专利名称：液晶显示器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器件的透射反射式薄膜晶体管基板，尤其涉及一种适用于简化制造工艺的透射反射式薄膜晶体管基板及其制造方法。
背景技术：
液晶显示器件(LCD)采用电场控制具有介电各向异性的液晶的透光率来显示图像。为此，LCD包括通过液晶单元矩阵显示图像的液晶显示面板以及用来驱动该液晶显示面板的驱动电路。
参见图1，现有技术的液晶显示面板包括彼此粘接在一起的滤色片基板10和薄膜晶体管基板20，在两个基板之间设有液晶材料24。
滤色片基板10包括依次设置于上玻璃基板2上的黑矩阵4、滤色片6和公共电极8。黑矩阵4以矩阵形式形成于上玻璃基板2上。黑矩阵4将上玻璃基板2的区域划分为多个要形成滤色片的单元区域，并且黑矩阵4防止相邻单元之间的光发生干扰以及外部光的反射。滤色片6由黑矩阵4在单元区域中划分为红(R)、绿(G)和蓝(B)三种以透射红、绿、蓝色光。公共电极8向分布在滤色片6整个表面上的透明导电层提供公共电压Vcom，其中该公共电压Vcom在驱动液晶24时成为基准电压。并且，为了使滤色片6平坦化，在滤色片6和公共电极8之间额外地形成涂敷层(未示出)。
薄膜晶体管基板20包括在下玻璃基板12上由栅线14与数据线16交叉限定的各单元区域设置的薄膜晶体管18和像素电极22。薄膜晶体管18响应来自栅线14的栅信号向像素电极22提供来自数据线16的数据信号。由透明导电层形成的像素电极22提供来自薄膜晶体管18的数据信号以驱动液晶24。
具有介电各向异性的液晶材料24沿着由公共电极8的公共电压和像素电极22的数据信号形成的电场旋转以控制透光率，从而实现灰度级。该液晶显示面板进一步包括在滤色片基板10和薄膜晶体管基板20之间用于维持盒间隙的衬垫料(未示出)。
通过多轮掩模工序形成液晶显示面板的滤色片基板10和薄膜晶体管基板20。这里，一轮掩模工序包括诸如薄膜沉积(涂敷)、清洁、光刻(以下称为光刻工序)、蚀刻、光刻胶剥离和检查工序等多个工序。特别地，薄膜晶体管基板包括半导体工序并需要多轮掩模工序，其制造工序比较复杂，这成为导致液晶显示面板制造成本提高的主要因素。
液晶显示器件通常分为采用从背光单元入射的光显示图像的透射型、通过反射诸如自然光的外界光来显示图像的反射型以及利用透射型和反射型优点的透射反射型。
透射型存在背光单元功耗过高的问题而反射型依赖于外界光使其不能在黑暗的环境显示图像。另一方面，如果外界光充足，则透射反射式液晶显示器件在反射模式下工作，并且如果外界光不充足，则在透射模式下工作，因此透射反射式液晶显示器件比透射型液晶显示器件更能减少功耗并且不同于会受到提供的外界光限制的反射型液晶显示器件。
为此，透射反射式液晶显示面板包括分为反射区和透射区的各像素。因此，与图1所示的薄膜晶体管相比较，形成于反射区的反射电极和用于使反射区和透射区产生相同光路径的绝缘层应该进一步添加在透射反射式薄膜晶体管中。因为必须增加掩模工序的数量，因此存在现有技术的透射反射式薄膜晶体管基板的制造工序复杂的问题。
发明内容
因此，本发明的优点在提供用于简化制造工序的透射反射式薄膜晶体管基板及其制造方法。
为了实现本发明的这些和其他优点，根据本发明实施方式的液晶显示器件包括栅线；与栅线交叉以限定像素区的数据线，栅绝缘层位于栅线和数据线之间；连接到栅线和数据线的薄膜晶体管；位于栅线、数据线和薄膜晶体管上的有机层，该有机层具有在像素区贯穿栅绝缘层的透射孔；在有机层上通过透射孔并连接到薄膜晶体管的像素电极；以及反射电极，位于像素电极上面具有不同于像素电极边缘部分的边缘部分并暴露透射孔的像素电极。
根据本发明实施方式的液晶显示器件的制造方法包括在基板上形成栅线的第一掩模工序；在栅极上形成栅绝缘层、在栅绝缘层上形成半导体图案、在半导体图案上形成与栅线交叉以限定像素区的数据线、形成源极和漏极的第二掩模工序；在数据线、源极和漏极上形成有机层并且形成贯穿有机层和栅绝缘层的透射孔的第三掩模工序；在像素区的有机层上形成经由透射孔连接到漏极的像素电极的第四掩模工序；在像素区形成反射电极以暴露透射孔的像素电极的第五掩模工序。
应该意识到，以上对本发明的概述和下文的详细说明都是解释性的和示例性的，旨在进一步解释所要求保护的本发明。
所包括的用来进一步理解本发明并且引入作为说明书一个组成部分的附图表示了本发明的实施方式，连同说明书一起用来解释本发明的原理。
在附图中图1示出了现有技术液晶显示面板结构的示意性透视图；图2部分地示出了根据本发明实施方式的部分透射反射式薄膜晶体管基板的平面图；图3A和图3B示出了沿图2中II-II’、III-III’和IV-IV’线提取的透射反射式薄膜晶体管基板的截面图；图4A和图4B示出为了根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第一掩模工序的平面图和截面图；图5A和图5B示出为了根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第二掩模工序的平面图和截面图；图6A和图6B示出为了根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第三掩模工序的平面图和截面图；图7A和图7B示出为了根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第四掩模工序的平面图和截面图；图8A和图8B示出为了根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第五掩模工序的平面图和截面图；
图9简要地示出根据本发明的实施方式的具有中心环绕部分的透射反射式式薄膜晶体管基板的平面图；图10A到图10C具体地示出图9所示的数据链环(data link)和数据线的接触区域的平面图和截面图；图11A和图11B示出为了说明图10A和10B所示的透射反射式薄膜晶体管基板第一掩模工序的平面图和截面图；图12A到图12B示出为了说明图10A和10B所示的透射反射式薄膜晶体管基板第二掩模工序的平面图和截面图；图13A到图13B示出为了说明图10A和10B所示的透射反射式薄膜晶体管基板第三掩模工序的平面图和截面图；图14A到图14B示出为了说明图10A和10B所示的透射反射式薄膜晶体管基板第四掩模工序的平面图和截面图；以及图15A到图15B示出为了说明图10A和10B所示的透射反射式薄膜晶体管基板第五掩模工序的平面图和截面图。
具体实施例方式
将详细参考附图所示的实施例来说明本发明的实施方式。
以下将通过参考图2到图15B详细说明本发明的实施方式。
图2部分地示出了根据本发明实施方式的透射反射式薄膜晶体管基板的平面图，并且图3A和图3B示出了沿图2中II-II’、III-III’和IV-IV’线提取的透射反射式薄膜晶体管基板的截面图。
参考图2和图3，透射反射式薄膜晶体管基板包括通过彼此交叉在下基板142上限定像素区的栅线102和数据线104，在两者之间设置有栅绝缘层144；连接到栅线102和数据线104的薄膜晶体管106；形成在各像素区并连接到薄膜晶体管106的像素电极118；形成与各像素的反射区的像素电极重叠的反射电极156。因此，各像素区分为具有反射电极156的反射区和具有通过开口部分暴露的像素电极118的透射区。
薄膜晶体管106响应于栅线102的扫描信号使得提供给数据线104的像素信号充入像素电极118并保持。因此，薄膜晶体管106包括栅线102；连接到数据线104的源极110；与源极相对并连接到像素电极118的漏极112；与栅线和中间的栅绝缘层重叠以在源极110和漏极112之间形成沟道的有源层116；与除沟道部分以外的有源层116、源极110和漏极112形成欧姆接触的欧姆接触层146。包括有源层116和欧姆接触层146的半导体图案148与数据线104重叠。
在通过栅线102和数据线104的交叉限定的像素区处形成像素电极118。具体地，在各像素区的有机绝缘层154上形成像素电极118以经过贯穿有机绝缘层154和钝化层150的漏极接触孔114以及贯穿从有机绝缘层154到栅绝缘层144的透射孔170。因此，像素电极118经由漏极接触孔114连接到漏极112并经由透射孔170连接到基板142。而且，像素电极118在反射区与形成在像素电极118上的反射电极156重叠，并且该像素电极118经由反射电极的开口部分暴露以在透射区透射光。通过经由薄膜晶体管106提供的像素信号，像素电极118与滤色片基板(未示出)的公共电极产生电势差。具有介电各向异性的液晶通过该电势差旋转以控制通过反射区和透射区的液晶层的透光率，因此根据视频信号改变亮度。
反射电极156形成在各像素的反射区以反射外界光。具体地，该反射电极156通过暴露形成在透射孔170中的像素电极限定透射区并通过遮盖(capture)像素电极118的剩余部分限定反射区，其中该像素电极118的剩余部分环绕该透射区。反射电极156与信号线(即数据线104或栅线102)上相邻像素的反射电极156分离形成。这样，反射电极156的边缘部分形成为位于像素电极118的边缘部分的外部。该反射电极156和像素电极118一起具有沿着有机绝缘层154的浮凸(emboss)形状，因此由于该散射效果提高了反射效率。
形成透射孔170以贯穿相对较厚的有机绝缘层154。因此，穿过液晶层的光路径的长度在反射区和透射区相等，因此，反射模式和透射模式的透射效率相同。
本发明的薄膜晶体管基板进一步包括连接到漏极112以稳定的维持提供给像素电极118的视频信号的存储电容120。放大的漏极112与平行于栅线102的存储线122重叠，在漏极112和存储线122之间设置有栅绝缘层144以形成存储电容。这样，半导体图案进一步在与存储线122重叠的漏极112下重叠。像素电极118在存储线122上经由接触孔114连接到漏极112。
栅线102通过栅焊盘126连接到栅驱动器(未示出)。该栅焊盘126包括延伸自栅线102的下栅焊盘电极128和经由贯穿从有机绝缘层154到栅绝缘层144的第一接触孔130连接到下栅焊盘电极128的上栅焊盘电极132。
数据线104通过数据焊盘134连接到数据驱动器(未示出)。该数据焊盘134以类似于上述栅焊盘126的结构形成。具体地，数据焊盘134包括形成于基板142上的下数据焊盘电极136和经由贯穿从有机绝缘层154到栅绝缘层144的第二接触孔138连接到下数据焊盘电极136的上数据焊盘电极140。该数据焊盘134(的下数据焊盘136)通过单独的接触电极连接到数据线104，和半导体图案148一起形成在栅绝缘层144上。
图3A所示的钝化层150可以在图3B中省略。
根据本发明实施方式的薄膜晶体管由以下五轮掩模工序形成。
图4A和图4B说明根据本发明的实施方式的薄膜晶体管基板制造方法的第一掩模工序的平面图和截面图。
通过第一掩模工序在下基板142上形成栅图案，其中栅图案包括栅线102、存储线122、连接到栅线102的下栅焊盘电极128以及下数据焊盘电极136。
具体地，通过诸如溅射的沉积方法形成栅金属层。该栅金属层以Mo、Cu、Al、Ti、Cr、Mo合金、诸如AlNd的Al合金或Cu合金形成的单层结构形成。或者，该栅金属层可以以诸如Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金/Al、Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al、Al合金/Mo合金、Mo合金/Al合金的至少双层的多层层叠结构形成。随后，通过采用第一掩模的光刻工序和蚀刻工序对该栅金属层构图，以形成包括栅线102、存储线122、下栅焊盘电极128和下数据焊盘电极136的栅金属图案。
图5A和图5B示出根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第二掩模工序的平面图和截面图。
在形成有栅金属图案的下基板142上形成栅绝缘层144。并且，通过第二掩模工序在栅绝缘层144上形成包括数据线104、源极110和漏极112的源/漏图案以及包括沿着源/漏图案背面重叠的有源层116和欧姆接触层146的半导体图案148。通过采用衍射曝光掩模或半色调掩模的一轮掩模工序形成半导体图案148和源/漏图案。以下，作为示例，仅对采用衍射曝光掩模的情况说明如下。
具体地，在形成有栅图案的下基板142上顺序形成栅绝缘层144、非晶硅层、掺杂有杂质n+或p+的非晶硅层、源/漏金属层。例如，通过PECVD形成栅绝缘层144、非晶硅层和掺杂有杂质的非晶硅层，并通过溅射形成源/漏金属层。栅绝缘层144由诸如氧化硅SiOx、氮化硅SiNx的无机绝缘材料形成，并且源/漏金属层以Mo、Cu、Al、Ti、Cr、Mo合金、诸如AlNd的Al合金或Cu合金形成的单层结构形成。或者，该栅金属层144可以由诸如Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金Al、Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al、Al合金/Mo合金、Mo合金/Al合金的至少双层的多层层叠结构形成。
通过采用衍射曝光掩模的光刻工序在源/漏金属层上形成具有台阶差的光刻胶图案。光刻胶图案在应该形成半导体图案和源/漏图案的区域具有较厚的厚度并在形成薄膜晶体管沟道的区域具有相对较薄的厚度。
通过采用具有台阶差的光刻胶图案的蚀刻工序形成源/漏金属图案及其下面的半导体图案。该源/漏图案包括数据线104、与源极110一体的漏极112。
然后通过灰化工序去除光刻胶较薄的部分并且使光刻胶较厚的部分变薄。通过采用灰化的光刻胶图案的蚀刻工序，源极110与漏极112分离，并且去除源极110和漏极112下方的欧姆接触层。随后，通过剥离工序去除剩余在源/漏金属图案上的光刻胶图案。
图6A和图6B分别示出根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第三掩模工序的平面图和截面图。
形成覆盖源/漏金属图案的钝化层150和有机层154，采用第三掩模工序形成贯穿钝化层150和有机层154的透射孔170、漏极接触孔114、第一接触孔130和第二接触孔138。钝化层150可以省略。
具体地，通过诸如PECVD的沉积方法在形成有源/漏金属图案的栅绝缘层144上形成钝化层150。该钝化层150由类似栅绝缘层144的无机绝缘材料形成。
随后，在钝化层150上形成在反射区具有浮凸表面并具有透射孔170、漏极接触孔114、第一接触孔130和第二接触孔138的有机层154。通过采用旋转涂敷方法涂敷诸如丙烯酸树脂的光敏有机材料在钝化层150上形成有机层154。通过采用第三掩模的光刻工序对有机层154构图，从而对应于第三掩模的透射部分形成贯穿有机层154的透射孔170、漏极接触孔114、第一接触孔130和第二接触孔138。此外，第三掩模在除了透射部分的其他区域具有掩蔽部分和衍射曝光部分(半透射部分)重复的结构。对应于上述结构的有机层154构图为在反射区具有台阶差的掩蔽区(凸出部分)和衍射曝光区(凹槽部分)重复的结构。随后，处理突出部分和凹槽部分重复的有机层154使得有机层154的表面具有浮凸形状。
通过采用有机层154作为掩模构图有机层154下面的钝化层150和栅绝缘层144，使得透射孔170、第一接触孔130和第二接触孔138延伸以贯穿栅绝缘层144，并且漏极接触孔114延伸以贯穿钝化层150。
图7A和图7B示出根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第四掩模工序的平面图和截面图。
在具有浮凸形状的有机层154上形成包括像素电极118、上栅焊盘电极132和上数据焊盘电极138的透明导电图案。
具体地，通过诸如溅射的沉积方法形成透明导电层以覆盖有机层154。该透明导电层由ITO、T0、IZO、ITZO等形成。随后，通过采用第四掩模的光刻和蚀刻工序对该透明导电层构图，从而形成包括像素电极118、上栅焊盘电极132和上数据焊盘电极138的透明导电图案。在像素区形成像素电极118以经由透射孔170与有机层154重叠，并经由漏极接触孔114连接到漏极。这样，由于有机层154的表面具有浮凸形状，形成与有机层154上的像素电极118具有浮凸形状。上栅焊盘电极132和上数据焊盘电极140经由第一接触孔130和第二接触孔138分别连接到下栅焊盘电极128和下数据焊盘电极136。
图8A和图8B示出根据本发明的实施方式说明透射反射式薄膜晶体管基板的第五掩模工序的平面图和截面图。
采用第五掩模工序在像素电极118上形成反射电极156。
具体地，通过诸如溅射的沉积方法在具有浮凸表面的像素电极118和有机层154上形成反射金属层，该反射金属层保持浮凸形状。反射金属层由具有高反射率诸如Al和AlNd的金属形成，或者由诸如AlNd/Mo等的双层结构形成。随后，通过采用第五掩模的光刻工序和蚀刻工序对反射金属层构图，从而在反射区形成覆盖像素电极118的反射电极156。反射电极156在每个像素单元为独立的并在透射孔170具有开口以暴露像素电极118。反射电极156连接到其下的像素电极118。反射电极156的边缘部分形成为位于像素电极118的边缘部分外侧。
因此，根据本发明的实施方式的透射反射式薄膜晶体管基板制造方法可以通过执行五轮掩模工序来简化工艺。
图9简要地示出根据本发明的实施方式的具有中心环绕部分的透射反射式薄膜晶体管基板的平面图。
图9所示的透射反射式薄膜晶体管基板100包括接触电极160以将与栅焊盘126形成于同一层的数据焊盘134连接到数据线104。换句话说，接触电极160将延伸自数据焊盘134的数据链环135连接到数据线104。接触电极160由与形成在有源区182的像素电极118相同的金属层形成，并由与反射电极156相同的反射金属层形成，或者由透明导电层和反射金属层层叠的双层结构形成。这里，如果接触电极160由暴露于外部的反射金属层形成，则会出现接触电极160受到腐蚀的问题。因此，该接触电极160位于通过密封剂180密封的区域，即，密封剂180和有源区182之间。因此，可以避免接触电极160的腐蚀。
图10A示出数据线104和数据链环135的接触区域的放大平面图，图10B示出沿图10A的V-V’线提取的接触区域的截面图，并且图10C示出图10A所示接触区域的另一截面图。
参考图10A和图10B，数据链环135邻近于数据线104或者与数据线104重叠。该数据线104延伸自数据焊盘134，即，下数据焊盘电极136，并位于由密封剂180密封的区域。
第三接触孔162从有机层154贯穿到栅绝缘层144以暴露数据链环135，并且第四接触孔164从有机层154贯穿到钝化层150以暴露数据线104。
接触电极160包括由与上数据焊盘电极140相同的透明导电层形成的第一接触电极166和由反射金属层形成以遮盖第一接触电极166的第二接触电极。与此不同，接触电极160可以仅由第一接触电极166，或者仅由第二接触电极168形成。该接触电极160经由第三和第四接触孔162和164将数据链环135连接到数据线104上。
图10B所示的钝化层150可以在图10C中省略。
通过执行上述的五轮掩模工序形成透射反射式薄膜晶体管的周围部分，即数据线104和数据链环135的接触区域。将参考图11A到15B对其进行说明。
参考图11A和图11B，通过第一掩模工序在下基板142上形成栅金属图案，其中栅金属图案包括连同下数据焊盘136一起的数据链环135。该第一掩模工序与图4A和4B所述的相同。
参考图12A和图12B，通过第二掩模工序形成栅绝缘层144，并且在栅绝缘层144上层叠包括有源层116和欧姆接触层146的半导体图案148和数据线104。该第二掩模工序与图5A和5B所述的相同。
参考图13A和图13B，采用第三掩模工序形成钝化层150和有机层154，并形成贯穿钝化层150和有机层154的第三和第四接触孔162和164。第三接触孔162从有机层154贯穿到栅绝缘层144以暴露数据链环135，并且第四接触孔164贯穿有机层154和钝化层150以暴露数据线104。钝化层150可以省略。该第三掩模工序与图6A和6B所述相同。
参考图14A到图14B，采用第四掩模工序，第一接触电极166与由透明导电层形成的上数据焊盘电极140一起形成。该第一接触电极166贯穿第一和第二接触孔162和164以将数据链环135连接到数据线104。该第四掩模工序与图7A和7B所述的相同。
参考图15A和图15B，采用第五掩模工序形成包括反射金属层的第二接触电极168。形成第二接触电极168以经由第一和第二接触孔162和164遮盖第一接触电极166。换句话说，第二接触电极168的边缘部分形成为位于第一接触电极166边缘部分的外侧。该第五掩模工序与图8A和8B所述的相同。
如上所述，在根据本发明的透射反射式薄膜晶体管基板及其制造方法中，通过一轮掩模工序对有机层构图并形成多个接触孔。因此，可以通过执行五轮掩模工序来简化工艺。
此外，在根据本发明的透射反射式薄膜晶体管基板及其制造方法中，以相同结构形成栅焊盘和数据焊盘，并且通过包括透明导电层和反射金属层至少其中之一的接触电极将分别形成于不同层的数据链环和数据线连接在一起。这样，接触电极形成在由密封剂密封的区域，因此，可以防止由于由反射金属层形成的接触电极暴露而产生的腐蚀问题。
尽管已经通过上述附图所示的实施方式解释本发明，但对于熟悉本领域的技术人员来说，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做出各种变型和改进。因此，本发明的范围由所附权利要求书及其等效物所限定的范围决定。
权利要求
1.一种液晶显示器件，包括栅线；与栅线交叉以限定像素区的数据线，栅绝缘层位于栅线和数据线之间；连接到栅线和数据线的薄膜晶体管；位于栅线、数据线和薄膜晶体管上的有机层，该有机层具有在像素区贯穿栅绝缘层的透射孔；在有机层上通过透射孔并连接到薄膜晶体管的像素电极；以及反射电极，位于像素电极上方具有不同于像素电极边缘部分的边缘部分并暴露透射孔的像素电极。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述有机层和像素电极具有浮凸表面。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器件，其特征在于，所述反射电极具有浮凸表面。
4.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述反射电极连接到像素电极上并形成用于覆盖透射孔的侧表面。
5.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述反射电极的边缘部分形成为位于像素电极边缘部分的外侧。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器件，其特征在于，所述反射电极与栅线和数据线至少其中之一重叠。
7.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括位于有机层下面由无机绝缘材料形成的钝化层。
8.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述像素电极经由贯穿有机层的漏极接触孔连接到薄膜晶体管的漏极。
9.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括存储电容，其包括穿过像素区与数据线交叉的存储线和漏极，其中所述存储线与延伸自薄膜晶体管的漏极重叠，并且在存储线和漏极之间设置有栅绝缘层。
10.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括与数据线和薄膜晶体管重叠的半导体图案。
11.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括连接到栅线和数据线至少其中之一的焊盘，其中所述焊盘包括连接到至少一条线的下焊盘电极；贯穿从有机层到栅绝缘层以暴露下焊盘电极的接触孔；经由接触孔连接到下焊盘电极的上焊盘电极。
12.根据权利要求11所述的液晶显示器件，其特征在于，进一步包括延伸自邻近于数据线的下焊盘电极的数据链环；多个暴露数据链环和数据线的接触孔；以及贯穿接触孔以将数据链环连接到数据线的接触电极。
13.根据权利要求12所述的液晶显示器件，其特征在于，所述接触电极包括与像素电极相同的透明导电层和与反射电极相同的反射金属层的至少其中之一。
14.根据权利要求13所述的液晶显示器件，其特征在于，当所述接触电极由透明导电层和反射金属层形成时，所述反射金属层形成于透明导电层的边缘部分的外侧。
15.根据权利要求12所述的液晶显示器件，其特征在于，所述接触电极位于由密封剂密封的区域内。
16.根据权利要求11所述的液晶显示器件，其特征在于，所述焊盘为栅焊盘和数据焊盘其中之一。
17.一种液晶显示器件的制造方法，包括在基板上形成栅线的第一掩模工序；在栅极上形成栅绝缘层、在栅绝缘层上形成半导体图案、在半导体图案上形成与栅线交叉以限定像素区的数据线、形成源极和漏极的第二掩模工序；在数据线、源极和漏极上形成有机层以及形成贯穿有机层和栅绝缘层的透射孔的第三掩模工序；在像素区的有机层上形成经由透射孔连接到漏极的像素电极的第四掩模工序；在像素区形成反射电极以暴露透射孔的像素电极的第五掩模工序。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，第一掩模工序进一步包括在基板上形成平行于栅线的存储线；以及第二掩模工序进一步包括形成包括存储线和漏极的存储电容，其中所述存储线与延伸自薄膜晶体管的漏极重叠，并且栅绝缘层位于存储线和栅极之间。
19.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，第一掩模工序进一步包括形成连接到栅线和数据线至少其中之一的下焊盘电极；第三掩模工序进一步包括形成暴露下焊盘电极的接触孔；第四掩模工序进一步包括形成经由接触孔连接到下焊盘电极的上焊盘电极。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，第一掩模工序进一步包括形成延伸自下焊盘电极并要连接到数据线的数据链环；第三掩模工序进一步包括形成多个暴露数据链环和数据线的接触孔；第四掩模工序和第五掩模工序至少其中之一进一步包括形成贯穿接触孔以将数据链环连接到数据线的接触电极。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述接触电极包括与像素电极相同的透明导电层和与反射电极相同的反射金属层至少其中之一。
22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述接触电极由透明导电层和反射金属层形成，所述反射金属层形成于所述透明导电层边缘部分的外侧。
23.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述接触电极位于由密封剂密封的区域内。
24.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述反射电极连接到像素电极并形成用于覆盖透射孔的侧表面。
25.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述反射电极的边缘部分形成于像素电极边缘部分的外侧。
26.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述反射电极与栅线和数据线至少其中之一重叠。
27.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述第三掩模工序进一步包括在有机层下方形成由无机绝缘材料形成的钝化层。
28.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述第三掩模工序进一步包括形成贯穿有机层以暴露漏极的漏极接触孔，所述像素电极经由漏极接触孔连接到漏极。
29.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述像素电极的边缘部分不同于反射电极的边缘部分。
全文摘要
本发明公开了一种透射反射式薄膜晶体管基板及其制造方法。根据本发明的液晶显示器件包括与数据线交叉以限定像素区的栅线，栅绝缘层位于栅线和数据线之间；连接到栅线和数据线的薄膜晶体管；位于栅线、数据线和薄膜晶体管上方的有机层，该有机层具有在像素区贯穿栅绝缘层的透射孔；在有机层上通过透射孔并连接到薄膜晶体管的像素电极；以及反射电极，位于像素电极上具有不同于像素电极边缘部分的边缘部分并暴露透射孔的像素电极。
文档编号H01L21/027GK1782843SQ200510093770
公开日2006年6月7日 申请日期2005年8月30日 优先权日2004年12月4日
发明者林周洙, 金雄植 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社