专利名称：一种提高阳极电容铝箔腐蚀发孔密度的方法
技术领域：
本发明涉及一种提高中高压电解电容器用阳极电容铝箔蚀孔密度的方法，适用于99.95％-99.99％纯铝生产电解电容器用阳极电容铝箔，属有色金属加工领域。
背景技术：
不断发展的电子工业对电解电容器的需求量迅速增长，同时对电解电容器铝箔的质量要求也越来越高，以适应电子原件小型化的要求。国内外公认的评价阳极电容铝箔质量的关键材料因素指标是铝箔中立方织构的比例，如高压电解电容器用阳极铝箔的立方织构比例要求在90％以上。这主要是由于选用电化学方法对电容铝箔进行腐蚀，提高比表面积，进而提高单位面积的电容量，实践证明立方取向晶粒沿<100>方向腐蚀后提高比表面积的效果最好。
研究表明，在铝箔具有强立方织构的同时，提高铝箔的发孔密度是增加扩面率的有效方法。目前国外为提高电容铝箔腐蚀发孔密度，往往采用在高纯铝中添加ppm级Pb，In，Ge等微量元素，使铝箔腐蚀时容易发孔。但某些微量元素的加入，在生产中不仅往往难以控制，并且有的会产生环境污染。
发明内容
本发明的目的是提供一种提高阳极电容铝箔腐蚀发孔密度的方法，使铝薄板得到强立方织构后，提高化学腐蚀时的发孔密度，进而提高铝箔的比表面积和比电容量。
本发明的主要内容是在强立方织构阳极电容铝箔的轧制方向上延伸0.3-8％，提高箔中的缺陷密度，以增加化学腐蚀时的发孔点，促使电容铝箔腐蚀发孔密度的提高。
所述延伸变形包括拉伸变形或者轧制塑性变形。
强立方织构铝箔的立方织构含量检测方法可用简便的蚀坑法。发孔密度采用金相方法，具体方法是将强立方织构铝箔首先进行电解抛光，经少量延伸变形，后进行三酸腐蚀处理，最后计算单位面积上蚀孔的个数。
经0.3-8％延伸变形后铝箔内立方晶粒转动幅度不大，箔表面产生的滑移线不会引起蚀孔形貌的改变，晶粒(100)面仍平行于箔表面，所以铝箔经腐蚀后箔面仍显现为正方形蚀孔。
强立方织构阳极电容铝箔退火后的组织为完全再结晶组织，箔内晶粒尺寸较大，变形组织已消失，位错密度较低。但铝箔经0.3-8％的延伸变形后，晶内位错密度增加，并且随变形量逐渐增大，位错线变短，位错密度显著提高，因而经化学侵蚀后蚀孔点增多，最终成品软态铝箔的发孔密度提高。
本发明的优点在于制得强立方织构的成品软态箔后，对其进行少量塑性变形，增加箔内位错密度，为腐蚀发孔点的萌生创造条件。该变形工艺方法操作简单，效果显著，不用添加微量元素，利于环境保护，易于工业生产中实现。
图198％立方织构度的铝箔微塑性形变后的蚀坑密度(1591个/mm2)；图298％立方织构度的铝箔微塑性形变前的蚀坑密度(872个/mm2)。
具体实施例方式
表1为三种立方织构含量的阳极电容铝箔采用本发明延伸变形后，经化学腐蚀后的发孔密度与一般成品软态箔之间的比较。
表1 经化学腐蚀后不同织构度的铝箔发孔密度
结果表明对强立方织构铝箔施加0.3-8％延伸变形后，可有效提高成品软态铝箔腐蚀发孔密度。从附图中可看出，微塑性变形能够使箔内蚀孔密度明显提高。
权利要求
1.一种提高阳极电容铝箔腐蚀发孔密度的方法，其特征在于在强立方织构阳极电容铝箔的轧制方向上延伸0.3-8％。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述延伸变形包括拉伸变形或者轧制塑性变形。
全文摘要
一种提高阳极电容铝箔腐蚀发孔密度的方法。本发明的主要内容是在强立方织构阳极电容铝箔的轧制方向上延伸0.3－8％。本发明的优点在于制得强立方织构的成品软态箔后，对其进行少量塑性变形，增加箔内位错密度，为腐蚀发孔点的萌生创造条件。该变形工艺方法操作简单，效果显著，不用添加微量元素，利于环境保护，易于工业生产中实现。
文档编号H01G13/00GK1828797SQ20051003130
公开日2006年9月6日 申请日期2005年3月4日 优先权日2005年3月4日
发明者张新明, 刘瑛, 肖亚庆, 邓运来, 唐建国, 周卓平, 王宝峰 申请人:中南大学