专利名称：测量光电子器件to封装座高频参数用的测试夹具的制作方法
技术领域：
本发明属于光电子器件领域，更具体的说是一种用来准确测量半导体激光器和探测器的TO封装座高频参数用的夹具。
背景技术：
在光电集成电路的设计过程中，往往需要建立准确的光电子器件，如激光器、探测器等的模型，模型参数的准确性往往取决于测量的精度。
近年来，TO封装激光器实现了10Gbps的高速调制重新引起了人们对TO封装的研究兴趣，由于体积小、低成本、连接方便，使得TO封装光电子器件成为接入网、城域网和机架交换设备中光收发模块，如SFF、SFP和XFP等中发射器和接收器的理想封装形式。
一般TO封装的管脚间距小于常用的3.5或者2.4mm同轴接头内外导体间距，在高频测试中，如果将TO管座直接接在同轴接头端，其管脚间距会增大，使得TO管座变形，测试准确性大大降低；另外，由于TO管座的管脚间距比微波探针的间距(约200um)宽的多，使得微波探针无法直接与TO管座相连进行测试。TO封装管座测试的不精确势必造成TO封装光电子器件的特性化分析和建模的不准确。
发明内容
为了准确地对TO封装座分析和建模，本发明的目的在于提供一种测量光电子器件TO封装座高频参数用的测试夹具，使用该夹具可以方便地进行测量，且在测试结果中可以去除掉夹具的影响，从而得到准确的TO管座高频特性。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是本发明是一种测量光电子器件TO封装座高频参数用的测试夹具，其特征在于，其中包括一背地共面波导，该背地共面波导包括一方形填充介质，该方形填充介质为矩形；一底面电极、两侧面电极和两顶面电极，该底面电极、两侧面电极和两顶面电极是由一矩形金属材料围组而成，形成一端断面概似矩形的框体形成地电极，该框体的上面有一开口；一信号电极，该信号电极为一金属条状，该信号电极置于背地共面波导上的开口内、方形填充介质上，该信号电极不与两顶面电极接触；一同轴接头，该同轴接头包括一内空心金属导体，该内空心金属导体与背地共面波导的信号电极连接；一外金属导体，该外金属导体为管状，该内空心金属导体置于该外金属导体的中间，该外金属导体与背地共面波导地电极连接，该内空心金属导体和外金属导体之间填充有填充介质。
其中底面电极、两侧面电极、两顶面电极和信号电极是在方形填充介质表面镀金形成的。
其中该夹具的同轴头和背地共面波导的特性阻抗均为50Ω。
其中背地共面波导的信号电极和地电极的端表面均设置焊盘。
本发明的有益效果是夹具实现从同轴线到背地共面波导的转换，且共面波导可以与TO管座直接连接。这种结构有如下优点1、实现了从网络分析仪同轴接头到微波探针的连接，使得夹具本身高频参数可以被准确的测量。
2、实现了从网络分析仪同轴接头到TO管座的连接，使得夹具和被测器件级联的高频参数可被准确测量。
3、由于夹具本身可被测量，夹具的影响可从测试结果中扣除，从而获得TO管座的真实高频特性。
4、夹具中使用的同轴和共面波导特性阻抗均可通过其厚度和介电常数进行调节，达到50Ω匹配，避免高频信号传输中出现强的反射，提高测试精度。
5、夹具不但适合于TO管座，也适合于类TO管座被测件的高频测试。
为进一步说明本发明的技术内容，以下结合附图和实施例对本发明作进一步说明，其中图1是本发明测试夹具的结构示意图；图2是本发明测试夹具的使用示意图；具体实施方式
请参阅图1的实施例中，一种测量光电子器件TO封装座高频参数用的测试夹具，其特征在于，其中包括一背地共面波导20，该背地共面波导20包括一方形填充介质4，该方形填充介质4为矩形；一底面电极5、两侧面电极6和两顶面电极7，该底面电极5、两侧面电极6和两顶面电极7是由一矩形金属材料围组而成，形成一端断面概似矩形的框体形成地电极，该框体的上面有一开口21；一信号电极8，该信号电极8为一金属条状，该信号电极8置于背地共面波导20上的开口21内、方形填充介质4上，该信号电极8不与两顶面电极7接触；其中背地共面波导20的信号电极8和地电极7的端表面均设置焊盘9；其中底面电极5、两侧面电极6、两顶面电极7和信号电极8是在方形填充介质4表面镀金形成的；一同轴接头10，该同轴接头10包括一内空心金属导体1，该内空心金属导体1与背地共面波导20的信号电极8连接；
一外金属导体3，该外金属导体3为管状，该内空心金属导体1置于该外金属导体3的中间，该外金属导体3与背地共面波导地电极连接，该内空心金属导体1和外金属导体3之间填充有填充介质2。
其中该夹具的同轴头10和背地共面波导20的特性阻抗均为50Ω。
本发明的在使用中的工作过程为首先，将该夹具的同轴端与微波网络分析仪的同轴端相连，背地共面波导的焊盘端与微波探针相连进行双端测试获得夹具自身的高频参数，如图2(a)所示。
然后，撤掉微波探针，将该夹具的背地共面波导的焊盘端与TO管座的管脚相连，在网络分析仪器同轴端进行单端测试，获得测试夹具与TO管座级联时的高频参数，如图2(b)所示。
最后，通过计算将夹具的影响从测试结果中去除，得到准确的TO管座的高频参数。
权利要求
1.一种测量光电子器件TO封装座高频参数用的测试夹具，其特征在于，其中包括一背地共面波导，该背地共面波导包括一方形填充介质，该方形填充介质为矩形；一底面电极、两侧面电极和两顶面电极，该底面电极、两侧面电极和两顶面电极是由一矩形金属材料围组而成，形成一端断面概似矩形的框体形成地电极，该框体的上面有一开口；一信号电极，该信号电极为一金属条状，该信号电极置于背地共面波导上的开口内、方形填充介质上，该信号电极不与两顶面电极接触；一同轴接头，该同轴接头包括一内空心金属导体，该内空心金属导体与背地共面波导的信号电极连接；一外金属导体，该外金属导体为管状，该内空心金属导体置于该外金属导体的中间，该外金属导体与背地共面波导地电极连接，该内空心金属导体和外金属导体之间填充有填充介质。
2.如权利要求1所述的测量光电子器件TO封装座高频参数用的测试夹具，其特征在于，其中底面电极、两侧面电极、两顶面电极和信号电极是在方形填充介质表面镀金形成的。
3.如权利要求1所述的测量光电子器件TO封装座高频参数用的测试夹具，其特征在于，其中该夹具的同轴头和背地共面波导的特性阻抗均为50Ω。
4.如权利要求1所述的测量光电子器件TO封装座高频参数用的测试夹具，其特征在于，其中背地共面波导的信号电极和地电极的端表面均设置焊盘。
全文摘要
一种测量光电子器件TO封装座高频参数用的测试夹具，其中包括一背地共面波导，该背地共面波导包括一方形填充介质，该方形填充介质为矩形；一底面电极、两侧面电极和两顶面电极，该底面电极、两侧面电极和两顶面电极是由一矩形金属材料围组而成，形成一端断面概似矩形的框体形成地电极，该框体的上面有一开口；一信号电极，该信号电极为一金属条状，该信号电极置于背地共面波导上的开口内、方形填充介质上，该信号电极不与两顶面电极接触；一同轴接头，该同轴接头包括一内空心金属导体，该内空心金属导体与背地共面波导的信号电极连接；一外金属导体，该外金属导体与背地共面波导地电极连接。
文档编号H01L21/66GK1834662SQ200510055018
公开日2006年9月20日 申请日期2005年3月14日 优先权日2005年3月14日
发明者张尚剑, 祝宁华 申请人:中国科学院半导体研究所