧化层，对电气特性和成品率及品质等几乎没有影响，这是特别值得一提的特征。以感光性树脂图案87C作为掩膜而照射光，同时如图7(f)和图8(f)所示，阳极氧化源极、漏极布线12、21而形成氧化层68、69，同时阳极氧化露出在源极、漏极布线12、21的下侧面的第二非晶硅层33A，和第一非晶硅层31A，而形成绝缘层的氧化硅层(SiO2)66、67。
结束阳极氧化后，去除感光性树脂图案87C，如图7(g)和图8(g)所示，在其侧面露出由被形成阳极氧化层的低电阻薄膜层所构成的电极端子5、6。扫描线的电极端子6的侧面，通过用于防静电的高电阻短路线91C，而流入阳极氧化电流，因此与信号线的电极端子5相比，可理解其形成在侧面的绝缘层厚度变薄。而且，如果电阻值的限制不严格时，源极、漏极布线12、21的构造，可简化成可阳极氧化的Ta单层。将如此所获得的有源基板2和彩色滤光片贴合而使液晶面板化，完成本发明的第四实施形态。关于储存电容15的构造，如图7(g)所示，以源极、漏极布线12、21和包含像素电极22的一部份所形成的储存电极73，和设置在前段扫描线11的突起部分等，中间夹着等离子保护层71A，和栅极绝缘层30A而平面性重叠的构成已有例子示出(左上往右下的斜线部分52)。
在第四实施例中，如此，源极、漏极布线12、21和第二非晶硅层33A及第一非晶硅层31A的阳极氧化时，因为与漏极电极21电气连接的像素电极22也露出，因此像素电极22也同时被阳极氧化这一点，与第一实施例大为不同。因此，也因为随着根据构成像素电极22的透明导电层的膜质不同使得阳极氧化而增加电阻值，在这种情况下，适当变更透明导电层的制膜条件而需要事先做成氧气不足的膜质，但阳极氧化并不会降低透明导电层的透明度。此外，供阳极氧化漏极电极21与像素电极22的电流，也通过绝缘栅极型晶体管的通道来提供，但因为像素电极22面积较大，故需要较大的反应电流或长时间的反应，无论照射多强的外光，通道部分的电阻都会成为障碍，在漏极电极21与储存电极73上，要形成与信号线12上的同等质膜和膜厚的阳极氧化层，仅靠反应时间的延长是难以实现的。但是，形成在漏极布线21上的阳极氧化层即使多少不够完全，多半可以得到在实用上没有障碍的可信赖性。原因如先前所述，施加在液晶单元的驱动信号基本上为交流，在相对电极14与像素电极22(漏极电极21)之间，以使直流电压成分变少的方式在图像检查时调整相对电压14的电压(降低闪烁的调整)，也就是说，以使直流成分仅在信号线12上流过的方式事先形成绝缘层即可。
以上说明的液晶显示装置，是使用TN型液晶单元，但是以后像素电极间隔特定距离而被形成的一对相对电极与像素电极来控制横向方向电场的IPS(In-Plain-Switching)方式的液晶显示装置，也适用本发明建议的工序削减，用后面介绍的实施例来说明。
第五实施例在第五实施例中，首先，在玻璃基板2的一个主面上，使用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚0.1～0.3μm左右的第一金属层，如图9(a)与图10(a)所示，通过微细加工技术选择性形成兼作栅极电极11A的扫描线11与相对电极16。
其次，在玻璃基板2的整个面上，使用PCVD装置以例如0.3μm-0.05μm-0.1μm左右的膜厚依序覆盖作为栅极绝缘层的第一SiNx(氮化硅)层30，和几乎不含杂质且作为绝缘栅极型晶体管通道的第一非晶硅(a-Si)层31，和作为保护通道的绝缘层的第二SiNx层32等三种薄膜层，如图9(b)所示，通过微细加工技术选择性地残留栅极电极11A上的第二SiNx层使其宽度比栅极电极11A更细而露出第一非晶硅层31来作为32A。接着如图10(b)所示，使用PCVD装置而在玻璃基板的整个面上，以例如0.05μm左右的膜厚覆盖包含杂质例如磷的第二非晶硅层33。
其次，通过微细加工技术，如图9(c)与图10(c)所示，在像素显示部分外的区域，在扫描线11的电极端子形成区域，形成开口部分63A(在也兼作储存电容线的相对电极16的电极端子形成区域上形成开口部分65A)，选择性去除开口部分63A内的第二非晶硅层33和第一非晶硅层31及栅极绝缘层30，而露出扫描线11的一部份72。
其次，在玻璃基板2的整个面上，使用SPT等真空制膜装置，依序覆盖膜厚0.1μm左右的譬如以Ti、Ta等耐热金属薄膜层34来作为耐热金属层，接着膜厚0.3μm左右的铝薄膜层35来作为低电阻布线层。接着，通过微细加工技术使用感光性树脂图案86A、86B依序蚀刻由这两层薄膜所构成的源极、漏极布线材料，和第二非晶硅层33及第一非晶硅层31，而露出栅极绝缘层30，如图9(d)与图10(d)所示，在栅极绝缘层30上，选择性形成由34A和35A的叠层所构成的成为像素电极的栅极绝缘型晶体管的漏极电极21，和也兼作源极布线的信号线12，形成源极、漏极布线12，21时，包含开口部分63内露出的扫描线11的一部份72而由扫描线的电极端子5与信号线12的一部份所构成的电极端子6也同时形成。此时，与第三实施例相同，信号线12上的86A的膜厚例如为3μm，通过半色调(halftone)曝光技术形成比漏极电极21上及电极端子5、6上的86B的膜厚1.5μm还要厚的感光性树脂图案86A、86B。
形成源极、漏极布线12、21之后，通过氧气等离子等灰化手段，使上述感光性树脂图案84A、84B削减膜厚1.5μm以上时，感光性树脂图案86B消失，如图9(e)与图10(e)所示，在露出漏极布线21与电极端子5、6的同时，仅在信号线12上选择性形成感光性树脂图案86C。通过上述氧气等离子处理，最好以不使感光性树脂图案86C的图案宽度变细的方式强化异方性(各向异性)而抑制尺寸的变化，这也已经在之前详述。而且，如果电阻值的限制并不严格时，源极、漏极布线12，21的构造也可以简化成Ta、Cr、Mo等的单层。
如此一来，将所得到的有源基板2和彩色滤光片贴合而使液晶面板化，完成本发明的第五实施例。感光性树脂图案86C，并非采用以将酚酸清树脂作为主要成分的普通感光性树脂，而是必须采用纯度高、主要成分使用含聚丙烯酸树脂或聚醯亚胺树脂的耐热性较高的感光性有机绝缘层，所述必然性已在之前叙述。关于储存电容15的构造，如图9(e)所示，已举例说明相对电极(储存电容线)16与像素电极(漏极电极)21中间夹者栅极绝缘层30而平面性重叠的区域50(左上往右下的斜线部分)构成储存电容15的例子，至于漏极电极21和前段扫描线11中间夹着栅极绝缘层30而构成储存电容15也是可能的，但是在此省略其详细说明。而且，在图9(e)中，扫描线的电极端子5和信号线的电极端子6之间用高电阻性部件连接，在IPS型液晶显示装置的场合因为不需要透明导电层，因此使用扫描线材料、信号线材料或半导体层的任意一种，而以OFF状态的绝缘栅极型晶体管或细长的导电性线路来连接的防静电措施或设计技术，虽然没有特别图示，但是提供被设置开口部分63A，而露出扫描线11的一部份72的工序，因此防静电对策容易达成的情况在此补充说明。
在本发明的第五实施例中，仅在信号线上选择性形成有机绝缘层，以推动制造工序的削减，但有机绝缘层的厚度有1μm以上，因此在确保液晶单元的间隙精度可能会有障碍。于是，在第六实施例中，将以追加最小限度的工序数，提供取代有机绝缘层的钝化技术。
第六实施例在第六实施例中，如图11(c)与图12(c)所示，直到在扫描线11的电极端子形成区域，形成开口部分63A露出扫描线11的一部份72为止，与第五实施例几乎用相同的工艺进行。接着，在源极、漏极布线形成工序，使用SPT等真空制膜装置而依序覆盖膜厚0.1μm左右的例如Ti、Ta等耐热金属膜层34来作为可阳极氧化的耐热金属层，膜厚0.3μm左右的铝薄膜层35来作为相同的可阳极氧化的低电阻布线层。接着，通过微细加工技术，使用感光性树脂图案87由这两层薄膜所构成的源极、漏极布线材料，和第二非晶硅层33与第一非晶硅层31，而露出栅极绝缘层30，如图11(d)与图12(d)所示，在栅极绝缘层30上选择性形成34A与35A的叠层所构成，成为像素电极的绝缘栅极型晶体管的漏极电极21与兼作源极布线的信号线12。在形成源极、漏极布线12、21时，也同时形成包含露出在开口部分63A内的扫描线11的一部份72的扫描线的电极端子5与由信号线的一部份所构成的电极端子6。此时，电极端子5、6上的87A的膜厚(黑区域)例如为3μm，比对应于源极、漏极布线12、21的区域87B(中间调区域)的膜厚1.5μm还要厚的感光性树脂图案87A、87B，通过半色调(halftone)曝光技术事先形成，这是第六实施例的重要特征。
在形成源极、漏极布线12，21之后，通过氧气等离子等灰化手段将上述感光性树脂图案87A、87B削减膜厚1.5μm以上时，感光性树脂图案87B消失，露出源极、漏极布线12、21，同时可以仅在电极端子5、6上选择性形成感光性树脂图案87A、87B。于是，以感光性树脂图案83作为掩膜照射光同时如图11(e)与图12(e)所示地阳极氧化源极、漏极布线12、21而形成氧化层68、69，同时，阳极氧化露出在源极、漏极布线12、21下侧面的第二非晶硅层33A及第一非晶硅层31A，而形成绝缘层的氧化硅层(SiO2)66、67。
阳极氧化结束之后，去除感光性树脂图案87C时，如图11(f)与图12(f)所示，露出由低电阻薄膜层所构成的电极端子5、6。而且，如果电阻值的限制不严格的话，源极、漏极布线12，21的构造也可以简化成可阳极氧化的Ta单层。如此一来，将所得到的有源基板2和彩色滤光片贴合而使液晶面板化，完成本发明的第六实施例。关于储存电容15的构造，如图11(f)所示，举例说明了相对电极(储存电容线)16与像素电极(漏极电极)21中间夹着栅极绝缘层30而重叠的区域50(左上往右下方的斜线部分)构成储存电容15的例子。此外，在图11(f)与图12(f)，扫描线的电极端子5与信号线的电极端子6之间以高电阻性部件连接的防静电措施，并没有特别图示，因此信号线12的电极端子6，与源极、漏极布线12、21不同，仅在侧面形成绝缘层的阳极氧化层，在扫描线11的电极端子5的侧面，虽然没有形成阳极氧化层，但如先前所述，提供被设置开口部分63A而露出扫描线11的一部份72的工序，因此易于实施防静电措施，在实施防静电措施时，在扫描线11的电极端子5的侧面，也形成较薄的阳极氧化层的具体情况不再赘述。
在第五与第六实施例中，当形成漏极布线时，通过适用半色调(halftone)曝光技术而进行新颖的钝化形成的同时，也进行工序削减，以四道掩膜板而实现液晶显示装置的制作，与第一至第四实施例相同，通过在蚀刻截止层的形成工序与栅极绝缘层的开口部分形成工序适用半色调(halftone)曝光技术，而以三道掩膜板制作液晶显示装置，由于可预见制造工序的进一步削减，因此这在第七及第八实施例中加以说明。
第七实施例在第七实施例中，首先在玻璃基板2的一个主面上，使用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚0.1～0.3μm左右的第一金属层，如图13(a)与图14(a)所示，通过微细加工技术选择性形成兼作栅极电极11A的扫描线11与相对电极16。
其次，在玻璃基板2的整个面上，使用PCVD(等离子化学气相沉积)装置依序覆盖0.3μm-0.05μm--0.1μm左右的作为栅极绝缘层的第一SiNx(氮化硅)层30，和几乎不含杂质且作为绝缘栅极型晶体管的通道的第一非晶硅(a-Si)层31，及作为保护通道的绝缘层的第二SiNx层32等三种薄膜层，在图像显示部分外的区域，在扫描线11的电极端子形成区域上具有开口部分63A，同时在保护绝缘层形成区域，也就是栅极电极11A上的区域82A的膜厚为2μm，通过半色调(halftone)曝光技术形成比其他区域82B的膜厚1μm还要厚的感光性树脂图案82A、82B，以感光性树脂图案82A、82B作为掩膜，如图13(b)与图14(b)所示，选择性去除开口部分63A内的第二SiNx层32、和第一非晶硅层31、及栅极绝缘层30，而露出扫描线11的一部份72。
其次，通过氧气等离子等灰化手段，使上述感光性树脂图案82A、82B削减膜厚1μm以上时，感光性树脂图案82B消失，如图13(c)与图14(c)所示，露出第二SiNx层32B，同时可以仅在保护绝缘层形成区域上选择性形成感光性树脂图案82C。在上述氧气等离子处理中，要抑制图案尺寸的变化，最好强化异方性(各向异性)，这已在先前叙述。接着，如图13(c)与图14(c)所示，以感光性树脂图案82C作为掩膜，而选择性蚀刻第二SiNx层32成为比栅极电极11A宽度更细的第二SiNx层32A，同时也露出第一非晶硅层31。此时，露出的扫描线11的一部份72，由于暴露于第二SiNx层32的蚀刻气体或者蚀刻药品，因此须注意随着扫描线11的材料不同，含有扫描线11的一部份72的膜厚削减的情况，但是其对策如先前所述。
其次，去除前述感光性树脂图案82C，使用PCVD装置在玻璃基板2的整个面上例如以0.05μm左右的膜厚覆盖含杂质例如磷的第二非晶硅层33，在玻璃基板2的整个面上使用SPT等真空制膜装置依序覆盖膜厚0.1μm左右的例如Ti、Cr、Mo等的耐热金属薄膜层34来作为耐热金属层，以及膜厚0.3μm左右的铝薄膜层35来作为低电阻布线层。接着，通过微细加工技术使用感光性树脂图案86A、86B依序蚀刻由这两层薄膜所形成的源极、漏极布线材料和第二非晶硅层33及第一非晶硅层31，而露出栅极绝缘层30，在栅极绝缘层30上，选择性形成由34A和35A的叠层所构成的成为像素电极的栅极绝型晶体管的漏极电极21，和兼作源极布线的信号线12，在形成源极、漏极布线12、21时，也同时包含露出开口部分63A附近的第二非晶硅层33C而形成由扫描线的电极端子5与信号线12的一部份所构成的电极端子6。此时，相同于第三实施例，信号线12上的86A的膜厚例如为3μm，通过半色调(halftone)曝光技术形成比和漏极电极21上与电极端子5、6上的86B的膜厚1.5μm还要厚的感光性树脂图案86A、86B。
形成源极、漏极布线12、21之后，通过氧气等离子等灰化手段，使上述感光性树脂图案86A、86B削减膜厚1.5μm以上时，感光性树脂图案86B消失，如图13(f)与图4(f)所示，在露出漏极电极21和电极端子5，6的同时，可以仅在信号线12上选择性形成感光性树脂图案86C。在上述氧气等离子处理中，为了不使感光性树脂图案86C的图案宽度变细，最好加强异方性(各向异性)，抑制图案尺寸变化的情况已在之前叙述。如果源极、漏极布线12、21的构成上电阻值的限制不严格时，也可以简化成Ta单层。
将如此获得的有源基板2和彩色滤光片贴合而使液晶面板化，完成本发明的第七实施例。感光性树脂图案86C，并非采用以酚酸清树脂为主要成分的普通感光性树脂，而是必须采用纯度高、主要成分含聚丙烯酸树脂或聚醯亚胺树脂的耐热性较高的感光性有机绝缘层，这一必要性已经在之前叙述。关于储存电容15的构造，如图13(f)所示，举例说明相对电极(储存电容线)16与像素电极(漏极电极)21中间夹着栅极绝缘层30而平面性重叠的区域50(左上往右下的斜线部分)构成储存电容15的例子，漏极布线21和前段扫描线11中间夹着栅极绝缘层30而构成储存电容15也是可行的，在此省略其详细说明。此外，在图13(f)中，在扫描线的电极端子5和信号线的电极端子6之间以高电阻性部件，例如截止(OFF)状态的绝缘栅极型晶体管或细长导电性线路进行连接的防静电措施，虽然没有特别图示，但是因为提供设置开口部分63A，露出扫描线11的一部份72的工序，因此防静电措施容易实行，这一情况没有变。
在本发明的第七实施例中，通过在信号线上形成有机绝缘层来推动制造工序的削减，但有机绝缘层的厚度为1μm以上，因此对于确保液晶单元的间隙精度，可能会有所障碍。于是，在第八实施例中，将以追加最小限度的工序数，提供取代有机绝缘层的钝化技术。
第八实施例在第八实施例中，如图15(d)与图16(d)所示，直到在扫描线11的电极端子形成区域形成开口部分63A，而露出扫描线11的一部份72，同时形成蚀刻截止层32A为止，都是以几乎与第七实施例相同的工艺进行。其次，去除前述感光性树脂图案82C依序在玻璃基板的整个面上使用PCVD装置覆盖例如0.05μm左右膜厚的含例如磷的第二非晶硅层33，使用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚0.1μm左右的例如Ti、Ta等耐热金属薄膜层34来作为可阳极氧化的耐热金属层，接着覆盖膜厚0.3μm左右的铝薄膜层35来作为同样可阳极氧化的低电阻布线层。接着，通过微细加工技术，使用感光性树脂图案87A、87B依序蚀刻由这两层薄膜所构成的源极、漏极布线材料，和第二非晶硅层33与第一非晶硅层31，露出栅极绝缘层30，如图15(e)与图16(e)所示，在栅极绝缘层30上，选择性形成由34A和35A的叠层所构成的成为像素电极的绝缘栅极型晶体管的漏极电极21，和也兼作源极布线的信号线12，在形成于源极、漏极布线12、21时，同时包含开口部分63A附近的第二非晶硅层33C而形成扫描线的电极端子5与由信号线的一部份所构成的电极端子6。此时，电极端子5、6上的87A的膜厚(黑色区域)例如为3μm，通过半色调(halftone)曝光技术事先形成比对应于源极、漏极布线12、21的区域87B(灰阶区域)的膜厚1.5μm还要厚的感光性树脂图案87A、87B，这是第八实施例的重要特征。
形成源极、漏极布线12、21之后，通过氧气等离子等灰化手段将上述感光性树脂图案87A、87B削减膜厚1.5μm以上时，感光性树脂图案87B消失，露出源极、漏极布线12、21，同时可以仅在电极端子5、6上选择性形成感光性树脂图案87C。在此，以感光性树脂图案87C作为掩膜而照射光，同时，如图15(f)和图16(f)所示，阳极氧化源极、漏极布线12、21而形成氧化层68、69；同时阳极氧化露出在源极、漏极布线12、21的下侧面的第二非晶硅层33A，和第一非晶硅层31A，而形成绝缘层的氧化硅层(SiO2)66、67。
结束阳极氧化之后，去除感光性树脂图案87C，如图15(g)和图16(g)所示，露出由低电阻薄膜所构成的电极端子5、6。在电阻值的限制并不严格时，源极、漏极布线12、21的构造可简化成可阳极氧化的Ta单层。此外，在图15(g)和图16(g)，在扫描线的电极端子5与信号线的电极端子6间，以高电阻性部件连接的防静电措施并没有特别图示，信号线12的电极端子6，仅在与源极、漏极布线12、21不同的侧面，改形成绝缘层的阳极氧化层，但不需说明用于防静电措施的电极端子间以适当的导电性部件连接，以及在扫描线的电极端子6的侧面也被形成若干阳极氧化层。如此，将所得到的有源基板2和彩色滤光片贴合而使液晶面板化，完成本发明的第八实施例。关于储存电容15的构造，如图15(g)所示，示出了相对电极(储存电容线)16与像素电极(漏极电极)21中间夹着栅极绝缘层30而重叠的区域(右下方斜线部分)构成储存电容15的例子。
发明效果如上所述，在本发明所述的液晶显示装置中，绝缘栅极型晶体管在通道上具有保护绝缘层，因此仅在图像显示部分内的源极、漏极布线上，或是仅在信号线上，选择性形成感光性有机绝缘层，或者阳极氧化由可阳极氧化的源极、漏极布线材料所构成的源极、漏极布线而形成绝缘层，提供钝化功能。因此，不伴随着特别的加热工序，而且以非晶硅层作为半导体层的绝缘栅极型晶体管不需要过度的耐热性。换句话说，也具有钝化形成并不会产生电气性能劣化的效果。此外，当在源极、漏极布线的阳极氧化时，通过引入半色调(halftone)曝光技术可以选择性保护扫描线或信号线的电极端子，可以得到阻止照相蚀刻工序数增加的效果。
此外，通过引入半色调(halftone)曝光技术，以一道掩膜板可以处理蚀刻截止层的形成工序，和栅极绝缘层的开口部分形成工序所带来的工序削减，通过引入模拟像素电极，以一道掩膜板处理像素电极与扫描线等的合理化，可使照相蚀刻工序数由从前的五次进而削减，可以使用四道或三道掩膜板制作液晶显示装置。这是降低有源基板的制造工序数的结果，从整体成本削减的观点来看，这是值得特别提及的最大特征。而且，这些工序的图案精度要求并不是很高，因此对成品率或品质影响不大，也易于生产管理。
而且，在第五及第七实施例所制作的IPS型液晶显示装置中，相对电极与像素电极间所产生的电场，仅被施加在栅极绝缘层，此外，由第六及第八实施例所制作的IPS型液晶显示装置，由于被施加在栅极绝缘层与像素电极的阳极氧化层，因此不会中间夹着传统的缺陷较多的质量较差的钝化绝缘层，且具有不易产生显示图像的烧焦残影现象的优点也不能忽视。因为漏极布线(像素电极)的阳极氧化层与其说明绝缘层不如说其发挥高电阻层的功能因此不产生电荷储存。
另外，本发明的要点，从上述说明可以清楚得知，在蚀刻截止型的绝缘栅极型晶体管中，使用可阳极氧化的源极、漏极布线，而阳极氧化源极、漏极布线表面而绝缘层化，关于除此以外的构成，很明显，连不同的像素电极、栅极绝缘层等的材料或膜厚等的用于显示装置的半导体装置，或者其制造方法的差异，也属于本发明的领域内，即使对反射型液晶显示装置，本发明的实用性也不变，此外也很明显，绝缘栅极型晶体管的半导体层不限于非晶硅。
符号说明1 液晶面板2 有源基板(玻璃基板)3 半导体集成电路芯片4 TCP薄膜5、6 电极端子9 彩色滤光片(相对的玻璃基板)10 绝缘栅极型晶体管11 扫描线(栅极电极)12 信号线(源极布线，源极电极)16 共通电容线(在IPS型电极中为相对电极)17 液晶19 偏光板20 配向膜21 漏极电极(在IPS型电极中为像素电极)22 (透明导电性的)像素电极30 栅极绝缘层(第一SiNx层)31 (不含杂质)第二非晶硅层32 第二SiNx层33 (含杂质)第二非晶硅层34 (可阳极氧化的)耐热金属层35 (可阳极氧化的)低电阻金属层(铝)
36 (可阳极氧化的)中间导电层37 钝化绝缘层50、51、52 储存电容形成区域62 (漏极电极上的)开口部分63、63A (扫描线上的)开口部分64 (信号线上的)开口部分65、65A (相对电极上的)开口部分66 含杂质的氧化硅层67 不含杂质的氧化硅层68 阳极氧化层(氧化钛，TiO2)69 阳极氧化层(氧化铝，Al2O3)70 阳极氧化层(五氧化钽，Ta2O5)71 等离子保护层73 储存电极72 扫描线的一部分83 (供形成像素电极的常规的)感光性树脂图案82、84、87 (以半色调曝光形成的)感光性树脂图案85、86 (以半色调曝光形成的)感光性有机绝缘层91 透明导电层92 第一金属层
权利要求
1.一种底部栅极型绝缘栅极型晶体管，其特征是在通道上具有保护绝缘层，以包含由不同于源极、漏极布线材料的导电性材料所形成的源极布线的电连接区域的一部份而形成的源极、漏极布线上，形成感光性有机绝缘层。
2.一种底部栅极型绝缘栅极型晶体管，其特征是在通道上具有保护绝缘层，源极布线的电连接区域除外，仅在源极布线上，形成感光性有机绝缘层。
3.一种底部栅极型绝缘栅极型晶体管，其特征是在通道上具有保护绝缘层，用可阳极氧化的金属层构成源极、漏极布线，同时，除源极布线的电连接区域以外，在源极、漏极布线上，形成阳极氧化层。
4.一种液晶显示装置，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线、以及连接在漏极布线的像素电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和在与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或是彩色滤光片之间，填充液晶而形成的液晶显示装置；其特征是至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的金属层所构成的扫描线；在栅极电极上夹着一层以上的栅极绝缘层而不含杂质的第一半导体层被形成为岛状；在栅极电极上的第一半导体层上，形成比前述栅极宽度细的保护绝缘层；在前述保护层的一部份和第一半导体层上，形成由含杂质的第二半导体层与可阳极氧化的金属层的叠层所构成的源极、漏极布线；在前述漏极布线的一部份与栅极绝缘层上，在透明导电性的像素电极与像素显示部分外的区域，在信号线上，形成透明导电性的电极端子；除与前述漏极布线的像素电极重叠的区域和信号线的电极端子区域以外，在源极、漏极布线的表面，形成阳极氧化层。
5.一种液晶显示装置，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线、和连接在漏极布线的像素电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间，填充液晶而形成的液晶显示装置；其特征为，至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由透明导电层与第一金属层的叠层所构成的扫描线和透明导电性的像素电极与相同的信号线电极端子；在栅极电极上夹着等离子保护层与栅极绝缘层岛状地形成不含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比前述栅极电极宽度更细的保护绝缘层；在前述像素电极上的等离子保护层和栅极绝缘层形成开口部分；在前述保护绝缘层的一部份上和第一半导体层上及信号线的电极端子的一部份上，形成含杂质的第二半导体层，与一层以上的第二金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线，和在前述保护层的一部份上与第一半导体层上及前述开口部分内的像素电极的一部份上，同样形成漏极布线；在前述源极、漏极布线上，形成感光性有机绝缘层。
6.一种液晶显示装置，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线、和连接在漏极布线的像素电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间，填充液晶而形成的液晶显示装置；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成夹着由透明导电层与第一金属层的叠层所形成的扫描线和透明导电性的像素电极；在栅极电极上夹着等离子保护层与栅极绝缘层岛状地形成不含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比前述栅极电极宽度更细的保护绝缘层；在前述像素电极上的等离子保护层和栅极绝缘层，形成开口部分；在前述保护绝缘层的一部份上和第一半导体层上，形成由含杂质的第二半导体层与一层以上的第二金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线，和在前述保护层的一部份上与第一半导体层上及前述开口部分内的像素电极的一部份上，同样形成漏极布线；除信号线的电极端子以外在信号线上形成感光性有机绝缘层。
7.一种液晶显示装置，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线、和连接在漏极布线的像素电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间，填充液晶而形成的液晶显示装置；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由透明导电层与金属层的叠层所构成的扫描线和透明导电性的像素电极；在栅极电极上夹着等离子保护层与栅极绝缘层岛状性形成不含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比前述栅极宽度更细的保护绝缘层；在前述像素电极上的等离子保护层和栅极绝缘层形成开口部分；在前述保护绝缘层的一部份和第一半导体层上，形成由含杂质的第二半导体层，与可阳极氧化的金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线，和在前述保护层的一部份上和第一半导体层上和第一透明性绝缘基板上及前述开口部分内的像素电极的一部份上，同样形成漏极布线；除信号线的电极端子之外，在源极、漏极布线表面，形成阳极氧化层。
8.一种液晶显示装置，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线，和连接在前述源栅极型晶体管的漏极的像素电极、和与前述像素电极间隔特定距离而形成的相对电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和在与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间，填充液晶而形成的液晶显示装置；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的金属层所形成的扫描线和相对电极；在栅极电极上夹着一层以上的栅极绝缘层岛状地形成不含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比前述栅极电极宽度更细的保护绝缘层；在前述保护层的一部份上和第一半导体层上，形成由包含杂质的第二半导体层与一层以上的第二金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线，和漏极布线(像素电极)；除信号线的电极端子以外，在信号线上形成感光性有机绝缘层；扫描线的电极端子，在图像显示部分外的区域，由包含形成在扫描线上的栅极绝缘层的开口部分而形成的第二金属层。
9.一种液晶显示装置，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线，和连接在前述源栅极型晶体管的漏极的像素电极、和与前述像素电极间隔特定距离而形成的相对电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间，填充液晶而成的液晶显示装置；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的金属层所构成的扫描线和相对电极；在栅极电极上夹着一层以上的栅极绝缘层岛状地形成不含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比前述栅极电极宽度更细的保护绝缘层；在前述保护层的一部份上和第一半导体层上，形成由包含杂质的第二半导体层与可阳极氧化的金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线，和漏极布线(像素电极)；除信号线的电极端子以外，在源极、漏极布线表面形成阳极氧化层；扫描线的电极端子，在图像显示部分外的区域，是由包含形成在扫描线上的栅极绝缘层的开口部分而形成的可阳极氧化的金属层所构成。
10.一种液晶显示装置，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线、和连接在前述源栅极型晶体管的漏极的像素电极、和与前述像素电极间隔特定距离所形成的相对电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间，填充液晶而成的液晶显示装置；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的金属层所构成的扫描线和相对电极；在栅极电极上夹着一层以上的栅极绝缘层岛状地形成不包含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比前述栅极电极宽度更细的保护绝缘层；在前述保护层的一部份上和第一半导体层上，形成由包含杂质的第二半导体层与一层以上的第二金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线和漏极布线(像素电极)；除信号线的电极端子以外，在信号线上形成感光性有机绝缘层；扫描线的电极端子，是在图像显示部分外的区域，由包含形成在扫描线上的栅极绝缘层的开口部分而形成的第二金属层，与第二金属层的叠层所构成。
11.一种液晶显示装置，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线、和连接在前述源栅极型晶体管的漏极的像素电极、和与前述像素电极间隔特定距离所形成的相对电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间，填充液晶而形成的液晶显示装置；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的金属层所构成的扫描线和相对电极；在栅极电极上夹着一层以上的栅极绝缘层岛状地形成不含杂质的第一半导体层；在栅极电极上的第一半导体层上形成比前述栅极电极宽度更细的保护绝缘层；在前述保护层的一部份上和第一半导体层上，形成由包含杂质的第二半导体层与可阳极氧化的金属层的叠层所构成的源极(信号线)布线和漏极布线(像素电极)；除信号线的电极端子以外，在源极、漏极布线表面，形成阳极氧化层；扫描线的电极端子，是在像素显示部分外的区域，通过包含形成在扫描线上的栅极绝缘层的开口部分而形成第二半导体层和可阳极氧化的金属层的叠层所构成。
12.一种液晶显示装置的制造方法，是在一个主面上在至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线、和连接在前述漏极布线的像素电极的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间，填充液晶而成的液晶显示装置；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上形成由一层以上的金属层所构成的扫描线的工序；依序覆盖一层以上的栅极绝缘层，和不包含杂质的第一非晶硅层，和保护绝缘层的工序；在扫描线的电极端子形成区域上，形成具有开口部分而栅极电极上的保护绝缘层形成区域的膜厚比其他区域还要厚的感光性树脂图案的工序；去除前述开口部分内的保护绝缘层和第一非晶硅层及栅极绝缘层，而露出扫描线的电极端子形成区域的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出保护绝缘层的工序；在栅极电极上残留宽度比栅极电极还要细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；去除前述感光性树脂图案之后，全面覆盖含杂质的第二非晶硅层的工序；以与前述保护层部份重叠的方式，形成由第二非晶硅层与一层以上的可阳极氧化的金属层的叠层所构成的源极(信号线)、漏极布线的工序；在栅极绝缘层与前述漏极布线的一部份上，在透明导电性的像素电极与图像显示部分外的区域，在信号线上形成透明导电性的电极端子的工序；将用于前述像素电极与电极端子的选择性图案形成的感光性树脂图案，作为掩膜，保护像素电极与电极端子，同时，阳极氧化源极、漏极布线的工序。
13.一种液晶显示装置的制造方法，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线、和连接在前述漏极布线的像素电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间，填充液晶而形成的液晶显示装置的制造方法；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由透明导电层与第一金属层的叠层所构成的扫描线及信号线的模拟电极端子及模拟像素电极的工序；顺序覆盖等离子保护层与栅极绝缘层与不包含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在扫描线与信号线的电极端子形成区域上，与模拟像素电极上，形成具有开口部分而栅极电极上的保护绝缘层形成区域的膜厚，比其他区域，形成还要厚的感光性树脂图案的工序；去除前述开口部分内的保护绝缘层与第一非晶硅层及栅极绝缘层与等离子保护层与第一金属层，而与透明导电性的扫描线与信号线的电极端子形成区域相同露出的像素电极的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出保护绝缘层的工序；在栅极电极上，残留比栅极电极宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；去除前述感光性树脂图案之后，全面覆盖含杂质的第二非晶硅层的工序；覆盖一层以上的第二金属层之后，形成由第二非晶硅层与一层以上的第二金属层的叠层所构成与前述保护绝缘层部分重叠地包含信号线的电极端子形成区域而在其表面具有感光性有机绝缘层的源极布线(信号线)相同的像素电极，而形成漏极布线的工序。
14.一种液晶显示装置的制造方法，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线、和连接在前述漏极布线的像素电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和在与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间，填充液晶而成的液晶显示装置的制造方法；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由透明导电层与第一金属层的叠层所构成的扫描线及模拟像素电极的工序；依序覆盖等离子保护层与栅极绝缘层与不包含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在扫描线的电极端子形成区域上，与模拟像素电极上，形成具有开口部分而电极上的保护绝缘层形成区域的膜厚比其他区域还要厚的感光性树脂图案的工序；去除前述开口部分内的保护绝缘层与第一非晶硅层及栅极绝缘层与等离子保护层与第一金属层，而与透明导电性的扫描线的电极端子形成区域相同露出像素电极的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出保护绝缘层的工序；在栅极电极上，残留比栅极电极的宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；去除前述感光性树脂图案之后，全面覆盖含杂质的第二非晶硅层的工序；覆盖一层以上的第二金属层之后，分别对应于与前述保护绝缘层部份重叠的源极布线(信号线)，及与前述保护绝缘层部分重叠的像素电极的漏极布线，及包含透明导电性的扫描线的电极端子形成区域的扫描线的电极端子，以及由信号线的一部份所构成的信号线的电极端子，而形成四种信号线的膜厚比其他区域更厚的感光性有机绝缘层图案的工序；将前述感光性有机绝缘层图案作为掩膜，而选择性去除第二金属层与第二非晶硅层与第一非晶硅层，而形成扫描线与信号线的电极端子与源极、漏极布线的工序；减少前述感光性有机绝缘层图案的膜厚，而露出扫描线与信号线的电极端子与漏极布线的工序。
15.一种液晶显示装置的制造方法，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线，和连接在前述漏极布线的像素电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和在与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或是彩色滤光片之间，填充液晶而形成的液晶显示装置；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由透明导电层与金属层的叠层所构成的扫描线及模拟像素电极的工序；顺序覆盖等离子保护层与栅极绝缘层与不含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在扫描线的电极端子形成区域上与模拟像素电极上，形成具有开口部分而保护绝缘层形成区域的膜厚比其他区域更厚的感光性树脂图案的工序；去除前述开口部分内的保护绝缘层与第一非晶硅层及栅极绝缘层与等离子保护层与金属层，而露出与透明导电性的扫描线的电极端子形成区域相同的像素电极的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出保护绝缘层的工序；在栅极电极上，残留比栅极电极宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；去除前述感光性树脂图案之后，覆盖包含杂质的第二非晶硅层的工序；覆盖一层以上的可阳极氧化的金属层之后，分别对应于与前述保护绝缘层部份重叠的源极布线(信号线)，及相同含像素电极的漏极布线，及包含透明导电性的扫描线的电极端子形成区域的扫描线的电极端子，以及由信号线的一部份所构成的信号线的电极端子，而分别形成扫描线与信号线的电极端子的膜厚比其他区域更厚的感光性树脂图案的工序；将前述感光性树脂图案作为掩膜，而选择性去除可阳极氧化的金属层与第二非晶硅层与第一非晶硅层，而形成扫描线与信号线的电极端子与源极、漏极布线的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出源极、漏极布线的工序，和保护前述电极端子，且阳极氧化源极、漏极布线的工序。
16.一种液晶显示装置的制造方法，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线、和连接在前述绝缘栅极型晶体管的漏极的像素电极、和与前述像素电极间隔特定距离所构成的相对电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或是彩色滤光片之间，填充液晶而形成的液晶显示装置的制造方法；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上形成由一层以上的第一金属层所构成的扫描线及相对电极的工序；顺序覆盖一层以上的栅极绝缘层与不含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在栅极电极上，残留比栅极电极宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；全面覆盖包含杂质的第二非晶硅层之后，在扫描线的电极端子形成区域上，形成开口部分而去除前述开口部分内的第二非晶硅层与第一非晶硅层及栅极绝缘层，而露出扫描线的一部份的工序；覆盖一层以上的第二金属层之后，分别对应于与前述保护绝缘层部份重叠的源极布线(信号线)、漏极布线(像素电极)，及包含前述开口部分的扫描线的电极端子，及由信号线的一部份所构成的信号线的电极端子，而分别形成信号线上膜厚比其他区域更厚的感光性有机绝缘层图案的工序；将前述感光性有机绝缘层图案作为掩膜，而选择性去除第二金属层与第二非晶硅层与第一非晶硅层，而形成扫描线与信号线的电极端子与源极、漏极布线的工序；减少前述感光性有机绝缘层图案的膜厚，而露出扫描线与信号线的电极端子与漏极布线的工序。
17.一种液晶显示装置的制造方法，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线，和连接在前述绝缘栅极型晶体管的漏极的像素电极、和与前述像素电极间隔特定距离所构成的相对电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间，填充液晶而形成的液晶显示装置的制造方法；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的第一金属层所构成的扫描线及相对电极的工序；依序覆盖一层以上的栅极绝缘层与不含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在栅极电极上，残留比栅极电极宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；全面覆盖包含杂质的第二非晶硅层之后，在扫描线的电极端子形成区域上形成开口部分而去除前述开口部分内的第二非晶硅层与第一非晶硅层及栅极绝缘层，而露出扫描线一部份的工序；覆盖一层以上可阳极氧化的金属层之后，分别对应于与前述保护绝缘层一部份重叠的源极布线(信号线)、漏极布线(像素电极)，与含前述开口部分的扫描线的电极端子，与信号线的一部份所形成的信号线的电极端子，而分别形成扫描线与信号线的电极端子上的膜厚，比其他区域更厚的感光性树脂图案的工序；以前述感光性树脂图案作为掩膜，而选择性去除可阳极氧化的金属层与第二非晶硅层与第一非晶硅层，而形成扫描线与信号线的电极端子与源极、漏极布线的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出源极、漏极布线的工序；保护前述电极端子上同时阳极氧化源极、漏极布线的工序。
18.一种液晶显示装置的制造方法，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线、和连接在前述绝缘栅极型晶体管的漏极的像素电极，和与前述像素电极间隔特定距离所构成的相对电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或是彩色滤光片之间，填充液晶而成的液晶显示装置的制造方法；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的第一金属层所构成的扫描线及相对电极的工序；依序覆盖一层以上的栅极绝缘层与不含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在扫描线的电极端子形成区域上，形成具有开口部分，而栅极电极上的保护绝缘层形成区域的膜厚，比其他区域厚的感光性树脂图案的工序；去除前述开口部分内的保护绝缘层与第一非晶硅层及栅极绝缘层，而露出扫描线一部份的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出保护绝缘层的工序；在栅极电极上，残留比栅极电极宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；去除前述感光性树脂图案之后，全面覆盖包含杂质的第二非晶硅层的工序；覆盖一层以上的第二金属层之后，分别对应于与前述保护绝缘层部份重叠的源极布线(信号线)、漏极布线(像素电极)，及包含开口部分内的第二非晶硅层的扫描线的电极端子，及由信号线的一部份所构成的信号线的电极端子，分别形成信号线上的膜厚比其他区域更厚的感光性有机绝缘层图案的工序；以前述感光性有机绝缘层图案作为掩膜，而选择性去除第二金属层与第二非晶硅层与第一非晶硅层，而形成扫描线与信号线的电极端子与源极、漏极布线的工序；减少前述感光性有机绝缘层图案的膜厚，而露出扫描线与信号线的电极端子与漏极布线的工序。
19.一种液晶显示装置的制造方法，是在一个主面上至少具有绝缘栅极型晶体管、和也兼作前述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线、与也兼作源极布线的信号线，和连接在前述绝缘栅极型晶体管的漏极的像素电极、和与前述像素电极间隔特定距离所构成的相对电极等的单位像素被配列成二维矩阵状的第一透明性绝缘基板，和与前述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘基板或彩色滤光片之间，填充液晶而成的液晶显示装置的制造方法；其特征为至少在第一透明性绝缘基板的一个主面上，形成由一层以上的第一金属层所构成的扫描线及相对电极的工序；依序覆盖一层以上的栅极绝缘层与不含杂质的第一非晶硅层与保护绝缘层的工序；在扫描线的电极端子形成区域上，形成具有开口部分，栅极电极上的保护绝缘层形成区域的膜厚比其他区域更厚的感光性树脂图案的工序；去除前述开口部分内的保护绝缘层与第一非晶硅层及栅极绝缘层，而露出扫描线一部份的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出保护绝缘层的工序；在栅极电极上，残留比栅极电极的宽度更细的保护绝缘层而露出第一非晶硅层的工序；去除前述感光性树脂图案之后，全面覆盖含杂质的第二非晶硅层的工序；覆盖一层以上的可阳极氧化的金属层之后，分别对应于与前述保护绝缘层部份重叠的源极布线(信号线)、漏极布线(像素电极)，及包含开口部分内的第二非晶硅层的扫描线的电极端子，及由信号线的一部份所构成的信号线的电极端子，而分别形成扫描线与信号线的电极端子上的膜厚比其他区域更厚的感光性树脂图案的工序；以前述感光性树脂图案作为掩膜选择性去除可阳极氧化的金属层与第二非晶硅层与第一非晶硅层，而形成扫描线与信号线的电极端子与源极、漏极布线的工序；减少前述感光性树脂图案的膜厚，而露出源极、漏极布线的工序；保护前述电极端子同时阳极氧化源极、漏极布线的工序。
全文摘要
传统削减制造工序数的制造方法，制造容许误差较小且成品率较低。通过引入半色调(halftone)曝光技术而将半导体层的岛化工序与蚀刻截止层的形成工序合理化的新颖技术；和通过在公知技术的源极·漏极布线的阳极氧化工序，引入半色调曝光技术，而合理化电极端子的保护层形成工序的新颖技术；和通过与同时形成公知技术的像素电极与扫描线的合理化技术的技术组合所制作生产的TN型液晶显示装置，和IPS型液晶显示装置的四道掩膜板工艺、三道掩膜板工艺方案。
文档编号H01L21/00GK1782830SQ20041009820
公开日2006年6月7日 申请日期2004年11月29日 优先权日2004年11月29日
发明者川崎清弘 申请人:广辉电子股份有限公司